TWI794194B - 腔室清潔終點的虛擬感測器 - Google Patents

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Abstract

本揭示內容的實施方式大體係關於用於清潔處理腔室的方法。更特定地，本文中描述的實施方式係關於用於確定處理腔室清潔終點的方法。在一些實施方式中，提供一種用於偵測清潔終點的「虛擬感測器」。「虛擬感測器」基於監測腔室前級管道壓力在腔室的清潔期間的趨勢，腔室的清潔涉及例如藉由與如氟電漿的蝕刻劑反應而將腔室部件上的固體沉積膜轉化為氣態副產物。已經藉由將「虛擬感測器」回應與基於紅外的光學量測進行比較而確認了「虛擬感測器」的有效性。在另一實施方式中，提供考慮到因設施設計和隨時間的前級管道堵塞而造成的前級管道壓力差的方法。

Description

腔室清潔終點的虛擬感測器
本揭示內容的實施方式大體係關於用於清潔處理腔室的方法。更特定地，本文中描述的實施方式係關於用於確定處理腔室清潔終點的方法。
材料在處理腔室的內部表面(諸如電漿增強化學氣相沉積(PECVD)處理腔室的壁和腔室部件)上的不希望的沉積可能會在沉積製程期間發生。此種不希望的沉積可能在處理腔室內形成顆粒和薄片，從而導致製程條件漂移並且影響製程再現性和均勻性。
為了實現高處理腔室可用性，同時減少用於生產的擁有成本並且維持膜品質，執行腔室清潔以將材料殘留物從包括壁和製程套件(例如，噴頭等等)的處理腔室的內部表面去除。
通常，腔室清潔的清潔時間是半導體製造製程和設備生產率的重要因素。清潔時間一般是指清潔一件製造設備的時間量。通常，定期執行清潔製程以延長製造設備的使用壽命。清潔製程也降低了因製造設備內的次優處理環境而製造有缺陷的微元件的可能性。因此，與設備清潔關聯的清潔時間對顆粒減少和產量效率有相對大的影響。
不足的清潔時間可能導致反應產物和副產物在製造設備內不期望地積聚，此可能會造成增加元件缺陷和製程漂移。或者，過量清潔時間可能造成長時間暴露於腐蝕環境，此可能會造成製造設備部件過早劣化。另外，過量清潔時間對產量通常有負面的影響。
用於確定清潔時間的當前終點偵測方法一般涉及監測次級自由基或電漿信號。用於終點偵測的常規方法包括使用殘餘氣體分析(RGA)、光發射光譜(OES)或非色散紅外光譜(NDIR)等等。然而，此等方法可能因次優度量條件而提供不準確的終點確定。例如，缺乏用於RGA的次級電漿解離可能造成用來確定合適終點的資料不準確。在另一實例中，在偵測位置缺乏用於OES的自由基/電漿可能會不利地影響終點資料。另外，用於執行前述分析的儀器可能會過於昂貴，並且可能不相容期望執行終點偵測的所有類型的設備。
因此，需要用於清潔終點偵測的改進的方法。
本揭示內容的實施方式大體係關於用於清潔處理腔室的方法。更特定地，本文中描述的實施方式係關於用於確定處理腔室清潔終點的方法。在一個實施方式中，提供一種終點偵測方法。該方法包括在清潔的腔室環境中執行第一電漿清潔製程。該方法進一步包括在第一電漿清潔製程期間在兩個或更多個時間間隔處確定第一腔室前級管道壓力。該方法進一步包括繪製由兩個或更多個時間間隔限定的第一軌跡，其中第一軌跡限定作為時間的函數的第一腔室前級管道壓力。該方法進一步包括在不清潔的腔室環境中執行第二電漿清潔製程。該方法進一步包括在第二清潔製程期間在兩個或更多個時間間隔處確定第二腔室前級管道壓力。該方法進一步包括確定由兩個或更多個時間間隔限定的第二軌跡，其中第二軌跡限定作為時間的函數的第二腔室前級管道壓力。該方法進一步包括將第一軌跡與第二軌跡進行比較，以確定清潔終點時間。
在另一實施方式中，提供一種終點偵測方法。該方法包括在處理腔室的清潔的腔室環境中執行第一電漿清潔製程，其中處理腔室經由真空前級管道而與真空泵耦接。該方法進一步包括藉由在第一電漿清潔製程期間監測真空前級管道中的排氣壓力，確定在第一電漿清潔製程期間的兩個或更多個時間間隔處的第一腔室前級管道壓力。該方法進一步包括繪製由兩個或更多個時間間隔限定的第一軌跡，其中第一軌跡限定作為時間的函數的第一腔室前級管道壓力。該方法進一步包括在處理腔室的不清潔的腔室環境中執行第二電漿清潔製程。該方法進一步包括藉由在第二電漿清潔製程期間監測真空前級管道中的排氣壓力，確定在第二電漿清潔製程期間的兩個或更多個時間間隔處的第二腔室前級管道壓力。該方法進一步包括確定由兩個或更多個時間間隔限定的第二軌跡，其中第二軌跡限定作為時間的函數的第二腔室前級管道壓力。該方法進一步包括將第一軌跡與第二軌跡進行比較，以確定清潔終點時間。
在又另一實施方式中，提供一種終點偵測方法。該方法包括在第一處理腔室的清潔的腔室環境中執行第一電漿清潔製程，其中第一處理腔室經由第一真空前級管道而與第一真空泵耦接。該方法進一步包括藉由在第一電漿清潔製程期間監測第一真空前級管道中的排氣壓力，確定在第一電漿清潔製程期間的兩個或更多個時間間隔處的第一腔室前級管道壓力。該方法進一步包括繪製由兩個或更多個時間間隔限定的第一軌跡，其中第一軌跡限定作為時間的函數的第一腔室前級管道壓力。該方法進一步包括在第二處理腔室的不清潔的腔室環境中執行第二電漿清潔製程，其中第二處理腔室經由第二真空前級管道而與第二真空泵耦接。該方法進一步包括藉由在第二電漿清潔製程期間監測第二真空前級管道中的排氣壓力，確定在第二電漿清潔製程期間的兩個或更多個時間間隔處的第二腔室前級管道壓力。該方法進一步包括確定由兩個或更多個時間間隔限定的第二軌跡，其中第二軌跡限定作為時間的函數的第二腔室前級管道壓力。該方法進一步包括將第一軌跡與第二軌跡進行比較，以確定清潔終點時間。
