JP2010218643A - ガラス基板の製造方法、ガラス基板及び磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 化学強化後に研磨を行う場合であっても、ガラス基板の平坦度が変化した場合に平坦度の変化を速やかに抑制することが可能なガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のガラス基板１の製造方法においては、ガラス基材１ａをイオンを含む溶液である化学強化液５９に浸漬して、ガラス基材１ａの表面のイオンを化学強化液５９のイオンと置換することにより化学強化を行い、その後に、化学強化を行ったガラス基材１ａの主表面７ａ、７ｂを研磨する。
ここで、前のバッチで主表面７ａ、７ｂの平坦度が許容値の範囲外の場合は、平坦度が０に近づくような研磨条件を選択し、これを変化させることにより、次バッチ以降の研磨を行っている。
【選択図】 図９

Description

本発明はガラス基板の製造方法、ガラス基板の製造方法により製造されたガラス基板、および磁気記録媒体に関するものである。

近年、情報化技術の高度化に伴い、情報記録技術、特に磁気記録技術は著しく進歩している。

このような磁気記録技術のひとつであるＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等の磁気記録媒体用基板としては、かつてはアルミニウム基板が広く用いられてきた。

しかしながら、磁気ディスクの小型化、薄板化、および高密度記録化に伴い、近年は、アルミニウム基板に比べ基板表面の平坦性及び基板強度に優れたガラス基板の需要が高まっている。

ガラス基板は、従来、例えば、特許文献１の段落〔０００４〕に示すように、ガラスを円盤状に形成して面取りを行い、端面および主表面を研磨し、その後に耐衝撃性や耐振動性を向上させるための化学強化処理を施すことにより製造されていた（特許文献１）。

この化学強化処理を施す化学強化工程は、例えば、特許文献１の〔００１４〕に記載のように、処理対象のガラス基板を化学強化液中に浸漬し、ガラス基板と化学強化液とをイオン交換させることによって行われる。

一方、化学強化は、ガラスに含まれていたイオンを、よりイオン半径の大きいイオンに置換を行う処理でもあるため、化学強化を行うと、ガラス基板の寸法、形状が変化する。

そのため、磁気ディスクの高記録密度化の要求がさらに高まりつつあり、それに伴い、ガラス基板に対してより厳しい寸法精度が要求される現在では、特許文献１の〔００１２〕に示すように、化学強化を行った後にガラス基板の主表面を研磨する場合がある。

特開２０００−０７６６５２号公報

ここで、化学強化後に研磨を行う製法では、研磨により化学強化層が削られるため、研磨後に化学強化を行う製法と比較して、製造されたガラス基板における化学強化層が薄くなりやすい。

化学強化層が薄くなると、研磨工程で２つの主表面の研磨量が異なった場合に２つの主表面の化学強化層の厚さの不均一が顕著となりやすい。

そのため、２つの主表面の化学強化層の厚さの不均一が原因でガラス基板が反ってしまい、寸法精度の悪化を招く恐れがあり、ガラス基板の平坦度の変化（反り）に対しては、より注意して製造を行う必要がある。

ここで、ガラスの平坦度の変化は、研磨に用いられる研磨パッドの交換等の要因によって不可避的に変化する場合がある。

しかしながら、特許文献１では、このような不可避的な平坦度の変化を考慮しておらず、平坦度の変化が生じた際に、平坦度を速やかに抑制することができなかった。

本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、化学強化後に研磨を行う場合であっても、ガラス基板の平坦度が変化した場合に平坦度の変化を速やかに抑制することが可能なガラス基板の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。

（構成１）ガラス基材をイオンを含む溶液である化学強化液に浸漬して、前記ガラス基材表面のイオンを前記化学強化液のイオンと置換することにより化学強化を行う工程（ａ）と、前記化学強化を行った前記ガラス基材の主表面を研磨する工程（ｂ）と、を有し、前記工程（ｂ）は、前回研磨した前記ガラス基材の主表面の平坦度が一定値を越えたことを検出した場合に、次回以降の前記ガラス基材を研磨する際の研磨条件を変化させて研磨を行う工程であることを特徴とするガラス基板の製造方法。

