CN103374710A - 反应腔的清洗方法、反应腔的清洗系统 - Google Patents
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Abstract
一种反应腔的清洗方法、反应腔的清洗系统。所述反应腔的清洗方法包括：先采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔，再采用原位等离子体清洗工艺清洗所述反应腔，使清洗后反应腔中沉积物残留量达到预设值；所述远程等离子体清洗工艺的时间小于所述原位等离子体清洗工艺的时间。本发明既可以减小清洗时间，又可以提高清洗均匀性，还可以降低清洗气体的使用量。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及的是反应腔的清洗方法、反应腔的清洗系统。
背景技术
在半导体或者太阳能生产工艺中，需要定期清洗反应腔室内表面、气体分配板表面、遮盖物表面、固定件表面等等，避免因此产生的污染影响产品的质量。
现有的清洗工艺包括喷砂、湿洗、原位等离子体（in situ plasma）清洗、远程等离子体（remote plasma source，RPS）清洗等。
喷砂是采用压缩空气为动力，以形成调整喷射束将喷料高速喷射到需要处理的工件表面，由于磨料对表面的冲击和切削作用，使工件表面获得一定的清洁度，从而达到清洗的目的。
湿洗是采用化学品擦洗的方式，对腔体内的残留物进行清洗和擦拭。
原位等离子体清洗主要是在反应腔体内利用射频源将清洗气体电离，依靠等离子体中活性粒子与污染物反应生成易挥发性的物质，从而达到去除表面污渍的目的。
远程等离子体清洗是在反应腔外将清洗气体电离，再利用气流等将等离子体引入反应腔，以达到清洗的目的。
由于喷砂、湿洗工艺等需要进行开腔处理，不仅清洗时间需要占用大量的设备时间，也易引起腔室内部部件的损坏。因此现在在反应腔清洗方面，主要采用原位等离子体清洗或远程等离子体清洗。
使用原位等离子体清洗工艺清洗多个反应腔时，各个腔体可以独立控制，相互独立进行清洗。当保持各个腔体中气体流量、腔室压力以及电源功率一致，即可以较好地保证腔体间清洗速率的一致性。但是，对于大尺寸的反应腔，此种清洗方式对腔体内部的清洗速度大于对腔体边缘的清洗速度，从而导致清洗不均匀，清洗效果差。此外，每个反应腔需要单独配置一台电源，且电源最高功率约为远程等离子体清洗工艺的1/5，对清洗气体（如：NF3）的解离能力约为远程等离子体清洗工艺的1/3，最终导致清洗时间过长，增加了产品生产成本。
使用远程等离子体清洗时，电源功率高，对清洗气体的解离率接近100%，清洗效率高，并且对腔件的损伤小。但是清洗气体经RPS解离后，由共同路径传输进入一个或多个待清洗反应腔体，易产生以下四个问题：1）由于流阻不易控制，气流量分配至每个腔室不一致，易导致腔体之间清洗速度不一致，而速度最慢的腔体将决定最终清洗时间，从而导致清洗时间较长；2）传输路径长且到达各个腔室的路径长度也不一致，活性粒子复合损失率不仅高，每个腔室间的复合损失率也不一致，最终导致清洗不均匀；3）清洗气体经RPS解离后，由反应腔外部边缘向反应腔内部扩散迁移，导致腔体边缘的清洗速度大于腔体内部的清洗速度，清洗不均匀；4）RPS对清洗气体的使用量远远高于原位等离子体清洗方式，而清洗气体成本较高，从而增加了产品生产成本。
因此，如何减小清洗时间、提高清洗均匀性且降低清洗气体的使用量就成为本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供两种反应腔的清洗方法和一种反应腔的清洗系统，既可以减小清洗时间，又可以提高清洗均匀性，还可以降低清洗气体的使用量。
为解决上述问题，本发明提供了一种反应腔的清洗方法，包括：先采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔，再采用原位等离子体清洗工艺清洗所述反应腔，使清洗后反应腔中沉积物残留量达到预设值；所述远程等离子体清洗工艺的时间小于所述原位等离子体清洗工艺的时间。
可选地，所述远程等离子体清洗工艺的时间与所述原位等离子体清洗工艺的时间之比大于或等于九分之一且小于1。
可选地，所述远程等离子体清洗工艺的时间通过以下方式确定：获取仅采用远程等离子体清洗工艺清洗所述反应腔的第一时间，将所述第一时间的十分之一~五分之三对应的任一数值作为所述远程等离子体清洗工艺的时间。
可选地，所述远程等离子体清洗工艺的时间通过以下方式确定：在采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔的同时，检测所述反应腔中清洗气体的反应尾气中反应产物的量，当所述反应产物的量减至反应产物的峰值量的二十分之一~五分之一范围时，改用原位等离子体清洗工艺清洗所述反应腔。
可选地，所述原位等离子体清洗工艺的时间通过以下方式确定：在采用原位等离子体清洗工艺清洗反应腔的同时，检测所述反应腔中清洗气体的反应尾气中反应产物的量，当所述反应产物的量小于或等于阈值时，停止所述原位等离子体清洗工艺。
可选地，所述远程等离子体清洗工艺的清洗气体包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
可选地，所述原位等离子体清洗工艺中的清洗气体包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
可选地，所述反应腔为化学气相沉积腔。
可选地，所述化学气相沉积腔包括：等离子体化学气相沉积腔、等离子体增强化学气相沉积腔或常压化学气相沉积腔。
可选地，所述反应腔为等离子体反应腔。
可选地，所述等离子体反应腔为电容耦合等离子体反应腔或电感耦合等离子体反应腔。
可选地，所述远程等离子体清洗工艺中清洗气体流量与所述原位等离子体清洗工艺中清洗气体流量之比包括1:1~4:1。
可选地，所述远程等离子体清洗工艺中反应腔的压力范围包括：10Torr~40Torr；所述原位等离子体清洗工艺中反应腔的压力范围包括：0~1Torr。
可选地，所述沉积物包括：硅薄膜。
可选地，所述硅薄膜包括：非晶硅薄膜或微晶硅薄膜。
可选地，所述远程等离子体清洗工艺包括：通过一个远程等离子体源将清洗气体传输到多个反应腔中，同时清洗多个反应腔。
可选地，所述原位等离子体清洗工艺中每个反应腔的清洁功率独立可调。
为了解决上述问题，本发明还提供了一种反应腔的清洗系统，包括：
原位等离子体清洗装置，用于采用原位等离子体清洗工艺清洗反应腔；
远程等离子体清洗装置，用于采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔；
检测装置，设置在所述反应腔中，用于检测反应腔中沉积物的残留量，且将所述沉积物的残留量发送给控制器；
