CN114733857B - 一种真空管线清洁系统及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种真空管线清洁系统及方法，涉及半导体制造技术领域，以在减少维护成本的同时，降低等离子清洁真空管线对工艺腔正常工作的干扰。所述该真空管线清洁系统包括：至少一台远程等离子清洗设备、至少一个真空管线和至少一个工艺腔。每条真空管线与相应工艺腔连通，每台远程等离子清洗设备位于相应工艺腔的外部，每台远程等离子清洗设备与相应真空管线连通。所述真空管线清洁方法应用上述真空管线清洁系统。本发明提供的真空管线清洁方法用于清洁真空管线。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种真空管线清洁系统及方法。
背景技术
在半导体制造过程中，经常利用真空管线(如真空管路)输送大量前驱体、化学物质、气体等实现各种半导体制程。例如：在淀积工艺中，可利用真空管线将化学气体输送至工艺腔或从工艺腔中排出副产物。
当利用真空管线从工艺腔中排出反应副产物时，反应副产物有可能残留在真空管线内，导致副产物堆积的问题，可能使真空泵发生故障。现有技术中，可在工艺腔内安装等离子反应器。在射频发生器提供的射频电压下，等离子反应器可以将其中的NF3分解，生成氟自由基流。氟自由基流通过真空腔进入相应的真空管线，使得自由基流与真空管线内的副产物反应，进而达到清洁真空管线的目的。但是，这种清洁真空管线的方法成本比较高，且容易产生射频干扰，影响工艺腔正常工作。
发明内容
本发明的目的在于提供一种真空管线清洁系统及方法，以在减少维护成本的同时，降低等离子清洁真空管线对工艺腔正常工作的干扰。
本发明提供一种真空管线清洁系统。该真空管线清洁系统包括：至少一台远程等离子清洗设备、至少一个真空管线和至少一个工艺腔。每条真空管线与相应工艺腔连通，每台远程等离子清洗设备位于相应工艺腔的外部，每台远程等离子清洗设备与相应真空管线连通。
与现有技术相比，本发明提供的真空管线清洁系统中，每条真空管线与相应工艺腔连通，每台远程等离子清洗设备与相应真空管线连通部。此时，在真空管线需要清洁时，可以利用远程等离子清洗设备向真空管线提供等离子气体，使得等离子气体与真空管线内的化学物质等污染物反应，从而达到清洁真空管线的目的。并且，由于每个远程等离子清洗设备位于相应工艺腔的外部，无需在工艺腔内放置等离子反应器，使得远程等离子清洗设备产生等离子气体时，不仅可以降低或者避免影响工艺腔正常工作，还可以减少工艺腔内环境对远程等离子清洗设备所含有的离子反应器的影响，降低等离子反应器的维护成本，提高远程等离子清洗设备的使用寿命。
另外，当每个远程等离子清洗设备通过相应所述真空管线与至少一个工艺腔连通时，还可以根据实际需要是得每个远程等离子清洗设备连通的两个或两个以上的真空管线和工艺腔，以降低远程等离子清洗设备的安装成本。
本发明还提供一种真空管线清洁方法。该真空管线清洁方法应用包括至少一个远程等离子清洗设备、至少一个真空管线和至少一个工艺腔的真空管线清洁系统，至少一个隔离阀；每台所述远程等离子清洗设备通过相应的隔离阀与相应所述真空管线连通；所述真空管线清洁方法包括：
获取至少一个真空管线的压力；
在所述真空管线的压力大于或等于压力上限值时，控制所述真空管线相应的所述隔离阀处在打开状态，使得相应所述远程等离子清洗设备清洗所述真空管线。
与现有技术相比，本发明提供的真空管线清洁方法的有益效果与上述真空管线清洁系统的有益效果相同，在此不做赘述。
本发明还提供一种计算机存储介质。所述计算机存储介质中存储有指令，当所述指令被运行时，执行上述技术方案所述真空管线清洁方法。
与现有技术相比，本发明提供的计算机存储介质的有益效果与上述真空管线清洁系统的有益效果相同，在此不做赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例提供的空管线清洁系统的结构框图；
图2为本发明实施例中远程等离子清洗设备的结构框图；
图3为本发明实施例提供的一种真空管线清洁系统的实现结构图；
图4为本发明实施例提供的另一种真空管线清洁系统的实现结构图一；
图5为本发明实施例提供的另一种真空管线清洁系统的实现结构图二；
图6为本发明实施例提供的另一种真空管线清洁系统的实现结构图三；
图7为本发明实施例中自动化控制硬件图；
图8为本发明实施例提供的真空管线清洁方法的流程图一；
图9为本发明实施例提供的真空管线清洁方法的流程图二；
图10为本发明实施例提供的真空管线清洁方法的流程图三；
图11为本发明实施例提供的终端设备的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的芯片的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
图1示出本发明实施例提供的空管线清洁系统的结构框图。如图1所示，该真空管线清洁系统包括：至少一台远程等离子清洗设备100、至少一条真空管线200和至少一个工艺腔300。此处，如图1和图3所示，真空管线200一般与真空泵400连接。