（構成２）前記工程（ａ）の前に、研磨条件を変化させて前記ガラス基材の主表面を研磨した場合の前記ガラス基材の主表面の平坦度の変化を測定して、主表面の平坦度の変化量のデータをあらかじめ得る工程（ｃ）を有し、前記工程（ｂ）は、前回研磨した前記ガラス基材の主表面の平坦度が一定値を越えたことを検出した場合に、前記データを元に、次回以降の前記ガラス基材を研磨する際に、前記ガラス基材の主表面の平坦度が０に近くなるような研磨条件を選択し、前記研磨条件を変化させて研磨を行う工程であることを特徴とする構成１記載のガラス基板の製造方法。

（構成３）前記工程（ｂ）は、研磨パッドを用いて前記ガラス基材をバッチ単位で湿式研磨する工程であり、かつ、前回研磨したバッチの前記ガラス基材の主表面の平坦度が一定値を越えたことを検出した場合に、前記データを元に、次のバッチ以降の前記ガラス基材を研磨する際に、前記ガラス基材の主表面の平坦度が０に近くなるような研磨条件を選択し、前記研磨条件を変化させて研磨を行う工程であることを特徴とする構成２記載のガラス基板の製造方法。

（構成４）前記研磨条件は、前記研磨パッドの回転数、研磨時の圧力、研磨に用いる研磨液の流量のうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする構成３に記載のガラス基板の製造方法。

（構成５）構成１〜４のいずれかに記載のガラス基板の製造方法により製造されたことを特徴とするガラス基板。

（構成６）構成５記載のガラス基板と、前記ガラス基板上に設けられた下地層、磁性層、保護層、潤滑層と、を有することを特徴とする磁気記録媒体。

本発明によれば、化学強化後に研磨を行う場合であっても、ガラス基板の平坦度が変化した場合に平坦度の変化を速やかに抑制することが可能なガラス基板の製造方法を提供することができる。

図１（ａ）はガラス基板１の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図、図１（ｃ）は磁気記録媒体１００を示す断面図である。 ガラス基板１の製造方法の概略を示す図である。 ガラス基板１の製造方法の概略を示すフローチャートである。 研削装置２１を示す断面図である。 化学強化装置５１を示す斜視図である。 研磨システム６１の構成を示すブロック図である。 研磨装置２１ａを示す断面図である。 研磨条件とガラス基材１ａの平坦度の関係を示す図である。 図３のステップ１０７の詳細を示すフローチャートである。 バッチごとのガラス基材１ａの平坦度を示す図である。

以下、図面に基づき、本発明の実施形態を詳細に説明する。

まず、図１を参照して、本実施形態にかかるガラス基板１の製造方法を用いて製造されるガラス基板１の構造について簡単に説明する。

図１（ａ）に示すように、ガラス基板１は、円板形状を有する本体３を有し、本体３の中心には内孔５が形成されている。

図１（ｂ）に示すように、本体３は、実質的に平滑な主表面７ａ、７ｂを有している。

主表面７ａ、７ｂは、情報を記録再生するための層が形成される面であり、例えば図１（ｃ）に示すように、主表面７ａ、７ｂの一方または両方に、下地層１８ａ、磁性層１８ｂ、保護層１８ｃ、潤滑層１８ｄを設けることにより、ガラス基板１は、磁気記録媒体１００となる(少なくとも磁性層１８ｂは記録層として必要)。

また、本体３は主表面７ａ、７ｂに対して直交している内周端面１１および外周端面９を有している。

内周端面１１および外周端面９は面取されており、それぞれ内周面取面１３および外周面取面１５が設けられている。

さらに、本体３は表面に化学強化層１７が形成されている。

化学強化層１７の詳細については後述するが、例えば、ガラス基板１の原料となるガラスのイオンの一部を、よりイオン半径の大きいイオンに置換し、圧縮応力層とした層である。