以下揭示內容描述用於確定基板處理腔室中的清潔終點的技術。某些細節在以下描述和圖1至圖6中闡明以提供對本揭示內容的各種實施方式的透徹理解。描述通常與沉積系統、電漿處理系統和清潔方法關聯的熟知的結構和系統的其他細節並未在以下揭示內容中闡明，以避免使各種實施方式的描述不必要地模糊。
附圖中圖示的許多細節、尺寸、角度和其他特徵僅圖示了特定實施方式。因此，其他實施方式在不背離本揭示內容的精神或範圍的情況下，可以具有其他細節、部件、尺寸、角度和特徵。另外，本揭示內容的另外實施方式可以在無若干下述細節的情況下實踐。
下文將參考可使用任何合適的薄膜沉積系統執行的電漿清潔製程來描述本文中描述的實施方式。合適的系統的實例包括可從加利福尼亞州聖克拉拉市的應用材料公司(Applied Materials, Inc., of Santa Clara, Calif.)商購的PRECISION 5000®系統、PRODUCER®系統、PRODUCER® GTTM 系統、PRODUCER® SETM 系統和可使用DXZ®處理腔室的CENTURA®系統。有能力執行清潔終點偵測製程的其他工具也可適於從本文中描述的實施方式中受益。另外，可有利地使用能夠使本文中描述的清潔終點偵測製程實現的任何系統。本文中描述的設備描述是示例性的，而不應當理解或解釋為限制本文中描述的實施方式的範圍。
本揭示內容的實施方式大體係關於用於清潔處理腔室的方法。更特定地，本文中描述的實施方式係關於用於確定處理腔室清潔終點的方法。在一些實施方式中，提供一種用於偵測清潔終點的「虛擬感測器」。「虛擬感測器」基於監測腔室前級管道壓力在腔室的清潔期間的趨勢，腔室的清潔涉及例如藉由與如氟電漿的蝕刻劑反應而將腔室部件上的固體沉積膜轉化為氣態副產物。已經藉由將「虛擬感測器」回應與基於紅外的光學量測進行比較而確認了「虛擬感測器」的有效性。在另一實施方式中，提供考慮到因設施設計和隨時間的前級管道堵塞而造成的前級管道壓力差的方法。
在一個實施方式中，提供一種用於偵測清潔終點的方法。該方法包括在處於清潔狀態(例如，無沉積膜)的處理腔室中執行清潔製程並且獲得前級管道壓力對時間的軌跡。隨後，在處理腔室中有意沉積CVD膜或一些膜的情況下執行清潔製程並且獲得前級管道壓力對時間的第二軌跡。在第一軌跡和第二軌跡相遇處，確定已清潔的腔室狀態和清潔終點。在兩條曲線之間的陰影區域與沉積在處理腔室中的膜的量成比例，並且已表明了與沉積在處理腔室中的膜厚度為線性關係。
在另一實施方式中，提供監測清潔製程的可重複性的方法。監測清潔製程的可重複性的方法包括跟蹤（track）在清潔製程期間的在一段時間內且跨多個腔室的前級管道面積與時間的關係。因例如隨時間在前級管道中的堆積和/或不同的粗泵-泵-腔室管線長度和直徑而造成的前級管道壓力變化能夠是腔室間的差異的來源。監測清潔製程的可重複性的方法依賴於此類事實：在清潔製程期間的前級管道壓力變化與在清潔製程結束(或當惰性氣體流過腔室或沒有氣體流過腔室時的另一個點)時監測到的前級管道壓力相關。清潔製程的可重複性的方法可以用來預測隨時間的跨多個腔室和/或針對一個腔室的前級管道壓力回應。
圖1圖示了根據本文中描述的一個或多個實施方式的用於確定清潔製程終點的方法100的操作。在操作110處，在清潔的腔室環境中執行第一電漿清潔製程。如本文描述的，清潔的腔室環境是在腔室處理容積內的各種部件上實質上不含有或不含有材料沉積物的腔室環境。電漿清潔製程可以利用原位產生的電漿，或者電漿可以是異位(例如，遠端)產生的。可利用合適的電漿產生技術(諸如電感耦合、電容耦合或熱電漿產生技術)來形成清潔電漿。
可利用各種清潔化學品來形成清潔電漿。用於形成清潔電漿的合適的前驅物材料包括含氟化學品、含氯化學品、含氧化學品和類似化學品。應考慮到，清潔電漿化學品可被選擇為與沉積在腔室環境中的材料反應。在一個實施方式中，在第一電漿清潔製程期間利用氟自由基(例如，由NF3 形成)。操作110通常被執行為用以限定用於電漿清潔製程(諸如操作140的電漿清潔製程)的後續比較的基線基準。
圖2圖示了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的描繪作為關於在清潔的腔室環境中和不清潔的腔室環境中執行的清潔製程的清潔時間的函數的腔室前級管道壓力的圖表200。第一軌跡210表示在清潔的腔室環境中作為時間的函數的腔室前級管道壓力，並且第二軌跡220表示在不清潔的腔室環境中作為時間的函數的腔室前級管道壓力。如圖所示，第二軌跡220的斜率最初隨時間而略微增加，相信此種增加可能是由於藉由將不清潔的腔室環境中的固體膜轉化為氣態副產物而增加了在清潔製程期間形成的氣態副產物造成的，此增加了腔室前級管道中的壓力。
返回參考圖1，方法100在操作120處藉由在第一電漿清潔製程期間在兩個或更多個時間間隔230、240(參見圖2)處確定腔室前級管道壓力而繼續進行。儘管描繪兩個時間間隔，但是設想的是，可選擇更多時間間隔來監測前級管道壓力隨時間的變化。前級管道壓力變化速率是指前級管道壓力在特定的時間量內的變化，例如托/秒。如圖2所示，在第一時間間隔230和第二時間間隔240處確定前級管道壓力速率。在一個實施方式中，第一前級管道壓力速率可對應於第一時間間隔230，並且第二前級管道壓力速率可對應於第二時間間隔240。
在操作130處，繪製由兩個或更多個時間間隔230、240限定的第一軌跡210。在一個實施方式中，第一軌跡210是藉由繪製腔室前級管道壓力隨時間的變化而確定。因此，第一軌跡210大體上限定了清潔的腔室環境的隨時間變化的前級管道壓力速率。