如图1所示，每条真空管线200与相应工艺腔300连通，例如：每个工艺腔300可以与一条真空管线200连通。可以将每个工艺腔300连通的真空管线200定义为该工艺腔300相应的真空管线200。每台远程等离子清洗设备100可以用于清洗一条或一条以上的真空管线200。可以将每台远程等离子清洗设备100清洗的真空管线200定义为该远程等离子清洗设备100相应的真空管线200。该真空管线200可以为用于输送工艺腔300内副产物的真空管线200，也可以在向工艺腔300输送各种物质的真空管线200。可以理解的是，本领域技术人员可以根据实际需要，对真空管线200、工艺腔300、远程等离子设备100的数量进行调整。
图2示例出本发明实施例中远程等离子清洗设备的结构框图。如图2所示，每台远程等离子清洗设备100可以包括射频发生器101、等离子反应器103和适配器102。射频发生器101可以在适配器102的控制下向等离子反应器103提供射频电压。等离子反应器103在射频电压的控制下可以将产生等离子气体的气体(下文简称清洁气体)分解，生成自由基流。该自由基流可以与各种管道、设备上沉积的化学物质反应，从而达到清洁这些管道设备的目的。上述清洁气体的流量可以在20sccm～1000sccm2。远程等离子清洗设备的射频功率(射频发生器101的功率)可以为500W～6000W。当然，也可以根据实际情况调整，以自由基流的密度，从而间接的调控真空管线200的清洁效率。
可以理解的是，如图2所示，清洁气体可以为含氟、氯中至少一种元素的清洁气体。例如，该清洁气体可以包括NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、C12、HCl或者任何其它含氟或者含氯气体。该清洁气体在射频电场所产生的等离子的作用下，可以分解成含氯、氟等自由基的自由基流。即该自由基流可以含有氟自由基流、氯自由基流中的一种或两种，但不仅限于此。只要可以清洁真空管线的自由基流均可。
图3示例出本发明实施例提供的一种真空管线清洁系统的实现结构示意图。如图3所示，该真空管线清洁系统包括至少一条真空管线200、至少一个工艺腔300和至少一台远程等离子清洗设备100。每条真空管线200与一个工艺腔300连通。每台远程等离子清洗设备100用以清洁一条真空管线200。
如图2和图3所示，对于一台远程等离子清洗设备100来说，等离子反应器103设在该远程等离子清洗设备100相应的工艺腔300内。射频发生器101和适配器102位于工艺腔300的外部。采用该远程等离子清洗设备100清洗排放工艺腔300内副产物的真空管线200时，NF3在等离子反应器103内流动。射频发生器101可以向等离子反应器103提供射频电压，使得射频反应器内产生射频电场，其中所产生的等离子体可以将NF3分解成氟自由基，形成氟自由基流。氟自由基流进入与工艺腔300连通的真空管线200内，使得氟自由基流与真空管线200内积聚的副产物发生反应，并和反应产物一起排出真空管线200。
由上可见，如图3所示，工艺腔300内产生的副产物积聚在真空管线200后，可以启动远程等离子清洗设备100，对真空管线200进行清洁。但是，由于等离子反应器103设在工艺腔300内，因此，等离子反应器103不仅维护和保养成本比较高，还容易产生射频干扰，影响工艺腔300正常工作(如淀积或干法刻蚀)。
当然，如图3所示，还可以在停止工艺腔300工作的情况下，对真空管线200排气，然后将真空管线200与真空泵400分离，手动清洗真空管线200，这种清洗方式不仅浪费时间，还具有较高的成本，不利于实现。另外，也可以在工艺腔300内安装粉末捕集器，以减少进入真空管线200的粉末，但是需要定期停机更换粉末捕集器，浪费时间。
针对上述问题，图4～图6示例出本发明实施例提供的另一种真空管线清洁系统的不同实现结构示意图。为了方便描述，下文仅描述图4～图6与图2的不同之处。应理解，本领域技术人员可以根据实际应用场景的不同，可以根据下文描述的真空管线清洁系统的核心思想，对现有各种真空管线清洁系统和方法进行适当的变形，都可以获得下文描述的真空管线清洁系统或利用真空管线清洁系统清洁真空管线200。
如图4～图6所示，每台远程等离子清洗设备100与相应真空管线200连通。每台远程等离子清洗设备100位于相应工艺腔300的外部。远程等离子清洗设备100所含有的射频发生器、等离子反应器和适配器均位于工艺腔300的外部，可以有效降低工艺腔300内环境对远程等离子清洗设备100产生的不利影响，降低远程等离子清洗设备100维护和保养费用。同时，当利用远程等离子清洗设备100清洗相应的真空管线200时，射频发生器101向等离子反应器103提供射频电压，等离子反应器103在射频电压的作用下所产生射频噪音不会影响工艺腔300的正常工作。由此可见，本发明实施例提供的真空管线清洁系统可以在降低真空管线200维护和保养费用的同时，在不干扰工艺腔300正常作业的情况下，对真空管线200进行清洁。
换句话说，当工艺腔300处在空闲时段时，远程等离子清洗设备100可以在保证不射频干扰工艺腔300的情况下，正常清洗真空管线200，当工艺腔300处在工艺制程程序、吹扫制程程序、干法清洗制程程序或抽真空制程程序等程序时，远程等离子清洗设备100仍然可以在没有射频干扰工艺腔300的情况下，正常清洗真空管线200。可以解释的是，在衬底上形成高温非晶碳时，需要设定一定的升温制程，这个过程可以被定义为工艺制程程度。又例如：在原子层淀积工艺中，利用惰性气体吹扫工艺腔300，以排出工艺腔300内的工艺气体。该过程可以被定义为吹扫制程程序。再例如：采用等离子方式对衬底表面进行干法清洗，该制程而已被定义为干法清洗制程程序。对工艺腔300进行抽真空，使得工艺腔300达到所要求的负压，该过程可以被定义为抽真空制程程序。
