JP2010238993A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 サブ素子部のコンタクト部において、電流集中が生じ難い半導体装置を提供する。
【解決手段】 メイン素子部２０とサブ素子部４０が形成されている半導体基板１２を有する半導体装置であって、半導体基板１２の上面のうち、メイン素子部２０の上面にはメイン電極６６が形成されており、サブ素子部４０の上面には互いに分離されている複数のコンタクト部６９を介して半導体基板１２と導通しているサブ電極６８が形成されており、前記複数のコンタクト部６９は、第１方向に沿って伸びる直線状に形成されているとともに、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配列されており、前記複数のコンタクト部６９が形成されている領域のうちの前記第２方向の少なくとも一方の端部近傍において、各コンタクト部６９の第１方向の長さが、その端部から前記領域の中央に向かうにつれて長くなっている。
【選択図】図３

Description

本発明は、メイン素子部と、電流検出用のサブ素子部が形成されている半導体基板を備える半導体装置に関する。

特許文献１には、多数のＩＧＢＴを備えた半導体装置が開示されている。この半導体装置の半導体基板には、メイン素子部となるＩＧＢＴとサブ素子部となるＩＧＢＴが形成されている。サブ素子部のＩＧＢＴは、メイン素子部のＩＧＢＴと同様に動作する。ＩＧＢＴがオンしている際には、サブ素子部のＩＧＢＴに流れる電流は、メイン素子部のＩＧＢＴに流れる電流に対応した値となる。サブ素子部のＩＧＢＴは、メイン素子部のＩＧＢＴを流れる電流を検出するために用いられる。

特開平９−２９８２９８号

サブ素子部を有する半導体装置は、サブ素子部の一部に局所的に電流が集中し易いという問題がある。図１１は従来のサブ素子部（ＩＧＢＴ）を有する半導体装置を上面側から見た平面図を示しており、図１２は図１１のＡ−Ａ線断面図を示している。参照番号２００はサブ素子部のＩＧＢＴのエミッタ電極を示しており、参照番号２０２はエミッタ電極と半導体基板とのコンタクト部（エミッタ電極２００と半導体基板のｎエミッタ領域及びｐ^＋ボディ領域とが導通している部分）を示している。図１２の矢印２１０に示すように、コンタクト部２０２には、主に、その直下の半導体基板から電流が流入する。しかしながら、図１１及び図１２の矢印２１２に示すように、サブ素子部の周囲の半導体基板中においても、電流がコンタクト部２０２に向かって流れる。このため、コンタクト部２０２の配列方向における両端部に位置するコンタクト部（図１２のコンタクト部２０２ａ）では、他のコンタクト部２０２に比べて電流密度が高くなる。また、コンタクト部２０２の一群が形成されている領域が矩形状であるため、その角部では３方から電流が集まり、特に電流密度が高くなる。すなわち、コンタクト部２０２ａの端部で特に電流密度が高くなる。このように、従来のサブ素子部を有する半導体装置では、コンタクト部の一部に電流が集中しやすい。電流集中が生じると、その電流集中箇所でサブ素子部が破損し易いという問題が生じる。また、電流集中が生じることによって、メイン素子部とサブ素子部との電流比率が所望の比率とならず、半導体装置の設計が困難となるという問題が生じる。これらの問題は、ＩＧＢＴのみならず、ＭＯＳＦＥＴ等の他の半導体素子を有する半導体装置においても同様に生じる。

