CN102623298A

CN102623298A - 反应腔室的清洗方法

Info

Publication number: CN102623298A
Application number: CN2011100323790A
Authority: CN
Inventors: 许亮
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date: 2011-01-30
Filing date: 2011-01-30
Publication date: 2012-08-01
Anticipated expiration: 2031-01-30
Also published as: CN102623298B

Abstract

一种反应腔室的清洗方法，用于清洗反应腔室的副产物，包括如下步骤：第一步清洗，包括向反应腔室通入等离子体化后的清洗气体，并将所述反应腔室的压强调节为第一压强；第二步清洗，包括在所述等离子化后的清洗气体与所述反应腔室的副产物反应第一预设时间后，调节所述反应腔室的压强至第二压强，所述等离子体化后的清洗气体继续与所述副产物反应第二预设时间。本发明提供的反应腔室的清洗方法可以对压力控制阀及反应腔室和抽气泵之间的部分管路进行清洗，保证了的压力控制阀的正常工作，提高了产品的良率。

Description

反应腔室的清洗方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种反应腔室的清洗方法。

背景技术

化学气相沉积(CVD)是通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺。一般来讲CVD包括常压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)。

通常采用CVD方式沉积二氧化硅(SiO₂)时，可以通过TEOS工艺来沉积SiO₂，即采用正硅酸乙酯(TEOS)，分子式为Si(C₂H₅O₄)，和臭氧(O₃)或氧气来反应沉积SiO₂，采用TEOS和臭氧或氧气的方法沉积SiO₂时沉积速率比较快，在很大程度上提高了机台每小时的芯片产出(WPH)。对于通过TEOS和臭氧或氧气的方法在衬底上沉积SiO₂的反应腔室(process chamber)而言，沉积过程中产生的非挥发性副产物会沉积于反应腔室的内壁表面，喷淋装置、加热器、压力控制阀(throttle)的扇叶上以及连接反应腔室和抽气泵之间的部分管路等。随着沉积反应的进行，反应腔室内的喷淋装置、加热器、反应腔室内壁上不断堆积的副产物会开裂进而会导致反应过程中的腔室环境不断变化，影响沉积速率及其均匀性等反应参数，压力控制阀不能准确控制反应腔室的压力，上述部分管路被堵塞，同时副产物开裂还会使反应腔室内产生大量的颗粒，降低了产品的良率。

因此，现有技术一般会在所述反应腔室使用一段时间后，对所述反应腔室进行相应的清洗。具体地，通过采用向反应腔室通入含氟气体和氧气的混合气体，如四氟化碳(CF₄)和氧气的混合气体并采用射频源对所述混合气体进行等离子体化，等离子体化的气体会与所述反应腔室内的副产物反应生成易挥发性物质，然后通过抽气泵抽出反应腔室里的仍然残留的副产物和未反应的气体，从而达到去除反应腔室内喷淋装置、加热器、压力控制阀的扇叶以及反应腔室的内壁上的副产物。

但是，通过上述方法并不能完全去除反应腔室的压力控制阀上的副产物，以及沉积在连接所述反应腔室和抽气泵之间的部分管路内的副产物。

申请号为200910082929.2中国专利申请提供了一种去除腔室副产物的等离子清洗方法和等离子处理系统。其先排空腔室中的残气，然后通入清洗气体以形成等离子体进行清洗操作，所述清洗气体由氧气和含氟气体组成，且含氟气体/氧气的流量比率为0％～15％，清洗完成后，排空腔室中的残气以达到清洗腔室内碳基副产物的目的。但是其对于上述问题并未涉及。

发明内容

本发明解决的是现有技术中反应腔室清洗不干净，进而导致压力控制阀无法正常工作及所述反应腔室和抽气泵之间的部分管路被堵塞的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种反应腔室的清洗方法，用于清洗反应腔室的副产物，包括如下步骤：

第一步清洗，包括向反应腔室通入等离子体化后的清洗气体，并将所述反应腔室的压强调节为第一压强；

第二步清洗，包括在所述等离子化后的清洗气体与所述反应腔室的副产物反应第一预设时间后，调节所述反应腔室的压强至第二压强，所述等离子体化后的清洗气体继续与所述副产物反应第二预设时间。

可选的，所述副产物为采用TEOS工艺沉积SiO₂时所产生的副产物，所述清洗气体包括氧气和含氟气体。

可选的，所述第一压强小于或者大于第二压强。

可选的，所述第一压强为2Torr～10Torr，所述第二压强为0.6Torr～2Torr。

可选的，所述第一压强为0.6Torr～2Torr，所述第二压强为2Torr～10Torr。

可选的，所述含氟气体为C₂F₆、CF₄、NF₃其中的一种。

可选的，所述含氟气体为C₂F₆，所述C₂F₆的流量为2000～3000sccm，所述氧气的流量为3000～4500sccm。

可选的，采用射频源或高频源对所述对清洗气体等离子体化。

可选的，所述清洗方法还包括在所述第二步清洗后进行第三步清洗，所述第三步清洗包括：调节所述反应腔室的压强至第三压强，所述等离子体化后的清洗气体继续与所述副产物反应第三预设时间，所述第三压强小于或者大于所述第二压强。