在操作140處，在不清潔的腔室環境中執行第二電漿清潔製程。不清潔的腔室環境與清潔腔室環境的不同之處在於在不清潔的腔室環境中的各種部件上存在材料沉積物。在一個實施方式中，第二電漿清潔製程類似於第一電漿清潔製程。因此，在第一電漿清潔製程和第二電漿清潔製程兩者中可以利用相同或類似的化學品和處理條件。
在操作150處，在第二電漿清潔製程期間在兩個或更多個時間間隔230、240處確定腔室前級管道壓力。第二軌跡220表示在不清潔的腔室環境中作為時間的函數的腔室前級管道壓力。一般來說，在操作120期間使用的時間間隔是在操作150期間使用的相同時間間隔。類似於第一前級管道壓力速率，第二前級管道壓力速率是指前級管道壓力在特定的時間量內的變化，例如托/秒。如上所述，可在第一時間間隔230和第二時間間隔240處確定第二前級管道壓力速率。
在操作160處，繪製由兩個或更多個時間間隔230、240限定的第二軌跡220。類似於在操作130中確定第一軌跡210，第二軌跡220是藉由繪製在第二電漿清潔製程期間腔室前級管道壓力隨時間的變化而確定。因此，第二軌跡220大體上限定了不清潔的腔室環境的隨時間變化的第二前級管道壓力。
應當注意，相信第一軌跡210與第二軌跡220之間的增量（delta）260是由於在第二電漿清潔製程期間因污染物膜向氣體的轉化而造成氣態副產物增加導致的。
在操作170處，將第一軌跡210與第二軌跡220進行比較，以確定清潔終點時間250。清潔終點時間由第一軌跡210和第二軌跡220的相交時間表示。
選擇性地，在確定清潔時間終點後，可以將附加的清潔時間量添加到清潔時間終點，以確保完全清潔。在一個實施方式中，附加的清潔時間量小於總清潔時間的約5% (例如，在總清潔時間的約1%至約5%之間)。
在一些實施方式中，使用在操作170中確定的清潔終點時間執行腔室清潔。例如，在一些實施方式中，在不清潔的腔室環境中執行第三電漿清潔製程，其中第三電漿清潔製程在清潔終點時間結束。第三電漿清潔製程可以在與第一電漿清潔製程和/或第二電漿清潔製程相同的處理腔室中執行。
圖3示意性地圖示了其中可實現方法100和方法400的實施方式的處理系統300。設想的是，本文中描述的方法100提供有利的原位清潔終點確定而不需要利用與常規終點偵測製程關聯的外部設備。處理系統300包括分別耦接到第一處理腔室306和第二處理腔室308的第一遠端電漿源302和第二遠端電漿源304。在執行清潔製程後，第一處理腔室306和第二處理腔室308一般經由與排氣裝置350流體耦接的真空前級管道310而抽空。第一處理腔室306和第二處理腔室308經由真空前級管道310與真空泵320流體耦接。壓力感測器330沿著真空前級管道310定位，以用於量測真空前級管道310中的排氣壓力。在一個實施方式中，腔室前級管道閥340被放置在真空前級管道310的一區段處，該區段在真空前級管道310連接到第一處理腔室306和第二處理腔室308的位置下游且在真空前級管道310和真空泵320的相遇處的上游。腔室前級管道閥340能夠控制第一處理腔室306與第二處理腔室308之間的流體連通的量。在一個實施方式中，腔室前級管道閥340是被配置為控制真空前級管道310中的氣體流率和/或第一處理腔室306和第二處理腔室308內的壓力的節流閥。
處理系統300進一步包括控制器370。控制器370包括中央處理單元(CPU) 372、記憶體374和用來控制製程順序和調節氣體流的支援電路376。CPU 372可為可用於工業環境的任何形式的通用電腦處理器。軟體常式可以儲存在記憶體374 (諸如隨機存取記憶體、唯讀記憶體、軟碟或硬碟驅動器，或者其他形式的數位儲存裝置)中。支援電路376常規地耦接到CPU 372，並且可以包括快取記憶體、時鐘電路、輸入/輸出系統、電源及類似裝置。經由許多信號電纜(統稱信號匯流排380，其中一些在圖3中圖示)管理在控制器370與處理系統300的各種部件之間的雙向通信。儘管處理系統300描繪兩個處理腔室，但是應當理解，可以在包括任何數量的處理腔室的處理系統上實踐本文中描述的方法。例如，在一個實施方式中，在包括經由前級管道與真空泵耦接的單個處理腔室的處理系統上實踐本文中描述的方法。
圖4圖示根據本文中描述的一個或多個實施方式的用於確定清潔製程的可重複性的方法400的操作。確定清潔製程的可重複性的方法400包括跟蹤在清潔製程期間的在一段時間內且跨多個腔室的作為時間的函數的前級管道面積。監測清潔製程的可重複性的方法400依賴於此類事實：在清潔製程期間的前級管道壓力變化與在清潔製程結束(或當有惰性氣體流過腔室或沒有氣體流過腔室時在清潔製程期間的另一個點)時監測到的前級管道壓力相關。圖5圖示了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的描繪作為前級管道壓力的函數的面積的圖表500。圖6圖示了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的描繪作為清潔時間的函數的腔室前級管道壓力的圖表600。將結合論述圖4至圖6。圖5和圖6將用來解釋圖4的流程圖中描繪的方法400。