为了保证远程等离子清洁设备的清洁效果，上述远程等离子清洁设备可以设在相应真空管线的二米以内，以防止距离过远所导致的自由基流失效，进而导致清洁效果下降的问题。当远程等离子清洁设备可以设在相应真空管线的二米以内，远程等离子清洁设备的底部轮廓边缘到真空管线的最大距离为2m。
在一些可选方式中，如图4～图6所示，每台远程等离子清洗设备100可以连通一个或一个以上的真空管线200。这些真空管线200分别与不同的工艺腔300连通。此时定义每台远程等离子清洗设备100连通的真空管线200为该远程等离子清洗设备100相应的真空管线200。
如图4～图6所示，如果一台远程等离子清洗设备100连通两个或两个以上的真空管线200，不仅可以降低首次安装费用，还可以减少不必要的空间占用(减少安装面积)，增加远程等离子清洗设备100的利用率，以进一步节省半导体制造成本。例如：当一台远程等离子清洗设备100可以清洗1～8条以上的真空管线200，该远程等离子清洗设备100需要与1～8条真空管线200连通，每条真空管线200与一个工艺腔300连通。
如图4～图6所示，上述真空管线清洁系统还可以包括：至少一个隔离阀500。每台远程等离子清洗设备100通过相应的隔离阀500与相应真空管线200连通。应理解，应理解，可以采用导入管600将远程等离子清洗设备100与真空管线200连通在一起。此时，隔离阀500设在导入管600上。
在一种示例中，如图4所示，该真空管线200清洁系统具有一条设置隔离阀500的导入管600、一条真空管线200、一个工艺腔300和一台远程等离子清洗设备100。该台远程等离子清洗设备100通过导入管600与一条真空管线200连通。该条真空管线200还与工艺腔300连通。
在另一种示例中，如图5所示，该真空管线清洁系统具有一台远程等离子清洗设备100、两条真空管线、两个工艺腔和两条设有隔离阀的导入管。应理解，图5中未标出两个真空管线所连接的真空泵。两条真空管线分别为第一真空管线200A和第二真空管线200B。两个工艺腔分别为第一工艺腔300A和第二工艺腔300B。两条导入管分为为第一导入管601和第二导入管602。第一导入管601上具有第一隔离阀501，第二导入管602上具有第二隔离阀502。第一真空管线200A和第二真空管线200B共用一台远程等离子清洗设备100。此时，该台远程等离子清洗设备100通过第一导入管601与第一真空管线200A连通，第一真空管线200A与第一工艺腔300A连通。该台远程等离子清洗设备100还通过第二导入管602与第二真空管线200B连通，第二真空管线200B与第二工艺腔300B连通。应理解，远程等离子清洗设备100上可以设置与第一导入管601和第二导入管602连通的出口管路700，第一隔离阀501设在第一导入管601上，第二隔离阀502设在第二导入管602上。
在又一种示例中，如图6所示，该真空管线清洁系统具有一台远程等离子清洗设备100、四条真空管线、四个工艺腔和四条具有隔离阀的导入管。应理解，图6中未标出四个真空管线所连接的真空泵。四条真空管线分别为第一真空管线200A、第二真空管线200B、第三真空管线200C和第四真空管线200D。四个工艺腔分别为第一工艺腔300A、第二工艺腔300B、第三工艺腔300C和第四工艺腔300D。四条导入管包括第一导入管601、第二导入管602、第三导入管603和第四导入管604。第一导入管601上具有第一隔离阀501，第二导入管602上具有第二隔离阀502，第三导入管603上具有第三隔离阀503，第四导入管604上具有第四隔离阀504。远程等离子清洗设备100通过第一导入管601与第一真空管线200A连通，第一真空管线200A与第一工艺腔300A连通。远程等离子清洗设备100还通过第二导入管602与第二真空管线200B连通，第二真空管线200B与第二工艺腔300B连通。远程等离子清洗设备100还通过第三导入管603与第三真空管线200C连通，第三真空管线200C与第三工艺腔300C连通。远程等离子清洗设备100还通过第四导入管604与第四真空管线200D连通，第四真空管线200D与第四工艺腔300D连通。应理解，远程等离子清洗设备100上可以设置与第一导入管601、第二导入管602、第三导入管603和第四导入管604连通的出口管路700。
如图4～图6所示，鉴于真空管线200内残留副产物等物质过多的情况下，真空管线200的内部通道变窄，甚至被堵塞。此时，真空管线200的压力比较高。基于此，可以以真空管线200的压力为参考，并结合实际真空管线200的正常压力范围，确定是否清洁真空管线200以及清洁真空管线200的周期。当然，还可以调节清洁气体的流量和射频功率、清洁时间等参数，保证在最短的时间内完成真空管线200的清洁，使得真空管线200的压力恢复正常。如此控制，可以保证该真空管线200清洁系统可以长期使用(一般一年以上)。当然，也可以结合或参考工艺气体的流量和真空管线200中残留的物质量、真空泵400使用寿命决定清洁真空管线200的周期。
