JP2010246287A - 電流制御回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる電流制御回路は、負荷117に流れる電流を制御するトランジスタ110と、トランジスタ110に流れる電流に応じた電流が流れるセンス抵抗113と、センス抵抗113とセンス抵抗113に流れる電流とに基づいて決定される比較電圧と、所定の基準電圧と、に基づいてトランジスタ110を制御するための制御信号を生成する制御信号生成回路121と、所定の基準電圧を生成するための定電流源119と、基準電圧を生成するために定電流源119に直列に接続された抵抗120と、を備える。このような回路構成により、温度変化によらず精度の高い電流を供給することができる。
【選択図】図1
Description
通常時の出力電流=I1×Z=(VREF/R1)×Z
温度変動時の出力電流=I1×Z=(VREF/(R1×1.1))×Z=0.91(VREF/R1)×Z
このように、図5に示す従来技術の電流制御回路の場合、温度変化によって出力電流が変動する。
通常時の出力電流=I1×Z=(V1/R1)×Z=((I2×R2)/R1)×Z
温度変動時の出力電流=((I2×R2×1.1)/(R1×1.1))×Z=((I2×R2)/R1)×Z
このように、図1に示す本発明の実施の形態にかかる電流制御回路の場合、温度変化によって出力電流は変動しない。
108 トランジスタ
109 トランジスタ
110 トランジスタ
111 Hブリッジ回路
112 トランジスタ
113 センス抵抗
114 PWMコンパレータ
115 プリドライバ回路
116 センスMOS
117 モータ
118 アンプ
119 定電流源
120 抵抗
121 制御信号生成回路
150 電流制御回路
VDD 高電位側電源
VM 高電位側電源
GND 低電位側電源
Claims (10)
- 負荷に流れる電流を制御する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタに流れる電流に応じた電流が流れる第1の抵抗と、
前記第1の抵抗と当該第1の抵抗に流れる電流とに基づいて決定される比較電圧と、所定の基準電圧と、に基づいて前記第1のトランジスタを制御するための制御信号を生成する制御信号生成回路と、
前記基準電圧を生成するための定電流源と、
前記基準電圧を生成するために前記定電流源に直列に接続された第2の抵抗と、を備えた電流制御回路。 - 前記制御信号生成回路は、
前記基準電圧と、前記比較電圧と、を比較して第1の比較結果を出力する第1の比較回路と、
前記第1の比較結果に基づいて前記制御信号を出力するプリドライバ回路と、を備えた請求項1に記載の電流制御回路。 - 前記第1のトランジスタに流れる電流に応じた電流が流れる第2のトランジスタをさらに備え、
前記第1の抵抗には前記第2のトランジスタに流れる電流に応じた電流が流れることを特徴とする請求項1又は2に記載の電流制御回路。 - 前記第2のトランジスタとカレントミラー接続され、前記負荷に流れる電流をオンオフ切替制御する第3のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの第1の端子の電圧と、前記第3のトランジスタの第1の端子の電圧と、を比較して第2の比較結果を出力する第2の比較回路と、
前記第2のトランジスタに直列に接続され、前記第2の比較結果に基づいて前記第2のトランジスタを流れる電流を制御する第4のトランジスタと、をさらに備えた請求項3に記載の電流制御回路。 - 前記第1の抵抗と前記第2の抵抗とは、互いに同一特性であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の電流制御回路。
- 前記第2及び前記第3のトランジスタは、PチャネルMOSトランジスタであることを特徴とする請求項4又は5に記載の電流制御回路。
- 前記第2及び前記第3のトランジスタは、PNP型バイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項4又は5に記載の電流制御回路。
- 前記第4のトランジスタは、PチャネルMOSトランジスタであることを特徴とする請求項4〜7のいずれか一項に記載の電流制御回路。
- 前記第4のトランジスタは、PNP型バイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項4〜7のいずれか一項に記載の電流制御回路。
- 前記第1のトランジスタに直列に接続された第5のトランジスタと、
前記第1及び前記第5のトランジスタに並列に接続され、前記第3のトランジスタと直列に接続された第6のトランジスタと、を備え、
前記負荷は、前記第1及び前記第5のトランジスタを接続するノードと、前記第3及び前記第6のトランジスタを接続するノードと、の間に接続されたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の電流制御回路。
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