可选的，所述反应腔室还连接有压力控制阀，所述压力控制阀具有扇叶，所述反应腔室的压强通过所述扇叶开启的角度来控制。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

对反应腔室采用不同压强进行清洗，由于两步清洗压强的不同，改变了清洗气体的等离子体中原子的自由程，故可以对反应腔室的各个部分都进行清洗。也即，既可以对反应腔室内的硬件(如喷淋装置、加热器等)进行清洗，也可以对压力控制阀及连接所述反应腔室和抽气泵之间的部分管路进行清洗。既保证了反应腔室内部环境的干净，又确保了保压力控制阀可以正常工作，同时也防止了由于反应腔室和抽气泵之间的部分管路堵塞而阻碍抽气泵抽取反应腔室内的副产物的问题。改善了反应腔室的清洗效果，提高了产品的良率。

此外，对于采用带有扇叶结构通过扇叶开启的角度来控制反应腔室压强的压力控制阀而言，为了控制反应腔室压强的大小而改变了扇叶的开启角度，有利于采用抽气泵抽取所述扇叶上残留的副产物，进一步提高了对压力控制阀的清洗效果，确保压力控制阀可以正常工作，提高产品的良率。

附图说明

图1是本发明实施方式的反应腔室清洗方法的流程图。

具体实施方式

化学气相沉积(CVD)被广泛的应用在半导体制造工艺中膜层的沉积。现有技术中对于CVD反应腔室的清洗均采用将清洗气体等离子体化后与反应腔室中的副产物(通常为SiO₂)发生反应生成易挥发性的物质，然后通过抽气泵将所述易挥发性的物质、残留的副产物及未反应的气体抽出，以完成对反应腔室的清洗。然而，发明人发现，当采用CVD沉积的膜层较厚时，残留在反应腔室内的副产物、压力控制阀及连接所述反应腔室与抽气泵之间管路内的副产物也会增多，若仍采用上述方法清洗所述反应腔室时，压力控制阀及反应腔室与抽气泵之间管路内仍然会覆盖有沉积过程中生成的副产物，导致压力阀不能准确控制反应腔室的压力，反应腔室与抽气泵之间管路堵塞。

而且对于采用通过扇叶开启的角度的大小来控制反应腔室压强大小的压力控制阀而言，采用上述清洗方法后压力控制阀的扇叶上仍然残留有大量的未与清洗气体反应的副产物，导致压力控制阀无法准确地控制反应腔室的压强，无法正常工作。

发明人考虑，现有清洗工艺中，为了能够将反应腔室内的硬件，如喷淋装置、加热器等清洗干净，通常会采用比较高的压强，然而随着腔室内压强的增高，其清洗气体的等离子体的自由程势必会缩短，故对于距离通入清洗气体的等离子体的入口较远的压力控制阀及连接所述反应腔室和抽气泵之间的管路而言，其无法做到对这两部分进行彻底的清洗。而且，对于压力控制阀采用扇叶结构，通过扇叶开启的角度大小来控制反应腔室压强(例如：在反应腔室通入的气体一定时，若增大扇叶的开启角度，反应腔室的压强减小，若减小扇叶的开启角度，反应腔室的压强增大)的压力控制阀而言，在通入的气体流量相同的前提下，若使反应腔室的压强比较高时，其压力控制阀扇叶的开启角度会调得比较小。当采用抽气泵抽取覆盖在扇叶上残留的副产物时，由于扇叶的开启角度比较小，故很难通过抽气泵将所述的副产物抽尽，所述副产物仍然会覆盖在所述压力控制阀的扇叶上，进而导致压力控制阀无法正常工作，降低了产品的良率。

因此，发明人提出，通过两步清洗的方式，对沉积在反应腔室内的副产物、腔室内壁的副产物、压力控制阀上的副产物及连接所述反应腔室和抽气泵之间管道内的副产物进行清洗。具体地，通过控制两步清洗过程中反应腔室压强的不同，改变清洗气体的等离子体中原子的自由程，在高压的条件下保证对反应腔室内的硬件进行彻底清洗，在低压的条件下以确保对反应腔室的内壁、压力控制阀、反应腔室与抽气泵之间管道的清洗。

此外，发明人还发现，上述清洗方式对于采用扇叶结构的压力控制阀而言，若第一步清洗采用高压清洗，第二步清洗采用低压清洗，在前后两步清洗方式中通入清洗气体流量不变或加大通入清洗气体流量的情况下，为了使反应腔室的压强减小，压力控制阀扇叶的开启角度会增大，进而方便了抽气泵对覆盖于其上的残留的副产物的抽取，进一步地提高了对压力控制阀的清洗。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。