本発明は上述した実情を鑑みて創作されたものであり、サブ素子部のコンタクト部において、電流集中が生じ難い半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の半導体装置は、メイン素子部とサブ素子部が形成されている半導体基板を有する。半導体基板の下面には、下部電極が形成されている。半導体基板の上面のうち、メイン素子部の上面にはメイン電極が形成されており、サブ素子部の上面には互いに分離されている複数のコンタクト部を介して半導体基板と導通しているサブ電極が形成されている。複数のコンタクト部は、第１方向に沿って伸びる直線状に形成されているとともに、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配列されている。複数のコンタクト部が形成されている領域のうちの前記第２方向の少なくとも一方の端部近傍において、各コンタクト部の第１方向の長さが、その端部から前記領域（複数のコンタクト部が形成されている領域）の中央に向かうにつれて長くなっている。
この半導体装置では、複数のコンタクト部が形成されている領域の第２方向の少なくとも一方の端部近傍において、各コンタクト部の第１方向の長さが、その端部から領域（すなわち、複数のコンタクト部が形成されている領域）の中央に向かうにつれて長くなっている。このため、サブ素子部の周囲からの電流が、第２方向における端部のコンタクト部だけでなく、その端部近傍のコンタクト部に分散して流れる。したがって、端部のコンタクト部への電流集中が抑制される。また、このように各コンタクト部が配置されていることによって、コンタクト部群が形成されている領域が角部を有しない形状となる。このため、角部への電流集中が抑制される。このように、この半導体装置では、コンタクト部に電流集中が生じることが抑制される。

また、以下の半導体装置でも、コンタクト部への電流集中を抑制することができる。この半導体装置は、メイン素子部とサブ素子部が形成されている半導体基板を有している。半導体基板の下面には、下部電極が形成されている。半導体基板の上面のうち、メイン素子部の上面にはメイン電極が形成されており、サブ素子部の上面には互いに分離されている複数のコンタクト部を介して半導体基板と導通しているサブ電極が形成されている。複数のコンタクト部は、第１方向に沿ってコンタクト部が直線状に配列された列状コンタクト部群を複数個形成している。複数の列状コンタクト部群は、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配列されている。複数の列状コンタクト部群が形成されている領域のうちの前記第２方向の少なくとも一方の端部近傍において、各列状コンタクト部群の第１方向の長さが、その端部から前記領域（複数の列状コンタクト部群が形成されている領域）の中央に向かうにしたがって長くなっている。
この半導体装置では、複数の列状コンタクト部群が形成されている領域の第２方向の少なくとも一方の端部近傍において、列状コンタクト部群の第１方向の長さが、その端部から領域（すなわち、複数の列状コンタクト部群が形成されている領域）の中央に向かうにつれて長くなっている。このため、サブ素子部の周囲からの電流が、第２方向における端部の列状コンタクト部群に集中することが抑制される。また、コンタクト部群が形成されている領域が角部を有しない形状となり、これによっても電流集中が抑制される。

上述した半導体装置においては、各コンタクト部または各列状コンタクト部群の第１方向の端部のそれぞれが、単一の円または楕円の周上に存在することが好ましい。
このような構成によれば、コンタクト部群が形成されている領域が円形または楕円形となるので、サブ素子部の周囲からサブ素子部に向けて流れる電流がより均一化される。

メイン電極とサブ電極の間には、分離領域を設けることができる。分離領域の半導体基板中を流れる電流は、メイン電極に向かう電流とサブ電極に向かう電流とに分かれる。このため、分離領域からサブ電極に流れる電流は、分離領域の幅によって変動する。分離領域の幅が狭いと、狭い分離領域を流れる電流がメイン電極とサブ電極に分散することになるので、分離領域からサブ電極に流れる電流は小さくなる。このため、分離領域の幅が位置によって異なると、サブ電極に導通する各コンタクト部に流れる電流が不均一となる。
したがって、上述した半導体装置は、以下の構成を有していることが好ましい。すなわち、メイン電極が、互いに分離されている複数のコンタクト部を介して半導体基板と導通している。半導体基板には、サブ電極と導通するコンタクト部群が形成されている領域と、メイン電極と導通するコンタクト部群が形成されている領域との間に、コンタクト部が形成されていない分離領域が形成されている。サブ電極がサブ素子部の上面よりも外部の領域まで伸びている。サブ電極が伸びている範囲を除く分離領域が、一定幅で形成されている。
メイン電極に導通するコンタクト部群が形成されている領域の形状を、サブ電極に導通するコンタクト部群が形成されている領域の形状に合わせた形状とすることによって、分離領域の幅を一定とすることができる。なお、サブ電極がサブ素子部の上面よりも外部まで伸びている領域では、メイン電極のコンタクト部を形成することはできない。この半導体装置では、サブ電極が伸びている範囲を除く分離領域が、一定幅で形成されている。このため、分離領域の幅による電流の不均一性が最小限に抑えられる。