控制器，连接原位等离子体清洗装置、远程等离子体清洗装置和检测装置，先开启远程等离子体清洗装置清洗反应腔；经过一段时间后，关闭远程等离子体清洗装置且同时开启原位等离子体清洗装置清洗所述反应腔，当检测装置获取的沉积物的残留量等于预设值时，关闭原位等离子体清洗装置；
所述控制器记录远程等离子体清洗装置的清洗时间和原位等离子体清洗装置的清洗时间，所述远程等离子体清洗装置的清洗时间小于所述原位等离子体清洗装置的清洗时间。
可选地，所述远程等离子体清洗装置的清洗时间与所述原位等离子体清洗装置的清洗时间之比大于或等于九分之一且小于1。
可选地，在清洗所述反应腔之前，所述控制器开启所述远程等离子体清洗装置清洗反应腔，当检测装置获取的沉积物的残留量等于预设值时，关闭远程等离子体清洗装置；所述控制器记录此时远程等离子体清洗装置清洗所述反应腔的第一时间，将所述第一时间的十分之一~五分之三对应的任一数值作为所述远程等离子体清洗装置的清洗时间。
可选地，所述检测装置还同时检测所述反应腔中清洗气体的反应尾气中反应产物的量，且将所述反应产物的量发送给所述控制器。
可选地，当开启远程等离子体清洗装置，且检测装置获取的所述反应产物的量减至反应产物的峰值量的二十分之一~五分之一范围时，所述控制器关闭远程等离子体清洗装置且同时开启原位等离子体清洗装置。
可选地，当开启原位等离子体清洗装置，且检测装置获取的所述反应产物的量小于或等于阈值时，停止所述原位等离子体清洗工艺。
可选地，所述远程等离子体清洗装置的清洗气体包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
可选地，所述原位等离子体清洗装置中的清洗气体包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
可选地，所述远程等离子体清洗装置中清洗气体流量与所述原位等离子体清洗装置中清洗气体流量之比包括1:1~4:1。
为了解决上述问题，本发明还提供了一种反应腔的清洗方法，包括：先采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔，再采用原位等离子体清洗工艺清洗所述反应腔，使清洗后反应腔中沉积物残留量达到预设值；所述远程等离子体清洗工艺的时间通过以下方式确定：获取仅采用远程等离子体清洗工艺清洗所述反应腔的第一时间，将所述第一时间的十分之一~五分之三对应的任一数值作为所述远程等离子体清洗工艺的时间。
可选地，所述远程等离子体清洗工艺的时间与所述原位等离子体清洗工艺的时间之比大于或等于九分之一且小于1。
可选地，所述原位等离子体清洗工艺的时间通过以下方式确定：在采用原位等离子体清洗工艺清洗反应腔的同时，检测所述反应腔中清洗气体的反应尾气中反应产物的量，当所述反应产物的量小于或等于阈值时，停止所述原位等离子体清洗工艺。
可选地，所述远程等离子体清洗工艺的清洗气体包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
可选地，所述原位等离子体清洗工艺中的清洗气体包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
可选地，所述反应腔为化学气相沉积腔。
可选地，所述化学气相沉积腔包括：等离子体化学气相沉积腔、等离子体增强化学气相沉积腔或常压化学气相沉积腔。
可选地，所述反应腔为等离子体反应腔。
可选地，所述等离子体反应腔为电容耦合等离子体反应腔或电感耦合等离子体反应腔。
可选地，所述远程等离子体清洗工艺中清洗气体流量与所述原位等离子体清洗工艺中清洗气体流量之比包括1:1~4:1。
可选地，所述远程等离子体清洗工艺中反应腔的压力范围包括：10Torr~40Torr；所述原位等离子体清洗工艺中反应腔的压力范围包括：0~1Torr。
可选地，所述沉积物包括：硅薄膜。
可选地，所述硅薄膜包括：非晶硅薄膜或微晶硅薄膜。
可选地，所述远程等离子体清洗工艺包括：通过一个远程等离子体源将清洗气体传输到多个反应腔中，同时清洗多个反应腔。
可选地，所述原位等离子体清洗工艺中每个反应腔的清洁功率独立可调。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1）本发明实施方式在不损坏反应腔体的前提下，充分发挥远程等离子体清洗工艺和原位等离子体清洗工艺的优点，先在较短时间内采用远程等离子体清洗工艺去除反应腔室中的大部分沉积物，针对此时RPS清洗不完全和清洗不均匀的问题，再配合原位等离子体清洗工艺去除反应腔室中剩余的沉积物，相应增加了原位等离子体清洗工艺的清洗时间，实现完全清洗，最终缩短了远程等离子体清洗工艺的清洗时间，节约了大量的清洗气体，降低了生产成本；综合原位等离子体清洗工艺中对腔体内部的清洗速度大于对腔体边缘的清洗速度、远程等离子体清洗工艺中腔体边缘的清洗速度大于腔体内部的清洗速度的特点，保证清洗的均匀性，最终提高了清洗效果。
2）远程等离子体清洗工艺的时间与原位等离子体清洗工艺的时间之比可以大于或等于九分之一且小于1，从而可以将远程等离子体清洗时间压缩到整个清洗时间的一半以内，最终节约清洗气体达到20%~90%。
3）获取仅采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔的第一时间，可以将第一时间的十分之一~五分之三对应的任一数值作为远程等离子体清洗工艺的时间，从而简单准确地确定RPS的清洗时间，在缩短RPS清洗时间的同时，提高生产节拍，节约清洗气体。
4）通过一个远程等离子体源可以将清洗气体传输到多个反应腔中，同时清洗多个反应腔，从而提高清洗的效率，节省清洗时间。
5）原位等离子体清洗工艺中每个反应腔的清洁功率独立可调，从而可以针对RPS清洗中各个反应腔清洗不均匀的情况，实现补偿清洗的目的。
附图说明
图1是本发明实施方式中一种反应腔的清洗方法的流程示意图；
图2是本发明一实施例中反应腔中反应产物的压力与时间的关系示意图；
图3是本发明一实施例中反应腔的清洗系统的结构示意图；
图4是本发明实施方式中另一种反应腔的清洗方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述，现有技术在仅采用RPS清洗反应腔室时，存在清洗时间长、浪费清洗气体、清洗不均匀的缺点，在仅采用原位等离子体清洗工艺清洗反应腔室时，存在清洗不均匀、清洗效率低、清洗时间长的缺点。
针对上述缺陷，发明人提供了一种反应腔的清洗技术，利用远程等离子体清洗工艺清洗效率高、对反应腔室边缘的清洗速度大于对反应腔室内部的清洗速度的特点，结合原位等离子体清洗工艺清洗对各个腔室独立可控、对反应腔室边缘的清洗速度小于对反应腔室内部的清洗速度的特点，从而先采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔，再采用原位等离子体清洗工艺清洗所述反应腔，使清洗后反应腔中沉积物残留量达到预设值，最终既可以减小清洗时间，又可以提高清洗均匀性，还可以降低清洗气体的使用量。