圖5圖示了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的描繪作為前級管道壓力的函數的面積的圖表500。圖表500描繪了作為x軸上的前級管道壓力(托)的函數的y軸上的面積(托×秒)。軌跡502表示前級管道壓力或「PF」校準曲線。在一些實施方式中，使用群隊資料（fleet data）憑經驗確定軌跡502。可藉由清潔一個或多個處理腔室並且為每個腔室和清潔製程監測前級管道壓力隨時間的變化來獲得群隊資料。例如，如圖5所示，群隊資料從對第一腔室「CH-1」執行的清潔製程和對第二腔室「CH-2」執行的清潔製程獲得。對於每個清潔製程運作過程，前級管道壓力的變化被繪製為時間的函數，此類似於圖表600中描繪的曲線602。如下文論述的確定每個清潔運作過程的穩態壓力(PFs)，並且確定在曲線下方的面積「A」。使用來自每個清潔運作過程的資料，面積「A」被繪製為PFs的函數。軌跡502表示從每個清潔運作過程繪製的資料的最佳擬合線。
圖6圖示了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的描繪作為腔室清潔製程的清潔時間的函數的腔室前級管道壓力的圖表600。圖表600描繪了作為x軸上的時間(秒)的函數的y軸上的腔室前級管道壓力(托)。第一軌跡可藉由繪製在腔室清潔製程期間的腔室前級管道壓力隨時間的變化而確定。在一個實施方式中，類似於操作140的製程，腔室清潔製程在不清潔的腔室環境中執行。因此，曲線602大體上限定了在腔室清潔製程期間的作為時間的函數的前級管道壓力。時間「t0 」表示腔室清潔製程的開始。時間「t1 」表示前級管道壓力穩定至在「t1 」與「t2 」之間描繪的穩定前級管道壓力(PFs)時的時間。時間「t2 」表示腔室清潔製程的結束。
返回參考圖4，在操作402處，設定選擇的前級管道壓力範圍PF最小 ＜PF ＜PF最大 。所選擇的前級管道壓力範圍包括最小前級管道壓力範圍(PF最小 )和最大前級管道壓力範圍(PF最大 )。在一個實施方式中，所選擇的前級管道壓力範圍由使用者設定。操作402的所選擇的前級管道壓力範圍可基於若干因素而選擇。例如，在一些實施方式中，所選擇的前級管道壓力範圍是基於用來獲得校準曲線(例如，軌跡502)所依據的資料的前級管道壓力範圍而選擇。在一些實施方式中，前級管道壓力範圍可基於關於給定工具、氣體負載和製造設施佈局的前級管道壓力的先前資料而選擇。例如，在如圖5所示一個示例性製程中，PF最小 被限定為約0.4托，並且PF最大 被限定為約1托。
在操作402期間，建立誤差值(「e」)。在一個實施方式中，誤差值「e」基於實際前級管道壓力與來自先前清潔運作過程的所選擇的前級管道壓力之間的差值。在一個實施方式中，誤差值「e」基於來自關於給定工具、氣體負載和/或製造設施佈局的前級管道壓力的先前資料的先前誤差值「e」。在一個實施方式中，誤差值「e」由使用者限定。在一些實施方式中，誤差值「e」基於校準曲線(例如，軌跡502)的R2 或餘量（residual）。在一個示例性製程中，誤差值「e」被選擇為0.02。
在操作404處，使用隨時間的群隊資料建立如圖5描繪的前級管道壓力「PF」等式。在一個實施方式中，群隊資料是藉由跟蹤在清潔製程期間的在一段時間內且跨多個腔室的前級管道面積與時間的關係確定的，如上文所論述。參考圖5，圖表500中描繪了「PF」等式。x軸上的前級管道壓力由在操作402期間所限定的PF最小 (例如，0.4托)和PF最大 (例如，1托)限定。
在操作406處，穩定前級管道壓力(PFs )從圖6中描繪的圖表600中確定。參考圖6，通常藉由沿著曲線602定位曲線602的斜率接近於零的點「t1 」而確定PFs。例如，如圖表600描繪的，曲線602的在「t1 」與「t2 」之間的平坦部分表示穩定的或穩定前級管道壓力PFs 。曲線602的平坦部分被外推到y軸以確定PFs。例如，在圖表600中，PFs為約0.52托。
在操作408處，從圖6的圖表600中描繪的清潔製程的0 ＜t ＜t1 期間的腔室前級管道壓力(「P」)與時間(t)的關係而獲得面積「A」。該面積由陰影區域604表示。該面積藉由計算由「t0 」到「t1 」和曲線602限定的陰影區域604的面積而確定。
在操作410處，藉由使用在操作406中確定的PFs 和軌跡502而確定理論面積(「Ao 」)。PFs位於圖表500的x軸上，並且理論面積(「Ao 」)使用軌跡502在y軸上找出。例如，使用如操作406中確定的約0.52的PFs，理論面積A0 為約77托×秒。
在操作412處，藉由計算在操作408中確定的實際面積「A」與在操作410期間確定的理論面積「Ao 」的比率而確定比率「X」。
在操作414處，確定在操作406期間確定的PFs是否落入在操作402中限定的壓力範圍內。若PFs落入在所限定的壓力範圍(PF最小 ＜PF ＜PF最大 )內，則製程繼續到操作416。例如，0.52的PFs落入在0.4托的PF最小 與1托的PF最大 的限定範圍內。
在操作416處，確定比率X是否落入在來自操作402的使用者限定的誤差值的範圍內。若比率X落入在由使用者限定的誤差值限定的範圍內，則製程在操作420處結束。若比率X沒有落入在由使用者限定的誤差值限定的範圍內，則在操作422處發出腔室清潔不在規格內的警告。使用者可回應於所發出的警告執行以下操作中的一者：比較軌跡並且調查是否影響(1)任何膜特性，包括但不限於顆粒效能；(2)用於清潔的遠端電漿單元是否正常運作；(3)在清潔前是否沉積了適當的膜；和/或(4)是否已經改變任何熱邊界條件。在一個實施方式中，基於操作422的更新結果而執行腔室清潔。