また、上述した半導体装置は、以下の構成を有していてもよい。メイン電極が、互いに分離されている複数のコンタクト部を介して半導体基板と導通している。半導体基板には、サブ電極と導通するコンタクト部群が形成されている領域と、メイン電極と導通するコンタクト部群が形成されている領域との間に、コンタクト部が形成されていない分離領域が形成されている。サブ素子部が、メイン素子部に囲まれた領域内に形成されている。サブ電極と導通するコンタクト部群が形成されている領域の周囲全体に、一定幅の分離領域が形成されている。
このような構成によれば、サブ電極の周囲全域が分離領域に囲まれ、かつ、その分離領域の幅が一定であるので、サブ電極の各コンタクト部に流入する電流がより均一化される。

本発明によれば、サブ素子部の一部のコンタクト部に電流集中が生じることを抑制することができる。これによって、電流集中によるサブ素子部の破損が抑制される。また、電流集中が抑制されることで、メイン素子部とサブ素子部との電流比率を所望の比率とすることが容易となる。

実施例の半導体装置１０の断面図。 実施例の半導体装置１０の上面図。 サブ素子部４０の上面図。 変形例の半導体装置のサブ素子部４０の上面図。 変形例の半導体装置のサブ素子部４０の上面図。 変形例の半導体装置のサブ素子部４０の上面図。 変形例の半導体装置のサブ素子部４０の上面図。 変形例の半導体装置のサブ素子部４０の上面図。 変形例の半導体装置のサブ素子部４０の上面図。 変形例の半導体装置のサブ素子部４０の上面図。 従来の半導体装置のサブ素子部の上面図。 従来の半導体装置のサブ素子部の断面図。

実施例の半導体装置について、図面を参照して説明する。図１は、実施例の半導体装置１０の概略断面図を示している。図１に示すように、半導体装置１０は、主にシリコンからなる半導体基板１２を備えている。半導体基板１２には、メイン素子部２０とサブ素子部４０が形成されている。

メイン素子部２０の半導体基板１２の上面には、複数のトレンチが形成されている。トレンチの壁面には、絶縁膜３２が形成されている。トレンチ内には、ゲート電極３４が形成されている。ゲート電極３４の上部にはキャップ絶縁膜３６が形成されている。メイン素子部２０の半導体基板１２の上面に臨む領域には、ｎ型のエミッタ領域２２と、ｐ型のボディ領域２４が選択的に形成されている。エミッタ領域２２は、絶縁膜３２と接するように形成されている。ボディ領域２４は、エミッタ領域２２を覆うように形成されている。ボディ領域２４は、ｐ型不純物濃度が高いボディコンタクト領域２４ａと、ｐ型不純物濃度が低い低濃度ボディ領域２４ｂを備えている。ボディコンタクト領域２４ａは、ボディ領域２４のうち上面に臨む領域に形成されている。低濃度ボディ領域２４ｂは、エミッタ領域２２とボディコンタクト領域２４ａの下側に形成されている。低濃度ボディ領域２４ｂは、エミッタ領域２２の下側で絶縁膜３２と接するように形成されている。低濃度ボディ領域２４ｂは、トレンチ３０の下端より浅い位置まで形成されている。ボディ領域２４の下側には、ｎ型のドリフト層２６が形成されている。ドリフト層２６は、ボディ領域２４によってエミッタ領域２２から分離されている。ドリフト層２６の下側の、半導体基板１２の下面に臨む領域には、ｐ型のコレクタ層２８が形成されている。コレクタ層２８は、ドリフト層２６によってボディ領域２４から分離されている。メイン素子部２０には、エミッタ領域２２、ボディ領域２４、ドリフト層２６、コレクタ層２８、及び、ゲート電極３４によって、多数のＩＧＢＴが形成されている。

