KR102519096B1 - 챔버 세정 엔드포인트를 위한 가상 센서 - Google Patents

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윌리엄 프라이어
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 개시내용의 구현들은 일반적으로, 프로세싱 챔버들을 세정하기 위한 방법들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에서 설명되는 구현들은 프로세싱 챔버 세정 엔드포인트들을 결정하기 위한 방법들에 관한 것이다. 몇몇 구현들에서, 세정 엔드포인트를 검출하기 위한 "가상 센서"가 제공된다. "가상 센서"는, 예컨대 불소 플라즈마와 같은 에천트들과의 반응에 의해, 챔버 부분들 상의 고체 증착된 막들을 가스성 부산물들로 변환시키는 것을 수반하는, 챔버의 세정 동안에, 챔버 포어라인 압력의 동향들을 모니터링하는 것에 기초한다. "가상 센서"의 유효성은 "가상 센서" 응답을 적외선-기반 광학 측정들과 비교함으로써 확인되었다. 다른 구현에서, 방법들은 설비 설계 및 시간에 걸친 포어라인 클로깅으로 인한 포어라인 압력 차이들을 고려한다.

Description

챔버 세정 엔드포인트를 위한 가상 센서{VIRTUAL SENSOR FOR CHAMBER CLEANING ENDPOINT}
[0001] 본 개시내용의 구현들은 일반적으로, 프로세싱 챔버들을 세정하기 위한 방법들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에서 설명되는 구현들은 프로세싱 챔버 세정 엔드포인트(endpoint)들을 결정하기 위한 방법들에 관한 것이다.
[0002] 플라즈마-강화 화학 기상 증착(PECVD) 프로세싱 챔버들의 챔버 부품들 및 벽들과 같은, 프로세싱 챔버의 내부 표면들 상의 재료들의 원하지 않는 증착이 증착 프로세스들 동안에 발생될 수 있다. 그러한 원하지 않는 증착은 프로세싱 챔버 내에서 입자들 및 플레이크(flake)들을 생성하여, 프로세스 조건들의 드리프트(drift)를 초래할 수 있고, 프로세스 재현성(reproducibility) 및 균일성에 영향을 미칠 수 있다.
[0003] 생산을 위한 소유 비용을 감소시키고 막 품질을 유지하면서 높은 프로세싱 챔버 가용성을 달성하기 위해, 벽 및 프로세스 키트들, 예컨대 샤워헤드 등을 포함하는 프로세싱 챔버의 내부 표면들로부터 재료 잔여물을 제거하도록 챔버 세정이 수행된다.
[0004] 챔버 세정의 세정 시간은 종종, 반도체 제조 프로세스들 및 장비 생산성에서 중요한 인자이다. 세정 시간은 일반적으로, 제조 장비의 피스(piece)를 세정하기 위한 시간량을 지칭한다. 세정 프로세스들은 종종, 제조 장비의 유효 수명(useful life)을 증가시키기 위해 주기적으로 수행된다. 세정 프로세스들은 또한, 제조 장비 내의 최적화되지 않은(sub-optimal) 프로세싱 환경들로 인한 제조 결함을 갖는 마이크로-디바이스들의 가능성을 감소시킨다. 따라서, 장비 세정과 연관된 세정 시간은 입자 감소 및 처리량 효율에 비교적 큰 영향을 미친다.
[0005] 불충분한 세정 시간은 제조 장비 내의 반응물 생성물들 및 부산물들의 바람직하지 않은 축적을 야기할 수 있는데, 이는 증가된 디바이스 결함 및 프로세스 드리프트를 초래할 수 있다. 대안적으로, 과도한 세정 시간은 부식성 환경들에 대한 노출을 연장시킬 수 있는데, 이는 제조 장비 컴포넌트들의 조기 열화(degradation)를 초래할 수 있다. 부가하여, 과도한 세정 시간은 일반적으로, 처리량에 악영향을 미친다.
[0006] 세정 시간을 결정하기 위한 현재의 엔드포인트 검출 방법들은 일반적으로, 이차 라디칼 또는 플라즈마 신호를 모니터링하는 것을 수반한다. 엔드포인트 검출을 위한 종래의 방법들은 특히, RGA(residual gas analysis), OES(optical emission spectroscopy), 또는 NDIR(non-dispersive infrared spectroscopy)의 사용을 포함한다. 그러나, 이들 방법들은 최적화되지 않은 계측 조건들로 인해 부정확한 엔드포인트 결정들을 제공할 수 있다. 예컨대, RGA에 대한 이차 플라즈마 해리의 부재는 적합한 엔드포인트들을 결정하기 위한 부정확한 데이터를 초래할 수 있다. 다른 예에서, OES에 대한 검출 위치에서의 라디칼들/플라즈마의 부재는 엔드포인트 데이터에 악영향을 미칠 수 있다. 부가하여, 전술된 분석을 수행하기 위한 기구들은 매우 고가일 수 있고, 엔드포인트 검출을 수행하는 것이 바람직한 모든 타입들의 장비에 대해 호환가능하지 않을 수 있다.
[0007] 따라서, 세정 엔드포인트 검출을 위한 개선된 방법들에 대한 필요성이 존재한다.
[0008] 본 개시내용의 구현들은 일반적으로, 프로세싱 챔버들을 세정하기 위한 방법들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에서 설명되는 구현들은 프로세싱 챔버 세정 엔드포인트들을 결정하기 위한 방법들에 관한 것이다. 일 구현에서, 엔드포인트 검출의 방법이 제공된다. 방법은 세정된 챔버 환경(clean chamber environment)에서 제1 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계를 포함한다. 방법은 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안에 2개 또는 그 초과의 시간 간격들에서 제1 챔버 포어라인(foreline) 압력을 결정하는 단계를 더 포함한다. 방법은 2개 또는 그 초과의 시간 간격들에 의해 정의된 제1 트레이스(trace)를 플롯팅(plotting)하는 단계를 더 포함하며, 여기에서, 제1 트레이스는 시간의 함수로서 제1 챔버 포어라인 압력을 정의한다. 방법은 세정되지 않은 챔버 환경(unclean chamber environment)에서 제2 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계를 더 포함한다. 방법은 제2 세정 프로세스 동안에 2개 또는 그 초과의 시간 간격들에서 제2 챔버 포어라인 압력을 결정하는 단계를 더 포함한다. 방법은 2개 또는 그 초과의 시간 간격들에 의해 정의되는 제2 트레이스를 결정하는 단계를 더 포함하며, 여기에서, 제2 트레이스는 시간의 함수로서 제2 챔버 포어라인 압력을 정의한다. 방법은 세정 엔드포인트 시간을 결정하기 위해, 제1 트레이스와 제2 트레이스를 비교하는 단계를 더 포함한다.
