JP2020191444A - 装置稼働方法と基板処理装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000011017 operating method Methods 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 241001135902 Peanut clump virus Species 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32908—Utilities
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
【課題】本開示は、排気系の効率的なクリーニングを可能とする装置稼働方法と基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】リアクタチャンバの内部にガスを提供して該リアクタチャンバの内部の基板に処理を施すことと、リアクタチャンバに基板をロード又はアンロードしている最中に、該リアクタチャンバにつながる排気ライン、又は該排気ラインにつながるドライポンプに該リアクタチャンバを経由しないプラズマを提供して、該排気ラインと該ドライポンプの少なくとも一方をクリーニングすること、とを備える。【選択図】図１
Description
本開示は装置稼働方法と基板処理装置に関する。
リアクタチャンバに提供されたガスは、ドライポンプによって排気ラインを経由して外部に排気される。例えば、副生成物の多く発生するプロセスにおいては、排気ライン又はドライポンプに堆積物が堆積する。堆積物の堆積は、装置の稼働を妨げたり、ドライポンプの保護機能に基づくドライポンプのロックを生じさせたりする。例えば、ルーツ型真空ポンプでは、多くの堆積物が堆積すると、インペラーの回転が悪くなる。
リモートプラズマユニットから、リアクタチャンバを経由して排気ラインへクリーニングガスを提供することで、排気ラインとドライポンプの閉塞を抑制し得る。しかしながら、そのようなクリーニングは、リアクタチャンバにおける処理を中断させるので、装置の処理を遅延させる要因となっていた。これは、スループットの低下を招くということもできる。
本開示は、上述のような課題を解決するためになされたもので、排気系の効率的なクリーニングを可能とする装置稼働方法と基板処理装置を提供することを目的とする。
本開示に係る装置稼働方法は、リアクタチャンバの内部にガスを提供して該リアクタチャンバの内部の基板に処理を施すことと、リアクタチャンバに基板をロード又はアンロードしている最中に、該リアクタチャンバにつながる排気ライン、又は該排気ラインにつながるドライポンプに該リアクタチャンバを経由しないプラズマを提供して、該排気ラインと該ドライポンプの少なくとも一方をクリーニングすること、とを備えたことを特徴とする。
本開示のその他の特徴は以下に明らかにする。
本開示によれば、例えば排気系の効率的なクリーニングが可能となる。
装置稼働方法と基板処理装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態．
図１は、装置稼働方法の例を示す図である。この例では、リアクタチャンバにおいて基板に成膜処理を施す装置の稼働について説明する。基板は例えばウエハである。リアクタチャンバでは、例えば物理的気相堆積、エピタキシャル堆積若しくは他の成膜、拡散、又はエッチングプロセスを施してもよい。まず、ステップＳ１にて、例えばリアクタチャンバのサセプタに基板を提供する。基板のローディングには要する時間は例えば２２秒である。
図１は、装置稼働方法の例を示す図である。この例では、リアクタチャンバにおいて基板に成膜処理を施す装置の稼働について説明する。基板は例えばウエハである。リアクタチャンバでは、例えば物理的気相堆積、エピタキシャル堆積若しくは他の成膜、拡散、又はエッチングプロセスを施してもよい。まず、ステップＳ１にて、例えばリアクタチャンバのサセプタに基板を提供する。基板のローディングには要する時間は例えば２２秒である。
次いで、ステップＳ２にて、基板に処理を施す。処理の一例は基板に対するプラズマＣＶＤ法による成膜である。成膜処理は、リアクタチャンバの内部にガスを提供して行うことができる。ガスをリアクタチャンバに提供して、基板の膜の改質、エッチングなどの処理を実行してもよい。
次いで、ステップＳ３にて、基板をアンロードする。基板のアンロードに要する時間は例えば２２秒である。次いで、ステップＳ４にてリアクタチャンバの内部をクリーニングする。一例によれば、リモートプラズマユニットから、クリーニングに用いられるプラズマをリアクタチャンバに提供することでリアクタチャンバをクリーニングする。リアクタチャンバのクリーニングに要する時間は例えば５４秒である。