サブ素子部４０には、メイン素子部２０と同様に、エミッタ領域２２、ボディ領域２４、ドリフト層２６、コレクタ層２８、及び、ゲート電極３４によって、多数のＩＧＢＴが形成されている。メイン素子部２０のドリフト層２６とサブ素子部４０のドリフト層２６は連続して形成されている。メイン素子部２０のコレクタ層２８とサブ素子部４０のコレクタ層２８は連続して形成されている。メイン素子部２０のボディ領域２４は、サブ素子部４０のボディ領域２４から分離されている。サブ素子部４０のゲート電極３４は、メイン電極６６のゲート電極３４と図示しない位置で導通している。

半導体基板１２の下面上には、全面に亘ってコレクタ電極６０が形成されている。コレクタ電極６０は、コレクタ層２８とオーミック接触している。

メイン素子部２０の半導体基板１２の上面には、エミッタ電極６６（以下、メイン電極６６という）が形成されている。メイン電極６６は、キャップ絶縁膜３６を覆うように形成されており、ゲート電極３４から絶縁されている。メイン電極６６は、メイン素子部２０のエミッタ領域２２及びボディコンタクト領域２４ａとオーミック接触している。以下では、メイン電極６６と半導体基板１２（すなわち、メイン素子部２０のエミッタ領域２２及びボディコンタクト領域２４ａ）とのコンタクト部をコンタクト部６７という。

サブ素子部４０の半導体基板１２の上面には、エミッタ電極６８（以下、サブ電極６８という）が形成されている。サブ電極６８は、メイン電極６６から分離されている。サブ電極６８は、キャップ絶縁膜３６を覆うように形成されており、ゲート電極３４から絶縁されている。サブ電極６８は、サブ素子部４０のエミッタ領域２２及びボディコンタクト領域２４ａとオーミック接触している。以下では、サブ電極６８と半導体基板１２（すなわち、サブ素子部４０のエミッタ領域２２及びボディコンタクト領域２４ａ）とのコンタクト部をコンタクト部６９という。

図２は、半導体装置１０の上面図を示している。図２に示すように、半導体基板１２の上面には、半導体基板１２の外周に沿ってＦＬＲ５０が形成されている。ＦＬＲ５０に囲まれた領域内に、ＩＧＢＴが形成されている。図２に示すように、サブ素子部４０は、半導体基板１２の微小な領域内にのみ形成されている。サブ電極６８は、サブ素子部４０上から電極パッド８４まで延設されている。半導体基板１２上のサブ電極６８が形成されていない領域には、略全面に亘ってメイン電極６６が形成されている。メイン電極６６の下部の半導体基板１２に、メイン素子部２０が形成されている。

図３は、サブ素子部４０近傍の半導体基板１２の上面の拡大図である。図３では、サブ素子部４０のコンタクト部６９と、メイン素子部２０のコンタクト部６７をそれぞれ点線で示している。隣接するコンタクト部６９の間の領域と、隣接するコンタクト部６７の間の領域は、キャップ絶縁膜３６（すなわち、ゲート電極３４）が形成されている領域である。

図３に示すように、サブ素子部４０の各コンタクト部６９は、図３のＸ方向に長く伸びる直線形状に形成されている。また、各コンタクト部６９は、図３のＹ方向（Ｘ方向と直交する方向）に沿って平行に配列されている。各コンタクト部６９のＸ方向の長さは、Ｙ方向の端部のコンタクト部６９ａが最も短く、Ｙ方向の中央部に向かうに従って長くなり、Ｙ方向の中央部のコンタクト部６９ｆが最も長い。各コンタクト部６９のＸ方向の端部のそれぞれは、線７０に示す円周上に存在している。