若比率PFs沒有落入在所限定的壓力範圍內，則製程繼續至操作418。在操作418期間，檢查在操作404期間建立的等式在PF最小 、PF最大 範圍外的有效性。藉由檢查A/Ao=X是否仍然在所規定的誤差限制內來檢查有效性。若A/Ao=X在所規定的誤差限制內，則可使用附加的資料點來擴展PF範圍的有效性。在操作402期間限定的PF最小 和/或PF最大 在適當時在操作424處可擴展或更新以供將來使用。可以使用已更新的PF最小 和/或PF最大 清潔腔室。
總之，本揭示內容的一些實施方式的一些益處提供監測清潔終點的製程，其提供了對清潔終點的更準確的偵測、改進的腔室清潔和減少的腔室停機時間。本文中描述的一些實施方式克服對用於偵測清潔終點的節流閥角度和使用腔室壓力偵測清潔終點的若干挑戰和限制。另外，本文中描述的一些實施方式相對於當前可用的光學感測器改良了可靠性和成本。
本揭示內容的實施方式和本說明書中描述的所有功能操作可以數位電子電路系統或電腦軟體、韌體或硬體(包括本說明書中揭示的結構構件和其結構等同物)或以上項的組合實現。本揭示內容的實施方式可以被實現為一個或多個電腦程式產品(亦即，有形地體現於機器可讀儲存媒體中的一個或多個電腦程式)，以便由資料處理設備(例如，可程式設計處理器、電腦或多個處理器或電腦)執行或用於控制資料處理設備的操作。電腦程式(也被稱為程式、軟體、軟體應用程式或代碼)可以任何形式的程式設計語言(包括編譯語言或解譯語言)編寫，並且可以任何形式(包括作為獨立程式或作為適用於在計算環境中使用的模組、部件、子常式或其他單元)部署。電腦程式不一定對應於一檔。程式可以儲存在保存其他程式或資料的檔的一部分中，儲存在專用於相關程式的單個檔中，或者儲存在多個協調檔(例如，儲存一個或多個模組、副程式或部分代碼的檔)中。電腦程式可部署為在一台電腦上執行，或者在一個位點處或跨多個位點分佈並由通信網路互連的多台電腦上執行。
本說明書中描述的製程和邏輯流程可由一個或多個可程式設計處理器執行，該一個或多個可程式設計處理器執行一個或多個電腦程式以藉由對輸入資料執行操作和產生輸出來執行功能。製程和邏輯流程也可由專用邏輯電路系統(例如，FPGA(現場可程式設計閘陣列)或ASIC(特殊應用積體電路))執行，並且設備可以被實現為專用邏輯電路系統。
在介紹本揭示內容的要素或其示例性態樣或實施方式時，冠詞「一」、「一個/一種」、「該」和「所述」意欲表示存在此等要素中的一個或多個。
術語「包含」、「包括」和「具有」意欲是包括性的，並且表示除了所列出的要素之外可存在附加要素。
儘管前述內容針對本揭示內容的實施方式，但是也可在不脫離本揭示內容的基本範圍的情況下設計本揭示內容的其他和另外的實施方式，並且本揭示內容的範圍由隨附的申請專利範圍確定。
100‧‧‧方法110‧‧‧操作120‧‧‧操作130‧‧‧操作140‧‧‧操作150‧‧‧操作160‧‧‧操作170‧‧‧操作200‧‧‧圖表210‧‧‧第一軌跡220‧‧‧第二軌跡230‧‧‧第一時間間隔240‧‧‧第二時間間隔250‧‧‧清潔終點時間260‧‧‧增量300‧‧‧處理系統302‧‧‧第一遠端電漿源304‧‧‧第二遠端電漿源306‧‧‧第一處理腔室308‧‧‧第二處理腔室310‧‧‧真空前級管道320‧‧‧真空泵330‧‧‧壓力感測器340‧‧‧腔室前級管道閥350‧‧‧排氣裝置370‧‧‧控制器372‧‧‧CPU374‧‧‧記憶體376‧‧‧支援電路380‧‧‧信號匯流排400‧‧‧方法402‧‧‧操作404‧‧‧操作406‧‧‧操作408‧‧‧操作410‧‧‧操作412‧‧‧操作414‧‧‧操作416‧‧‧操作418‧‧‧操作420‧‧‧操作422‧‧‧操作424‧‧‧操作500‧‧‧圖表502‧‧‧軌跡600‧‧‧圖表602‧‧‧曲線604‧‧‧陰影區域
為了能夠詳細理解本揭示內容的上述特徵結構所用方式，可藉由參考實施方式獲得上文簡要概述的實施方式的更具體的描述，一些實施方式示於附圖中。然而，應當注意，附圖僅圖示了本揭示內容的典型實施方式，並且因此不應視為限制本揭示內容的範圍，因為本揭示內容可允許其他等效的實施方式。
圖1圖示了根據本文中描述的一個或多個實施方式的用於確定清潔製程終點的方法的操作；
圖2圖示了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的描繪作為關於在清潔的腔室環境中和不清潔的腔室環境中執行的清潔製程的清潔時間的函數的腔室前級管道壓力的圖表；
圖3是可實踐本揭示內容的實施方式的處理系統的示意圖；
圖4圖示了根據本文中描述的一個或多個實施方式的用於確定清潔製程的可重複性的方法的操作；
圖5圖示了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的描繪作為前級管道壓力的函數的面積的圖表；以及
圖6圖示了根據本揭示內容的一個或多個實施方式的描繪作為清潔時間的函數的腔室前級管道壓力的圖表。
為了便於理解，已儘可能使用相同標號表示附圖間共有的相同要素。應考慮到，一個實施方式的要素和特徵可有利地併入其他實施方式，而無需再贅述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100‧‧‧方法
110‧‧‧操作
120‧‧‧操作
130‧‧‧操作
140‧‧‧操作
150‧‧‧操作
160‧‧‧操作
170‧‧‧操作

Claims (18)

