JP2020113709A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】メインセル領域に流れる電流の検出精度の向上を図ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】ドリフト層12とボディ層13との積層方向から視たとき、一方向において、メインコンタクトトレンチ19mおよびメインセル領域Rmに形成された第1不純物領域14がメイン上部電極22mよりセンス上部電極22s側に突出するようにし、センスコンタクトトレンチ19sおよびセンスセル領域Rsに形成された第1不純物領域14がセンス上部電極22sよりメイン上部電極22m側に突出するようにする。【選択図】図2

Description

本発明は、メインセル領域およびセンスセル領域を有する半導体装置に関するものである。
従来より、メインセル領域およびセンスセル領域を有する半導体装置が提案されている。具体的には、このような半導体装置では、メインセル領域およびセンスセル領域は、同じスイッチング素子が形成されていると共に所定の面積比となるように形成されている。なお、スイッチング素子としては、例えば、縦型のMOSFET(metal 0xide semiconductor field effect transistorの略)が形成される。そして、メインセル領域に流れる電流およびセンスセル領域に流れる電流は、面積比に依存する。このため、メインセル領域に流れる電流は、センスセル領域に流れる電流および面積比によって検出される。
しかしながら、このような半導体装置では、電流が半導体装置の面方向に広がる際の拡がり抵抗により、メインセル領域に流れる電流とセンスセル領域に流れる電流との電流比と面積比とが異なる場合がある。このため、例えば、特許文献1には、メインセル領域およびセンスセル領域に縦型のMOSFETが形成され、下部電極が共通とされた半導体装置において、メインセル領域の上部電極とセンスセル領域の上部電極とを近接させて配置することが提案されている。これによれば、メインセル領域の上部電極とセンスセル領域の上部電極とが離れている場合と比較して、電流が広がり難くなる。したがって、メインセル領域に流れる電流とセンスセル領域に流れる電流との電流比が面積比と異なり難くなり、メインセル領域に流れる電流の検出精度が低下することを抑制できる。
米国特許第8928066号明細書
しかしながら、本発明者らが検討したところ、上記特許文献1における半導体装置においても、電流の拡がりを抑制することが不十分であり、未だ改善の余地があることが確認された。つまり、メインセル領域に流れる電流の検出精度は、未だ改善の余地があることが確認された。
本発明は上記点に鑑み、メインセル領域に流れる電流の検出精度の向上を図ることができる半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための請求項1の半導体装置では、メインセル領域(Rm)およびセンスセル領域(Rs)に同じ半導体スイッチング素子がそれぞれ形成されており、半導体スイッチング素子は、第1導電型のドリフト層(12)と、ドリフト層上に形成された第2導電型のボディ層(13)と、ボディ層の表層部に形成され、ドリフト層より高不純物濃度とされた第1導電型の第1不純物領域(14)と、第1不純物領域とドリフト層との間に挟まれたボディ層の表面に配置されたゲート絶縁膜(16)と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極(17)と、ドリフト層を挟んでボディ層と反対側に形成され、ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第1導電型または第2導電型の第2不純物領域(11)と、第1不純物領域およびボディ層と電気的に接続される第1電極(22m、22s)と、第2不純物領域と電気的に接続される第2電極(24)と、を備えている。そして、メインセル領域には、一方向に沿って延設されると共に第1不純物領域およびボディ層を露出させるメインコンタクトトレンチ(19m)が形成され、センスセル領域には、一方向に沿って延設されると共に第1不純物領域およびボディ層を露出させ、メインコンタクトトレンチと分離されているセンスコンタクトトレンチ(19s)が形成され、メインコンタクトトレンチおよびセンスコンタクトトレンチには、第1不純物領域およびボディ層と電気的に接続される接続電極(20)が配置され、第1電極は、メインコンタクトトレンチに配置された接続電極と接続されるメイン上部電極(19m)と、センスコンタクトトレンチに配置された接続電極と接続され、メイン上部電極と分離されたセンス上部電極(19s)と、を有し、ドリフト層とボディ層との積層方向から視たとき、一方向において、メインコンタクトトレンチおよびメインセル領域に形成された第1不純物領域は、メイン上部電極よりセンス上部電極側に突出しており、センスコンタクトトレンチおよびセンスセル領域に形成された第1不純物領域は、センス上部電極よりメイン上部電極側に突出している。