如图4～图7所示，为了实现自动化清洗真空管线200，上述真空管线200清洁系统还包括：控制器cpu以及与至少一个压力传感器S。每个压力传感器S设在相应真空管线200上。应理解，每条真空管线200配备一个压力传感器S，二者关系可以定义为相应关系。上述控制器cpu均与至少一个压力传感器S、至少一台远程等离子清洗设备100和至少一个隔离阀500电连接。每个压力传感器S用于检测相应真空管线200的压力。控制器cpu可以根据真空管线200的压力决定远程等离子清洗设备100是否需要清洁相应真空管线200。
为了智能化控制清洁真空管线，设定真空管线存在正常压力范围P0，并且设定真空管线还具有压力上限值和压力下限值。压力上限值是指启动清洁真空管线操作的可容忍压力上限。压力上限值应当大于正常压力范围。如果真空管线达到压力上限值，则必须启动清洗真空管线操作，否则真空管线存在极高的堵塞风险，如果不清洁，会出现不安全事故。压力下限值是指启动清洁真空管线操作的可容忍下限。压力下限值可以为正常压力范围的最大值。如果真空管线的压力呈现增加趋势，且高于该压力下限值，但低于压力上限值，那么说明真空管线虽然存在堵塞，但对于真空管线的正常工作影响不大，还可以继续工作一段时间。在此期间，可以清洗真空管线，也可以不清洗真空管线。如果真空管线的压力超过压力上限值，在清洁真空管线的过程中，真空管线的压力逐渐下降至压力上限值以下，但仍然高于压力下限值，此时为了彻底消除真空管线存在的不安全因素，可以继续清洁真空管线直到真空管线的压力小于或等于压力下限值值。
上述压力上限值可以为1.1Pmax～1.5Pmax，压力下限值为正常压力范围的最大值Pmax，P0为正常压力范围。例如：当P0＝50mTorr～50Torr，Pmax＝50Torr时，压力下限值为50Torr，压力上限值为55Torr～75Torr。
在一种示例中，如图4～图7所示，控制器cpu确定真空管线200的压力大于或等于压力上限值时，说明该真空管线200存在较高的堵塞风险。此时，真空管线200相应的隔离阀处在打开状态。该真空管线200相应的远程等离子清洗设备100可以向该真空管线200提供自由基流，用以清洁真空管线200。当然，为了保证远程等离子清洗设备100可以清洗压力大于或等于压力上限值的真空管线200，控制器cpu确定真空管线200的压力大于或等于压力上限值时，该真空管线200相应的远程等离子清洗设备100处在工作状态。
如图4～图7所示，当远程等离子清洗设备100向相应真空管线200提供自由基流，清洗真空管线200时，如果控制器cpu确定真空管线200的压力下降至压力上限值以上，但高于压力下限值，则远程等离子清洗设备100继续向相应真空管线200内通入自由基流。
如图4～图7所示，控制器cpu确定真空管线200的压力小于或等于压力下限值时，说明真空管线200的压力正常，可以在不影响工作的情况下，正常输送各种气体、化学物质等，无需清洁。此时，每个真空管线200相应的隔离阀500处在关闭状态，使得远程等离子清洗设备100无需向该真空管线200提供该真空管线200。当然，控制器cpu确定真空管线200的压力小于或等于压力下限值时，真空管线200相应的远程等离子清洗设备100处在待机状态或停机状态，防止因为隔离阀500隔离效果不佳所导致的自由基流进入真空管线200的问题。
如图4～图7所示，如果一台远程等离子清洗设备100连通两个或两个以上的真空管线200，每台远程等离子清洗设备100可以在其出口管道700上接入至少两条导入管600。每条导入管600与一条真空管线200连通。此时如果每条导入管600设置有隔离阀500，可以控制其中需要清洁的真空管线200相应的导入管设置的隔离阀500处在打开状态，使得远程等离子清洗设备100所提供的自由基流通过该导入管600进入所需清洁的工艺腔300内。而该远程等离子清洗设备100接入的其它导入管600设置的隔离阀500则处在关闭状态，杜绝因为不同真空管线200压差不同所导致的返流问题，进而降低不安全事故发生的可能性。此处返流是指两条真空管线200压差过大的情况下，压力小的真空管线200内所输送的物质(如副产物)进入导入管的问题。
如图4～图7所示，当每个远程等离子清洗设备100与至少两个真空管线200连通时，为了自动的防止不安全事故的发生，控制器cpu确定远程等离子清洗设备100相应的至少一个真空管线200的压力大于或等于压力上限值时，压力最高的真空管线200相应的隔离阀500处在打开状态，其它真空管线200相应的隔离阀500处在关闭状态。
在图4所示的应用场景下，第一真空管线200A和第二压力传感器200B均设置压力传感器S，第一真空管线200A的压力为P1，第二真空管线200B的压力为P2。
如图4和图7所示，当P1＝55Torr，P2＝40Torr，Pmax＝50Torr，压力上线值为1.1Pmax，第一真空管线200A压力P1＝1.1Pmax，P2＝0.8Pmax。此时可以打开第一隔离阀501，利用远程等离子清洗设备100对第一真空管线200A进行清洁，关闭第二隔离阀502，无需利用远程等离子清洗设备100对第二真空管线200B进行清洁。