下面结合附图进行详细说明。
参考图1所示，本实施方式提供了一种反应腔的清洗方法，包括：
步骤S1，先采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔；
步骤S2，再采用原位等离子体清洗工艺清洗所述反应腔，使清洗后反应腔中沉积物残留量达到预设值；所述远程等离子体清洗工艺的时间小于所述原位等离子体清洗工艺的时间。
本实施方式在不损坏反应腔体的前提下，充分发挥远程等离子体清洗工艺和原位等离子体清洗工艺的优点，先在较短时间内采用远程等离子体清洗工艺去除反应腔室中的大部分沉积物，针对此时RPS清洗不完全和清洗不均匀的问题，再配合原位等离子体清洗工艺去除反应腔室中剩余的沉积物，相应增加了原位等离子体清洗工艺的清洗时间，实现完全清洗，最终缩短了远程等离子体清洗工艺的清洗时间，节约了大量的清洗气体，降低了生产成本；综合原位等离子体清洗工艺中对腔体内部的清洗速度大于对腔体边缘的清洗速度、远程等离子体清洗工艺中腔体边缘的清洗速度大于腔体内部的清洗速度的特点，保证清洗的均匀性，最终提高了清洗效果。
所述反应腔可以为化学气相沉积腔（CVD），如：等离子体化学气相沉积腔（PCVD）、等离子体增强化学气相沉积腔（PECVD）或常压化学气相沉积腔（APCVD）。
所述反应腔还可以为等离子体反应腔，如：电容耦合等离子体反应腔或电感耦合等离子体反应腔。
所述反应腔中待清洗去除的沉积物可以为硅薄膜，如：非晶硅薄膜或微晶硅薄膜等，其在此仅为举例，不限制本发明的保护范围。
所述预设值（即清洗后沉积物残留量）的取值范围可以包括：0~10nm，如：0、1nm、3nm、7nm或10nm。优选地，所述预设值的取值范围为：2nm~8nm，如：2nm、5nm或8nm。
首先执行步骤S1，采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔。
所述远程等离子体清洗工艺的清洗气体可以包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。为了简单起见，以下以远程等离子体清洗工艺的清洗气体为NF3为例进行说明，清洗气体NF3在反应腔外被电离为氮离子和氟离子，进而氮离子和氟离子被引入反应腔室内，氟离子可以与硅薄膜反应生成氟化硅，从而达到去除硅薄膜的目的。
所述远程等离子体清洗工艺中的清洗气体流量可以包括：20slm~100slm，如：20slm、45slm、80slm或100slm等。
所述远程等离子体清洗工艺中反应腔的压力范围可以包括：10Torr~40Torr，如：10Torr、25Torr或40Torr等。
所述远程等离子体清洗工艺可以包括：通过一个远程等离子体源将清洗气体传输到一个或多个反应腔中，即一个或多个反应腔与一个远程等离子体清洗装置相对应，以清洗一个或多个反应腔。当同时清洗多个反应腔时，可以提高清洗的效率，节省清洗时间。
所述远程等离子体清洗工艺的时间可以通过以下方式确定：获取仅采用远程等离子体清洗工艺清洗所述反应腔的第一时间T，将所述第一时间T的十分之一~五分之三对应的任一数值，如：0.1T、0.25T、0.3T、0.5T或0.6T，作为所述远程等离子体清洗工艺的时间。
所述远程等离子体清洗工艺的时间还可以通过以下方式确定：在采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔的同时，检测所述反应腔中清洗气体的反应尾气中反应产物的量，当所述反应产物的量减至反应产物的峰值量的二十分之一~五分之一范围时，改用原位等离子体清洗工艺清洗所述反应腔。
具体地，当远程等离子体清洗工艺的清洗气体为NF3时，所述反应尾气中反应产物为SiF3，此时可以采用残留气体分析仪（RGA）对SiF3的量进行检测。
所述反应尾气中反应产物的量可以通过反应腔中反应产物的压力表示，反应产物的压力越大，反应产物的量越大。发明人通过实验发现，所述反应尾气中反应产物的量先增后降，从而存在峰值量，当反应产物的量减至反应产物的峰值量的二十分之一~五分之一范围时，则继续采用远程等离子清洗工艺清洗反应腔时反应产物的量下降很慢，即此时远程等离子体清洗工艺的清洗效果很差，反应腔中间位置的沉积物不能通过远程等离子体清洗工艺被有效去除，从而可以改用原位等离子体清洗工艺继续清洗反应腔，以去除残留的沉积物。
所述远程等离子体清洗工艺的具体实现方式与现有技术相同，在此不再赘述。
接着执行步骤S2，采用原位等离子体清洗工艺清洗所述反应腔。
所述原位等离子体清洗工艺中的清洗气体也可以包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。为了简单起见，以下以原位等离子体清洗工艺的清洗气体为NF3为例进行说明，清洗气体NF3在反应腔室内被射频源电离为氮离子和氟离子，氟离子可以与硅薄膜反应生成氟化硅，从而达到去除硅薄膜的目的。
所述原位等离子体清洗工艺中的清洗气体流量一般小于所述远程等离子体清洗工艺中的清洗气体流量。本实施例中所述远程等离子体清洗工艺中清洗气体流量与所述原位等离子体清洗工艺中清洗气体流量之比包括1：1~4:1，如：1:1、2:1或4:1等，其在此仅为举例，不限制本发明的保护范围。
具体地，所述原位等离子体清洗工艺中反应腔的压力范围可以包括：0~1Torr，如：0、0.5Torr或1Torr。
所述原位等离子体清洗工艺中每个反应腔的清洁功率独立可调，即每个反应腔与一个原位等离子体清洗装置相对应，从而可以针对RPS清洗中各个反应腔清洗不均匀的情况，实现补偿清洗的目的。
本实施方式在保证所述远程等离子体清洗工艺的时间小于所述原位等离子体清洗工艺的时间的前提下，所述远程等离子体清洗工艺的时间与所述原位等离子体清洗工艺的时间之比可以大于或等于九分之一且小于1，如：1:9、1:3、2:3、7:8或99:100等。即，远程等离子体清洗工艺占整个清洗时间的至少10%且不超过50%，原位等离子体清洗工艺占整个清洗时间的至少50%且不超过90%。
当所述远程等离子体清洗工艺的时间与所述原位等离子体清洗工艺的时间之比大于或等于九分之一且小于1，且确定远程等离子体清洗工艺的时间之后，则可以确定原位等离子体清洗工艺的时间。
此外，所述原位等离子体清洗工艺的时间还可以通过以下方式确定：在采用原位等离子体清洗工艺清洗反应腔的同时，检测所述反应腔中清洗气体的反应尾气中反应产物的量，当所述反应产物的量小于或等于阈值时，停止所述原位等离子体清洗工艺。具体地，当所述反应产物的量小于或等于阈值且保持不变时，说明反应腔已经被清洗干净，此时就可以停止清洗。
所述阈值也可以由反应腔中反应产物的压力表示，其取值范围可以包括：0Torr~1×10-6Torr。