これによれば、メイン上部電極とセンス上部電極との間隔より、メインセル領域に形成された第1不純物領域とセンスセル領域に形成された第1不純物領域との間隔を短くできる。つまり、メインセル領域およびセンスセル領域をより近接して配置することができる。このため、電流が半導体装置の面方向に広がることを抑制できる。したがって、メインセル領域に流れる電流とセンスセル領域に流れる電流との電流比が面積比に対して異なり難くなる。これにより、メインセル領域を流れる電流の検出精度が低下することを抑制できる。
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
第1実施形態における半導体装置の平面模式図である。 図1中の領域IIを拡大した平面模式図である。 図2中のIII−III線に沿った断面図である。 図2中のIV−IV線に沿った断面図である。 図2中のV−V線に沿った断面図である。 コンタクトトレンチに対するソース領域の突出長さと、立ち上がり電圧および折れ曲がり電流との関係を調べた実験結果を示す図である。 第2実施形態における半導体装置の断面図である。 第3実施形態における半導体装置の断面図である。 第4実施形態における半導体装置の平面模式図である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
(第1実施形態)
第1実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の半導体装置は、図1に示されるように、メインセル領域Rm、センスセル領域Rs、中間領域Rc、周辺領域Rpを有している。そして、半導体装置は、センスセル領域Rsが中間領域Rcを介してメインセル領域Rmに囲まれると共に、メインセル領域Rmが周辺領域Rpに囲まれる構成とされている。
以下、メインセル領域Rmおよびセンスセル領域Rsの構成について、図2〜図5を参照しつつ説明する。なお、本実施形態では、メインセル領域Rmおよびセンスセル領域Rsには、同様の構造のnチャネルタイプの縦型MOSFETが備えられている。つまり、図3の断面図は、センスセル領域Rsの断面図であるが、メインセル領域Rmの断面図も同様となる。
また、メインセル領域Rmおよびセンスセル領域Rsは、所定の面積比となるように形成されている。そして、本実施形態の半導体装置は、メインセル領域Rmに流れる電流は、センスセル領域Rsに流れる電流を検出し、検出したセンスセル領域Rsの電流および面積比によって検出(すなわち、算出)される。
半導体装置は、n型のシリコン基板で構成されるドレイン層11を有する半導体基板10を備えている。そして、ドレイン層11上には、ドレイン層11よりも低不純物濃度とされたn型のドリフト層12が配置されている。ドリフト層12上には、比較的不純物濃度が低く設定されたp型のボディ層13が形成されている。ボディ層13の表層部には、ドリフト層12よりも不純物濃度が高濃度とされたソース領域14が備えられている。なお、本実施形態では、ドレイン層11が第2不純物領域に相当し、ソース領域14が第1不純物領域に相当する。
そして、半導体基板10には、ソース領域14およびボディ層13を貫通してドリフト層12に達するようにゲートトレンチ15が形成されている。このゲートトレンチ15は、内壁面を覆うようにゲート絶縁膜16が形成されていると共にゲート絶縁膜16を介してゲートトレンチ15内にドープトPoly−Siによって構成されたゲート電極17が埋め込まれている。これにより、トレンチゲート構造が形成されている。本実施形態では、図2に示されるように、ゲートトレンチ15は、図中の紙面左右方向を長手方向とし、複数本がストライプ状態となるように形成されている。また、ゲートトレンチ15は、メインセル領域Rmに形成されている部分とセンスセル領域Rsに形成されている部分とが繋がった状態となるように構成されている。つまり、ゲートトレンチ15は、メインセル領域Rmから中間領域Rcを介してセンスセル領域Rsまで延設されている。
なお、図2は、断面図ではないが、理解をし易くするため、ゲート電極17および後述する接続電極20にハッチングを施してある。また、図2では、ゲートトレンチ15に配置されるゲート絶縁膜16や、後述する層間絶縁膜18、21等を省略して示してある。