如图4和图7所示，当P1＝60Torr，P2＝55Torr，Pmax＝50Torr，压力上线值为1.1Pmax，第一真空管线200A压力P1＝1.2Pmax，P2＝1.1Pmax。此时虽然第一真空管线200A和第二真空管线200B的压力均大于压力上限值，但是第一真空管线200A的清洁紧迫性更高，因此，可以打开第一隔离阀501和关闭第二隔离阀502，利用远程等离子清洗设备100对第一真空管线200A进行清洁。待第一真空管线200A清洁完毕时，再清洁第二真空管线200B。
当然，如图4和图7所示，在控制器cpu确定远程等离子清洗设备100相应的至少两个真空管线200的压力大于或等于压力上限值时，至少两个真空管线200中，其中一个真空管线200相应的隔离阀400处在打开状态，其它真空管线200相应的隔离阀400处在关闭状态。
由上可见，如图1、图2和图4所示，本发明实施例提供的真空管线清洁系统中，每条真空管线200与相应工艺腔300连通，每台远程等离子清洗设备100与相应真空管线200连通部。此时，在真空管线200需要清洁时，可以利用远程等离子清洗设备100向真空管线200提供等离子气体，使得等离子气体与真空管线200内的化学物质等污染物反应，从而达到清洁真空管线200的目的。并且，由于每个远程等离子清洗设备100位于相应工艺腔300的外部，无需在工艺腔300内放置等离子反应器103，使得远程等离子清洗设备100产生等离子气体时，不仅可以降低或者避免影响工艺腔300正常工作，还可以减少工艺腔300内环境对远程等离子清洗设备100所含有的离子反应器的影响，降低等离子反应器103的维护成本，提高远程等离子清洗设备100的使用寿命。
另外，如图4和图7所示，当每个远程等离子清洗设备100通过相应所述真空管线200与至少一个工艺腔300连通时，还可以根据实际需要是得每个远程等离子清洗设备100连通的两个或两个以上的真空管线200和工艺腔300，以降低远程等离子清洗设备100的安装成本。
本发明实施例提供一种真空管线清洁方法，应用上述真空管线清洁系统。该真空管线清洁系统包括至少一个远程等离子清洗设备、至少一个真空管线和至少一个工艺腔的真空管线清洁系统。该真空管线清洁方法可以由终端设备(例如上述控制器)执行，也可以由应用于终端设备的芯片执行。真空管线清洁方法刚开始时，各个真空管线的压力均处在正常压力，或者说小于或等于压力下限值。如图1、图4～图6和图8所示，该真空管线清洁方法包括：
步骤101：终端设备获取至少一个真空管线200的压力。在真空管线200设置压力传感器的情况下，可以由压力传感器向终端设备发送相应真空管线200的压力。
步骤102A：在真空管线200的压力大于或等于压力上限值时，终端设备控制真空管线200相应的隔离阀500处在打开状态，使得相应远程等离子清洗设备100清洗真空管线200。此时，压力上限值为1.1Pmax～1.5Pmax，P0为正常压力范围。
当然，如图1、图4～图6和图8所示，终端设备获取至少一个真空管线200的压力后，上述真空管线200清洁方法还包括：
步骤102B：在真空管线200的压力大于或等于压力上限值时，终端设备控制远程等离子清洗设备的清洁气体流量和射频功率，终端设备控制真空管线200相应的远程等离子清洗设备100处在工作状态。应理解，步骤102B和步骤102A择一执行。清洁气体的流量可以为20sccm～1000sccm，远程等离子清洗设备100的射频功率为500W～6000W。当然，也可以根据实际情况调整清洁气体的流量的范围和射频功率的范围。另外，清洁气体可以为含氟、氯中至少一种元素的清洁气体。这些清洁气体可以为NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、C12、HCl或者任何其它含氟或者含氯气体，清洁气体被等离子分解形成的自由基流含有氟自由基流、氯自由基流中的一种或两种。
如图1、图4～图6和图8所示，在终端设备获取至少一个真空管线200的压力后，上述真空管线清洁方法，还包括：
步骤103A：在真空管线200的压力小于或等于压力下限值时，终端设备控制真空管线200相应的隔离阀500处在关闭状态，控制真空管线200相应的远程等离子清洗设备100处在待机状态或停机状态。此时，压力下限值为正常压力范围的最大值。
应理解，在步骤102A和步骤103A之前，还可以包括终端设备判断真空管线200的压力是否大于或等于压力上限值。如果是，则执行步骤102。否则，控制真空管线200相应的远程等离子清洗设备100处在待机状态或停机状态。
此处应当强调的是，如图1、图3～图7和图9所示，当终端设备还未执行步骤102A，只是因为真空管线200内化学物质的残留量越来越大，真空管线200的压力上升至压力上限值以下，压力下限值以上。此时，真空管线200相应的远程等离子清洗设备100仍然处在待机状态或停机状态。终端设备不会控制真空管线200相应的远程等离子清洗设备100处在打开状态。
当终端设备已经执行步骤102A后，随着步骤102A的执行时间增加，真空管线200的压力会逐渐下降。当真空管线200的压力下降至步骤103A所要求的压力下限值或压力下限值以下，该真空管线200相应的所述远程等离子清洗设备100处在待机状态或停机状态。