  1. 一種終點偵測方法，包括以下步驟：在一清潔的腔室環境中執行一第一電漿清潔製程；在該第一電漿清潔製程期間在兩個或更多個時間間隔處確定一第一腔室前級管道壓力；繪製由兩個或更多個時間間隔限定的一第一軌跡，其中該第一軌跡限定作為時間的一函數的該第一腔室前級管道壓力；在一不清潔的腔室環境中執行一第二電漿清潔製程；在該第二電漿清潔製程期間在兩個或更多個時間間隔處確定一第二腔室前級管道壓力；確定由兩個或更多個時間間隔限定的一第二軌跡，其中該第二軌跡限定作為時間的一函數的該第二腔室前級管道壓力；以及將該第一軌跡與該第二軌跡進行比較，以確定一清潔終點時間，其中該清潔終點時間在該第一軌跡和該第二軌跡實質上相等時出現。
  2. 如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：使用該清潔終點時間清潔一處理腔室。
  3. 如請求項1所述的方法，其中該第一電漿清潔製程限定一基線基準。
  4. 如請求項1所述的方法，其中該清潔的腔室環境實質上不含有材料沉積物。
  5. 如請求項1所述的方法，其中該第一電漿清潔製程和該第二電漿清潔製程利用一含氟化學品、一含氯化學品、一含氧化學品或以上項的組合。
  6. 如請求項1所述的方法，其中該第一電漿清潔製程和該第二電漿清潔製程是遠端電漿清潔。
  7. 如請求項1所述的方法，其中用於該第一電漿清潔製程的該兩個或更多個時間間隔和用於該第二電漿清潔製程的該兩個或更多個時間間隔是相同的。
  8. 如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：在確定該清潔終點時間後，將小於一總清潔時間的約5%的一清潔時間量添加到該清潔終點時間。
  9. 一種終點偵測方法，包括以下步驟：在一處理腔室的一清潔的腔室環境中執行一第一電漿清潔製程，其中該處理腔室經由一真空前級管道而與一真空泵耦接；藉由在該第一電漿清潔製程期間監測該真空前級管道中的一排氣壓力，確定在該第一電漿清潔製程期間的兩個或更多個時間間隔處的一第一腔室前級管道壓力； 繪製由該兩個或更多個時間間隔限定的一第一軌跡，其中該第一軌跡限定作為時間的一函數的該第一腔室前級管道壓力；在該處理腔室的一不清潔的腔室環境中執行一第二電漿清潔製程；藉由在該第二電漿清潔製程期間監測該真空前級管道中的該排氣壓力，確定在該第二電漿清潔製程期間的兩個或更多個時間間隔處的一第二腔室前級管道壓力；確定由兩個或更多個時間間隔限定的一第二軌跡，其中該第二軌跡限定作為時間的一函數的該第二腔室前級管道壓力；以及將該第一軌跡與該第二軌跡進行比較，以確定一清潔終點時間，其中該清潔終點時間在該第一軌跡和該第二軌跡實質上相等時出現。
  10. 如請求項9所述的方法，進一步包括以下步驟：在一不清潔的腔室環境中執行一第三電漿清潔製程，其中該第三電漿清潔製程在該清潔終點時間結束。
  11. 如請求項9所述的方法，其中該排氣壓力經由與該真空前級管道耦接的一壓力感測器監測。
  12. 如請求項9所述的方法，其中該清潔的腔 室環境實質上不含有材料沉積物。
  13. 如請求項9所述的方法，其中該第一電漿清潔製程和該第二電漿清潔製程利用一含氟化學品、一含氯化學品、一含氧化學品或以上項的組合。
  14. 如請求項9所述的方法，其中該第一電漿清潔製程和該第二電漿清潔製程是遠端電漿清潔。
  15. 如請求項9所述的方法，其中用於該第一電漿清潔製程的該兩個或更多個時間間隔和用於該第二電漿清潔製程的該兩個或更多個時間間隔是相同的。
  16. 如請求項9所述的方法，進一步包括以下步驟：在確定該清潔終點時間後，將小於一總清潔時間的約5%的一清潔時間量添加到該清潔終點時間。
  17. 一種終點偵測方法，包括以下步驟：在一第一處理腔室的一清潔的腔室環境中執行一第一電漿清潔製程，其中該第一處理腔室經由一第一真空前級管道而與一第一真空泵耦接；藉由在該第一電漿清潔製程期間監測該第一真空前級管道中的排氣壓力，確定在該第一電漿清潔製程期間的兩個或更多個時間間隔處的一第一腔室前級管道壓力； 繪製由該兩個或更多個時間間隔限定的一第一軌跡，其中該第一軌跡限定作為時間的一函數的該第一腔室前級管道壓力；在一第二處理腔室的一不清潔的腔室環境中執行一第二電漿清潔製程，其中該第二處理腔室經由一第二真空前級管道而與一第二真空泵耦接；藉由在該第二電漿清潔製程期間監測該第二真空前級管道中的排氣壓力，確定在該第二電漿清潔製程期間的兩個或更多個時間間隔處的一第二腔室前級管道壓力；確定由兩個或更多個時間間隔限定的一第二軌跡，其中該第二軌跡限定作為時間的一函數的該第二腔室前級管道壓力；以及將該第一軌跡與該第二軌跡進行比較，以確定一清潔終點時間，其中該清潔終點時間在該第一軌跡和該第二軌跡實質上相等時出現。
  18. 如請求項17所述的方法，進一步包括以下步驟：在一不清潔的腔室環境中執行一第三電漿清潔製程，其中該第三電漿清潔製程在該清潔終點時間處結束。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024040004A1 (en) * 2022-08-17 2024-02-22 Mks Instruments, Inc. Methods and systems for endpoint detection in foreline of chamber clean and foreline clean processes

