JP2007201259A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 基板に複数の素子を実装する半導体装置の製造方法において、
   前記複数の素子が所定間隔で貼着された粘着テープを水平移動させて前記複数の素子を真空吸着部の複数の空気吸引孔に対向させる位置に移動させる工程と、
   前記複数の空気吸引孔から空気を吸引して前記真空吸着部に前記複数の素子を所定間隔で吸着させる工程と、
   前記真空吸着部に吸着された前記素子を前記粘着テープから離間させる工程と、
   前記真空吸着部に吸着された前記複数の素子を前記基板上の所定位置に載置する工程と、
   前記複数の素子を前記基板の複数の所定位置に載置して前記真空吸着部による前記複数の素子に対する吸着を解除する工程と、
   前記複数の素子の端子を前記基板の配線パターンに同時に接合する工程と、
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記複数の空気吸引孔から空気を吸引して前記真空吸着部に前記複数の素子を所定間隔で吸着させる際、前記粘着テープの前記素子が粘着されている側の反対側から前記素子を前記真空吸着部に押圧するコレットを前記空気吸引孔と対向する位置へ移動させて前記素子を前記空気吸引孔に押圧する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記基板に前記素子を囲む複数の壁部を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１または２の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記複数の壁部の上端を透過性のカバーにより封止する工程をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記壁部は、前記素子の上方に向けて広がるように傾斜された傾斜面を有することを特徴とする請求項３または４の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記壁部は、前記素子から発光された光を反射させる反射面を有することを特徴とする請求項３乃至５の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記複数の空気吸引孔は、前記基板の各素子取付位置に対応する間隔で配置されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
8. 基板に複数の素子を実装する半導体装置の実装装置において、
   空気を吸引する複数の空気吸引孔により前記複数の素子を吸着する真空吸着部と、
   前記複数の素子が所定間隔で貼着された粘着テープを水平移動させて前記複数の素子を前記真空吸着部の複数の空気吸引孔に対向させる位置に移動させる素子供給ラインと、
   前記複数の空気吸引孔より空気を吸引する真空発生装置と、
   前記真空発生装置と前記複数の空気吸引孔との間に配された切替弁と、
   前記複数の素子を前記基板上の所定位置に搬送するまで前記切替弁を前記真空発生装置と前記複数の空気吸引孔とを連通して前記複数の素子を吸着し、前記真空吸着部に吸着された前記複数の素子から前記粘着テープを離間させ、前記複数の素子を前記基板上の所定位置に載置した後、前記切替弁を切替えて前記複数の素子に対する吸着を解除する制御部と、
   を有することを特徴とする半導体装置の実装装置。