[0009] 다른 구현에서, 엔드포인트 검출의 방법이 제공된다. 방법은 프로세싱 챔버의 세정된 챔버 환경에서 제1 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계를 포함하며, 여기에서, 프로세싱 챔버는 진공 포어라인을 통해 진공 펌프와 커플링된다. 방법은 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안에 진공 포어라인 내의 배기 가스들의 압력을 모니터링함으로써, 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안에 2개 또는 그 초과의 시간 간격들에서 제1 챔버 포어라인 압력을 결정하는 단계를 더 포함한다. 방법은 2개 또는 그 초과의 시간 간격들에 의해 정의되는 제1 트레이스를 플롯팅하는 단계를 더 포함하며, 여기에서, 제1 트레이스는 시간의 함수로서 제1 챔버 포어라인 압력을 정의한다. 방법은 프로세싱 챔버의 세정되지 않은 챔버 환경에서 제2 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계를 더 포함한다. 방법은 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안에 진공 포어라인 내의 배기 가스들의 압력을 모니터링함으로써, 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안에 2개 또는 그 초과의 시간 간격들에서 제2 챔버 포어라인 압력을 결정하는 단계를 더 포함한다. 방법은 2개 또는 그 초과의 시간 간격들에 의해 정의되는 제2 트레이스를 결정하는 단계를 더 포함하며, 여기에서, 제2 트레이스는 시간의 함수로서 제2 챔버 포어라인 압력을 정의한다. 방법은 세정 엔드포인트 시간을 결정하기 위해, 제1 트레이스와 제2 트레이스를 비교하는 단계를 더 포함한다.
[0010] 또 다른 구현에서, 엔드포인트 검출의 방법이 제공된다. 방법은 제1 프로세싱 챔버의 세정된 챔버 환경에서 제1 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계를 포함하며, 여기에서, 제1 프로세싱 챔버는 제1 진공 포어라인을 통해 제1 진공 펌프와 커플링된다. 방법은 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안에 제1 진공 포어라인 내의 배기 가스들의 압력을 모니터링함으로써, 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안에 2개 또는 그 초과의 시간 간격들에서 제1 챔버 포어라인 압력을 결정하는 단계를 더 포함한다. 방법은 2개 또는 그 초과의 시간 간격들에 의해 정의되는 제1 트레이스를 플롯팅하는 단계를 더 포함하며, 여기에서, 제1 트레이스는 시간의 함수로서 제1 챔버 포어라인 압력을 정의한다. 방법은 제2 프로세싱 챔버의 세정되지 않은 챔버 환경에서 제2 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계를 더 포함하며, 여기에서, 제2 프로세싱 챔버는 제2 진공 포어라인을 통해 제2 진공 펌프와 커플링된다. 방법은 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안에 제2 진공 포어라인 내의 배기 가스들의 압력을 모니터링함으로써, 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안에 2개 또는 그 초과의 시간 간격들에서 제2 챔버 포어라인 압력을 결정하는 단계를 더 포함한다. 방법은 2개 또는 그 초과의 시간 간격들에 의해 정의되는 제2 트레이스를 결정하는 단계를 더 포함하며, 여기에서, 제2 트레이스는 시간의 함수로서 제2 챔버 포어라인 압력을 정의한다. 방법은 세정 엔드포인트 시간을 결정하기위해, 제1 트레이스와 제2 트레이스를 비교하는 단계를 더 포함한다.
[0011] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 구현들의 보다 구체적인 설명이 구현들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 구현들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 본 개시내용의 전형적인 구현들을 도시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 구현들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0012] 도 1은 본원에서 설명되는 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 세정 프로세스 엔드포인트를 결정하기 위한 방법의 동작들을 예시한다.
[0013] 도 2는 본 개시내용의 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 세정된 챔버 환경 및 세정되지 않은 챔버 환경에서 수행된 세정 프로세스에 대해 세정 시간의 함수로서 챔버 포어라인 압력을 도시하는 그래프를 예시한다.
[0014] 도 3은 본 개시내용의 구현들이 실시될 수 있는 프로세싱 시스템의 개략적인 예시이다.
[0015] 도 4는 본원에서 설명되는 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 세정 프로세스의 반복성(repeatability)을 결정하기 위한 방법의 동작들을 예시한다.
[0016] 도 5는 본 개시내용의 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 포어라인 압력의 함수로서 면적을 도시하는 그래프를 예시한다.
[0017] 도 6은 본 개시내용의 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 세정 시간의 함수로서 챔버 포어라인 압력을 도시하는 그래프를 예시한다.
[0018] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우에 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 구현의 엘리먼트들 및 특징들이 추가적인 설명이 없이도 다른 구현들에 유익하게 포함될 수 있다는 것이 고려된다.
[0019] 다음의 개시내용은 기판-프로세싱 챔버에서 세정 엔드포인트들을 결정하기 위한 기법들을 설명한다. 본 개시내용의 다양한 구현들의 철저한 이해를 제공하기 위해, 다음의 설명 및 도 1 내지 도 6에서 특정한 세부사항들이 제시된다. 증착 시스템들, 플라즈마-프로세싱 시스템들, 및 세정 방법들과 종종 연관되는 잘-알려진 구조들 및 시스템들을 설명하는 다른 세부사항들은, 다양한 구현들의 설명을 불필요하게 불명료히 하는 것을 피하기 위해, 다음의 개시내용에서 제시되지 않는다.
[0020] 도면들에서 도시되는 세부사항들, 치수들, 각도들, 및 다른 피처(feature)들 중 다수는 단지, 특정한 구현들을 예시하기 위한 것일 뿐이다. 따라서, 다른 구현들은, 본 개시내용의 사상 또는 범위로부터 벗어나지 않으면서, 다른 세부사항들, 컴포넌트들, 치수들, 각도들, 및 피처들을 가질 수 있다. 부가하여, 본 개시내용의 추가적인 구현들은 아래에서 설명되는 여러 세부사항들 없이도 실시될 수 있다.
