CN110055514B - 气相沉积设备及其控制方法、腔体清洁方法 - Google Patents

气相沉积设备及其控制方法、腔体清洁方法 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种气相沉积设备及其控制方法、腔体清洁方法，气相沉积设备通过向腔体内通入由预设气体形成的气体脉冲，并且通过提供射频脉冲信号，将进入腔体内部的气体脉冲电离产生等离子体，以使等离子体对腔体的不同部位进行清洁，避免了湿法清洁过程需要在腔体处于室温进行而造成的清洁用时较长，清洁效率低下以及容易引入二次污染的问题。并且气相沉积设备块可以提供不同频率的电平脉冲信号，以控制通入腔体的气体脉冲的频率，还可以提供不同功率的射频脉冲信号，通过控制电平脉冲信号的频率、射频脉冲信号的功率以及腔体压强，可以实现对腔体内用于清洁的等离子体的运动方向和所处位置的控制，从而实现对腔体内部不同部位的全方位清洁。

Description

气相沉积设备及其控制方法、腔体清洁方法
技术领域
本申请涉及气相沉积技术领域，更具体地说，涉及一种气相沉积设备及其控制方法、腔体清洁方法。
背景技术
气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)技术是利用气相中发生的物理、化学过程，在工件表面形成功能性或装饰性的金属、非金属或化合物涂层。气相沉积技术按照成膜机理，可分为化学气相沉积、物理气相沉积和等离子体气相沉积。
等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)是气相沉积技术的一种，具有成膜质量好等优点。在PECVD设备的使用过程中，沉积过程产生的副产物会附着于腔室内壁上，在接下来的沉积过程中这些附着于腔体内壁的副产物难免会受到等离子体影响产生颗粒，对后续基片表面的洁净度和工艺稳定性造成不良影响。因此需要对PECVD设备的腔体内壁进行周期性的腔体清洁，以去除附着在腔体内壁上的污染物，确保制程均匀性和稳定性。
目前PECVD设备的腔体清洁一般采用湿法清洁工艺来清除腔体内壁长期沉积薄膜产生的薄膜附着物。而湿法清洁工艺需要PECVD设备处于停产周期内才可实施，清洁后腔体需要重新从室温升温到工作温度，耗时较长，并且湿法清洁采用的有机溶剂容易残留在腔体内造成二次污染。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请提供了一种气相沉积设备及其控制方法、腔体清洁方法，以实现降低对气相沉积设备的清洁过程的用时，并且避免在对气相沉积设备的清洁过程中引入二次污染的目的。
为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种气相沉积设备，包括：
腔体，所述腔体包括贯穿所述腔体外壁和内壁的第一连接端和第二连接端以及贯穿所述腔体外壁的第三连接端，所述第三连接端暴露出所述腔体内壁；
设置于所述腔体内部，且覆盖所述第一连接端和第二连接端的脉冲电磁阀；
通过所述第二连接端与所述脉冲电磁阀连接的气箱，所述气箱中用于存储预设气体；
通过所述第一连接端与所述脉冲电磁阀连接的信号发生模块，所述信号发生模块用于向所述脉冲电磁阀提供不同频率的电平脉冲信号；所述脉冲电磁阀用于根据所述电平脉冲信号，控制所述气箱中的预设气体以气体脉冲的形式进入所述腔体内部；
通过所述第三连接端与所述腔体内壁连接的射频发生模块，所述射频发生模块用于提供不同功率的射频脉冲信号，以使进入所述腔体内部的气体脉冲电离产生等离子体，所述等离子体根据所述射频脉冲信号的功率、腔体压强和所述电平脉冲信号的频率对所述腔体的不同部位进行清洁。
可选的，所述射频脉冲信号为正弦波射频脉冲信号。
可选的，所述信号发生模块包括：PLC控制电路和信号发生器；其中，
所述信号发生器的信号输入端与所述PLC控制电路的信号输出端连接，所述信号发生器的信号输出端与所述脉冲电磁阀连接，所述信号发生器用于产生电平脉冲信号；
所述PLC控制电路，用于控制所述信号发生器产生的电平脉冲信号的频率。
一种气相沉积设备的控制方法，应用于上述任一项所述的气相沉积设备，所述气相沉积设备的控制方法包括：