そして、本実施形態では、ソース領域14は、メインセル領域Rmおよびセンスセル領域Rsに形成されており、中間領域Rcには形成されていない。つまり、本実施形態では、ソース領域14が形成されている部分がメインセル領域Rmまたはセンスセル領域Rsとされており、ソース領域14が形成されていない部分が中間領域Rcとされている。言い換えると、本実施形態では、ソース領域14が形成されているか否かによって領域が区画されている。
半導体基板10上には、酸化膜等で構成される第1層間絶縁膜18が形成されている。そして、第1層間絶縁膜18およびソース領域14を貫通してボディ層13に達するようにコンタクトトレンチ19m、19sが形成されている。これにより、ソース領域14は、コンタクトトレンチ19m、19sの側面から露出し、ボディ層13は、コンタクトトレンチ19m、19sの底部から露出している。
本実施形態では、コンタクトトレンチ19m、19sは、センスセル領域Rsおよびメインセル領域Rmにおいて、隣合うゲートトレンチ15の間にゲートトレンチ15の延設方向に沿って形成されている。つまり、コンタクトトレンチ19m、19sは、長手方向がゲートトレンチ15の長手方向と平行とされている。
但し、コンタクトトレンチ19m、19sは、センスセル領域Rsに形成された部分とメインセル領域Rmに形成された部分とが分離されるように形成されている。以下では、メインセル領域Rmに形成されたコンタクトトレンチ19mをメインコンタクトトレンチ19mと称し、センスセル領域Rsに形成されたコンタクトトレンチ19sをセンスコンタクトトレンチ19sとも称する。
そして、メインコンタクトトレンチ19mおよびセンスコンタクトトレンチ19sには、それぞれ接続電極20が埋め込まれている。なお、本実施形態では、接続電極20として、タングステンが埋め込まれている。
また、半導体基板10上には、メインセル領域Rmおよびセンスセル領域Rsに形成された接続電極20の一部を露出させるコンタクトホール21aが形成された第2層間絶縁膜21が形成されている。なお、第2層間絶縁膜21は、酸化膜等で構成されている。
そして、コンタクトホール21aを通じて接続電極20と電気的に接続されるように、メインセル領域Rmにメイン上部電極22mが形成され、センスセル領域Rsにセンス上部電極22sが形成されている。
本実施形態では、メイン上部電極22mは、図2に示されるように、一部が切り欠かれた四角枠体形状で構成されている。センス上部電極22sは、四角形状とされており、メイン上部電極22mに囲まれるように配置されている。そして、センス上部電極22sのうちの一辺は、引出配線23sに接続され、メイン上部電極22mに形成された切り欠きを通って、メインセル領域Rmの外側まで引き出されている。また、特に図示しないが、図1中の周辺領域Rpには、メイン上部電極22mと接続されるパッド部が形成されていると共に、センス上部電極22sと接続されるパッド部が形成されている。なお、本実施形態では、メイン上部電極22mおよびセンス上部電極22sが第1電極に相当している。
半導体基板10の裏面側には、ドレイン電極に相当する下部電極24が形成されている。なお、下部電極24は、半導体基板10の裏面の全体的に形成されており、メインセル領域Rmおよびセンスセル領域Rsにおいて共通とされている。なお、本実施形態では、下部電極24が第2電極に相当している。
以上が本実施形態における半導体装置の基本的な構成である。そして、このような半導体装置は、ゲート電極17に所定の電圧が印加されることにより、ボディ層13に反転層が形成されて電流が流れる。なお、本実施形態では、n型、n型が第1導電型に相当し、p型が第2導電型に相当している。
次に、本実施形態におけるメイン上部電極22m、メインコンタクトトレンチ19m、およびメインセル領域Rmに形成されたソース領域14の位置関係について説明する。また、センス上部電極22s、センスコンタクトトレンチ19s、センスセル領域Rsに形成されたソース領域14の関係について説明する。なお、以下では、半導体基板10の面方向に対する法線方向を単に法線方向とも称する。但し、本実施形態の半導体装置が上記のように構成されているため、法線方向とは、言い換えると、ドリフト層12とボディ層13との積層方向と称することもできる。
本実施形態では、図2および図4に示されるように、法線方向から視たとき、メインコンタクトトレンチ19mは、長手方向において、メイン上部電極22mから突出するように形成されている。具体的には、法線方向から視たとき、メインコンタクトトレンチ19mは、メイン上部電極22mよりもセンスセル領域Rs側に突出するように形成されている。同様に、法線方向から視たとき、センスコンタクトトレンチ19sは、長手方向において、センス上部電極22sから突出するように形成されている。具体的には、法線方向から視たとき、センスコンタクトトレンチ19sは、センス上部電極22sよりもメインセル領域Rm側に突出するように形成されている。