具体地，当原位等离子体清洗工艺的清洗气体为NF3时，所述反应尾气中反应产物为SiF3。
所述原位等离子体清洗工艺的具体实现方式与现有技术相同，在此不再赘述。
需要说明的是，在由远程等离子体清洗工艺改为原位等离子体清洗工艺的过程中，可能会占用一小段时间，如：20s~50s，在此时间段内，远程等离子体清洗工艺和原位等离子体清洗工艺都未进行，其对于本领域的技术人员是熟知，在此不再赘述。
作为一个具体例子，所述反应腔为等离子体化学气相沉积腔，沉积物为微晶硅薄膜，清洗前微晶硅薄膜的厚度可以为1.6μm。当远程等离子体清洗工艺的清洗时间大于原位等离子体清洗工艺的清洗时间时，具体地：先采用远程等离子体清洗工艺清洗该反应腔，其中的清洗气体为NF3、清洗气体流量为37.5slm，清洗时间700s；再采用原位等离子体清洗工艺清洗该反应腔，其中的清洗气体为NF3、清洗气体流量为30slm，清洗时间60s时，反应尾气中反应产物为SiF3，清洗后反应腔中微晶硅薄膜的厚度小于10nm。此时反应腔中反应产物的压力（即反应产物的量）与时间的关系参考图2所示。
由图2可知：使用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔时，在其使用前十分之一~五分之三时间段内清洗效率较高，超过90%，尤其是三分之一时间段内清洗效率达到了94.55%，剩余的三分之二时间段内清洗效率仅为5.45%。因此发明人提出可以缩短远程等离子体清洗工艺的清洗时间，从而提高生产节拍，节约清洗气体。同时针对远程等离子体清洗工艺清洗不完全和清洗不均匀的问题，发明人提出配合原位等离子体清洗工艺，并相应增加原位等离子体清洗工艺的清洗时间，从而实现完全清洗和节约清洗气体、降低清洗成本的目的。
当采用本发明方法清洗上述反应腔时，即远程等离子体清洗工艺的清洗时间小于原位等离子体清洗工艺的清洗时间时，具体地：先采用远程等离子体清洗工艺清洗该反应腔，其中的清洗气体为NF3、清洗气体流量为32slm~42slm，清洗时间200s~250s；再采用原位等离子体清洗工艺清洗该反应腔，其中的清洗气体为NF3、清洗气体流量为15slm~30slm，清洗时间300s~1000s时，反应尾气中反应产物仍为SiF3，清洗后反应腔中微晶硅薄膜的厚度小于10nm。此时，在保持清洗总时间不变的前提下，将远程等离子体清洗时间压缩到整个清洗时间的一半以内，节约清洗气体达到20%~90%。此外，远程等离子体清洗工艺和原位等离子体清洗工艺相互独立，两者之间不发生干扰。
相应地，本实施方式还提供了一种反应腔的清洗系统，包括：
原位等离子体清洗装置，用于采用原位等离子体清洗工艺清洗反应腔；
远程等离子体清洗装置，用于采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔；
检测装置，设置在所述反应腔中，用于检测反应腔中沉积物的残留量，且将所述沉积物的残留量发送给控制器；
控制器，连接原位等离子体清洗装置、远程等离子体清洗装置和检测装置，先开启远程等离子体清洗装置清洗反应腔；经过一段时间后，关闭远程等离子体清洗装置且同时开启原位等离子体清洗装置清洗所述反应腔，当检测装置获取的沉积物的残留量等于预设值时，关闭原位等离子体清洗装置；
所述控制器记录远程等离子体清洗装置的清洗时间和原位等离子体清洗装置的清洗时间，所述远程等离子体清洗装置的清洗时间小于所述原位等离子体清洗装置的清洗时间。
作为一个具体例子，参考图3所示，所述反应腔的清洗系统用于清洗三个反应腔，包括：
三个原位等离子体清洗装置，分别为：第一原位等离子体清洗装置120、第二原位等离子体清洗装置220和第三原位等离子体清洗装置320。其中，第一原位等离子体清洗装置120用于采用远程等离子体清洗工艺清洗第一反应腔100，第二原位等离子体清洗装置220用于采用远程等离子体清洗工艺清洗第二反应腔200，第三原位等离子体清洗装置320用于采用远程等离子体清洗工艺清洗第三反应腔300；
远程等离子体清洗装置500，用于采用远程等离子体清洗工艺清洗第一反应腔100、第二反应腔200和第三反应腔300；
三个检测装置，分别为：设置在第一反应腔100中的第一检测装置110、设置在第二反应腔200中的第二检测装置210和设置在第三反应腔300中的第三检测装置310。其中，第一检测装置110用于检测第一反应腔100中沉积物的残留量，且将所述沉积物的残留量发送给控制器400；第二检测装置210用于检测第二反应腔200中沉积物的残留量，且将所述沉积物的残留量发送给控制器400；第三检测装置310用于检测第三反应腔300中沉积物的残留量，且将所述沉积物的残留量发送给控制器400；
控制器400，连接第一原位等离子体清洗装置120、第二原位等离子体清洗装置220、第三原位等离子体清洗装置320、远程等离子体清洗装置500、第一检测装置110、第二检测装置210和第三检测装置310，先开启远程等离子体清洗装置500同时清洗三个反应腔；经过一段时间后，关闭远程等离子体清洗装置500且同时打开第一原位等离子体清洗装置120清洗第一反应腔100、打开第二原位等离子体清洗装置220清洗第二反应腔200、打开第三原位等离子体清洗装置320清洗第三反应腔300；当第一检测装置110获取的沉积物的残留量达到预设值时，关闭第一原位等离子体清洗装置120，当第二检测装置210获取的沉积物的残留量达到预设值时，关闭第二原位等离子体清洗装置220，当第三检测装置310获取的沉积物的残留量达到预设值时，关闭第三原位等离子体清洗装置320；
所述控制器400记录远程等离子体清洗装置500的清洗时间、第一原位等离子体清洗装置120清洗第一反应腔100的清洗时间、第二原位等离子体清洗装置220清洗第二反应腔200的清洗时间、第三原位等离子体清洗装置320清洗第三反应腔300的清洗时间，所述远程等离子体清洗装置500的清洗时间分别小于第一原位等离子体清洗装置120清洗第一反应腔100的清洗时间、第二原位等离子体清洗装置220清洗第二反应腔200的清洗时间和第三原位等离子体清洗装置320清洗第三反应腔300的清洗时间。
需要说明的是，上述远程等离子体清洗装置500同时清洗三个反应腔仅为举例，在本发明的其他实施例中，所述远程等离子体清洗装置500可以清洗一个、两个或三个以上的反应腔，其不限制本发明的保护范围。
本实施方式同样可以实现完全清洗，缩短了远程等离子体清洗工艺的清洗时间，节约了大量的清洗气体，降低了生产成本；且能够保证清洗的均匀性，最终提高了清洗效果。
所述反应腔可以为化学气相沉积腔，如：等离子体化学气相沉积腔、等离子体增强化学气相沉积腔或常压化学气相沉积腔。
所述反应腔还可以为等离子体反应腔，如：电容耦合等离子体反应腔或电感耦合等离子体反应腔。
所述反应腔中待清洗去除的沉积物可以为硅薄膜，如：非晶硅薄膜或微晶硅薄膜等，其在此仅为举例，不限制本发明的保护范围。