次に、図２〜図１０を参照して、本実施形態にかかるガラス基板１の製造方法について説明する。

なお、以下の説明では、製造工程中におけるガラスを「ガラス基材１ａ」と称し、完成品を「ガラス基板１」と称することにする。

まず、製造方法の概略について、図２を参照して簡単に説明する。

まず、原料となるガラスを加工して図２に示すような円板状のガラス基材１ａを製造する。

次に、ガラス基材１ａに化学強化を行い、表面に圧縮応力層を形成する。

次に、化学強化を行ったガラス基材１ａの主表面７ａ、７ｂを研磨して、実質的に平滑にする。

ここで、図２から明らかなように、本実施形態では、ガラス基材１ａに化学強化を行った後に主表面７ａ、７ｂを研磨しており、化学強化後に研磨を行う製造方法である。

次に、図３〜図１０を参照して、具体的な製造方法について説明する。

まず、図３に示すように、原料となるガラスを円板状に成形してガラス基材１ａを製造する（ステップ１０１）。

原料となるガラスとしては例えばフロート法、ダウンドロー法、リドロー法又はプレス法で製造されたソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、結晶化ガラス等が挙げられる。

なお、以下の実施形態ではプレス法で製造されたガラスを例に説明する。

次に、図３に示すように、ガラス基材１ａの板厚調整のため、主表面７ａ、７ｂを研削（第１ラッピング）する（ステップ１０２）。

ここで、研削に用いる研削装置２１の構造および研削の方法の一例について、図４を参照して簡単に説明する。

図４に示すように、研削装置２１は、太陽歯車２３と、その外方に同心円状に配置される内歯歯車２５と、太陽歯車２３及び内歯歯車２５に噛み合い、太陽歯車２３や内歯歯車２５の回転に応じて公転及び自転するキャリア２７と、このキャリア２７に保持されたガラス基材１ａを挟持可能な上定盤２９及び下定盤３１と、上定盤２９と下定盤３１との間に研磨液を供給する研磨液供給部（図示せず）とを備えている。

研削装置２１は、研削加工時には、キャリア２７に保持されたガラス基材１ａを上定盤２９及び下定盤３１とで挟持し、上定盤２９及び下定盤３１とガラス基材１ａとの間に研磨液を供給しながら、太陽歯車２３や内歯歯車２５の回転に応じてキャリア２７が公転及び自転することにより、ガラス基材１ａの上下両面（主表面７ａ、７ｂ）が研削加工される。

また、研磨液は、例えば、アルミナ等の砥粒を水に分散させてスラリーとしたものが用いられる。

次に、図３に示すように、ガラス基材１ａの中心に内孔５（図１参照）を形成する（ステップ１０３）。

内孔５の形成は、例えばコアドリルを用いて行う。

なお、シートガラスを用いた場合は、ステップ１０１〜１０３は行わず、代わりに、カッターを用いてシート形状から円板形状にガラスを切り出し、さらに内孔５を切り出す工程（カッティング工程）を行う。

次に、図３に示すように、ガラス基材１ａの端面のクラックを除去するため、内周端面１１および外周端面９の面取を行う（ステップ１０４）。面取は、例えばダイヤモンド砥粒が付着した砥石を用いて行う。

なお、面取後に主表面７ａ、７ｂを研削（第２ラッピング）する工程を追加してもよい。これにより、内孔５の形成や面取によって生じた凹凸を研削でき、研磨の際の負担を軽減できる。

次に、図３に示すように、ガラス基材１ａの内周端面１１および外周端面９の研磨、即ち端面研磨を行う（ステップ１０５）。

端面研磨は例えば回転ブラシを用いて行う。

次に、図３に示すように、ガラス基材１ａに化学強化を行い、化学強化層１７を形成する（ステップ１０６）。

ここで、化学強化に用いる化学強化装置５１の構造および化学強化の方法の一例について、図５を参照して簡単に説明する。

図５に示すように、化学強化装置５１は、ガラス基材１ａを保持するホルダ５３と、化学強化液５９で満たされた処理槽５７を有している。

ホルダ５３にはガラス基材１ａを保持するための保持部５５が設けられている。

図５から明らかなように、化学強化装置５１は、ガラス基材１ａを数１０枚〜１００枚程度の枚数ごとにバッチ単位で化学強化を行う構造であるが、本発明はバッチ単位での処理に限定されない。

化学強化装置５１を用いてガラス基材１ａを化学強化する場合は、まず、保持部５５にガラス基材１ａを引っ掛けることによりホルダ５３にガラス基材１ａを収納し、ホルダ５３ごと処理槽５７内の化学強化液５９にガラス基材１ａを浸漬する。

化学強化液５９の組成は例えば、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム等をそれぞれ単独、あるいは混合したものである。