在一些情况下，如图1、图4～图6和图9所示，当每个远程等离子清洗设备100与至少两个真空管线200连通，终端设备获取至少一个真空管线200的压力后，上述真空管线清洁方法还包括：
步骤102C：在远程等离子清洗设备100相应的至少一个真空管线200的压力大于或等于压力上限值时，终端设备控制压力最高的真空管线200相应的隔离阀500处在打开状态，其它真空管线200相应的隔离阀500处在关闭状态。
在另一些情况下，如图1、图4～图6和图10所示，每个远程等离子清洗设备100与至少两个真空管线200连通，终端设备获取至少一个真空管线200的压力后，上述真空管线200清洁方法还包括：
步骤102D：在远程等离子清洗设备100相应的至少两个真空管线200的压力大于或等于压力上限值时，终端设备控制至少两个真空管线200中，其中一个真空管线200相应的隔离阀500处在打开状态，其它真空管线200相应的隔离阀500处在关闭状态。
基于上述真空管线清洁方法可知，本发明实施例提供的真空管线清洁方法应用上述真空管线清洁系统，使得需要说明的是，如图3所示，由于远程等离子清洗设备100位于工艺腔300的外部，使得工艺腔300内的正常工作不会受到射频干扰。基于此，当终端设备执行真空管线200清洁方法时，工艺腔300处在工艺制程程序、吹扫制程程序、干法清洗制程程序或抽真空制程程序。
如图11所示，本发明实施例提供一种真空管线清洁控制装置800，该真空管线清洁控制装置800可以为上述终端设备。该真空管线清洁控制装置包括处理器810以及与处理器810耦合的通信接口830。
如图11所示，通信接口830用于支持真空管线清洁控制装置执行上述实施例中由终端设备执行的步骤101。处理器810用于支持真空管线200清洁控制装置执行上述实施例中由终端设备执行的步骤102A。
作为一种可能的实现方式，如图11所示，处理器810用于支持真空管线200清洁控制装置执行上述实施例中由终端设备执行的步骤102B。
作为一种可能的实现方式，如图11所示，处理器810用于支持真空管线200清洁控制装置执行上述实施例中由终端设备执行的步骤102C。
作为一种可能的实现方式，如图11所示，处理器810用于支持真空管线200清洁控制装置执行上述实施例中由终端设备执行的步骤102D。
作为一种可能的实现方式，如图11所示，处理器810用于支持真空管线200清洁控制装置执行上述实施例中由终端设备执行的步骤103A。
作为一种可能的实现方式，如图11所示，处理器810可以是一个通用中央处理器(central processing unit，CPU)，微处理器，专用集成电路(application-specificintegrated circuit，ASIC)，或一个或多个用于控制本发明方案程序执行的集成电路。
作为一种可能的实现方式，如图11所示，通信接口830，使用任何收发器一类的装置，用于与其他设备或通信网络通信。
作为一种可能的实现方式，如图11所示，通信线路840可包括一通路，在上述组件之间传送信息。
作为一种可能的实现方式，如图11所示，该真空管线清洁控制装置800还可以包括存储器820。存储器820可以是只读存储器(read-only memory，ROM)或可存储静态信息和指令的其他类型的静态存储设备，随机存取存储器(random access memory，RAM)或者可存储信息和指令的其他类型的动态存储设备，也可以是电可擦可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory，EEPROM)、只读光盘(compactdisc read-only memory，CD-ROM)或其他光盘存储、光碟存储(包括压缩光碟、激光碟、光碟、数字通用光碟、蓝光光碟等)、磁盘存储介质或者其他磁存储设备、或者能够用于携带或存储具有指令或数据结构形式的期望的程序代码并能够由计算机存取的任何其他介质，但不限于此。存储器820可以是独立存在，通过通信线路840与处理器810相连接。存储器820也可以和处理器810集成在一起。
其中，如图11所示，存储器820用于存储执行本发明方案的计算机执行指令，并由处理器810来控制执行。处理器用于执行存储器中存储的计算机执行指令，从而实现本发明下述实施例提供的远程等离子清洗方法。
可选的，本发明实施例中的计算机执行指令也可以称之为应用程序代码，本发明实施例对此不作具体限定。
在具体实现中，作为一种实施例，如图11所示，处理器810可以包括一个或多个CPU，如图11中的CPU0和CPU1。
在具体实现中，作为一种实施例，如图11所示，该装置可以包括多个处理器，如图11中的处理器810和处理器850。这些处理器中的每一个可以是一个单核处理器，也可以是一个多核处理器。
图12示出一种芯片的结构示意图。如图12所示，该芯片900包括一个或两个以上(包括两个)处理器910和通信接口920。
可选的，如图12所示，该芯片900还包括存储器930。存储930可以包括只读存储器和随机存取存储器，并向处理器910提供操作指令和数据。存储器930的一部分还可以包括非易失性随机存取存储器(non-volatile random access memory，NVRAM)。
