JP2010228931A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010228931A5 JP2010228931A5 JP2009075001A JP2009075001A JP2010228931A5 JP 2010228931 A5 JP2010228931 A5 JP 2010228931A5 JP 2009075001 A JP2009075001 A JP 2009075001A JP 2009075001 A JP2009075001 A JP 2009075001A JP 2010228931 A5 JP2010228931 A5 JP 2010228931A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- sec
- treatment step
- mirror
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009075001A JP5504667B2 (ja) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
EP14151040.4A EP2722423B1 (en) | 2009-03-25 | 2010-03-25 | Method of manufacturing a silicon wafer |
PCT/JP2010/002117 WO2010109873A1 (ja) | 2009-03-25 | 2010-03-25 | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
KR1020117025002A KR101389058B1 (ko) | 2009-03-25 | 2010-03-25 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
US13/258,962 US8890291B2 (en) | 2009-03-25 | 2010-03-25 | Silicon wafer and manufacturing method thereof |
KR1020147011599A KR101507360B1 (ko) | 2009-03-25 | 2010-03-25 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
KR1020137013027A KR101422713B1 (ko) | 2009-03-25 | 2010-03-25 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
EP10755675.5A EP2412849B1 (en) | 2009-03-25 | 2010-03-25 | Silicon wafer and method for manufacturing same |
US14/518,594 US9243345B2 (en) | 2009-03-25 | 2014-10-20 | Silicon wafer and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009075001A JP5504667B2 (ja) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014055515A Division JP5660237B2 (ja) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | シリコンウェーハの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010228931A JP2010228931A (ja) | 2010-10-14 |
JP2010228931A5 true JP2010228931A5 (zh) | 2012-03-01 |
JP5504667B2 JP5504667B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=43045110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009075001A Active JP5504667B2 (ja) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5504667B2 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6260100B2 (ja) | 2013-04-03 | 2018-01-17 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
JP6589807B2 (ja) | 2016-10-13 | 2019-10-16 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3711199B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2005-10-26 | 信越半導体株式会社 | シリコン基板の熱処理方法 |
CN101437988A (zh) * | 2006-03-03 | 2009-05-20 | 国立大学法人新潟大学 | 通过CZ法生产Si单晶锭料的方法 |
JP5239155B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2013-07-17 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの製造方法 |
JP2008066357A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハおよびシリコン単結晶ウエーハの製造方法 |
JP4760822B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2011-08-31 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
2009
- 2009-03-25 JP JP2009075001A patent/JP5504667B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2006112054A1 (ja) | シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハ | |
JP2014011293A5 (zh) | ||
JP2006312575A (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP2007022863A (ja) | シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハの製造方法 | |
JP2006054350A5 (zh) | ||
JP5542383B2 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
JP2010228924A5 (zh) | ||
JP2007045662A (ja) | 半導体シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
WO2009025342A1 (ja) | Igbt用のシリコン単結晶ウェーハ及びigbt用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法 | |
JP2010228931A5 (zh) | ||
JP2016504759A5 (zh) | ||
JP4710603B2 (ja) | アニールウエーハとその製造方法 | |
JP4615161B2 (ja) | エピタキシャルウエーハの製造方法 | |
CN104762656A (zh) | 大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺 | |
JP5262021B2 (ja) | シリコンウェーハ及びその製造方法 | |
JP2007242920A (ja) | 窒素ドープアニールウェーハの製造方法及び窒素ドープアニールウェーハ | |
JP2006040980A (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP2007045682A (ja) | シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハ | |
JP2009215158A (ja) | 単結晶シリコンからなる半導体ウェハ及びその製造方法 | |
JP5375794B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP6317700B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP5790766B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2013201314A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP2011171414A (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
CN105316767B (zh) | 超大规模集成电路用硅片及其制造方法、应用 |