次いで、ステップＳ５にて、リアクタチャンバに新たな基板を提供する。ステップＳ６にてその基板に対して処理を施し、ステップＳ７にてその基板をアンロードする。
こうしてメインレシピによる一連の処理を繰り返すことで、基板に対して順次処理が施される。一例によれば、リアクタチャンバのクリーニングはメインレシピによって実行され、排気ラインとドライポンプの少なくとも一方のクリーニングはサブレシピによってメインレシピと並行して実行される。一例によれば、排気ラインは、リアクタチャンバとドライポンプをつなぐパイプである。一例によれば、ドライポンプはリアクタチャンバからガス分子を除去するデバイスである。サブレシピは、基板をローディングするステップＳ１、Ｓ５と、基板をアンローディングするステップＳ３、Ｓ７の最中に、リアクタチャンバにつながる排気ライン、又は排気ラインにつながるドライポンプにリアクタチャンバを経由しないプラズマを提供させる。サブレシピによって、基板のロードとアンロード時に、排気ラインとドライポンプの少なくとも一方をクリーニングする。
例えば、時刻Ｔ１からＴ２までの時間と、時刻Ｔ３からＴ４までの時間の和は、６５秒程度とすることができる。
このように、基板搬送と、排気系のクリーニングを同時に行うことで、スループットを高め得る。
図２は、上述の装置稼働方法に用いられる基板処理装置の構成例を示す図である。リアクタチャンバ１０では、例えば、ガスを用いて基板に成膜、エッチング、改質処理などの処理を施す。これらの処理はプラズマの生成を伴ってもよい。リモートプラズマユニット１４は、接続ライン１２を介してリアクタチャンバ１０に通じ、リアクタチャンバ１０にプラズマを提供し得る。リモートプラズマユニット１４は、例えばＡｒ又はＮＦ３などのガス源Ｇ１から提供されたガスを、プラズマ化し、リアクタチャンバ１０にクリーニング用のプラズマとして提供する。他方、基板の処理時には、接続ライン１２に接続されたガス源Ｇ２から、成膜用のガスをリアクタチャンバ１０に提供する。成膜用のガスは例えばＴＥＯＳ、Ａｒ及びＯ２を含み得る。
リアクタチャンバ１０には排気ライン１６が接続されている。この排気ライン１６を通じて、リアクタチャンバ１０のガスが、ドライポンプ２０によって排気される。ドライポンプ２０は例えばルーツ型ドライ真空ポンプである。基板の成膜に用いられたガスと、リアクタチャンバ１０のクリーニングに用いられたガスは排気ライン１６を介してドライポンプ２０によって排気されうる。
この装置には、接続ライン１２と排気ライン１６をつなげるバイパスライン３０が設けられている。バイパスライン３０は、リモートプラズマユニット１４から、リアクタチャンバ１０を経由せずに、排気ライン１６とドライポンプ２０にクリーニングガスを提供することを可能とする経路である。
このような基板処理装置を用いて図１の装置稼働方法を実現し得る。ステップ２の成膜においては、例えば、図２のバルブＶ１、Ｖ２、Ｖ４を閉め、バルブＶ３を開けることで、プラズマＣＶＤ法又はプラズマＡＬＤ法などの方法で、基板に膜を形成する。当然ながら、成膜にはプロセスガスの提供が必要となる。ステップ４においては、バルブＶ２、Ｖ４を閉じて、バルブＶ１、Ｖ３を開けた状態で、リモートプラズマユニット１４から接続ライン１２を介してプラズマを含むクリーニングガスをリアクタチャンバ１０に提供する。
排気ライン１６とリアクタチャンバ１０をクリーニングするときは、例えばバルブＶ１、Ｖ３を閉じて、バルブＶ２、Ｖ４を開けた状態で、リモートプラズマユニット１４からバイパスライン３０を介して排気ライン１６の大部分にプラズマを提供する。プレッシャーコントロールバルブ（ＰＣＶ）１８によってバイパスライン３０を経由したリアクタチャンバ１０への流れが抑制されていれば、バルブＶ３を開放してもよい。
上述の各工程では、プレッシャーコントロールバルブ（ＰＣＶ）１８によってガス流量を調整しうる。このＰＣＶ１８は、バイパスライン３０から排気ライン１６に提供されるプラズマの量の調整に利用できる。ＰＣＶは、ユーザが指定した圧力となるように、％で表現される開度を設定するバルブである。
排気ライン１６とドライポンプ２０のクリーニングにおいて、バイパスライン３０を経由し、リアクタチャンバ１０を経由しないクリーニングガスを用いることは、クリーニングレートを高める。
図３は、別の例に係る基板処理装置の構成例を示す図である。この装置は、排気ライン１６にＰＣＶ４０を有し、バイパスライン３０にもＰＣＶ４２を有する。２つのＰＣＶ４０、４２を用いることで、制御の自由度を高めることができる。別の例によれば、別の位置にバルブとＰＣＶを設けたり、図２、３のバルブとＰＣＶのいくつかを省略したりできる。
図４は、基板処理装置の斜視図である。一例によれば、リモートプラズマユニット１４はリアクタチャンバ１０の上に設けられ、排気ラインはリアクタチャンバ１０の下に設けられる。図４には、バイパスライン３０がリアクタチャンバ１０の表面に沿って設けられたことが図示されている。バイパスライン３０は、経路長を最小化するために、リアクタチャンバ１０の表面に沿って設けることができる。バイパスライン３０を曲線的なラインとしたり、バイパスライン３０の屈曲部に丸みをつけたりすることは、リモートプラズマユニット１４から提供されるプラズマの失活を抑制し得る。