在一些实施方式中，如图12所示，存储器930存储了如下的元素，执行模块或者数据结构，或者他们的子集，或者他们的扩展集。
如图12所示，处理器910控制本发明实施例中电子设备包括的处理器和电源中任一个的处理操作，处理器910还可以称为中央处理单元(central processing unit，CPU)。
如图12所示，存储器930包括只读存储器和随机存取存储器，并向处理器503提供指令和数据。存储器930的一部分还可以包括NVRAM。例如应用中处理器910、通信接口920以及存储器930通过总线系统940耦合在一起，其中总线系统940除包括数据总线之外，还可以包括电源总线、控制总线和状态信号总线等。但是为了清楚说明起见，在图12中将各种总线都标为总线系统940。
一种可能的实现方式中，如图12所示，通信接口920用于支持上述芯片执行上述实施例中的终端设备的接收和发送的步骤。处理器910用于支持上述芯片执行上述实施例中终端设备的处理的步骤。
本发明实施例还提供一种计算机存储介质。该计算机存储介质中存储有指令，当所述指令被运行时，执行上述技术方案所述真空管线清洁方法。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
类似地，应当理解，为了精简本发明并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该本发明的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如相应的权利要求书所反映的那样，其发明点在于可以用少于某个公开的单个实施例的所有特征的特征来解决相应的技术间题。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。
以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。本公开的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。
Claims (5)
1.一种真空管线清洁系统，其特征在于，包括：至少一台远程等离子清洗设备、至少一条真空管线和至少一个工艺腔；
每条所述真空管线与相应所述工艺腔连通，每台所述远程等离子清洗设备位于相应所述工艺腔的外部，每台所述远程等离子清洗设备与相应所述真空管线连通；
每台所述远程等离子清洗设备与相应所述真空管线的距离在2m以内；
所述真空管线清洁系统还包括：至少一个隔离阀；每台所述远程等离子清洗设备通过相应的隔离阀与相应所述真空管线连通；
每个所述远程等离子清洗设备与至少两个所述真空管线连通；
在所述远程等离子清洗设备相应的至少一个所述真空管线的压力大于或等于压力上限值时，压力最高的所述真空管线相应的所述隔离阀处在打开状态，其它所述真空管线相应的所述隔离阀处在关闭状态；或，
在所述远程等离子清洗设备相应的至少两个所述真空管线的压力大于或等于压力上限值时，至少两个所述真空管线中，其中一个所述真空管线相应的所述隔离阀处在打开状态，其它所述真空管线相应的所述隔离阀处在关闭状态。
2.根据权利要求1所述的真空管线清洁系统，其特征在于，
在所述真空管线的压力小于或等于压力下限值时，每个所述真空管线相应的所述隔离阀处在关闭状态。
3.根据权利要求1所述的真空管线清洁系统，其特征在于，
在所述真空管线的压力小于或等于压力下限值时，所述真空管线相应的所述远程等离子清洗设备处在待机状态或停机状态。
4.根据权利要求2所述的真空管线清洁系统，其特征在于，所述压力上限值为1.5Pmax，所述压力下限值为正常压力范围的最大值。
5.根据权利要求1~4任一项所述的真空管线清洁系统，其特征在于，所述真空管线清洁系统还包括：控制器以及与至少一个压力传感器；每个所述压力传感器设在相应所述真空管线上；
所述控制器均与至少一个所述压力传感器、至少一台所述远程等离子清洗设备和至少一个所述隔离阀电连接，每个所述压力传感器用于检测相应所述真空管线的压力。
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Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020071399A (ko) * | 2001-03-06 | 2002-09-12 | 삼성전자 주식회사 | 챔버의 세정 방법 |
| DE10115394A1 (de) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Christof Diener | Maschinenbauteil und/oder verfahrenstechnische Anlage mit einem Hohlraum und Reinigungsverfahren hierfür |
| JP2006297291A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Hitachi Plant Technologies Ltd | 空気輸送装置の輸送配管洗浄方法 |
| CN101845621A (zh) * | 2010-06-07 | 2010-09-29 | 刘忆军 | 大面积平板式等离子体增强化学气相沉积系统 |