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6017414A (en) * 1997-03-31 2000-01-25 Lam Research Corporation Method of and apparatus for detecting and controlling in situ cleaning time of vacuum processing chambers
US20090041925A1 (en) * 2007-06-13 2009-02-12 Advanced Refurbishment Technologies Llc System and Method for Endpoint Detection of a Process in a Chamber
WO2016171845A1 (en) * 2015-04-23 2016-10-27 Applied Materials, Inc. In-situ etch rate determination for chamber clean endpoint

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5453125A (en) 1994-02-17 1995-09-26 Krogh; Ole D. ECR plasma source for gas abatement
US6888040B1 (en) 1996-06-28 2005-05-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for abatement of reaction products from a vacuum processing chamber
US5910011A (en) * 1997-05-12 1999-06-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring processes using multiple parameters of a semiconductor wafer processing system
US6079426A (en) * 1997-07-02 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for determining the endpoint in a plasma cleaning process
US6291938B1 (en) 1999-12-31 2001-09-18 Litmas, Inc. Methods and apparatus for igniting and sustaining inductively coupled plasma
US6156667A (en) 1999-12-31 2000-12-05 Litmas, Inc. Methods and apparatus for plasma processing
US7355171B2 (en) * 2002-01-29 2008-04-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for process monitoring and control
US7323399B2 (en) * 2002-05-08 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Clean process for an electron beam source
US20040055708A1 (en) * 2002-09-24 2004-03-25 Infineon Technologies Richmond, Lp Apparatus and method for in-situ cleaning of borosilicate (BSG) and borophosphosilicate (BPSG) films from CVD chambers
GB0522088D0 (en) 2005-10-28 2005-12-07 Boc Group Plc Plasma abatement device
US8932430B2 (en) 2011-05-06 2015-01-13 Axcelis Technologies, Inc. RF coupled plasma abatement system comprising an integrated power oscillator
KR101456110B1 (ko) * 2007-09-17 2014-11-03 주성엔지니어링(주) 챔버세정의 식각종점 검출방법
JP5410950B2 (ja) 2009-01-15 2014-02-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US8742665B2 (en) 2009-11-18 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Plasma source design
US8771538B2 (en) 2009-11-18 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Plasma source design