化学強化液５９の温度は、ガラス基材１ａの材質の歪点よりも好ましくは５０〜１５０℃程度低い温度であり、より好ましくは化学強化液５９自体の温度が３５０〜４００℃程度である。

化学強化液５９にガラス基材１ａを浸漬すると、化学強化液５９に含まれているイオンと、ガラス基材１ａに含まれているイオンとがイオン交換される。

具体的には、例えばガラス基材１ａに含まれているリチウムイオン、ナトリウムイオンが、それぞれ、化学強化液５９に含まれているナトリウムイオン、カリウムイオンと交換される。

この際、ガラス基材１ａに含まれているイオンよりもイオン半径が大きいイオンとイオン交換が生じることにより、化学強化層１７は圧縮応力層となり、ガラス基材１ａの表面の強度が上昇する。

次に、化学強化が終わると、ガラス基材１ａを洗浄して表面の化学強化液を除去した後、図３に示すように、ガラス基材１ａの主表面７ａ、７ｂの平坦度と表面粗さを調整する（実質的に平滑にする）ため、主表面７ａ、７ｂを研磨する（ステップ１０７）。

ここで、ステップ１０７で用いる研磨システム６１の構成について図６〜図８を参照して説明する。

図６に示すように、研磨システム６１はガラス基材１ａを研磨する研磨装置２１ａと研磨したガラス基材１ａの（主表面７ａ、７ｂの）平坦度を測定する平坦度測定装置６３（基本的には研磨装置とは独立しスタンドアローンタイプ、また研磨装置と一体型とすればなお良い）を有している。研磨装置２１ａと平坦度測定装置６３には後述する研磨条件を設定するための判断部６６が接続されている。判断部６６はＣＰＵ（Central Processing Unit）等である。

判断部６６には、後述する研磨条件と（主表面７ａ、７ｂの）平坦度の関係を示すデータ７１が記憶された、データ蓄積部６９が接続されている。データ蓄積部６９は外部記憶装置からなる、半導体メモリー・ハードディスク装置等である。

ここで、研磨に用いる研磨装置２１ａの構造および研磨の方法の一例について、図７を参照して簡単に説明する。

研磨装置２１ａの構造は、研削装置２１と同様であるが、図７に示すように、上定盤２９及び下定盤３１に研磨パッド３３が貼り付けられている。

研磨装置２１ａは、研磨加工時には、キャリア２７に保持されたガラス基材１ａを上定盤２９及び下定盤３１とで挟持し、研磨パッド３３とガラス基材１ａとの間に研磨液を供給しながら、太陽歯車２３や内歯歯車２５の回転に応じてキャリア２７が公転及び自転することにより、ガラス基材１ａの上下両面（主表面７ａ、７ｂ）が研磨加工（湿式研磨）される。

研磨パッド３３としては、軟質ポリッシャの研磨パッドであることが好ましい。研磨パッド３３の硬度はアスカーＣ硬度で、６０以上８０以下とすることが好適である。研磨パッド３３のガラス基材１ａとの当接面は、発泡ポアが開口した発泡樹脂、特に発泡ポリウレタンとすることが好ましい。このようにして研磨を行うと、ガラス基材１ａの主表面７ａ、７ｂを平滑な鏡面状に研磨することができる。

また、研磨液は、例えば、酸化セリウムや酸化ランタン等の砥粒を水に分散させてスラリーとしたものが用いられる。

次に、研磨条件と平坦度の関係を示すデータ７１について図８を参照して説明する。

図８は研磨条件と（主表面７ａ、７ｂの）平坦度の関係を示すデータ７１の一例であり、研磨条件はＡ〜Ｅのアルファベットで表現されている。

研磨条件は例えば、太陽歯車２３や内歯歯車２５の回転数（研磨パッド３３の回転数）、研磨の際の圧力、研磨液の供給量等である。

各条件における図８の縦軸の線は、各条件により制御可能な平坦度の範囲を示しており、縦軸における＋α、−αは、それぞれ平坦度の許容値の上下限値である。

例えば、あるバッチにおける研磨したガラス基材１ａの主表面７ａ、７ｂの平坦度が図８のβの場合、平坦度の許容値の上限値αを超えているため、次バッチ以降のガラス基材１ａを研磨する際は、平坦度を許容値±α内に収めるように、研磨条件を変化させて研磨しなければならない。