また、図2および図5に示されるように、法線方向から視たとき、メインセル領域Rmに形成されたソース領域14は、長手方向において、メイン上部電極22mから突出するように形成されている。具体的には、法線方向から視たとき、メインセル領域Rmに形成されたソース領域14は、メイン上部電極22mよりもセンスセル領域Rs側に突出するように形成されている。同様に、法線方向から視たとき、センスセル領域Rsに形成されたソース領域14は、長手方向において、センス上部電極22sから突出するように形成されている。具体的には、法線方向から視たとき、センスセル領域Rsに形成されたソース領域14は、センス上部電極22sよりもメインセル領域Rm側に突出するように形成されている。
但し、本実施形態では、メインコンタクトトレンチ19mは、メインセル領域Rmに形成されたソース領域14よりも突出するように形成されている。同様に、センスコンタクトトレンチ19sは、センスセル領域Rsに形成されたソース領域14よりも突出するように形成されている。
以上説明したように、本実施形態では、メインコンタクトトレンチ19mおよびメインセル領域Rmに形成されたソース領域14は、長手方向において、メイン上部電極22mよりセンスセル領域Rs側に突出するように形成されている。また、センスコンタクトトレンチ19sおよびセンスセル領域Rsに形成されたソース領域14は、長手方向において、センス上部電極22sよりメインセル領域Rm側に突出するように形成されている。このため、本実施形態によれば、メイン上部電極22mとセンス上部電極22sとの間隔より、メインセル領域Rmに形成されたソース領域14とセンスセル領域Rsに形成されたソース領域14との間隔を短くできる。つまり、メインセル領域Rmおよびセンスセル領域Rsをより近接して配置することができる。このため、電流が半導体基板10の面方向に広がることを抑制できる。したがって、メインセル領域Rmに流れる電流とセンスセル領域Rsに流れる電流との電流比が面積比に対して異なり難くなる。これにより、メインセル領域Rmを流れる電流の検出精度が低下することを抑制できる。
また、本実施形態では、長手方向において、メインコンタクトトレンチ19mは、メインセル領域Rmに形成されたソース領域14よりもセンスセル領域Rs側に突出するように形成されている。同様に、センスコンタクトトレンチ19sは、センスセル領域Rsに形成されたソース領域14よりもメインセル領域Rm側に突出するように形成されている。このため、図6に示されるように、n型のソース領域14、p型のボディ層13、n型のドリフト層12で構成される寄生トランジスタが作動することを抑制できる。
なお、図6において、立ち上がり電圧とは、半導体装置に電流が流れ始めた直後の電圧を示しており、大きくなるほど寄生トランジスタが作動し難くなることを示している。また、図6において、折れ曲がり電流とは、半導体装置に電流が流れ始めた際に当該半導体装置に流し得る電流を示しており、大きくなるほど寄生トランジスタが作動し難くなることを示している。そして、図6において、コンタクトトレンチに対するソース領域の突出長さとは、正の値であればソース領域14の方がコンタクトトレンチ19sよりも突出していることを示し、負の値であればソース領域14よりもコンタクトトレンチ19sの方が突出していることを示している。
(第2実施形態)
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、ボディ層13の構成を変更したものである。その他に関しては、上記第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本実施形態では、図7に示されるように、センスセル領域Rsに形成されているボディ層13と、メインセル領域Rmに形成されているボディ層13とは、分断された状態となっている。そして、センスセル領域Rsに形成されているボディ層13とメインセル領域Rmに形成されているボディ層13との間には、ドリフト層12が配置された状態となっている。つまり、中間領域Rcには、ボディ層13が形成されていない部分が存在している。なお、中間領域Rcのうちのボディ層13が形成されていない部分は、センスセル領域Rsを囲んで一周するように構成されている。また、図7は、図2中のV−V断面に相当している。