US8747762B2 (en) 2009-12-03 2014-06-10 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for treating exhaust gas in a processing system
US8987678B2 (en) 2009-12-30 2015-03-24 Fei Company Encapsulation of electrodes in solid media
US20110204023A1 (en) 2010-02-22 2011-08-25 No-Hyun Huh Multi inductively coupled plasma reactor and method thereof
US8508134B2 (en) 2010-07-29 2013-08-13 Evgeny Vitalievich Klyuev Hall-current ion source with improved ion beam energy distribution
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8880210B2 (en) * 2011-07-15 2014-11-04 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing substrates using model-based control
WO2013076966A1 (ja) 2011-11-22 2013-05-30 株式会社神戸製鋼所 プラズマ発生源及びこれを備えた真空プラズマ処理装置
US9867238B2 (en) 2012-04-26 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for treating an exhaust gas in a foreline
JP5973850B2 (ja) * 2012-09-03 2016-08-23 大陽日酸株式会社 クリーニング終点検知方法
US20140262033A1 (en) 2013-03-13 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Gas sleeve for foreline plasma abatement system
US10309013B2 (en) * 2013-03-15 2019-06-04 Applied Materials, Inc. Method and system for identifying a clean endpoint time for a chamber
US9622375B2 (en) 2013-12-31 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution
US9230780B2 (en) 2014-03-06 2016-01-05 Applied Materials, Inc. Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source
US9240308B2 (en) 2014-03-06 2016-01-19 Applied Materials, Inc. Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source, an abatement system, and vacuum processing system
US9378928B2 (en) 2014-05-29 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Apparatus for treating a gas in a conduit
US10115571B2 (en) 2014-06-04 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Reagent delivery system freeze prevention heat exchanger

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6017414A (en) * 1997-03-31 2000-01-25 Lam Research Corporation Method of and apparatus for detecting and controlling in situ cleaning time of vacuum processing chambers
US20090041925A1 (en) * 2007-06-13 2009-02-12 Advanced Refurbishment Technologies Llc System and Method for Endpoint Detection of a Process in a Chamber
WO2016171845A1 (en) * 2015-04-23 2016-10-27 Applied Materials, Inc. In-situ etch rate determination for chamber clean endpoint

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