図５は、別の例に係る基板処理装置の構成例を示す図である。この基板処理装置は、ドライポンプ自身にクリーニング機能を持つということができる。一例によれば、ドライポンプ２０は、排気ライン１６を介してリアクタチャンバ１０に通じるとともに、専用リモートプラズマユニット５０に直接接続されている。専用リモートプラズマユニット５０とドライポンプ２０は、専用ライン５２によって通じている。専用リモートプラズマユニット５０をドライポンプ２０に隣接させることで、専用ライン５２を短くし得る。専用リモートプラズマユニット５０で発生させるプラズマは、リモートプラズマユニット１４で発生させるプラズマと一致させることができる。
この例では、サブレシピによって、専用リモートプラズマユニット５０でドライポンプ２０に直接プラズマを提供する。排気ライン１６のクリーニングは、リアクタチャンバ１０を経由したプラズマによって行い得る。専用リモートプラズマユニット５０の利用によって、ドライポンプ２０の堆積物を効率よく除去し得る。
図６は、図５のドライポンプ２０の構成例を示す斜視図である。このドライポンプ２０は、排気ライン１６につながる第１インレット２０ａと、専用リモートプラズマユニット５０につながる第２インレット２０ｂと、排気口２０ｃと、を備えている。
図７は、図６のドライポンプ２０の構成例を示す断面図である。一例によれば、ドライポンプ２０の中には、インペラーが設けられた部屋が複数ある。図７では、第１インレット２０ａにつながる第１空間２０ｄに設けられた第１インペラー２０ｅと、第１空間２０ｄにつながる第２空間２０ｆに設けられた第２インペラー２０ｇと、が設けられている。さらに、第２インレット２０ｂから第１空間２０ｄに至る第１経路２０Ａと、第２インレット２０ｂから第２空間２０ｆに至る第２経路２０Ｂが提供されている。第１経路２０Ａを開閉する第１バルブ２０Ｃと、第２経路２０Ｂを開閉する第２バルブ２０Ｄとを提供することができる。
複数の第１インペラー２０ｅと複数の第２インペラー２０ｇを回転させることで、排気ライン１６から第１インレット２０ａ、第１空間２０ｄ、第２空間２０ｆを経由して排気口２０ｃへとガスを排気する。第１インペラー２０ｅと第２インペラー２０ｇの全体又はその軸部分に堆積物が堆積すると、ドライポンプ２０の動作に支障が生じ得る。そのような堆積物を、専用リモートプラズマユニット５０からのプラズマで除去する。例えば、第１バルブ２０Ｃを開けて、第２バルブ２０Ｄを閉じた状態で専用リモートプラズマユニット５０から第１空間２０ｄにプラズマを提供することで、第１空間２０ｄと第１インペラー２０ｅのクリーニングを行う。さらに、第１バルブ２０Ｃを閉じて、第２バルブ２０Ｄを開けた状態で専用リモートプラズマユニット５０から第２空間２０ｆにプラズマを提供することで、第２空間２０ｆと第２インペラー２０ｇのクリーニングを行う。このように、専用リモートプラズマユニット５０のプラズマが複数の部屋に対して個別に提供されることは、各インペラーの十分なクリーニングを可能とする。
ここまでに説明した、リモートプラズマユニット１４又は専用リモートプラズマユニット５０で生成され、クリーニングに用いられるプラズマは、ラジカルおよび／またはエネルギー励起された中性種とすることができる。ラジカルおよび／またはエネルギー励起された中性種は、リアクタチャンバ１０から出たプロセス後のガス、他の材料又は堆積物と反応し、より装置への危害が少ない組成物に変換することが予期される。
図８は、変形例に係る装置稼働方法を示す図である。この例では、排気ラインとドライポンプの少なくとも一方のクリーニングは、基板のロード又はアンロードが終わる前に終了する。クリーニングが終了する時刻Ｔ１′から成膜プロセスが開始する時刻Ｔ２までの間に、成膜プロセスの開始を可能とするバルブの開閉状態及び／又はＰＣＶの設定を行い得る。また、クリーニングが終了する時刻Ｔ３′からリアクタチャンバのクリーニングが開始する時刻Ｔ４までの間に、リアクタチャンバのクリーニングの開始を可能とするバルブの開閉状態及び／又はＰＣＶの設定を行い得る。このように、基板のロード又はアンロードが終わる前に、排気ラインとドライポンプの少なくとも一方のクリーニングを終えることは更なるスループットの向上に寄与し得る。
１０ リアクタチャンバ、 １４ リモートプラズマユニット、 １６ 排気ライン、 ２０ ドライポンプ、 ５０ 専用リモートプラズマユニット、 ５２ 専用ライン
Claims (16)
- リアクタチャンバの内部にガスを提供して前記リアクタチャンバの内部の基板に処理を施すことと、
