JP2010245455A5 - 基板 - Google Patents

Description

また、以上の実施の形態では、本発明の構成が、基板１００の電子回路基板２１０と対向する面（外部電極構造）および基板１００の半導体素子２２０と対向する面の両方に適用された構成を示したが、いずれか一方のみこのような構成として、他方は通常のパターンとすることもできる。なお上記した実施形態によれば、以下の発明が開示されている。
（付記１）
基材と、
前記基材の一面に形成された複数のパッドと、
前記基材の一面の前記複数のパッド上に形成されるとともに、各前記パッドをそれぞれ露出させる複数の開口部が形成された絶縁膜と、
を含み、
前記絶縁膜の前記複数の開口部は、前記複数のパッドのうち、角部に形成されたパッドの前記基材の中心部から遠い角部側の第１の周縁部が前記絶縁膜により覆われるとともに、前記第１の周縁部よりも前記基材の中心部に近い側の第２の周縁部が露出されるように形成された基板。
（付記２）
付記１に記載の基板において、
前記基材の一面に形成されるとともに、各前記パッドとそれぞれ連続して形成されるとともに、前記基材中に設けられたコンタクトと接続された複数の配線をさらに含み、
前記絶縁膜の前記複数の開口部は、前記複数のパッドのうち、前記角部に形成されたパッド以外の少なくとも一のパッドの当該パッドと対応する前記配線との接続箇所以外の周縁部全体を露出させるように形成された基板。
（付記３）
付記２に記載の基板において、
前記絶縁膜の前記複数の開口部は、前記複数のパッドのうち、少なくとも内周部に形成されたパッドの当該パッドと対応する前記配線との接続箇所以外の周縁部全体を露出させるように形成された基板。
（付記４）
付記１から３いずれかに記載の基板において、
前記複数のパッドのうち、前記角部に形成された前記パッドは、前記基材の前記中心部から遠い角部側に補強パターンが形成された形状を有し、前記第１の周縁部は、前記補強パターンに設けられた基板。
（付記５）
付記１から４いずれかに記載の基板において、
前記複数のパッドは、マトリクス状に配置された基板。
（付記６）
付記１から５いずれかに記載の基板において、
前記複数のパッドは、半田材料を介して、外部の端子と接合される基板。
（付記７）
付記１から６いずれかに記載の基板と、
前記基板の一面上に搭載された半導体素子と、
を含む半導体装置。
（付記８）
付記７に記載の半導体装置において、
前記基板の前記一面とは反対側の面に配置された電子回路基板をさらに含み、
前記基板の前記基材の前記一面は、前記電子回路基板と対向するように設けられ、前記複数のパッドは、前記電子回路基板の端子と接続された半導体装置。
（付記９）
付記７に記載の半導体装置において、
前記基板の前記基材の前記一面は、前記半導体素子と対向するように設けられ、前記複数のパッドは、前記半導体素子の端子と接続された半導体装置。

Claims (1)

1. 基材と、
   前記基材の一面に形成された複数のパッドと、
   前記基材の一面の前記複数のパッド上に形成されるとともに、各前記パッドをそれぞれ露出させる複数の開口部が形成された絶縁膜と、
   を含み、
   前記絶縁膜の前記複数の開口部は、前記複数のパッドのうち、角部に形成されたパッドの前記基材の中心部から遠い角部側の第１の周縁部が前記絶縁膜により覆われるとともに、前記第１の周縁部よりも前記基材の中心部に近い側の第２の周縁部が露出されるように形成された基板。