所述预设值（即清洗后沉积物残留量）的取值范围可以包括：0~10nm，如：0、1nm、3nm、7nm或10nm。优选地，所述预设值的取值范围为：2nm~8nm，如：2nm、5nm或8nm。
所述远程等离子体清洗装置的清洗气体可以包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合；所述原位等离子体清洗装置中的清洗气体也可以包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
所述远程等离子体清洗装置中清洗气体流量可以大于所述原位等离子体清洗装置中清洗气体流量。本实施例中所述远程等离子体清洗装置中清洗气体流量与所述原位等离子体清洗装置中清洗气体流量之比包括1:1~4:1，如：1:1、2:1或4:1等，其在此仅为举例，不限制本发明的保护范围。
所述远程等离子体清洗装置和原位等离子体清洗装置的具体结构与现有技术相同，在此不再赘述。
本实施方式在保证所述远程等离子体清洗装置的清洗时间小于所述原位等离子体清洗装置的清洗时间的前提下，所述远程等离子体清洗装置的清洗时间与所述原位等离子体清洗装置的清洗时间之比可以大于或等于九分之一且小于1，如：1:9、1:3、2:3、7:8或99:100等。即，远程等离子体清洗装置的清洗时间占整个清洗时间的至少10%且不超过50%，，原位等离子体清洗装置的清洗时间占整个清洗时间的至少50%且不超过90%。
确定所述远程等离子体清洗装置的清洗时间的一种具体方式可以为：在清洗所述反应腔之前，所述控制器开启所述远程等离子体清洗装置清洗反应腔，当检测装置获取的沉积物的残留量等于预设值时，关闭远程等离子体清洗装置；所述控制器记录此时远程等离子体清洗装置清洗所述反应腔的第一时间，将所述第一时间的十分之一~五分之三对应的任一数值作为所述远程等离子体清洗装置的清洗时间。
所述检测装置还可以同时检测所述反应腔中清洗气体的反应尾气中反应产物的量，且将所述反应产物的量发送给所述控制器，从而确定所述远程等离子体清洗装置的清洗时间的另一种具体方式还可以为：当开启远程等离子体清洗装置，且检测装置获取的所述反应产物的量减至反应产物的峰值量的二十分之一~五分之一范围时，所述控制器关闭远程等离子体清洗装置且同时开启原位等离子体清洗装置。
当清洗气体为NF3时，所述反应尾气中反应产物为SiF3，此时检测装置可以包括残留气体分析仪（RGA），所述RGA用于对SiF3的量进行检测。所述反应尾气中反应产物的量可以通过反应腔中反应产物的压力表示，反应产物的压力越大，反应产物的量越大。发明人通过实验发现，所述反应尾气中反应产物的量先增后降，从而存在峰值量，当反应产物的量减至反应产物的峰值量的二十分之一~五分之一范围时，则继续采用远程等离子清洗装置清洗反应腔时反应产物的量下降很慢，即此时远程等离子体清洗装置的清洗效果很差，反应腔中间位置的沉积物不能通过远程等离子体清洗工艺被有效去除，从而可以改用原位等离子体清洗装置继续清洗反应腔，以去除残留的沉积物。
当所述远程等离子体清洗装置的清洗时间与所述原位等离子体清洗装置的清洗时间之比大于或等于九分之一且小于1，且确定远程等离子体清洗装置的清洗时间之后，则可以确定原位等离子体清洗装置的清洗时间。
此外，所述原位等离子体清洗装置的清洗时间还可以通过以下方式确定：当开启原位等离子体清洗装置，且检测装置获取的所述反应产物的量小于或等于阈值时，停止所述原位等离子体清洗工艺。
经试验证明，本实施方式可以节约20%~90%的清洗气体，且清洗效果很好，降低了清洗成本。
参考图4所示，本实施方式还提供了一种反应腔的清洗方法，包括：
步骤S11，先采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔，所述远程等离子体清洗工艺的时间通过以下方式确定：获取仅采用远程等离子体清洗工艺清洗所述反应腔的第一时间，将所述第一时间的十分之一~五分之三对应的任一数值作为所述远程等离子体清洗工艺的时间；
步骤S12，再采用原位等离子体清洗工艺清洗所述反应腔。
本实施方式先获取仅采用远程等离子体清洗工艺清洗所述反应腔的第一时间，将所述第一时间的十分之一~五分之三对应的任一数值作为所述远程等离子体清洗工艺的时间，进而采用原位等离子体清洗工艺去除反应腔室中剩余的沉积物，相应增加了原位等离子体清洗工艺的清洗时间，实现完全清洗，最终缩短了远程等离子体清洗工艺的清洗时间，节约了大量的清洗气体，降低了生产成本；综合原位等离子体清洗工艺中对腔体内部的清洗速度大于对腔体边缘的清洗速度、远程等离子体清洗工艺中腔体边缘的清洗速度大于腔体内部的清洗速度的特点，保证清洗的均匀性，最终提高了清洗效果。
所述反应腔可以为化学气相沉积腔，如：等离子体化学气相沉积腔、等离子体增强化学气相沉积腔或常压化学气相沉积腔。
所述反应腔还可以为等离子体反应腔，如：电容耦合等离子体反应腔或电感耦合等离子体反应腔。
所述反应腔中待清洗去除的沉积物可以为硅薄膜，如：非晶硅薄膜或微晶硅薄膜等，其在此仅为举例，不限制本发明的保护范围。
所述预设值（即清洗后沉积物残留量）的取值范围可以包括：0~10nm，如：0、1nm、3nm、7nm或10nm。优选地，所述预设值的取值范围为：2nm~8nm，如：2nm、5nm或8nm。
所述远程等离子体清洗工艺的清洗气体可以包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合；所述原位等离子体清洗工艺中的清洗气体也可以包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
所述远程等离子体清洗工艺中的清洗气体流量可以大于所述原位等离子体清洗工艺中的清洗气体流量。本实施例中所述远程等离子体清洗工艺中清洗气体流量与所述原位等离子体清洗工艺中清洗气体流量之比包括1:1~4:1，如：1:1、2:1或4:1等，其在此仅为举例，不限制本发明的保护范围。
所述远程等离子体清洗工艺中反应腔的压力范围可以包括：10Torr~40Torr，如：10Torr、20Torr或40Torr。所述原位等离子体清洗工艺中反应腔的压力范围包括：0~1Torr，如：0、0.5Torr或1Torr。
所述远程等离子体清洗工艺可以包括：通过一个远程等离子体源将清洗气体传输到一个或多个反应腔中，即一个或多个反应腔与一个远程等离子体清洗装置相对应，以清洗一个或多个反应腔。当同时清洗多个反应腔时，可以提高清洗的效率，节省清洗时间。
所述原位等离子体清洗工艺中每个反应腔的清洁功率独立可调，即每个反应腔与一个原位等离子体清洗装置相对应，从而可以针对RPS清洗中各个反应腔清洗不均匀的情况，实现补偿清洗的目的。
所述远程等离子体清洗工艺和原位等离子体清洗工艺的具体实现方式与现有技术相同，在此不再赘述。