ここで、図８では平坦度βは研磨条件Ｂで制御可能な平坦度の範囲内であるため、次バッチ以降のガラス基材１ａを研磨する際は、研磨条件Ｂを、平坦度を０に近づくように変化させることにより、次バッチのガラス基材１ａの平坦度を許容値内に収めることができる。

この研磨条件と平坦度の関係を示すデータ７１は、ステップ１０７の前に、あらかじめ取得しておくものであり、具体的には、研磨条件を変化させてガラス基材１ａの主表面７ａ、７ｂを研磨し、ガラス基材１ａの平坦度の変化を測定することにより取得する。

次に、ステップ１０７の具体的な手順について図６〜図１０を参照して説明する。

まず、図９に示すように、研磨装置２１ａ（図７参照）はガラス基材１ａを研磨する（ステップ２０１）。

具体的な研磨の方法は研磨装置２１ａの説明で既に述べたため、ここでは省略する。

次に、図９に示すように、平坦度測定装置６３は研磨したガラス基材１ａの（主表面７ａ、７ｂの）平坦度を測定し、測定した平坦度の数値を図６に示す判断部６６に送信する（ステップ２０２）。

次に、図９に示すように、判断部６６は平坦度が許容値の範囲内にあるか否かを判断し、範囲内の場合はステップ２０４に進み、範囲外の場合はステップ２０５に進む（ステップ２０３）。

なお、平坦度が平坦度が許容値の範囲外となる場合は、例えば研磨装置２１ａの研磨パッド３３を交換した直後のバッチ（図１０の１バッチ目）を研磨した場合が挙げられる。

また、研磨パッド３３にドレス処理（研磨パッド３３の表面を研磨して目詰まりを取り除く処理）を行った直後のバッチ（図１０のｎバッチ目）を研磨した場合も挙げられる。

平坦度が許容値の範囲内の場合は、研磨条件を変更する必要はないので、判断部６６は研磨条件を変更せず（ステップ２０４）、研磨装置２１ａは次バッチ以降のバッチのガラス基材１ａを、前のバッチと同じ条件で研磨する。

平坦度が許容値の範囲外の場合、即ち、平坦度が一定値を越えたことを検出した場合は、判断部６６はデータ蓄積部６９を参照し、研磨条件と平坦度の関係を示すデータ７１から、測定した平坦度が制御可能な平坦度の範囲内にある研磨条件を選択し（ステップ２０５）、当該条件を変化させるように研磨装置２１ａに指示する（ステップ２０６）。

例えば、図１０では研磨パッド３３を交換した直後のバッチ（１バッチ目）の平坦度βが、平坦度の許容値である±αの範囲外にあるが、図８に示すように、平坦度βは研磨条件Ｂの制御可能範囲内にあるため、判断部６６は、研磨条件Ｂを次バッチ（２バッチ目）以降の研磨条件として選択し、研磨条件Ｂを、平坦度が０に近づくように変化させるように研磨装置２１ａに指示する。

なお、例えば図１０のｎバッチ目の平坦度γのように、選択可能な研磨条件が複数ある場合（図８では条件ＢとＤ）は、いずれの条件を選択してもよいが、より平坦度を０に近づけることができるような条件（図８では条件Ｄ）を選択するのが望ましい。

このように、あるバッチのガラス基材１ａの平坦度が許容値の範囲外だった場合に、研磨条件を変化させて研磨することにより、図１０に示すように、次バッチ（次回）以降のガラス基材１ａの平坦度を許容値の範囲内にすることができる。

すなわち、平坦度の変化を速やかに抑制することが可能である。

以上がステップ１０７の具体的な手順である。

なお、研磨は２段階に分けて行っても良い。

具体的には、例えば、研磨液に含まれる砥粒として、粒径が異なる２種類の砥粒を用い、まず粒径が相対的に大きい砥粒を用いて第１研磨を行い、次に粒径が相対的に小さい砥粒を用いて第２研磨を行う。