[0021] 본원에서 설명되는 구현들은, 임의의 적합한 박막 증착 시스템을 사용하여 수행될 수 있는 플라즈마 세정 프로세스를 참조하여 아래에서 설명될 것이다. 적합한 시스템들의 예들은, DXZ® 프로세싱 챔버를 사용할 수 있는 CENTURA® 시스템들, PRECISION 5000® 시스템들, PRODUCER® 시스템들, PRODUCER® GTTM 시스템들, 및 PRODUCER® SETM 시스템들을 포함하며, 이들은 캘리포니아, 산타클라라의 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드로부터 상업적으로 입수가능하다. 세정 엔드포인트 검출 프로세스들을 수행할 수 있는 다른 툴들이 또한, 본원에서 설명되는 구현들로부터 이익을 얻도록 적응될 수 있다. 부가하여, 본원에서 설명되는 세정 엔드포인트 검출 프로세스들을 가능하게 하는 임의의 시스템이 유리하게 사용될 수 있다. 본원에서 설명되는 장치 설명은 예시적인 것이고, 본원에서 설명되는 구현들의 범위를 제한하는 것으로 해석 또는 이해되지 않아야 한다.
[0022] 본 개시내용의 구현들은 일반적으로, 프로세싱 챔버들을 세정하기 위한 방법들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에서 설명되는 구현들은 프로세싱 챔버 세정 엔드포인트들을 결정하기 위한 방법들에 관한 것이다. 몇몇 구현들에서, 세정 엔드포인트를 검출하기 위한 "가상 센서(virtual sensor)"가 제공된다. "가상 센서"는 챔버의 세정 동안에 챔버 포어라인 압력의 동향(trend)들을 모니터링하는 것에 기초하고, 그 챔버의 세정은, 챔버 부품들 상의 고체 증착된 막들을, 예컨대 불소 플라즈마와 같은 에천트들과의 반응에 의해, 가스성 부산물들로 변환시키는 것을 수반한다. "가상 센서"의 유효성은 적외선-기반 광학 측정들과 "가상 센서" 응답을 비교함으로써 확인되었다. 다른 구현에서, 방법들은, 설비 설계 및 시간에 걸친 포어라인 클로깅(clogging)으로 인한, 포어라인 압력 차이들을 고려한다.
[0023] 일 구현에서, 세정 엔드포인트를 검출하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 세정된 상태의(예컨대, 증착된 막이 전혀 없는) 프로세싱 챔버에서 세정 프로세스를 수행하고, 포어라인 압력 대 시간의 트레이스를 획득하는 단계를 포함한다. 그 후에, 의도된 CVD 막 또는 막들이 프로세싱 챔버에서 증착된 상태로, 세정 프로세스가 수행되고, 포어라인 압력 대 시간의 제2 트레이스가 획득된다. 제1 트레이스와 제2 트레이스가 만나는 곳에서, 세정된 챔버 상태 및 세정 엔드포인트가 식별된다. 2개의 곡선들 사이의 음영 면적은 프로세싱 챔버에서 증착된 막의 양에 비례하고, 프로세싱 챔버에서 증착된 막 두께에 대해 선형적인 것으로 나타났다.
[0024] 다른 구현에서, 세정 프로세스 반복성을 모니터링하는 방법들이 제공된다. 세정 프로세스 반복성을 모니터링하는 방법은, 세정 프로세스 동안에 다수의 챔버들에 걸쳐 그리고 시간 기간에 걸쳐 포어라인 면적 대 시간을 추적하는 단계를 포함한다. 예컨대, 펌프 대 펌프 대 챔버의 상이하고 러프한(rough) 라인 길이 및 직경 및/또는 시간에 걸친 포어라인에서의 증가(build-up)로 인한 포어라인 압력 변동은 챔버-대-챔버 차이의 원인일 수 있다. 세정 프로세스 반복성을 모니터링하는 방법은, 세정 프로세스들 동안의 포어라인 압력의 변화들이, 세정 프로세스의 종료 시에(또는 챔버를 통해 비활성 가스가 유동하고 있거나 또는 가스가 전혀 유동하지 않는 다른 포인트에서) 모니터링되는 포어라인 압력에 관련된다는 사실에 의존한다. 세정 프로세스 반복성의 방법은 시간에 걸쳐 챔버에 대해 그리고/또는 다수의 챔버들에 걸쳐 포어라인 압력 응답을 예측하기 위해 사용될 수 있다.
[0025] 도 1은 본원에서 설명되는 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 세정 프로세스 엔드포인트를 결정하기 위한 방법(100)의 동작들을 예시한다. 동작(110)에서, 세정된 챔버 환경에서 제1 플라즈마 세정 프로세스가 수행된다. 본원에서 설명되는 바와 같은 세정된 챔버 환경은 챔버의 프로세싱 볼륨 내의 다양한 컴포넌트들 상에 재료 증착물이 없거나 또는 실질적으로 없는 챔버 환경이다. 플라즈마 세정 프로세스는 인-시튜(in-situ)로 생성되는 플라즈마를 활용할 수 있거나, 또는 플라즈마는 엑스-시튜(ex-situ)로(예컨대, 원격으로) 생성될 수 있다. 적합한 플라즈마 생성 기법들, 이를테면 유도성 커플링, 용량성 커플링, 또는 열 플라즈마 생성 기법들이 세정 플라즈마를 형성하기 위해 활용될 수 있다.
[0026] 다양한 세정 케미스트리(chemistry)들이 세정 플라즈마를 형성하기 위해 활용될 수 있다. 세정 플라즈마를 형성하기 위한 적합한 전구체 재료들은 불소-함유 케미스트리, 염소-함유 케미스트리, 및 산소-함유 케미스트리 등을 포함한다. 세정 플라즈마 케미스트리가 챔버 환경에서 증착되는 재료들과 반응적이도록 선택될 수 있다는 것이 고려된다. 일 구현에서, (예컨대, NF3로부터 형성되는) 불소 라디칼들이 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안에 활용된다. 동작(110)은 일반적으로, 동작(140)의 플라즈마 세정 프로세스와 같은 플라즈마 세정 프로세스의 후속 비교를 위한 베이스라인 레퍼런스(baseline reference)를 정의하기 위해 수행된다.
