JP2010199497A - 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019122873A1 (en) * 2017-12-21 2019-06-27 Edwards Limited A vacuum pumping arrangement
JP2020038947A (ja) * 2018-09-06 2020-03-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6718566B1 (ja) * 2019-06-27 2020-07-08 カンケンテクノ株式会社 排ガス除害ユニット
JP2020191444A (ja) * 2019-05-22 2020-11-26 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 装置稼働方法と基板処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11343584A (ja) * 1998-05-28 1999-12-14 Mitsui Chem Inc ドライエッチング装置およびその運転方法
JP2001168033A (ja) * 1999-12-03 2001-06-22 Sony Corp 半導体製造装置
JP2007043171A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Samsung Electronics Co Ltd ポンプユニットを有する半導体素子製造装置及び前記ポンプユニットを洗浄する方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11343584A (ja) * 1998-05-28 1999-12-14 Mitsui Chem Inc ドライエッチング装置およびその運転方法
JP2001168033A (ja) * 1999-12-03 2001-06-22 Sony Corp 半導体製造装置
JP2007043171A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Samsung Electronics Co Ltd ポンプユニットを有する半導体素子製造装置及び前記ポンプユニットを洗浄する方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019122873A1 (en) * 2017-12-21 2019-06-27 Edwards Limited A vacuum pumping arrangement
JP2021507172A (ja) * 2017-12-21 2021-02-22 エドワーズ リミテッド 真空ポンピング構成
JP7080140B2 (ja) 2018-09-06 2022-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2020038947A (ja) * 2018-09-06 2020-03-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102869363B1 (ko) * 2019-05-22 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 장치 작동 방법 및 기판 처리 장치
JP2020191444A (ja) * 2019-05-22 2020-11-26 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 装置稼働方法と基板処理装置
KR20200135729A (ko) * 2019-05-22 2020-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 장치 작동 방법 및 기판 처리 장치
JP7517863B2 (ja) 2019-05-22 2024-07-17 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 装置稼働方法と基板処理装置
KR20210018491A (ko) * 2019-06-27 2021-02-17 칸켄 테크노 가부시키가이샤 배기 가스 제해 유닛
TWI739309B (zh) * 2019-06-27 2021-09-11 日商康肯環保設備有限公司 廢氣有害物質去除單元
CN112543673A (zh) * 2019-06-27 2021-03-23 北京康肯环保设备有限公司 废气除害单元
KR102511172B1 (ko) * 2019-06-27 2023-03-20 칸켄 테크노 가부시키가이샤 배기 가스 제해 유닛
WO2020261518A1 (ja) * 2019-06-27 2020-12-30 カンケンテクノ株式会社 排ガス除害ユニット
JP6718566B1 (ja) * 2019-06-27 2020-07-08 カンケンテクノ株式会社 排ガス除害ユニット

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