控制所述气相沉积设备进行抽真空操作；
在抽真空操作完成后，控制所述气相沉积设备在第一状态下进行第一次腔体清洁操作，以去除所述腔体侧壁和上壁的待清洁产物；所述第一状态包括：所述腔体的压强为第一预设压强、所述信号发生模块产生的电平脉冲信号的频率为第一预设频率和所述射频发生模块提供的射频脉冲信号的功率为第一预设功率；
在第一次腔体清洁操作完成后，控制所述气相沉积设备在第二状态下进行第二次腔体清洁操作，以去除所述腔体底部内壁和载盘表面的待清洁产物；所述第二状态包括：所述腔体的压强为第二预设压强、所述信号发生模块产生的电平脉冲信号的频率为第二预设频率和所述射频发生模块提供的射频脉冲信号的功率为第二预设功率；所述第二预设压强大于所述第一预设压强，所述第二预设频率大于所述第一预设频率，所述第二预设功率大于所述第一预设功率；
在腔体清洁操作完成后，排出所述腔体内部的气体。
可选的，所述腔体清洁操作包括：
控制所述信号发生模块产生电平脉冲信号，以使所述脉冲电磁阀根据所述电平脉冲信号控制所述气箱中的预设气体以气体脉冲的形式进入所述腔体内部；
控制所述射频发生模块提供射频脉冲信号，以使进入所述腔体内部的气体脉冲电离产生等离子体。
可选的，当所述待清洁产物为二氧化硅或氮化硅或氮氧化物时；
所述预设气体为四氟甲烷或三氟甲烷或二氟甲烷或六氟化硫或氧气；
所述第一预设功率的取值范围为100-500W，所述第一预设频率的取值范围为10kHz-60kHz，所述第一预设压强的取值范围为100-500Pa；
所述第二预设功率的取值范围为500-1500W，所述第二预设频率的取值范围为60kHz-120kHz，所述第二预设压强的取值范围为1000-2000Pa。
可选的，所述控制所述气相沉积设备进行抽真空操作之后，所述控制所述气相沉积设备在第一状态下进行第一次腔体清洁操作之前还包括：
向所述腔体内预通入惰性气体，以对所述腔体进行吹扫操作。
一种腔体清洁方法，包括：
对腔体进行抽真空操作；
在抽真空操作完成后，控制所述腔体内的压强为第一预设压强，并向所述腔体内以第一预设频率通入气体脉冲；
向所述腔体提供功率为第一预设功率的射频脉冲信号，以使所述气体脉冲成为等离子体对所述腔体的侧壁和上壁的待清洁产物进行去除处理；
控制所述腔体内的压强为第二预设压强，并向所述腔体内以第二预设频率通入气体脉冲；
向所述腔体提供功率为第二预设功率的射频脉冲信号，以使所述气体脉冲成为等离子体对所述腔体的底部内壁和载盘表面的待清洁产物进行去除处理；所述第二预设压强大于所述第一预设压强，所述第二预设频率大于所述第一预设频率，所述第二预设功率大于所述第一预设功率；
在对所述腔体的底部内壁和载盘表面的待清洁产物进行去除处理的操作完成后，排出所述腔体内部的气体。
可选的，当所述待清洁产物为二氧化硅或氮化硅或氮氧化物时；
所述预设气体为四氟甲烷或三氟甲烷或二氟甲烷或六氟化硫或氧气；
所述第一预设功率的取值范围为100-500W，所述第一预设频率的取值范围为10kHz-60kHz，所述第一预设压强的取值范围为100-500Pa；
所述第二预设功率的取值范围为500-1500W，所述第二预设频率的取值范围为60kHz-120kHz，所述第二预设压强的取值范围为1000-2000Pa。
可选的，所述对腔体进行抽真空操作之后，所述控制所述腔体内的压强为第一预设压强，并向所述腔体内以第一预设频率通入气体脉冲之前还包括：
向所述腔体内预通入惰性气体，以对所述腔体进行吹扫操作。
从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种气相沉积设备及其控制方法、腔体清洁方法，其中，所述气相沉积设备通过气箱、脉冲电磁阀和信号发生模块的配合，实现向腔体内通入由预设气体形成的气体脉冲的目的，并且通过射频发生模块提供的射频脉冲信号，将进入腔体内部的气体脉冲电离产生等离子体，以使所述等离子体根据所述射频脉冲信号的功率、腔体压强和所述电平脉冲信号的频率对所述腔体的不同部位进行清洁，避免了湿法清洁过程需要在腔体处于室温进行而造成的清洁用时较长，清洁效率低下以及容易引入有机溶剂污染的问题。