本实施方式中所述远程等离子体清洗工艺的时间可以小于所述原位等离子体清洗工艺的时间。具体地，所述远程等离子体清洗工艺的时间与所述原位等离子体清洗工艺的时间之比可以大于或等于九分之一且小于1，如：1:9、1:3、2:3、7:8或99:100等。即，远程等离子体清洗工艺占整个清洗时间的至少10%且不超过50%，原位等离子体清洗工艺占整个清洗时间的至少50%且不超过90%。
需要说明的是，在由远程等离子体清洗工艺改为原位等离子体清洗工艺的过程中，可能会占用一小段时间，如：20s~50s，在此时间段内，远程等离子体清洗工艺和原位等离子体清洗工艺都未进行，其对于本领域的技术人员是熟知，在此不再赘述。
具体地，当远程等离子体清洗工艺的清洗气体为NF3时，所述反应尾气中反应产物为SiF3，此时可以采用残留气体分析仪（RGA）对SiF3的量进行检测。
所述反应尾气中反应产物的量可以通过反应腔中反应产物的压力表示，反应产物的压力越大，反应产物的量越大。发明人通过实验发现，所述反应尾气中反应产物的量先增后降，从而存在峰值量，当反应产物的量减至反应产物的峰值量的二十分之一~五分之一范围时，则继续采用远程等离子清洗工艺清洗反应腔时反应产物的量下降很慢，即此时远程等离子体清洗工艺的清洗效果很差，反应腔中间位置的沉积物不能通过远程等离子体清洗工艺被有效去除，从而可以改用原位等离子体清洗工艺继续清洗反应腔，以去除残留的沉积物。
当所述远程等离子体清洗工艺的时间与所述原位等离子体清洗工艺的时间之比大于或等于九分之一且小于1，且确定远程等离子体清洗工艺的时间之后，则可以确定原位等离子体清洗工艺的时间。
此外，所述原位等离子体清洗工艺的时间还可以通过以下方式确定：在采用原位等离子体清洗工艺清洗反应腔的同时，检测所述反应腔中清洗气体的反应尾气中反应产物的量，当所述反应产物的量小于或等于阈值时，停止所述原位等离子体清洗工艺。具体地，当所述反应产物的量小于或等于阈值且保持不变时，说明反应腔已经被清洗干净，此时就可以停止清洗。
所述阈值也可以由反应腔中反应产物的压力表示，其取值范围可以包括：0Torr~1×10-6Torr。
具体地，当原位等离子体清洗工艺的清洗气体为NF3时，所述反应尾气中反应产物为SiF3。
经试验证明，本实施方式可以节约20%~90%的清洗气体，且清洗效果很好，降低了清洗成本。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (41)
1.一种反应腔的清洗方法，其特征在于，包括：先采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔，再采用原位等离子体清洗工艺清洗所述反应腔，使清洗后反应腔中沉积物残留量达到预设值；所述远程等离子体清洗工艺的时间小于所述原位等离子体清洗工艺的时间。
2.如权利要求1所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述远程等离子体清洗工艺的时间与所述原位等离子体清洗工艺的时间之比大于或等于九分之一且小于1。
3.如权利要求1所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述远程等离子体清洗工艺的时间通过以下方式确定：获取仅采用远程等离子体清洗工艺清洗所述反应腔的第一时间，将所述第一时间的十分之一~五分之三对应的任一数值作为所述远程等离子体清洗工艺的时间。
4.如权利要求1所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述远程等离子体清洗工艺的时间通过以下方式确定：在采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔的同时，检测所述反应腔中清洗气体的反应尾气中反应产物的量，当所述反应产物的量减至反应产物的峰值量的二十分之一~五分之一范围时，改用原位等离子体清洗工艺清洗所述反应腔。
5.如权利要求1所述的反应腔的清洗时间，其特征在于，所述原位等离子体清洗工艺的时间通过以下方式确定：在采用原位等离子体清洗工艺清洗反应腔的同时，检测所述反应腔中清洗气体的反应尾气中反应产物的量，当所述反应产物的量小于或等于阈值时，停止所述原位等离子体清洗工艺。
6.如权利要求1所述的反应腔的清洗时间，其特征在于，所述远程等离子体清洗工艺的清洗气体包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
7.如权利要求1所述的反应腔的清洗时间，其特征在于，所述原位等离子体清洗工艺中的清洗气体包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
8.如权利要求1所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述反应腔为化学气相沉积腔。
9.如权利要求8所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述化学气相沉积腔包括：等离子体化学气相沉积腔、等离子体增强化学气相沉积腔或常压化学气相沉积腔。
10.如权利要求1所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述反应腔为等离子体反应腔。
11.如权利要求10所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述等离子体反应腔为电容耦合等离子体反应腔或电感耦合等离子体反应腔。
12.如权利要求1所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述远程等离子体清洗工艺中清洗气体流量与所述原位等离子体清洗工艺中清洗气体流量之比包括1:1~4:1。
13.如权利要求1所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述远程等离子体清洗工艺中反应腔的压力范围包括：10Torr~40Torr；所述原位等离子体清洗工艺中反应腔的压力范围包括：0~1Torr。
14.如权利要求1所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述沉积物包括：硅薄膜。
15.如权利要求14所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述硅薄膜包括：非晶硅薄膜或微晶硅薄膜。
16.如权利要求1所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述远程等离子体清洗工艺包括：通过一个远程等离子体源将清洗气体传输到多个反应腔中，同时清洗多个反应腔。
17.如权利要求1或16所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述原位等离子体清洗工艺中每个反应腔的清洁功率独立可调。