図３に示すように、メイン素子部２０の各コンタクト部６７は、サブ素子部４０の各コンタクト部６９と同様に、Ｘ方向に長く伸びる直線形状に形成されている。また、各コンタクト部６７は、Ｙ方向に沿って平行に配列されている。サブ素子部４０のコンタクト部６９群が形成されている領域とメイン素子部２０のコンタクト部６７群が形成されている領域との間には、コンタクト部が形成されていない分離領域８０が形成されている。サブ素子部４０の上面から電極パッド８４に向かって伸びているサブ電極６８と隣接する範囲では、各コンタクト部６７のＸ方向の端部を繋いだ線がサブ電極６８と平行となるように各コンタクト部６７が形成されている。その他の範囲では、各コンタクト部６７のＸ方向の端部が、線７０と同心の円周である線７３上に存在している。したがって、この範囲では、分離領域８０の幅（線７０と線７３の間の幅）が、位置によらず一定となっている。

次に、半導体装置１０の動作について説明する。半導体装置１０を動作させる際には、コレクタ電極６０とメイン電極６６の間に、コレクタ電極６０がプラスとなる電圧を印加する。また、サブ電極６８には、メイン電極６６と略同じ電位を印加する。この状態において、ゲート電極３４に閾値以上の電圧（以下、ゲートオン電圧という）を印加すると、半導体装置１０がオンする。なお、メイン素子部２０のゲート電極３４とサブ素子部４０のゲート電極３４は導通しているので、メイン素子部２０のＩＧＢＴとサブ素子部４０のＩＧＢＴが同時にオンする。
より詳細には、ゲート電極３４にゲートオン電圧を印加すると、絶縁膜３２と接する範囲の低濃度ボディ領域２４ｂにチャネルが形成される。すると、メイン素子部２０では、電子が、メイン電極６６から、エミッタ領域２２、チャネル、ドリフト層２６、及び、コレクタ層２８を介して、コレクタ電極６０へ流れる。それと同時に、ホールが、コレクタ層２８からドリフト層２６へ流入する。ドリフト層２６に流入したホールは、低濃度ボディ領域２４ｂとボディコンタクト領域２４ａを通過して、メイン電極６６へと流れる。すなわち、コレクタ電極６０からメイン電極６６に向かって電流が流れ、メイン素子部２０のＩＧＢＴがオン状態となる。サブ素子部４０のＩＧＢＴも、メイン素子部２０のＩＧＢＴと同様にしてオンし、コレクタ電極６０からサブ電極６８に向かって電流が流れる。

図１の矢印９０に示すように、コンタクト部６９の下部のドリフト層２６中では、電流がその上部のコンタクト部６９に向かって流れる。一方、分離領域８０のドリフト層２６中を流れる電流は、図１の矢印９１に示すように、一部がメイン素子部２０へ流れ、他部がサブ素子部４０へ流れる。分離領域８０からサブ素子部４０へ流れる電流は、大部分がその位置から最も近いコンタクト部６９へ流れる。図３の矢印９２は、分離領域８０からサブ素子部４０へ向かって流れる電流の流れを示している。半導体装置１０では、コンタクト部６９のＸ方向の長さが、コンタクト部６９群が形成されている領域のＹ方向の端部から中央に向かうにつれて長くなっている。したがって、矢印９２に示すように、Ｙ方向の端部近傍の分離領域８０からサブ素子部４０へ流れる電流が、最も端部側のコンタクト部６９ａだけでなく、その隣のコンタクト部６９ｂやコンタクト部６９ｃにも流れる。したがって、コンタクト部６９ａに電流が集中することが抑制されている。また、このように各コンタクト部６９が形成されているので、コンタクト部６９群が形成されている領域に角部が存在しない。したがって、従来の半導体装置のサブ素子部のように、コンタクト部が形成されている領域の角部に電流が集中することもない。特に、半導体装置１０では、コンタクト部６９群が形成されている領域が円形であるので、分離領域８０からサブ素子部４０に向かって流れる電流の向きが、何れの位置でもその円周に対して略垂直方向となる。これによって、局所的に電流が集中することがより抑制されている。また、サブ電極６８が電極パッド８４に向かって伸びている範囲を除いて、分離領域８０の幅（コンタクト部６９群が形成されている領域の外周に対して直行する方向の幅）が一定となっている。このため、一定幅の分離領域８０のドリフト層２６からサブ素子部４０に流れる電流の位置によるばらつきが抑制されている。これによって、各コンタクト部６９に流れる電流がさらに均一化されている。