并且所述气相沉积设备的所述信号发生模块可以提供不同频率的电平脉冲信号，以控制通入腔体的气体脉冲的频率，所述射频发生模块可以提供不同功率的射频脉冲信号，通过控制电平脉冲信号的频率、射频脉冲信号的功率以及腔体压强，可以实现对腔体内用于清洁的等离子体的运动方向和所处位置的控制，从而实现对腔体内部不同部位的全方位清洁。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请的一个实施例提供的一种气相沉积设备的结构示意图；
图2为本申请的一个实施例提供的一种电平脉冲信号的示意图；
图3为本申请的一个实施例提供的一种射频脉冲信号的示意图；
图4为本申请的另一个实施例提供的一种气相沉积设备的结构示意图；
图5为本申请的一个实施例提供的一种气相沉积设备的控制方法的流程示意图；
图6为本申请的一个实施例提供的一种腔体清洁操作的流程示意图；
图7为本申请的另一个实施例提供的一种气相沉积设备的控制方法的流程示意图；
图8为本申请的一个实施例提供的一种腔体清洁方法的流程示意图；
图9为本申请的另一个实施例提供的一种腔体清洁方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种气相沉积设备，如图1所示，包括：
腔体10，所述腔体10包括贯穿所述腔体10外壁12和内壁11的第一连接端和第二连接端以及贯穿所述腔体10外壁12的第三连接端，所述第三连接端暴露出所述腔体10内壁11；
设置于所述腔体10内部，且覆盖所述第一连接端和第二连接端的脉冲电磁阀30；
通过所述第二连接端与所述脉冲电磁阀30连接的气箱40，所述气箱40中用于存储预设气体；
通过所述第一连接端与所述脉冲电磁阀30连接的信号发送模块60，所述信号发送模块60用于向所述脉冲电磁阀30提供不同频率的电平脉冲信号；所述脉冲电磁阀30用于根据所述电平脉冲信号，控制所述气箱40中的预设气体以气体脉冲的形式进入所述腔体10内部；
通过所述第三连接端与所述腔体10内壁11连接的射频发生模块50，所述射频发生模块50用于提供不同功率的射频脉冲信号，以使进入所述腔体10内部的气体脉冲电离产生等离子体，所述等离子体根据所述射频脉冲信号的功率、腔体10压强和所述电平脉冲信号的频率对所述腔体10的不同部位进行清洁。
在图1中，所述腔体10的外壁12接地(GND)，另外图1中的标号20表示所述气相沉积设备的载盘。
在本实施例中，所述气相沉积设备通过气箱40、脉冲电磁阀30和信号发送模块60的配合，实现向腔体10内通入由预设气体形成的气体脉冲的目的，具体地，举例来说，参考图2，图2为本申请实施例提供的一种电平脉冲信号的示意图，当所述电平脉冲信号处于高电平时，所述脉冲电磁阀30打开，控制所述气箱40中的预设气体进入腔体10中；当所述电平脉冲信号处于低电平时，所述脉冲电磁阀30关闭，所述气箱40中的预设气体无法进入所述腔体10中；通过脉冲电磁阀30的打开和关闭，实现向腔体10中通入预设气体，形成气体脉冲的目的，并且通过上述描述可知，通入所述腔体10内的气体脉冲频率与所述电平脉冲信号的频率相同。
另外，所述气相沉积设备通过射频发生模块50提供的射频脉冲信号，将进入腔体10内部的气体脉冲电离产生等离子体，以使所述等离子体根据所述射频脉冲信号的功率、腔体10压强和所述电平脉冲信号的频率对所述腔体10的不同部位进行清洁，避免了湿法清洁过程需要在腔体10处于室温进行而造成的清洁用时较长，清洁效率低下以及容易引入有机溶剂污染的问题。
进一步的，所述气相沉积设备的所述信号发送模块60可以提供不同频率的电平脉冲信号，以控制通入腔体10的气体脉冲的频率，所述射频发生模块50可以提供不同功率的射频脉冲信号，通过控制电平脉冲信号的频率、射频脉冲信号的功率以及腔体10压强，可以实现对腔体10内用于清洁的等离子体的运动方向和所处位置的控制，从而实现对腔体10内部不同部位的全方位清洁。
具体地，当所述信号发送模块60提供较低频率的电平脉冲信号，腔体10压强处于低压强，且射频发生模块50提供的射频脉冲信号为中功率时，位于腔体10内的脉冲气体具有较小的动量，当脉冲气体被射频脉冲信号转换为等离子体时，这些等离子体团簇也具有较低动量，因此这些等离子体团簇主要位于腔体10的上方，诱使这些等离子体与腔体10侧壁和上壁的待清洁产物进行反应，实现对腔体10侧壁和上壁的清洁；