[0027] 도 2는 본 개시내용의 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 세정된 챔버 환경 및 세정되지 않은 챔버 환경에서 수행된 세정 프로세스에 대한 세정 시간의 함수로서 챔버 포어라인 압력을 도시하는 그래프(200)를 예시한다. 제1 트레이스(210)는 세정된 챔버 환경에서의 챔버 포어라인 압력을 시간의 함수로서 표현하고, 제2 트레이스(220)는 세정되지 않은 챔버 환경에서의 챔버 포어라인 압력을 시간의 함수로서 표현한다. 예시된 바와 같이, 제2 트레이스(220)의 기울기가 초기에, 시간에 걸쳐 약간 증가되고, 이러한 증가는, 세정되지 않은 챔버 환경에서의 고체 막들을 가스성 부산물들로 변환시킴으로써 세정 프로세스 동안에 형성되는 가스성 부산물들의 증가(이는 챔버 포어라인의 압력을 증가시킴)로 인한 것일 수 있는 것으로 생각된다.
[0028] 다시 도 1을 참조하면, 방법(100)은 동작(120)에서, 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안에 2개 또는 그 초과의 시간 간격들(230, 240)(도 2 참조)에서 챔버 포어라인 압력을 결정함으로써 계속된다. 2개의 시간 간격들이 설명되지만, 시간에 걸쳐 포어라인 압력의 변화를 모니터링하기 위해, 더 많은 시간 간격들이 선택될 수 있다는 것이 고려된다. 포어라인 압력의 변화의 레이트는 특정한 시간량 내의 포어라인 압력의 변화, 예컨대 토르/초를 지칭한다. 도 2에서 예시된 바와 같이, 포어라인 압력 레이트들은 제1 시간 간격(230) 및 제2 시간 간격(240)에서 결정된다. 일 구현에서, 제1 포어라인 압력 레이트는 제1 시간 간격(230)에 대응할 수 있고, 제2 포어라인 압력 레이트는 제2 시간 간격(240)에 대응할 수 있다.
[0029] 동작(130)에서, 2개 또는 그 초과의 시간 간격들(230, 240)에 의해 정의된 제1 트레이스(210)가 플롯팅된다. 일 구현에서, 제1 트레이스(210)는 시간에 걸쳐 챔버 포어라인 압력의 변화를 플롯팅함으로써 결정된다. 따라서, 제1 트레이스(210)는 일반적으로, 시간의 함수로서 세정된 챔버 환경의 포어라인 압력 레이트를 정의한다.
[0030] 동작(140)에서, 세정되지 않은 챔버 환경에서 제2 플라즈마 세정 프로세스가 수행된다. 세정되지 않은 챔버 환경은, 세정되지 않은 챔버 환경 내의 다양한 컴포넌트들 상에 재료 증착물들이 존재한다는 점에서, 세정된 챔버 환경과 상이하다. 일 구현에서, 제2 플라즈마 세정 프로세스는 제1 플라즈마 세정 프로세스와 유사하다. 따라서, 동일한 또는 유사한 케미스트리들 및 프로세싱 조건들이 제1 및 제2 플라즈마-세정 프로세스들 양자 모두에서 활용될 수 있다.
[0031] 동작(150)에서, 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안에 2개 또는 그 초과의 시간 간격들(230, 240)에서 챔버 포어라인 압력이 결정된다. 제2 트레이스(220)는 세정되지 않은 챔버 환경에서의 챔버 포어라인 압력을 시간의 함수로서 표현한다. 일반적으로, 동작(120) 동안에 활용된 시간 간격들은 동작(150) 동안에 활용된 시간 간격들과 동일한 시간 간격들이다. 제1 포어라인 압력 레이트들과 유사하게, 제2 포어라인 압력 레이트는 특정한 시간량 내의 포어라인 압력의 변화, 예컨대 토르/초를 지칭한다. 위에서 설명된 바와 같이, 제2 포어라인 압력 레이트들은 제1 시간 간격(230) 및 제2 시간 간격(240)에서 결정될 수 있다.
[0032] 동작(160)에서, 2개 또는 그 초과의 시간 간격들(230, 240)에 의해 정의된 제2 트레이스(220)가 플롯팅된다. 동작(130)에서의 제1 트레이스(210)의 결정과 유사하게, 제2 트레이스(220)는 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안에 시간에 걸쳐 챔버 포어라인 압력의 변화를 플롯팅함으로써 결정된다. 따라서, 제2 트레이스(220)는 일반적으로, 시간의 함수로서 세정되지 않은 챔버 환경의 제2 포어라인 압력을 정의한다.
[0033] 제1 트레이스(210)와 제2 트레이스(220) 사이의 델타(260)가, 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안의, 가스들로의 오염물 막들의 변환으로 인한, 가스성 부산물들의 증가에 의해 발생되는 것으로 생각된다는 것이 유의되어야 한다.
[0034] 동작(170)에서, 세정 엔드포인트 시간(250)을 결정하기 위해, 제1 트레이스(210)와 제2 트레이스(220)가 비교된다. 세정 엔드포인트 시간은 제1 트레이스(210)와 제2 트레이스(220)가 교차하는 시간에 의해 표현된다.
[0035] 선택적으로, 세정 시간 엔드포인트를 결정한 후에, 완벽한 세정을 보장하기 위해, 부가적인 세정 시간량이 세정 시간 엔드포인트에 부가될 수 있다. 일 구현에서, 부가적인 세정 시간량은 총 세정 시간의 약 5 % 미만(예컨대, 총 세정 시간의 약 1 % 내지 약 5 %)이다.
[0036] 몇몇 구현들에서, 동작(170)에서 결정된 세정 엔드포인트 시간을 사용하여 챔버 세정이 수행된다. 예컨대, 몇몇 구현들에서, 세정되지 않은 챔버 환경에서 제3 플라즈마 세정 프로세스가 수행되고, 여기에서, 제3 플라즈마 세정 프로세스는 세정 엔드포인트 시간에서 종료된다. 제3 플라즈마 세정 프로세스는 제1 플라즈마 세정 프로세스 및/또는 제2 플라즈마 세정 프로세스와 동일한 프로세싱 챔버에서 수행될 수 있다.