リアクタチャンバに基板をロード又はアンロードしている最中に、前記リアクタチャンバにつながる排気ライン、又は前記排気ラインにつながるドライポンプに前記リアクタチャンバを経由しないプラズマを提供して、前記排気ラインと前記ドライポンプの少なくとも一方をクリーニングすること、とを備えたことを特徴とする装置稼働方法。 - クリーニングに用いられるプラズマを生成するリモートプラズマユニットから、前記リモートプラズマユニットと前記リアクタチャンバをつなげる接続ラインを介して前記リアクタチャンバにプラズマを提供して、前記リアクタチャンバをクリーニングすることを備えたことを特徴とする請求項１に記載の装置稼働方法。
- 前記排気ラインと前記ドライポンプの少なくとも一方をクリーニングするときは、前記リモートプラズマユニットから、前記リモートプラズマユニットと前記排気ラインをつなげるバイパスラインを介して前記排気ラインにプラズマを提供することを特徴とする請求項２に記載の装置稼働方法。
- 前記バイパスラインから前記排気ラインに提供されるプラズマの量は、プレッシャーコントロールバルブによって調整されることを特徴とする請求項３に記載の装置稼働方法。
- 前記排気ラインと前記ドライポンプの少なくとも一方をクリーニングするときは、前記リモートプラズマユニットとは別に設けられた専用リモートプラズマユニットで前記ドライポンプに直接プラズマを提供することを特徴とする請求項２に記載の装置稼働方法。
- 前記ドライポンプは回転するインペラーが設けられた部屋を複数有し、前記専用リモートプラズマユニットのプラズマが複数の前記部屋に対して個別に提供されることを特徴とする請求項５に記載の装置稼働方法。
- 前記リアクタチャンバのクリーニングはメインレシピによって実行され、前記排気ラインと前記ドライポンプの少なくとも一方のクリーニングはサブレシピによって前記メインレシピと並行して実行されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の装置稼働方法。
- 前記排気ラインと前記ドライポンプの少なくとも一方のクリーニングは、前記基板のロード又はアンロードが終わる前に終了することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の装置稼働方法。
- リアクタチャンバと、
接続ラインを介して前記リアクタチャンバに通じ、プラズマを提供するリモートプラズマユニットと、
排気ラインを介して前記リアクタチャンバに通じ、前記リアクタチャンバのガスを排気するドライポンプと、
前記接続ラインと、前記排気ラインとをつなげるバイパスラインと、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記リモートプラズマユニットは前記リアクタチャンバの上に設けられ、
前記排気ラインは前記リアクタチャンバの下に設けられ、
前記バイパスラインは、前記リアクタチャンバの表面に沿って設けられたことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。 - 前記バイパスラインは曲線的なラインであることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
- 前記バイパスラインの屈曲部には丸みがつけられたことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
- リアクタチャンバと、
排気ラインを介して前記リアクタチャンバに通じ、前記リアクタチャンバのガスを排気するドライポンプと、
前記ドライポンプに直接接続された専用リモートプラズマユニットと、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記ドライポンプは、前記排気ラインにつながる第１インレットと、前記専用リモートプラズマユニットにつながる第２インレットと、排気口と、を備えたことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
- 前記ドライポンプは、前記第１インレットにつながる第１空間に設けられた第１インペラーと、第１空間につながる第２空間に設けられた第２インペラーと、を有し、前記第２インレットから前記第１空間に至る第１経路と、前記第２インレットから前記第２空間に至る第２経路が提供されたことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
- 前記第１経路を開閉する第１バルブと、前記第２経路を開閉する第２バルブとを備えたことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962851347P | 2019-05-22 | 2019-05-22 | |
| US62/851,347 | 2019-05-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020191444A true JP2020191444A (ja) | 2020-11-26 |