当所述信号发送模块60提供较高频率的电平脉冲信号，腔体10压强为高压强，且射频发生模块50提供的射频脉冲信号为高功率时，在腔体10内的气体脉冲具有较高动量，在高压腔体10内短时间释放巨大冲力，进而通过射频脉冲信号的作用，使得气体脉冲电离产生较大动量的等离子体团簇，这些等离子体主要位于腔体10的下方，诱使这些等离子体与腔体10底部内壁11和载盘20表面的待清洁产物进行反应，实现对腔体10侧壁和上壁的清洁。
可选的，参考图3，所述射频脉冲信号为正弦波射频脉冲信号。由于所述射频脉冲信号为正弦波射频脉冲信号，使得所述气相沉积设备可以通过控制正弦波射频脉冲信号的正负，实现对腔体10内气体脉冲和等离子体的运动方向的控制。
可选的，参考图4，所述信号发送模块60包括：PLC控制电路62和信号发生器61；其中，
所述信号发生器61的信号输入端与所述PLC控制电路62的信号输出端连接，所述信号发生器61的信号输出端与所述脉冲电磁阀30连接，所述信号发生器61用于产生电平脉冲信号；在图4中，所述信号发生器的接地端接地；
所述PLC(Programmable Logic Controller，可编程逻辑控制器)控制电路62，用于控制所述信号发生器61产生的电平脉冲信号的频率。
此外，图4中还示出了一种射频发生模块50的可行构成，包括适配器52和射频源51，射频源51的接地端接地，输出端与适配器52连接，所述射频源51用于提供电离脉冲气体的能量，所述适配器52用于为腔体射频转换提供调配。
下面对本申请实施例提供的气相沉积设备的控制方法进行描述，下文描述的气相沉积设备的控制方法可与上文描述的气相沉积设备相互对应参照。
相应的，本申请实施例提供了一种气相沉积设备的控制方法，如图5所示，应用于上述任一实施例所述的气相沉积设备，所述气相沉积设备的控制方法包括：
S101：控制所述气相沉积设备进行抽真空操作；
S102：在抽真空操作完成后，控制所述气相沉积设备在第一状态下进行第一次腔体清洁操作，以去除所述腔体侧壁和上壁的待清洁产物；所述第一状态包括：所述腔体的压强为第一预设压强、所述信号发生模块产生的电平脉冲信号的频率为第一预设频率和所述射频发生模块提供的射频脉冲信号的功率为第一预设功率；
S103：在第一次腔体清洁操作完成后，控制所述气相沉积设备在第二状态下进行第二次腔体清洁操作，以去除所述腔体底部内壁和载盘表面的待清洁产物；所述第二状态包括：所述腔体的压强为第二预设压强、所述信号发生模块产生的电平脉冲信号的频率为第二预设频率和所述射频发生模块提供的射频脉冲信号的功率为第二预设功率；所述第二预设压强大于所述第一预设压强，所述第二预设频率大于所述第一预设频率，所述第二预设功率大于所述第一预设功率；
S104：在腔体清洁操作完成后，排出所述腔体内部的气体。
正如前文所述，当所述气相沉积设备处于第一状态时，即当所述信号发生模块提供较低频率的电平脉冲信号，腔体压强处于低压强，且射频发生模块提供的射频脉冲信号为中功率时，位于腔体内的脉冲气体具有较小的动量，当脉冲气体被射频脉冲信号转换为等离子体时，这些等离子体团簇也具有较低动量，因此这些等离子体团簇主要位于腔体的上方，诱使这些等离子体与腔体侧壁和上壁的待清洁产物进行反应，实现对腔体侧壁和上壁的清洁；
当所述气相沉积设备处于第二状态时，即当所述信号发生模块提供较高频率的电平脉冲信号，腔体压强为高压强，且射频发生模块提供的射频脉冲信号为高功率时，在腔体内的气体脉冲具有较高动量，在高压腔体内短时间释放巨大冲力，进而通过射频脉冲信号的作用，使得气体脉冲电离产生较大动量的等离子体团簇，这些等离子体主要位于腔体的下方，诱使这些等离子体与腔体底部内壁和载盘表面的待清洁产物进行反应，实现对腔体侧壁和上壁的清洁。
可选的，如图6所示，所述腔体清洁操作包括：
S201：控制所述信号发生模块产生电平脉冲信号，以使所述脉冲电磁阀根据所述电平脉冲信号控制所述气箱中的预设气体以气体脉冲的形式进入所述腔体内部；