[0037] 도 3은 방법(100) 및 방법(400)의 구현들이 구현될 수 있는 프로세싱 시스템(300)을 개략적으로 예시한다. 본원에서 설명되는 방법(100)이, 종래의 엔드포인트 검출 프로세스들과 연관된 외부 장비를 활용하지 않는 유리한 인-시튜 세정 엔드포인트 결정을 제공한다는 것이 고려된다. 프로세싱 시스템(300)은 제1 원격 플라즈마 소스(302) 및 제2 원격 플라즈마 소스(304)를 포함하며, 제1 원격 플라즈마 소스(302) 및 제2 원격 플라즈마 소스(304)는 각각, 제1 프로세싱 챔버(306) 및 제2 프로세싱 챔버(308)에 커플링된다. 일반적으로, 제1 프로세싱 챔버(306) 및 제2 프로세싱 챔버(308)는, 세정 프로세스들을 수행한 후에, 배기부(350)와 유체적으로 커플링된 진공 포어라인(310)을 통해 배기된다. 제1 프로세싱 챔버(306) 및 제2 프로세싱 챔버(308)는 진공 포어라인(310)을 통해 진공 펌프(320)와 유체적으로 커플링된다. 압력 센서(330)가 진공 포어라인(310) 내의 배기 가스들의 압력을 측정하기 위해 진공 포어라인(310)을 따라 위치된다. 일 구현에서, 챔버 포어라인 밸브(340)가 진공 포어라인(310)의 섹션에 배치되는데, 챔버 포어라인 밸브(340)의 하류에서 진공 포어라인(310)이 제1 및 제2 프로세싱 챔버들(306, 308)에 연결되고, 챔버 포어라인 밸브(340)의 상류에서 진공 포어라인(310)과 진공 펌프(320)가 만난다. 챔버 포어라인 밸브(340)는 제1 프로세싱 챔버(306)와 제2 프로세싱 챔버(308) 사이의 유체 연통의 양을 제어할 수 있다. 일 구현에서, 챔버 포어라인 밸브(340)는, 진공 포어라인(310) 내의 가스 유량 및/또는 제1 프로세싱 챔버(306) 및 제2 프로세싱 챔버(308) 내의 압력을 제어하도록 구성된 스로틀 밸브이다.
[0038] 프로세싱 시스템(300)은 제어기(370)를 더 포함한다. 제어기(370)는 중앙 프로세싱 유닛(CPU)(372), 메모리(374), 및 지원 회로(376)를 포함하며, 이들은 프로세스 시퀀스를 제어하고 가스 유동들을 조절하기 위해 활용된다. CPU(372)는 산업 현장에서 사용되는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서일 수 있다. 소프트웨어 루틴들은, 랜덤 액세스 메모리, 판독 전용 메모리, 플로피, 또는 하드 디스크 드라이브, 또는 다른 형태의 디지털 저장소와 같은 메모리(374)에 저장될 수 있다. 지원 회로(376)는 CPU(372)에 통상적으로 커플링되고, 캐시, 클록 회로들, 입력/출력 시스템들, 및 전력 공급부들 등을 포함할 수 있다. 프로세싱 시스템(300)의 다양한 컴포넌트들과 제어기(370) 사이의 양방향 연통들은, 신호 버스들(380)이라고 일괄적으로 지칭되는 다수의 신호 케이블들을 통해 핸들링되고, 이들 중 일부가 도 3에서 예시된다. 프로세싱 시스템(300)이 2개의 프로세싱 챔버들을 도시하지만, 본원에서 설명되는 방법들이, 임의의 수의 프로세싱 챔버들을 포함하는 프로세싱 시스템들 상에서 실시될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예컨대, 일 구현에서, 본원에서 설명되는 방법들은, 포어라인을 통해 진공 펌프와 커플링된 단일 프로세싱 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템 상에서 실시된다.
[0039] 도 4는 본원에서 설명되는 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 세정 프로세스의 반복성을 결정하기 위한 방법(400)의 동작들을 예시한다. 세정 프로세스 반복성을 결정하는 방법(400)은 세정 프로세스 동안에 다수의 챔버들에 걸쳐 그리고 시간 기간에 걸쳐 시간의 함수로서 포어라인 면적을 추적하는 것을 포함한다. 세정 프로세스 반복성을 모니터링하는 방법(400)은, 세정 프로세스들 동안의 포어라인 압력의 변화들이, 세정 프로세스의 종료 시에(또는 챔버를 통해 비활성 가스가 유동하고 있거나 또는 가스가 전혀 유동하지 않는, 세정 프로세스 동안의 다른 포인트에서) 모니터링되는 포어라인 압력에 관련된다는 사실에 의존한다. 도 5는 본 개시내용의 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 포어라인 압력의 함수로서 면적을 도시하는 그래프(500)를 예시한다. 도 6은 본 개시내용의 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 세정 시간의 함수로서 챔버 포어라인 압력을 도시하는 그래프(600)를 예시한다. 도 4 내지 도 6은 함께 논의될 것이다. 도 5 및 도 6은 도 4의 흐름도에서 도시된 방법(400)을 설명하기 위해 사용될 것이다.