Family
ID=73442024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020083393A Pending JP2020191444A (ja) | 2019-05-22 | 2020-05-11 | 装置稼働方法と基板処理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200370175A1 (ja) |
| JP (1) | JP2020191444A (ja) |
| KR (1) | KR20200135729A (ja) |
| CN (1) | CN111986973A (ja) |
| TW (1) | TW202111142A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW202324639A (zh) * | 2019-05-28 | 2023-06-16 | 日商國際電氣股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及程式 |
| CN114733857B (zh) * | 2021-01-07 | 2023-09-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种真空管线清洁系统及方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005310819A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| KR100706792B1 (ko) * | 2005-08-01 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 펌프 유닛을 가지는 반도체 소자 제조 장치 및 상기 펌프유닛을 세정하는 방법 |
| WO2010003266A1 (en) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach | Remote plasma cleaning method and apparatus for applying said method |
| WO2010041445A1 (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | 株式会社アルバック | ドライポンプ |
| US20160042916A1 (en) * | 2014-08-06 | 2016-02-11 | Applied Materials, Inc. | Post-chamber abatement using upstream plasma sources |
-
2020
- 2020-04-27 US US16/859,583 patent/US20200370175A1/en not_active Abandoned
- 2020-04-29 TW TW109114305A patent/TW202111142A/zh unknown
- 2020-05-08 KR KR1020200054913A patent/KR20200135729A/ko unknown
- 2020-05-11 JP JP2020083393A patent/JP2020191444A/ja active Pending
- 2020-05-20 CN CN202010428847.5A patent/CN111986973A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111986973A (zh) | 2020-11-24 |
| US20200370175A1 (en) | 2020-11-26 |
| KR20200135729A (ko) | 2020-12-03 |
| TW202111142A (zh) | 2021-03-16 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
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|
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|
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|
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
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