研磨が終了すると、図３に示すように、ガラス基材１ａを洗浄し、製造中に表面に付着した研磨剤や不純物を除去する（ステップ１０８）。

具体的にはスクラブ洗浄、超音波洗浄等の物理的な洗浄や、フッ化物、有機酸、過酸化水素、界面活性剤等を用いた薬液洗浄が挙げられる。

最後に、図３に示すように、製品検査（例えば主表面７ａ、７ｂの表面粗さやパーティクルの量の検査）を行う（ステップ１０９）。

具体的には、例えばＯＤＴ（Optical Defect Tester）やＯＳＡ（Optical Surface Analyzer）を用いて欠陥検査を行う。

以上の工程により、ガラス基板１が完成する。

このように、本実施形態にかかるガラス基板１の製造方法によれば、ガラス基材１ａに化学強化を行った後に主表面７ａ、７ｂを研磨しており、かつ、研磨工程においては、前のバッチで平坦度が許容値の範囲外の場合は、平坦度が０に近づくような研磨条件を選択し、これを変化させることにより、次バッチ（次回）以降の研磨を行っている。

そのため、化学強化後に研磨を行う場合であっても、ガラス基板１の平坦度が大きく変化した場合に平坦度の変化を速やかに抑制することが可能である。

上述した実施形態では、本発明を磁気記録媒体用のガラス基板１を製造する製造方法に適用した場合について説明したが、本発明は何らこれに限定されることなく、化学強化後に研磨を行う必要がある全てのガラスの製造方法に適用できる。

また、上述した実施形態では、平坦度が許容値の範囲内にあるか否かの判断や研磨条件の選択をそれぞれ判断部６６が行っているが、作業者が行っても良い。

また、上述した実施形態では、データ蓄積部６９として外部記憶装置からなる、半導体メモリー・ハードディスク装置等を例示しているが、データ７１を保持できるもの、あるいは作業者がデータ７１を視認できるものであれば、特に限定されない。

１……………ガラス基板
１ａ…………ガラス基材
３……………本体
５……………内孔
７ａ…………主表面
１７…………化学強化層
１８ｂ………磁性層
２１…………研削装置
２１ａ………研磨装置
５１…………化学強化装置
５９…………化学強化液
６６…………判断部
６９…………データ蓄積部
７１…………データ

Claims (6)

1. ガラス基材をイオンを含む溶液である化学強化液に浸漬して、前記ガラス基材表面のイオンを前記化学強化液のイオンと置換することにより化学強化を行う工程（ａ）と、
   前記化学強化を行った前記ガラス基材の主表面を研磨する工程（ｂ）と、
   を有し、
   前記工程（ｂ）は、前回研磨した前記ガラス基材の主表面の平坦度が一定値を越えたことを検出した場合に、次回以降の前記ガラス基材を研磨する際の研磨条件を変化させて研磨を行う工程であることを特徴とするガラス基板の製造方法。
2. 前記工程（ａ）の前に、
   研磨条件を変化させて前記ガラス基材の主表面を研磨した場合の前記ガラス基材の主表面の平坦度の変化を測定して、主表面の平坦度の変化量のデータをあらかじめ得る工程（ｃ）を有し、
   前記工程（ｂ）は、
   前回研磨した前記ガラス基材の主表面の平坦度が一定値を越えたことを検出した場合に、
   前記データを元に、次回以降の前記ガラス基材を研磨する際に、前記ガラス基材の主表面の平坦度が０に近くなるような研磨条件を選択し、前記研磨条件を変化させて研磨を行う工程であることを特徴とする請求項１記載のガラス基板の製造方法。
3. 前記工程（ｂ）は、研磨パッドを用いて前記ガラス基材をバッチ単位で湿式研磨する工程であり、
   かつ、前回研磨したバッチの前記ガラス基材の主表面の平坦度が一定値を越えたことを検出した場合に、
   前記データを元に、次のバッチ以降の前記ガラス基材を研磨する際に、前記ガラス基材の主表面の平坦度が０に近くなるような研磨条件を選択し、前記研磨条件を変化させて研磨を行う工程であることを特徴とする請求項２記載のガラス基板の製造方法。
4. 前記研磨条件は、前記研磨パッドの回転数、研磨時の圧力、研磨に用いる研磨液の流量のうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項３に記載のガラス基板の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載のガラス基板の製造方法により製造されたことを特徴とするガラス基板。
6. 請求項５記載のガラス基板と、
   前記ガラス基板上に設けられた下地層、磁性層、保護層、潤滑層と、
   を有することを特徴とする磁気記録媒体。

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