以上説明したように、本実施形態では、センスセル領域Rsに形成されているボディ層13と、メインセル領域Rmに形成されているボディ層13とが分断されて構成されている。このため、中間領域Rcでは、MOSFETとして動作し難くなる部分が形成され、当該部分には電流が流れない。このため、電流が半導体基板10の面方向に拡散することを抑制でき、さらに検出精度の向上を図ることができる。
なお、メインセル領域Rmのボディ層13は、ソース領域14よりセンスセル領域Rs側まで形成されていれば、メインコンタクトトレンチ19mとの位置関係は適宜変更可能である。すなわち、メインセル領域Rmのボディ層13は、メインコンタクトトレンチ19mよりセンスセル領域Rsまで形成されるようにしてもよいし、メインコンタクトトレンチ19mの方がセンスセル領域Rs側まで形成されるようにしてもよい。同様に、センスセル領域Rsのボディ層13は、ソース領域14よりメインセル領域Rm側まで形成されていれば、センスコンタクトトレンチ19sとの位置関係は適宜変更可能である。すなわち、センスセル領域Rsのボディ層13は、センスコンタクトトレンチ19sよりメインセル領域Rmまで形成されるようにしてもよいし、センスコンタクトトレンチ19sの方がメインセル領域Rm側まで形成されるようにしてもよい。
(第3実施形態)
第3実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対し、ボディ層13の構成を変更したものである。その他に関しては、上記第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本実施形態では、図8に示されるように、センスセル領域Rsに形成されているボディ層13と、メインセル領域Rmに形成されているボディ層13とは、中間領域Rcに形成された分離層25によって分離されている。本実施形態では、分離層25は、ボディ層13よりも高不純物濃度とされたP型の領域で構成されている。なお、分離層25は、センスセル領域Rsを囲んで一周するように構成されている。また、図8は、図2中のV−V断面に相当している。
このような半導体装置としても、分離層25が形成された部分に電流が流れ難くなるため、上記第2実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第4実施形態)
第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対し、メインセル領域Rmおよびセンスセル領域Rmの平面形状を変更したものである。その他に関しては、上記第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本実施形態では、図9に示されるように、法線方向から視たとき、センスセル領域Rsは、略円状とされている。そして、メインセル領域Rmは、センスセル領域Rsにおける外縁部との間隔が当該センスセル領域Rsの外周の周方向に沿って一定となるように形成されている。なお、法線方向から視たとき、センス上部電極22sは、略円状とされており、メイン上部電極22mは、一部が切り欠かれた円枠体形状で構成されている。そして、センス上部電極22sは、上記第1実施形態と同様に、メイン上部電極22mに形成された切り欠きを通って、メインセル領域Rmの外側まで引き出されている。なお、図9は、図1中の領域IIの拡大図に相当している。
これによれば、メインセル領域Rmとセンスセル領域Rsとの間隔は、センスセル領域Rsの外周に沿って均一とされている。このため、電流の横方向への拡がりの影響が均一的にセンスセル領域Rsに影響することになり、設計をし易くできる。
(他の実施形態)
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
例えば、上記各実施形態では、第1導電型をn型、第2導電型をp型としたnチャネルタイプのトレンチゲート構造のMOSFETを半導体スイッチング素子の一例として説明した。しかしながら、これは一例を示したに過ぎず、他の構造の半導体スイッチング素子、例えば、nチャネルタイプに対して各構成要素の導電型を反転させたpチャネルタイプのトレンチゲート構造のMOSFETとしてもよい。また、MOSFET以外に、同様の構造のIGBT(insulated gate bipolar transistorの略)に対しても上記各実施形態を適用することができる。IGBTの場合、ドレイン層11をp型のコレクタ層に変更する以外は、上記各実施形態で説明した縦型のMOSFETと同様である。さらに、上記各実施形態では、トレンチゲート構造ではなく、プレーナゲート構造の半導体装置に適用することもできる。