S202：控制所述射频发生模块提供射频脉冲信号，以使进入所述腔体内部的气体脉冲电离产生等离子体。
需要说明的是，在对所述腔体进行第一次腔体清洁操作和第二次腔体清洁操作时，均可以在第一状态或第二状态下，多次执行步骤S201和步骤S202，以实现在每次腔体清洁操作过程中对于腔体不同部位的彻底清洁。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，当所述待清洁产物为二氧化硅或氮化硅或氮氧化物时；
所述预设气体为四氟甲烷或三氟甲烷或二氟甲烷或六氟化硫或氧气；
所述第一预设功率的取值范围为100-500W，所述第一预设频率的取值范围为10kHz-60kHz，所述第一预设压强的取值范围为100-500Pa；
所述第二预设功率的取值范围为500-1500W，所述第二预设频率的取值范围为60kHz-120kHz，所述第二预设压强的取值范围为1000-2000Pa。
在上述实施例的基础上，在本申请的另一个实施例中，如图7所示，所述控制所述气相沉积设备进行抽真空操作之后，所述控制所述气相沉积设备在第一状态下进行第一次腔体清洁操作之前还包括：
S105：向所述腔体内预通入惰性气体，以对所述腔体进行吹扫操作。
所述惰性气体可以是氮气、氩气、氦气或氖气等，本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。
在本实施例中，在对腔体进行第一次腔体清洁操作之前对腔体进行的吹扫操作可以排出腔体内的杂质气体。
相应的，本申请实施例还提供了一种腔体清洁方法，如图8所示，包括：
S301：对腔体进行抽真空操作；
S302：在抽真空操作完成后，控制所述腔体内的压强为第一预设压强，并向所述腔体内以第一预设频率通入气体脉冲；
S303：向所述腔体提供功率为第一预设功率的射频脉冲信号，以使所述气体脉冲成为等离子体对所述腔体的侧壁和上壁的待清洁产物进行去除处理；
S304：控制所述腔体内的压强为第二预设压强，并向所述腔体内以第二预设频率通入气体脉冲；
S305：向所述腔体提供功率为第二预设功率的射频脉冲信号，以使所述气体脉冲成为等离子体对所述腔体的底部内壁和载盘表面的待清洁产物进行去除处理；所述第二预设压强大于所述第一预设压强，所述第二预设频率大于所述第一预设频率，所述第二预设功率大于所述第一预设功率；
S306：在对所述腔体的底部内壁和载盘表面的待清洁产物进行去除处理的操作完成后，排出所述腔体内部的气体。
可选的，当所述待清洁产物为二氧化硅或氮化硅或氮氧化物时；
所述预设气体为四氟甲烷或三氟甲烷或二氟甲烷或六氟化硫或氧气；
所述第一预设功率的取值范围为100-500W，所述第一预设频率的取值范围为10kHz-60kHz，所述第一预设压强的取值范围为100-500Pa；
所述第二预设功率的取值范围为500-1500W，所述第二预设频率的取值范围为60kHz-120kHz，所述第二预设压强的取值范围为1000-2000Pa。
可选的，如图9所示，所述对腔体进行抽真空操作之后，所述控制所述腔体内的压强为第一预设压强，并向所述腔体内以第一预设频率通入气体脉冲之前还包括：
S307：向所述腔体内预通入惰性气体，以对所述腔体进行吹扫操作。
综上所述，本申请实施例提供了一种气相沉积设备及其控制方法、腔体清洁方法，其中，所述气相沉积设备通过气箱、脉冲电磁阀和信号发生模块的配合，实现向腔体内通入由预设气体形成的气体脉冲的目的，并且通过射频发生模块提供的射频脉冲信号，将进入腔体内部的气体脉冲电离产生等离子体，以使所述等离子体根据所述射频脉冲信号的功率、腔体压强和所述电平脉冲信号的频率对所述腔体的不同部位进行清洁，避免了湿法清洁过程需要在腔体处于室温进行而造成的清洁用时较长，清洁效率低下以及容易引入有机溶剂污染的问题。
并且所述气相沉积设备的所述信号发生模块可以提供不同频率的电平脉冲信号，以控制通入腔体的气体脉冲的频率，所述射频发生模块可以提供不同功率的射频脉冲信号，通过控制电平脉冲信号的频率、射频脉冲信号的功率以及腔体压强，可以实现对腔体内用于清洁的等离子体的运动方向和所处位置的控制，从而实现对腔体内部不同部位的全方位清洁。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (7)