以上に説明したように、半導体装置１０では、各コンタクト部６９の配置によって、各コンタクト部６９に流れる電流が均一化されている。また、サブ素子部４０の各コンタクト部６９の配置に応じてメイン素子部２０の各コンタクト部６７を配置することで分離領域８０の幅を一定とし、これによっても、各コンタクト部６９に流れる電流の均一化が図られている。このため、サブ素子部４０の一部で電流集中が生じ、サブ素子部４０のＩＧＢＴが破損することが抑制されている。また、このようにサブ素子部４０に流れる電流を均一化することで、サブ素子部４０に流れる電流とメイン素子部２０に流れる電流との比率が、その面積比率に近くなる。したがって、サブ素子部４０（すなわち、サブ電極６８）を流れる電流から、より正確にメイン素子部２０（すなわち、メイン電極６６）を流れる電流を検出することが可能となる。

なお、上述した実施例では、サブ電極６８がサブ素子部４０の上面より外部まで延出されて電極パッド８４に接続されていた。しかしながら、図４に示すように、サブ素子部４０をメイン素子部２０に囲まれた範囲内に形成してもよい。そして、コンタクト部６９群が形成されている領域の周囲全体に、一定幅の分離領域８０を形成することができる。このような構成によれば、分離領域８０からサブ素子部４０に流れる電流をさらに均一化することができる。また、この場合、サブ電極６８を電極パッドとすることで、ワイヤーボンディング等によってサブ電極６８を外部に接続することができる。

なお、上述した実施例では、コンタクト部６９群が形成されている領域の外周形状が円形であった（すなわち、各コンタクト部６９のＸ方向の端部のそれぞれが線７０に示す円周上に存在していた）が、図５に示すように楕円形であってもよい。また、図６に示すように、コンタクト部６９群が形成されている領域のＹ方向の中央部近傍では各コンタクト部６９のＸ方向の長さを一定とし、Ｙ方向の端部近傍でのみ各コンタクト部６９のＸ方向の長さを変化させてもよい。図５及び図６に示す半導体装置によっても、電流集中を抑制することができる。また、各コンタクト部６９は、図７または図８に示すように、Ｙ方向の一方の端部近傍でのみ、Ｘ方向の長さが変化するように配置してもよい。このような構成によっても、コンタクト部６９のＸ方向の長さが変化している方の端部近傍での電流集中を抑制することができる。

また、実施例の半導体装置１０では、各コンタクト部６９がＸ方向に伸びる直線形状に形成されていた。しかし、図９に示すように、複数のコンタクト部６９をＸ方向に配列することによって直線状の列状コンタクト部群８２を形成し、この列状コンタクト部群８２をＹ方向に配列してもよい。この場合にも、コンタクト部６９が形成されている領域のＹ方向の端部において、その端部から中央部に向かうに従って列状コンタクト部群８２のＸ方向の長さを長くすることで、Ｙ方向の端部の列状コンタクト部群８２に電流が集中することを抑制することができる。また、図９では、各コンタクト部６９が矩形状であるが、図１０に示すように各コンタクト部６９を楕円形にしてもよい。また、各コンタクト部６９の形状は、その他の形状とすることもできる。なお、図９及び１０に示す半導体装置は、コンタクト部６９群が形成されている領域が円形となっている（すなわち、列状コンタクト部群８２のＸ方向の端部のそれぞれが、単一の円の周上に存在している）。これによって、電流集中がより効果的に抑制される。

