JP2010267746A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. 基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダを載置するステージとを含む半導体処理装置であって、
   前記ステージは前記基板ホルダを真空吸着により吸着し、
   前記基板ホルダは、基板を、静電吸着、真空吸着、並びに、静電吸着および真空吸着の両方、のいずれで保持するかが切り替えられることを備える半導体処理装置。
2. 前記基板ホルダが前記ステージに載置されるまでは、静電吸着により前記基板を前記基板ホルダに保持し、
   前記基板ホルダが前記ステージに配置されてからは、真空吸着により前記基板を前記基板ホルダに保持する請求項１に記載の半導体処理装置。
3. 前記基板ホルダは、
   前記基板を保持するための静電吸着部と、
   前記基板を保持する保持面に設けられた貫通孔とを備え、
   前記ステージは、
   前記基板ホルダを前記ステージに吸引するための第１の開口と、
   前記基板ホルダの前記貫通孔を介して前記基板を前記基板ホルダに吸引するための第２の開口とを備える請求項１または２に記載の半導体処理装置。
4. 前記ステージは、前記第１の開口に接続される第１吸引部と、前記第２の開口に接続される第２吸引部とを備える請求項３に記載の半導体処理装置。
5. 前記貫通孔は、前記保持面の内部の周縁部に複数設けられる請求項３または４に記載の半導体処理装置。
6. 前記貫通孔は、前記保持面の内部の中心部よりも周縁部に密に複数設けられる請求項５に記載の半導体処理装置。
7. 前記第２吸引部は、前記基板ホルダを載置する載置面の内部の周縁部に複数設けられる請求項４に記載の半導体処理装置。
8. 前記基板を前記基板ホルダから剥離するときに、前記第１吸引部および前記貫通孔を介して、前記基板方向に気体を噴出する請求項４または７に記載の半導体処理装置。
9. 前記基板ホルダを前記ステージから剥離するときに、前記第２吸引部を介して、前記基板ホルダ方向に気体を噴出する請求項４、７または８に記載の半導体処理装置。
10. 前記貫通孔にはポーラス材が埋め込まれている請求項３から９のいずれか１項に記載の半導体処理装置。
11. 前記基板ホルダは、
    前記基板を保持するための静電吸着部と、
    前記基板を保持する保持面に設けられたポーラス部とを備え、
    前記ステージは、
    一端の開口が前記基板ホルダを載置する載置面において前記ポーラス部と対向する第１吸引部と、
    一端の開口が前記載置面において前記ポーラス部とは対向せずに前記基板ホルダに対向する第２吸引部とを備える請求項１に記載の半導体処理装置。
12. 前記ポーラス部は、前記保持面の内部の周縁部に複数設けられる請求項１１に記載の半導体処理装置。
13. 前記ポーラス部は、前記保持面の内部の中心部よりも周縁部に密に複数設けられる請求項１２に記載の半導体処理装置。
14. 前記第２吸引部は、前記載置面の内部の周縁部に複数設けられる請求項１１から１３のいずれか１項に記載の半導体処理装置。
15. 前記基板を前記基板ホルダから剥離するときに、前記第１吸引部および前記ポーラス部を介して、前記基板方向に気体を噴出する請求項１１から１４のいずれか１項に記載の半導体処理装置。
16. 前記基板ホルダを前記ステージから剥離するときに、前記第２吸引部を介して、前記基板ホルダ方向に気体を噴出する請求項１１から１５のいずれか１項に記載の半導体処理装置。
17. 前記基板ホルダは、
    前記基板を保持するための静電吸着部と、
    前記基板を保持する保持面に設けられたポーラス部と、
    前記ポーラス部の前記保持面とは反対側の面に接続される導通孔とを備え、
    前記ステージは、
    一端の開口が前記基板ホルダを載置する載置面において前記導通孔と接続される第１吸引部と、
    一端の開口が前記載置面において前記導通孔とは接続されずに前記基板ホルダに対向する第２吸引部とを備える請求項１に記載の半導体処理装置。
18. 前記第２吸引部は、前記載置面の内部の周縁部に複数設けられる請求項１７に記載の半導体処理装置。
19. 前記基板を前記基板ホルダから剥離するときに、前記第１吸引部および前記導通孔を介して、前記基板方向に気体を噴出する請求項１７または１８に記載の半導体処理装置。
20. 前記基板ホルダを前記ステージから剥離するときに、前記第２吸引部を介して、前記基板ホルダ方向に気体を噴出する請求項１７から１９のいずれか１項に記載の半導体処理装置。
21. 前記第１吸引部の他端の開口に接続された第１真空排気装置と、前記第２吸引部の他端の開口に接続された第２真空排気装置とを備え、
    前記基板を前記基板ホルダに保持する保持動作と、前記基板ホルダを前記ステージに載置する載置動作を独立して制御するために、前記第１真空排気装置と前記第２真空排気装置を独立して制御する請求項４または１７に記載の半導体処理装置。
22. 前記第１吸引部の他端の開口に接続された第１バルブと、前記第２吸引部の他端の開口に接続された第２バルブと、前記第１バルブ及び前記第２バルブに接続された真空排気装置とを備え、
    前記基板を前記基板ホルダに保持する保持動作と、前記基板ホルダを前記ステージに載置する載置動作を独立して制御するために、第１バルブと第２バルブを独立して制御する請求項４、７または２１に記載の半導体処理装置。