また、上記各実施形態を適宜変更するようにしてもよい。例えば、上記第2、第3実施形態に上記第4実施形態を組み合わせるようにしてもよい。
11 ドレイン層
12 ドリフト層
13 ボディ層
14 ソース領域
16 ゲート絶縁膜
17 ゲート電極
19m メインコンタクトトレンチ
19s センスコンタクトトレンチ
22m メイン上部電極
22s センス下部電極
24 下部電極

Claims (6)

  1. メインセル領域(Rm)およびセンスセル領域(Rs)に同じ半導体スイッチング素子がそれぞれ形成され、前記センスセル領域の前記半導体スイッチング素子に流れる電流に基づいて前記メインセル領域の前記半導体スイッチング素子に流れる電流が検出される半導体装置であって、
    前記半導体スイッチング素子は、
    第1導電型のドリフト層(12)と、
    前記ドリフト層上に形成された第2導電型のボディ層(13)と、
    前記ボディ層の表層部に形成され、前記ドリフト層より高不純物濃度とされた第1導電型の第1不純物領域(14)と、
    前記第1不純物領域と前記ドリフト層との間に挟まれた前記ボディ層の表面に配置されたゲート絶縁膜(16)と、
    前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極(17)と、
    前記ドリフト層を挟んで前記ボディ層と反対側に形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第1導電型または第2導電型の第2不純物領域(11)と、
    前記第1不純物領域および前記ボディ層と電気的に接続される第1電極(22m、22s)と、
    前記第2不純物領域と電気的に接続される第2電極(24)と、を備え、
    前記メインセル領域には、一方向に沿って延設されると共に前記第1不純物領域および前記ボディ層を露出させるメインコンタクトトレンチ(19m、19s)が形成され、
    前記センスセル領域には、前記一方向に沿って延設されると共に前記第1不純物領域および前記ボディ層を露出させ、前記メインコンタクトトレンチと分離されているセンスコンタクトトレンチ(19s)が形成され、
    前記メインコンタクトトレンチおよび前記センスコンタクトトレンチには、前記第1不純物領域および前記ボディ層と電気的に接続される接続電極(20)が配置され、
    前記第1電極は、前記メインコンタクトトレンチに配置された前記接続電極と接続されるメイン上部電極(19m)と、前記センスコンタクトトレンチに配置された前記接続電極と接続され、前記メイン上部電極と分離されたセンス上部電極(19s)と、を有し、
    前記ドリフト層と前記ボディ層との積層方向から視たとき、
    前記一方向において、前記メインコンタクトトレンチおよび前記メインセル領域に形成された前記第1不純物領域は、前記メイン上部電極より前記センス上部電極側に突出しており、前記センスコンタクトトレンチおよび前記センスセル領域に形成された前記第1不純物領域は、前記センス上部電極より前記メイン上部電極側に突出している半導体装置。
  2. 前記積層方向から視たとき、前記一方向において、前記メインコンタクトトレンチは、前記メインセル領域に形成された前記第1不純物領域より前記センス上部電極側に突出しており、前記センスコンタクトトレンチは、前記センスセル領域に形成された前記第1不純物領域より前記メイン上部電極側に突出している請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記メインセル領域に形成されたボディ層と前記センスセル領域に形成されたボディ層とは、分断されている請求項1または2に記載の半導体装置。
  4. 前記メインセル領域に形成されたボディ層と前記センスセル領域に形成されたボディ層との間には、前記ドリフト層が配置されている請求項3に記載の半導体装置。
  5. 前記メインセル領域に形成されたボディ層と前記センスセル領域に形成されたボディ層との間には、前記ボディ層よりも高不純物濃度とされた第2導電型の分離層(25)が形成されている請求項3に記載の半導体装置。
  6. 前記積層方向から視たとき、
    前記センスセル領域は、円状に形成されており、
    前記メインセル領域は、前記センスセル領域における外縁部との間隔が前記センスセル領域の外周の周方向において一定となるように形成されている請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置。
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