なお、上述した実施例では、メイン素子部２０及びサブ素子部４０にＩＧＢＴが形成されている半導体装置１０について説明した。しかしながら、本発明は、ＩＧＢＴに限られず、種々の半導体素子を有する半導体装置に適用することができる。例えば、図１の構成からコレクタ層２８を除去すれば、メイン素子部２０及びサブ素子部４０に形成されている半導体素子はＭＯＳＦＥＴとなる。このように、ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置においても、実施例と同様にコンタクト部を配置することで、電流集中を抑制することができる。また、その他の半導体素子を有する半導体装置にも、本発明を適用して電流集中を抑制することができる。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

１０：半導体装置
１２：半導体基板
２０：メイン素子部
２２：エミッタ領域
２４：ボディ領域
２４ａ：ボディコンタクト領域
２４ｂ：低濃度ボディ領域
２６：ドリフト層
２８：コレクタ層
３０：トレンチ
３２：絶縁膜
３４：ゲート電極
３６：キャップ絶縁膜
４０：サブ素子部
６０：コレクタ電極
６６：メイン電極
６７：コンタクト部
６８：サブ電極
６９：コンタクト部
８０：分離領域
８２：列状コンタクト部群

Claims (5)

1. メイン素子部とサブ素子部が形成されている半導体基板を有する半導体装置であって、
   半導体基板の下面には、下部電極が形成されており、
   半導体基板の上面のうち、メイン素子部の上面にはメイン電極が形成されており、サブ素子部の上面には互いに分離されている複数のコンタクト部を介して半導体基板と導通しているサブ電極が形成されており、
   前記複数のコンタクト部は、第１方向に沿って伸びる直線状に形成されているとともに、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配列されており、
   前記複数のコンタクト部が形成されている領域のうちの前記第２方向の少なくとも一方の端部近傍において、各コンタクト部の第１方向の長さが、その端部から前記領域の中央に向かうにつれて長くなっている、
   ことを特徴とする半導体装置。
2. メイン素子部とサブ素子部が形成されている半導体基板を有する半導体装置であって、
   半導体基板の下面には、下部電極が形成されており、
   半導体基板の上面のうち、メイン素子部の上面にはメイン電極が形成されており、サブ素子部の上面には互いに分離されている複数のコンタクト部を介して半導体基板と導通しているサブ電極が形成されており、
   前記複数のコンタクト部は、第１方向に沿ってコンタクト部が直線状に配列された列状コンタクト部群を複数個形成しており、
   前記複数の列状コンタクト部群が、前記第１方向と直交する第２方向に沿って配列されており、
   前記複数の列状コンタクト部群が形成されている領域のうちの前記第２方向の少なくとも一方の端部近傍において、各列状コンタクト部群の第１方向の長さが、その端部から前記領域の中央に向かうにしたがって長くなっている、
   ことを特徴とする半導体装置。
3. 各コンタクト部または各列状コンタクト部群の第１方向の端部のそれぞれが、単一の円または楕円の周上に存在することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. メイン電極が、互いに分離されている複数のコンタクト部を介して半導体基板と導通しており、
   半導体基板には、サブ電極と導通するコンタクト部群が形成されている領域と、メイン電極と導通するコンタクト部群が形成されている領域との間に、コンタクト部が形成されていない分離領域が形成されており、
   サブ電極がサブ素子部の上面よりも外部の領域まで伸びており、
   サブ電極が伸びている範囲を除く分離領域が、一定幅で形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
5. メイン電極が、互いに分離されている複数のコンタクト部を介して半導体基板と導通しており、
   半導体基板には、サブ電極と導通するコンタクト部群が形成されている領域と、メイン電極と導通するコンタクト部群が形成されている領域との間に、コンタクト部が形成されていない分離領域が形成されており、
   サブ素子部が、メイン素子部に囲まれた領域内に形成されており、
   サブ電極と導通するコンタクト部群が形成されている領域の周囲全体に、一定幅の分離領域が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。

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