[0040] 도 5는 본 개시내용의 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 포어라인 압력의 함수로서 면적을 도시하는 그래프(500)를 예시한다. 그래프(500)는 x-축 상의 포어라인 압력(토르)의 함수로서 y-축 상에 면적(토르 x 초)을 도시한다. 트레이스(502)는 포어라인 압력 또는 "PF" 교정 곡선(calibration curve)을 표현한다. 몇몇 구현들에서, 트레이스(502)는 플릿 데이터(fleet data)를 사용하여 실증적으로 결정된다. 플릿 데이터는, 하나 또는 그 초과의 프로세싱 챔버들을 세정하고 각각의 챔버 및 세정 프로세스에 대해 시간에 걸쳐 포어라인 압력의 변화를 모니터링함으로써 획득될 수 있다. 예컨대, 도 5에서 도시된 바와 같이, 플릿 데이터는, 제1 챔버 "CH-1" 상에서 수행된 세정 프로세스들, 및 제2 챔버 "CH-2" 상에서 수행된 세정 프로세스들로부터 획득되었다. 각각의 세정 프로세스 실행에 대해, 포어라인 압력의 변화는, 그래프(600)에서 도시된 곡선(602)과 유사하게, 시간의 함수로서 플롯팅된다. 각각의 세정 실행에 대한 정상-상태 압력(PFs)이 아래에서 논의되는 바와 같이 결정되고, 곡선 아래의 면적 "A"가 결정된다. 각각의 세정 실행으로부터의 데이터를 사용하여, 면적 "A"가 PFs의 함수로서 플롯팅된다. 트레이스(502)는 각각의 세정 실행으로부터 플롯팅된 데이터에 대한 최상의 피팅 라인(line of best fit)을 표현한다.
[0041] 도 6은 본 개시내용의 하나 또는 그 초과의 구현들에 따른, 챔버 세정 프로세스에 대해 세정 시간의 함수로서 챔버 포어라인 압력을 도시하는 그래프(600)를 예시한다. 그래프(600)는 x-축 상의 시간(초)의 함수로서 y-축 상에 챔버 포어라인 압력(토르)을 도시한다. 제1 트레이스는 챔버 세정 프로세스 동안에 시간에 걸쳐 챔버 포어라인 압력의 변화를 플롯팅함으로써 결정될 수 있다. 일 구현에서, 챔버 세정 프로세스는 동작(140)의 프로세스와 유사한 세정되지 않은 챔버 환경에서 수행된다. 따라서, 곡선(602)은 일반적으로, 챔버 세정 프로세스 동안에 시간의 함수로서 포어라인 압력을 정의한다. 시간 "t0"은 챔버 세정 프로세스의 시작을 표현한다. 시간 "t1"은, "t1"과 "t2" 사이에 도시된 정상 포어라인 압력(PFs)으로 포어라인 압력이 안정화되는 시간을 표현한다. 시간 "t2"는 챔버 세정 프로세스의 종료를 표현한다.
[0042] 다시 도 4를 참조하면, 동작(402)에서, 선택된 포어라인 압력 범위, PFmin < PF < PFmax가 세팅된다. 선택된 포어라인 압력 범위는 최소 포어라인 압력 범위(PFmin) 및 최대 포어라인 압력 범위(PFmax)를 포함한다. 일 구현에서, 선택된 포어라인 압력 범위는 사용자에 의해 세팅된다. 동작(402)의 선택된 포어라인 압력 범위는 여러 인자들에 기초하여 선택될 수 있다. 예컨대, 몇몇 구현들에서, 선택된 포어라인 압력 범위는, 교정 곡선(예컨대, 트레이스(502))이 기초한 데이터를 획득하기 위해 사용된 포어라인 압력 범위에 기초하여 선택된다. 몇몇 구현들에서, 포어라인 압력 범위는, 주어진 툴, 가스 로드(gas load), 및 제작 설비 레이아웃에 대한 포어라인 압력의 이전의 데이터에 기초하여 선택될 수 있다. 예컨대, 도 5에서 도시된 바와 같은 일 예시적인 프로세스에서, PFmin은 약 0.4 토르로서 정의되고, PFmax는 약 1 토르로서 정의된다.
[0043] 동작(402) 동안에, 에러 값("e")이 설정된다. 일 구현에서, 에러 값 "e"는 이전의 세정 실행들로부터의 실제 포어라인 압력과 선택된 포어라인 압력 사이의 차이에 기초한다. 일 구현에서, 에러 값 "e"는, 주어진 툴, 가스 로드, 및/또는 제작 설비 레이아웃에 대한 포어라인 압력의 이전의 데이터로부터의 이전의 에러 값들 "e"에 기초한다. 일 구현에서, 에러 값 "e"는 사용자에 의해 정의된다. 몇몇 구현들에서, 에러 값 "e"는 교정 곡선(예컨대, 트레이스(502))의 R2 또는 잔차(residual)에 기초한다. 일 예시적인 프로세스에서, 에러 값 "e"는 0.02인 것으로 선택되었다.
[0044] 동작(404)에서, 도 5에서 도시된 바와 같은 포어라인 압력 "PF" 방정식이 시간에 걸쳐 플릿 데이터를 사용하여 설정된다. 일 구현에서, 플릿 데이터는, 위에서 논의된 바와 같이, 세정 프로세스들 동안에 다수의 챔버들에 걸쳐 그리고 시간 기간에 걸쳐 포어라인 면적 대 시간을 추적함으로써 결정된다. 도 5를 참조하면, "PF" 방정식이 그래프(500)에서 도시된다. x-축 상의 포어라인 압력은, 동작(402) 동안에 정의된 바와 같은, PFmin(예컨대, 0.4 토르) 및 PFmax(예컨대, 1 토르)에 의해 정의된다.
[0045] 동작(406)에서, 정상 포어라인 압력(PFs)이 도 6에서 도시된 그래프(600)로부터 결정된다. 도 6을 참조하면, PFs는 전형적으로, 곡선(602)의 기울기가 제로(zero)에 접근하는 포인트 "t1"을 곡선(602)을 따라 위치시킴으로써 결정된다. 예컨대, 그래프(600)에서 도시된 바와 같이, "t1"과 "t2" 사이의 곡선(602)의 평탄한 부분은 안정화된 또는 정상 포어라인 압력(PFs)을 표현한다. 곡선(602)의 평탄한 부분은 PFs를 결정하기 위해 y-축에 외삽된다(extrapolated). 예컨대, 그래프(600)에서, PFs는 약 0.52 토르이다.
[0046] 동작(408)에서, 도 6의 그래프(600)에서 도시된 세정 프로세스로부터의 0 < t < t1 동안의 챔버 포어라인 압력("P") 대 시간(t)으로부터 면적 "A"가 획득된다. 면적은 음영 구역(604)에 의해 표현된다. 면적은 "t0" 내지 "t1" 및 곡선(602)에 의해 정의된 음영 구역(604)의 면적을 계산함으로써 결정된다.