| CN103374710A (zh) * | 2012-04-28 | 2013-10-30 | 理想能源设备(上海)有限公司 | 反应腔的清洗方法、反应腔的清洗系统 |
| CN205926497U (zh) * | 2016-08-17 | 2017-02-08 | 青岛引黄济青水务有限责任公司 | 次氯酸钠管道自动冲洗系统 |
| CN206428324U (zh) * | 2017-01-20 | 2017-08-22 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 清洗系统及其化学气相沉积设备 |
| CN110249406A (zh) * | 2017-02-14 | 2019-09-17 | 应用材料公司 | 远程等离子体可流动cvd腔室的方法及设备 |
| CN111986973A (zh) * | 2019-05-22 | 2020-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 设备操作方法和基板处理设备 |
| CN112020766A (zh) * | 2018-05-04 | 2020-12-01 | 应用材料公司 | 用于气体副产品消除和前级管线清洁的设备 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101213689B1 (ko) * | 2006-06-12 | 2012-12-18 | 주식회사 테라텍 | 반도체 및 ｌｃｄ 제조장치의 공정 반응 챔버의 배기부 및진공펌프의 세정장치 |
-
2021
- 2021-01-07 CN CN202110018476.8A patent/CN114733857B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020071399A (ko) * | 2001-03-06 | 2002-09-12 | 삼성전자 주식회사 | 챔버의 세정 방법 |
| DE10115394A1 (de) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Christof Diener | Maschinenbauteil und/oder verfahrenstechnische Anlage mit einem Hohlraum und Reinigungsverfahren hierfür |
| JP2006297291A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Hitachi Plant Technologies Ltd | 空気輸送装置の輸送配管洗浄方法 |
| CN101845621A (zh) * | 2010-06-07 | 2010-09-29 | 刘忆军 | 大面积平板式等离子体增强化学气相沉积系统 |
| CN103374710A (zh) * | 2012-04-28 | 2013-10-30 | 理想能源设备(上海)有限公司 | 反应腔的清洗方法、反应腔的清洗系统 |
| CN205926497U (zh) * | 2016-08-17 | 2017-02-08 | 青岛引黄济青水务有限责任公司 | 次氯酸钠管道自动冲洗系统 |
| CN206428324U (zh) * | 2017-01-20 | 2017-08-22 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 清洗系统及其化学气相沉积设备 |
| CN110249406A (zh) * | 2017-02-14 | 2019-09-17 | 应用材料公司 | 远程等离子体可流动cvd腔室的方法及设备 |
| CN112020766A (zh) * | 2018-05-04 | 2020-12-01 | 应用材料公司 | 用于气体副产品消除和前级管线清洁的设备 |
| CN111986973A (zh) * | 2019-05-22 | 2020-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 设备操作方法和基板处理设备 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| （印）沙帕拉·K·普拉萨德著；刘亚强译.《复杂的引线键合互连工艺》.中国宇航出版社,2015,第296页. * |
| （德）彼得·拉姆 等编，安兵，杨兵译.《晶圆键合手册》.国防工业出版社,2016,第73-74页. * |
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| Publication number | Publication date |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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