18.一种反应腔的清洗系统，其特征在于，包括：
原位等离子体清洗装置，用于采用原位等离子体清洗工艺清洗反应腔；
远程等离子体清洗装置，用于采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔；
检测装置，设置在所述反应腔中，用于检测反应腔中沉积物的残留量，且将所述沉积物的残留量发送给控制器；
控制器，连接原位等离子体清洗装置、远程等离子体清洗装置和检测装置，先开启远程等离子体清洗装置清洗反应腔；经过一段时间后，关闭远程等离子体清洗装置且同时开启原位等离子体清洗装置清洗所述反应腔，当检测装置获取的沉积物的残留量等于预设值时，关闭原位等离子体清洗装置；
所述控制器记录远程等离子体清洗装置的清洗时间和原位等离子体清洗装置的清洗时间，所述远程等离子体清洗装置的清洗时间小于所述原位等离子体清洗装置的清洗时间。
19.如权利要求18所述的反应腔的清洗系统，其特征在于，所述远程等离子体清洗装置的清洗时间与所述原位等离子体清洗装置的清洗时间之比大于或等于九分之一且小于1。
20.如权利要求18所述的反应腔的清洗系统，其特征在于，在清洗所述反应腔之前，所述控制器开启所述远程等离子体清洗装置清洗反应腔，当检测装置获取的沉积物的残留量等于预设值时，关闭远程等离子体清洗装置；所述控制器记录此时远程等离子体清洗装置清洗所述反应腔的第一时间，将所述第一时间的十分之一~五分之三对应的任一数值作为所述远程等离子体清洗装置的清洗时间。
21.如权利要求18所述的反应腔的清洗系统，其特征在于，所述检测装置还同时检测所述反应腔中清洗气体的反应尾气中反应产物的量，且将所述反应产物的量发送给所述控制器。
22.如权利要求21所述的反应腔的清洗系统，其特征在于，当开启远程等离子体清洗装置，且检测装置获取的所述反应产物的量减至反应产物的峰值量的二十分之一~五分之一范围时，所述控制器关闭远程等离子体清洗装置且同时开启原位等离子体清洗装置。
23.如权利要求21所述的反应腔的清洗系统，其特征在于，当开启原位等离子体清洗装置，且检测装置获取的所述反应产物的量小于或等于阈值时，停止所述原位等离子体清洗工艺。
24.如权利要求18所述的反应腔的清洗系统，其特征在于，所述远程等离子体清洗装置的清洗气体包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
25.如权利要求18所述的反应腔的清洗系统，其特征在于，所述原位等离子体清洗装置中的清洗气体包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
26.如权利要求18所述的反应腔的清洗系统，其特征在于，所述远程等离子体清洗装置中清洗气体流量与所述原位等离子体清洗装置中清洗气体流量之比包括1:1~4:1。
27.一种反应腔的清洗方法，其特征在于，包括：先采用远程等离子体清洗工艺清洗反应腔，再采用原位等离子体清洗工艺清洗所述反应腔，使清洗后反应腔中沉积物残留量达到预设值；所述远程等离子体清洗工艺的时间通过以下方式确定：获取仅采用远程等离子体清洗工艺清洗所述反应腔的第一时间，将所述第一时间的十分之一~五分之三对应的任一数值作为所述远程等离子体清洗工艺的时间。
28.如权利要求27所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述远程等离子体清洗工艺的时间与所述原位等离子体清洗工艺的时间之比大于或等于九分之一且小于1。
29.如权利要求27所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述原位等离子体清洗工艺的时间通过以下方式确定：在采用原位等离子体清洗工艺清洗反应腔的同时，检测所述反应腔中清洗气体的反应尾气中反应产物的量，当所述反应产物的量小于或等于阈值时，停止所述原位等离子体清洗工艺。
30.如权利要求27所述的反应腔的清洗时间，其特征在于，所述远程等离子体清洗工艺的清洗气体包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
31.如权利要求27所述的反应腔的清洗时间，其特征在于，所述原位等离子体清洗工艺中的清洗气体包括：NF3、C2F6、CF4、CHF3、F2、HF、Cl2和HCl中的一种或任意组合。
32.如权利要求27所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述反应腔为化学气相沉积腔。
33.如权利要求32所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述化学气相沉积腔包括：等离子体化学气相沉积腔、等离子体增强化学气相沉积腔或常压化学气相沉积腔。
34.如权利要求27所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述反应腔为等离子体反应腔。
35.如权利要求34所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述等离子体反应腔为电容耦合等离子体反应腔或电感耦合等离子体反应腔。
36.如权利要求27所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述远程等离子体清洗工艺中清洗气体流量与所述原位等离子体清洗工艺中清洗气体流量之比包括1:1~4:1。
37.如权利要求27所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述远程等离子体清洗工艺中反应腔的压力范围包括：10Torr~40Torr；所述原位等离子体清洗工艺中反应腔的压力范围包括：0~1Torr。
38.如权利要求27所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述沉积物包括：硅薄膜。
39.如权利要求38所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述硅薄膜包括：非晶硅薄膜或微晶硅薄膜。
40.如权利要求27所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述远程等离子体清洗工艺包括：通过一个远程等离子体源将清洗气体传输到多个反应腔中，同时清洗多个反应腔。
41.如权利要求27或40所述的反应腔的清洗方法，其特征在于，所述原位等离子体清洗工艺中每个反应腔的清洁功率独立可调。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106435470A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-02-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种实现自动清洗的烘烤腔结构及其自动清洗方法 |