1.一种气相沉积设备，其特征在于，包括：
腔体，所述腔体包括贯穿所述腔体外壁和内壁的第一连接端和第二连接端以及贯穿所述腔体外壁的第三连接端，所述第三连接端暴露出所述腔体内壁；
设置于所述腔体内部，且覆盖所述第一连接端和第二连接端的脉冲电磁阀；
通过所述第二连接端与所述脉冲电磁阀连接的气箱，所述气箱中用于存储预设气体；
通过所述第一连接端与所述脉冲电磁阀连接的信号发生模块，所述信号发生模块用于向所述脉冲电磁阀提供不同频率的电平脉冲信号；所述脉冲电磁阀用于根据所述电平脉冲信号，控制所述气箱中的预设气体以气体脉冲的形式进入所述腔体内部；
通过所述第三连接端与所述腔体内壁连接的射频发生模块，所述射频发生模块用于提供不同功率的射频脉冲信号，以使进入所述腔体内部的气体脉冲电离产生等离子体，所述等离子体根据所述射频脉冲信号的功率、腔体压强和所述电平脉冲信号的频率对所述腔体的不同部位进行清洁。
2.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述射频脉冲信号为正弦波射频脉冲信号。
3.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述信号发生模块包括：PLC控制电路和信号发生器；其中，
所述信号发生器的信号输入端与所述PLC控制电路的信号输出端连接，所述信号发生器的信号输出端与所述脉冲电磁阀连接，所述信号发生器用于产生电平脉冲信号；
所述PLC控制电路，用于控制所述信号发生器产生的电平脉冲信号的频率。
4.一种气相沉积设备的控制方法，其特征在于，应用于权利要求1-3任一项所述的气相沉积设备，所述气相沉积设备的控制方法包括：
控制所述气相沉积设备进行抽真空操作；
在抽真空操作完成后，控制所述气相沉积设备在第一状态下进行第一次腔体清洁操作，以去除所述腔体侧壁和上壁的待清洁产物；所述第一状态包括：所述腔体的压强为第一预设压强、所述信号发生模块产生的电平脉冲信号的频率为第一预设频率和所述射频发生模块提供的射频脉冲信号的功率为第一预设功率；
在第一次腔体清洁操作完成后，控制所述气相沉积设备在第二状态下进行第二次腔体清洁操作，以去除所述腔体底部内壁和载盘表面的待清洁产物；所述第二状态包括：所述腔体的压强为第二预设压强、所述信号发生模块产生的电平脉冲信号的频率为第二预设频率和所述射频发生模块提供的射频脉冲信号的功率为第二预设功率；所述第二预设压强大于所述第一预设压强，所述第二预设频率大于所述第一预设频率，所述第二预设功率大于所述第一预设功率；
在腔体清洁操作完成后，排出所述腔体内部的气体。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述腔体清洁操作包括：
控制所述信号发生模块产生电平脉冲信号，以使所述脉冲电磁阀根据所述电平脉冲信号控制所述气箱中的预设气体以气体脉冲的形式进入所述腔体内部；
控制所述射频发生模块提供射频脉冲信号，以使进入所述腔体内部的气体脉冲电离产生等离子体。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述待清洁产物为二氧化硅或氮化硅或氮氧化物时；
所述预设气体为四氟甲烷或三氟甲烷或二氟甲烷或六氟化硫或氧气；
所述第一预设功率的取值范围为100-500W，所述第一预设频率的取值范围为10kHz-60kHz，所述第一预设压强的取值范围为100-500Pa；
所述第二预设功率的取值范围为500-1500W，所述第二预设频率的取值范围为60kHz-120kHz，所述第二预设压强的取值范围为1000-2000Pa。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述控制所述气相沉积设备进行抽真空操作之后，所述控制所述气相沉积设备在第一状态下进行第一次腔体清洁操作之前还包括：
向所述腔体内预通入惰性气体，以对所述腔体进行吹扫操作。
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