[0047] 동작(410)에서, 이론적인 면적("A0")이 트레이스(502) 및 동작(406)에서 결정된 PFs를 사용하여 결정된다. PFs는 그래프(500)의 x-축 상에 위치되고, 이론적인 면적("A0")은 트레이스(502)를 사용하여 y-축 상에서 발견된다. 예컨대, 동작(406)에서 결정된 바와 같은 약 0.52의 PFs를 사용하여, 이론적인 면적(A0)은 약 77 토르 x 초이다.
[0048] 동작(412)에서, 동작(408)에서 결정된 실제 면적 "A"와 동작(410) 동안에 결정된 이론적인 면적 "A0"의 비율을 계산함으로써, 비율 "X"가 결정된다.
[0049] 동작(414)에서, 동작(406) 동안에 결정된 PFs가 동작(402)에서 정의된 압력 범위 내에 속하는지가 결정된다. PFs가 정의된 압력 범위 내에 속하는 경우에(PFmin < PF < PFmax), 프로세스는 동작(416)으로 진행된다. 예컨대, 0.52의 PFs는 0.4 토르의 PFmin과 1 토르의 PFmax의 정의된 범위 내에 속한다.
[0050] 동작(416)에서, 비율(X)이 동작(402)으로부터의 사용자 정의된 에러 값들의 범위 내에 속하는지가 결정된다. 비율(X)이 사용자 정의된 에러 값들에 의해 정의된 범위 내에 속하는 경우에, 프로세스는 동작(420)에서 종료된다. 비율(X)이 사용자-정의된 에러 값들에 의해 정의된 범위 내에 속하지 않는 경우에, 챔버 세정이 규격 내에 있지 않다는 경고가 동작(422)에서 발행된다. 발행된 경고에 응답하여, 사용자는 다음 중 하나를 행할 수 있다: 트레이스들을 비교하고, 그리고 (1) 입자 성능을 포함하는(그러나 이에 제한되지 않는) 임의의 막 특성들에 대한 영향이 존재하는지; (2) 세정을 위한 원격 플라즈마 유닛이 적절하게 기능하고 있는지; (3) 세정 전에 적절한 막이 증착되었는지; 그리고/또는 (4) 임의의 열 경계 조건들이 변화되었는지를 조사한다. 일 구현에서, 동작(422)의 업데이트된 결과들에 기초하여 챔버 세정이 수행된다.
[0051] 비율 PFs가 정의된 압력 범위 내에 속하지 않는 경우에, 프로세스는 동작(418)으로 진행된다. 동작(418) 동안에, 동작(404) 동안 설정된 방정식이 PFmin, PFmax 범위 밖의 유효성에 대해 체크된다. 유효성은 A/A0 = X가 여전히, 부과된 에러 제한들 내에 있는지를 체크함으로써 체크된다. A/A0 = X가 부과된 에러 제한들 내에 있는 경우에, PF 범위의 유효성을 확장하기 위해, 부가적인 데이터 포인트가 사용될 수 있다. 향후 사용을 위해 적절하게, 동작(424)에서, 동작(402) 동안에 정의된 PFmin 및/또는 PFmax가 확장될 수 있거나 또는 업데이트될 수 있다. 업데이트된 PFmin 및/또는 PFmax를 사용하여 챔버가 세정될 수 있다.
[0052] 요약하면, 본 개시내용의 몇몇 구현들의 이익들 중 몇몇은 세정 엔드포인트를 모니터링하는 프로세스를 제공하고, 그 프로세스는 세정 엔드포인트의 더 정확한 검출, 개선된 챔버 세정, 및 감소된 챔버 다운타임을 제공한다. 본원에서 설명되는 몇몇 구현들은, 세정 엔드포인트를 검출하기 위한 챔버 압력의 사용, 및 세정 엔드포인트를 검출하기 위한 스로틀 밸브 각도의 제한들 및 난제들 중 몇몇을 극복한다. 추가로, 본원에서 설명되는 몇몇 구현들은 현재 이용가능한 광학 센서들에 비하여 신뢰성 및 비용들을 개선한다.
[0053] 본 명세서에서 설명되는 본 개시내용의 구현들 및 모든 기능 동작들은, 디지털 전자 회로로, 또는 본 명세서에서 개시되는 구조적인 수단 및 이들의 구조적인 등가물들을 포함하는, 컴퓨터 소프트웨어, 펌웨어, 또는 하드웨어로, 또는 이들의 조합들로 구현될 수 있다. 본 개시내용의 구현들은, 데이터 프로세싱 장치, 예컨대 프로그래머블 프로세서, 컴퓨터, 또는 다수의 프로세서들 또는 컴퓨터들에 의한 실행을 위해, 또는 그 데이터 프로세싱 장치의 동작을 제어하기 위해, 하나 또는 그 초과의 컴퓨터 프로그램 제품들, 즉 머신-판독가능 저장 매체들에 유형으로 구현된 하나 또는 그 초과의 컴퓨터 프로그램들로서 구현될 수 있다. 컴퓨터 프로그램(프로그램, 소프트웨어, 소프트웨어 애플리케이션, 또는 코드라고 또한 알려짐)은 컴파일형 또는 해석형 언어들을 포함하는 임의의 형태의 프로그래밍 언어로 기록될 수 있고, 컴퓨터 프로그램은 독립형 프로그램, 또는 모듈, 컴포넌트, 서브루틴 또는 컴퓨팅 환경에서 사용하는 데 적합한 다른 유닛을 포함하는 임의의 형태로 배포될(deployed) 수 있다. 컴퓨터 프로그램은 반드시 파일에 대응하는 것은 아니다. 프로그램은 다른 프로그램들 또는 데이터를 보유하는 파일의 일부로, 해당 프로그램에 전용되는 단일 파일로, 또는 다수의 조직화된 파일들(예컨대, 하나 또는 그 초과의 모듈들, 서브-프로그램들, 또는 코드의 부분들을 저장하는 파일들)로 저장될 수 있다. 컴퓨터 프로그램은, 다수의 장소들에 걸쳐 분배되고 통신 네트워크에 의해 상호연결된 또는 하나의 장소의 다수의 컴퓨터들 또는 하나의 컴퓨터 상에서 실행되도록 배포될 수 있다.