| CN109585332A (zh) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体 |
| CN109868458A (zh) * | 2017-12-05 | 2019-06-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体设备的清洗系统及清洗方法 |
| CN111155072A (zh) * | 2018-11-08 | 2020-05-15 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 腔室用清洗装置及清洗方法、半导体处理设备 |
| CN111490126A (zh) * | 2019-01-29 | 2020-08-04 | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 | 一种载板的清洗方法 |
| CN112609168A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-04-06 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法 |
| CN114733857A (zh) * | 2021-01-07 | 2022-07-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种真空管线清洁系统及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070070752A (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 장치 및 상기 장치의 챔버를 클리닝하는방법 |
| WO2010047953A2 (en) * | 2008-10-22 | 2010-04-29 | Applied Materials, Inc. | A remote plasma clean process with cycled high and low pressure clean steps |
| KR20120034341A (ko) * | 2010-10-01 | 2012-04-12 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치의 세정방법 |
-
2012
- 2012-04-28 CN CN201210133895.7A patent/CN103374710B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070070752A (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 장치 및 상기 장치의 챔버를 클리닝하는방법 |
| WO2010047953A2 (en) * | 2008-10-22 | 2010-04-29 | Applied Materials, Inc. | A remote plasma clean process with cycled high and low pressure clean steps |
| KR20120034341A (ko) * | 2010-10-01 | 2012-04-12 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치의 세정방법 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106435470A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-02-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种实现自动清洗的烘烤腔结构及其自动清洗方法 |
| CN109585332A (zh) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体 |
| CN109585332B (zh) * | 2017-09-28 | 2021-06-01 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体 |
| CN109868458A (zh) * | 2017-12-05 | 2019-06-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体设备的清洗系统及清洗方法 |
| CN111155072A (zh) * | 2018-11-08 | 2020-05-15 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 腔室用清洗装置及清洗方法、半导体处理设备 |
| CN111155072B (zh) * | 2018-11-08 | 2022-12-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 腔室用清洗装置及清洗方法、半导体处理设备 |
| CN111490126A (zh) * | 2019-01-29 | 2020-08-04 | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 | 一种载板的清洗方法 |
| CN112609168A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-04-06 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法 |
| CN114733857A (zh) * | 2021-01-07 | 2022-07-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种真空管线清洁系统及方法 |
| CN114733857B (zh) * | 2021-01-07 | 2023-09-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种真空管线清洁系统及方法 |
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