[0054] 본 명세서에서 설명되는 프로세스들 및 논리 흐름들은, 입력 데이터에 대해 동작하고 출력을 생성함으로써 기능들을 수행하도록 하나 또는 그 초과의 컴퓨터 프로그램들을 실행하는 하나 또는 그 초과의 프로그래머블 프로세서들에 의해 수행될 수 있다. 프로세스들 및 논리 흐름들은 또한, 특수 목적 논리 회로, 예컨대 FPGA(field programmable gate array) 또는 ASIC(application-specific integrated circuit)에 의해 수행될 수 있고, 장치는 특수 목적 논리 회로, 예컨대 FPGA(field programmable gate array) 또는 ASIC(application-specific integrated circuit)로서 구현될 수 있다.
[0055] 본 개시내용의 엘리먼트들, 또는 이들의 예시적인 양상들 또는 구현(들)을 도입하는 경우에, 단수 표현은 그 엘리먼트들 중 하나 또는 그 초과가 존재한다는 것을 의미하도록 의도된다.
[0056] "포함하는", "구비하는", 및 "갖는"이라는 용어들은 포괄적이도록 의도되고, 열거된 엘리먼트들 이외의 부가적인 엘리먼트들이 존재할 수 있다는 것을 의미하도록 의도된다.
[0057] 전술한 바가 본 개시내용의 구현들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 구현들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 엔드포인트(endpoint) 검출 방법으로서,
    세정된 챔버 환경(clean chamber environment)에서 제1 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계;
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안에 2 이상의 시간 간격들에서 제1 챔버 포어라인(foreline) 압력을 결정하는 단계;
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스에 대한 상기 2 이상의 시간 간격들에 의해 정의되는 제1 트레이스(trace)를 플롯팅(plotting)하는 단계 ― 상기 제1 트레이스는 시간의 함수로서 상기 제1 챔버 포어라인 압력을 정의함 ―;
    세정되지 않은 챔버 환경(unclean chamber environment)에서 제2 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계;
    상기 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안에 2 이상의 시간 간격들에서 제2 챔버 포어라인 압력을 결정하는 단계;
    상기 제2 플라즈마 세정 프로세스에 대한 상기 2 이상의 시간 간격들에 의해 정의되는 제2 트레이스를 결정하는 단계 ― 상기 제2 트레이스는 시간의 함수로서 상기 제2 챔버 포어라인 압력을 정의함 ―; 및
    세정 엔드포인트 시간을 결정하기 위해, 상기 제1 트레이스와 상기 제2 트레이스를 비교하는 단계
    를 포함하는,
    엔드포인트 검출 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세정 엔드포인트 시간을 사용하여 프로세싱 챔버를 세정하는 단계를 더 포함하는,
    엔드포인트 검출 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스는 베이스라인 레퍼런스(baseline reference)를 정의하는,
    엔드포인트 검출 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 세정된 챔버 환경에는 재료 증착물들이 없는,
    엔드포인트 검출 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스 및 상기 제2 플라즈마 세정 프로세스는 불소-함유 케미스트리(chemistry), 염소-함유 케미스트리, 산소-함유 케미스트리, 또는 이들의 조합들을 활용하는,
    엔드포인트 검출 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스 및 상기 제2 플라즈마 세정 프로세스는 원격 플라즈마 세정들인,
    엔드포인트 검출 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스에 대한 2 이상의 시간 간격들과 상기 제2 플라즈마 세정 프로세스에 대한 2 이상의 시간 간격들은 동일한,
    엔드포인트 검출 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 세정 엔드포인트 시간은 상기 제1 트레이스와 상기 제2 트레이스가 동일할 때 발생하는,
    엔드포인트 검출 방법.
  9. 엔드포인트 검출 방법으로서,
    프로세싱 챔버의 세정된 챔버 환경에서 제1 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계 ― 상기 프로세싱 챔버는 진공 포어라인을 통해 진공 펌프와 커플링됨 ―;
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안에 상기 진공 포어라인 내의 배기 가스들의 압력을 모니터링함으로써, 상기 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안에 2 이상의 시간 간격들에서 제1 챔버 포어라인 압력을 결정하는 단계;
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스에 대한 상기 2 이상의 시간 간격들에 의해 정의되는 제1 트레이스를 플롯팅하는 단계 ― 상기 제1 트레이스는 시간의 함수로서 상기 제1 챔버 포어라인 압력을 정의함 ―;
    상기 프로세싱 챔버의 세정되지 않은 챔버 환경에서 제2 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계;
    상기 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안에 상기 진공 포어라인 내의 배기 가스들의 압력을 모니터링함으로써, 상기 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안에 2 이상의 시간 간격들에서 제2 챔버 포어라인 압력을 결정하는 단계;
    상기 제2 플라즈마 세정 프로세스에 대한 상기 2 이상의 시간 간격들에 의해 정의되는 제2 트레이스를 결정하는 단계 ― 상기 제2 트레이스는 시간의 함수로서 상기 제2 챔버 포어라인 압력을 정의함 ―; 및
    세정 엔드포인트 시간을 결정하기 위해, 상기 제1 트레이스와 상기 제2 트레이스를 비교하는 단계
    를 포함하는,
    엔드포인트 검출 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    세정되지 않은 챔버 환경에서 제3 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계를 더 포함하며,
    상기 제3 플라즈마 세정 프로세스는 상기 세정 엔드포인트 시간에 종료되는,
    엔드포인트 검출 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 배기 가스들의 압력은 상기 진공 포어라인과 커플링된 압력 센서를 통해 모니터링되는,
    엔드포인트 검출 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스 및 상기 제2 플라즈마 세정 프로세스는 불소-함유 케미스트리, 염소-함유 케미스트리, 산소-함유 케미스트리, 또는 이들의 조합들을 활용하는,
    엔드포인트 검출 방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스 및 상기 제2 플라즈마 세정 프로세스는 원격 플라즈마 세정들인,
    엔드포인트 검출 방법.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스에 대한 2 이상의 시간 간격들과 상기 제2 플라즈마 세정 프로세스에 대한 2 이상의 시간 간격들은 동일한,
    엔드포인트 검출 방법.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 세정 엔드포인트 시간은 상기 제1 트레이스와 상기 제2 트레이스가 동일할 때 발생하는,
    엔드포인트 검출 방법.
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