请参见图1，图1为本发明实施方式的反应腔室清洗方法的流程图，本实施方式的反应腔室清洗方法包括如下步骤：

S101：第一步清洗，包括向反应腔室通入等离子体化后的清洗气体，并将所述反应腔室的压强调节为第一压强；

S102：第二步清洗，包括在所述等离子化后的清洗气体与所述反应腔室的副产物反应第一预设时间后，调节所述反应腔室的压强至第二压强，使得所述等离子体化后的清洗气体继续与所述副产物反应第二预设时间。

为了能够更好地说明本发明反应腔室的清洗方法，本实施方式中以APCVD中采用TEOS和臭氧或氧气的方法沉积SiO₂为例进行相应的说明，但是需要说明的是，本发明的反应腔室的清洗方法并不仅仅局限于对采用TEOS工艺沉积SiO₂的反应腔室进行清洗，其同样也适用于对任何CVD反应腔室的清洗。而对于采用本发明的清洗方法对CVD腔室进行清洗时，针对不同的CVD腔室(即不同的CVD反应腔室的体积、形状、构造细节有所不同)及所述CVD腔室中所沉积的不同副产物，其通入的清洗气体，清洗气体的流量以及为了达到最佳的清洗效果反应腔室所要达到的压强以及清洗时间等均应根据实际的情况进行相应的调整。因此，下述清洗气体的流量、反应腔室的压强不应作为对本发明的限定，本领域技术人员可以针对具体不同的情况对清洗气体的流量及反应腔室的压强进行相应的调整以达到对所述反应腔室较佳的清洗效果。

实施例一

本实施例中由于是以采用TEOS和臭氧或氧气的方法沉积SiO₂为例进行说明，因此其副产物通常为SiO₂，对于SiO₂的清洗，一般采用的清洗气体为含氟气体和氧气的混合气体，其中所述含氟气体为六氟乙烷(C₂F₆)、CF₄、三氟化氮(NF₃)其中的一种。对于C₂F₆、CF₄而言可以采用一边向反应腔室通入C₂F₆或CF₄的气体，一边采用射频源或高频源的方式将C₂F₆或CF₄等离子体化，而对于NF₃而言则是先通过等离子体发生装置将所述NF₃等离子体化，然后将NF₃的等离子体直接通入反应腔室。

本实施例中以C₂F₆为例进行说明，将清洗气体为C₂F₆和O₂的混合气体通入反应腔室，同时采用射频源或高频源的方式将C₂F₆和O₂的混合气体等离子体化，本实施例中所述C₂F₆的流量为2000标准毫升/分钟(sccm)～3000sccm，具体例如：2000sccm、2100sccm、2200sccm、2300sccm、2400sccm、2500sccm、2600sccm、2700sccm、2800sccm、2800sccm、3000sccm等。所述O₂的流量为3000sccm～4500sccm，具体例如：3000sccm、3100sccm、3200sccm、3300sccm、3400sccm、3500sccm、3600sccm、3700sccm、3800sccm、3900sccm、4000sccm、4100sccm、4200sccm、4300sccm、4400sccm、4500sccm等。

为了能够清楚说明本实施例，现以第一压强大于第二压强，即第一步清洗采用高压清洗，第二步清洗采用低压清洗为例进行相应的说明。本实施例中通过压力控制阀将所述反应腔室的压强调节至第一压强并使得所述体C₂F₆和O₂的混合气体与反应腔室的副产物反应第一预设时间，对所述反应腔室内的硬件进行相应的清洗，所述硬件包括：气体喷淋装置、加热器等，一般而言，清洗气体的等离子体从反应腔室的顶部通入，故清洗气体的等离子体会首先与离其较近的喷淋装置、加热器上覆盖的较厚的副产物进行反应，以确保对喷淋装置和加热器进行彻底地清洗，去除覆盖于其上的副产物。所述第一压强为2托(Torr)～10Torr，具体例如：2Torr、3Torr、4Torr、5Torr、6Torr、7Torr、8Torr、9Torr或10Torr等。所述第一预设时间根据反应腔室内沉积的SiO₂膜的厚度而定，对于不同的厚度，所述第一预设时间也随之不同，应根据实际情况而定。

也即本领域技术人员可以根据上述清洗气体中C₂F₆及O₂的流量范围及第一压强的范围来选择C₂F₆和O₂的流量及第一压强值，根据所要沉积的SiO₂膜层的厚度来选择进行第一步清洗的时间。通过压力控制阀将反应腔室的压强控制在所述第一压强值，并使得C₂F₆和O₂的等离子体与沉积在反应腔室内的喷淋装置、加热器等上较厚的副产物进行反应生成易挥发性的物质，对反应腔室内的硬件进行彻底清洗，达到最佳的清洗效果。

需要说明的是，上述C₂F₆的流量控制在2000sccm～3000sccm，O₂的流量控制在3000sccm～4500sccm，反应腔室的压强控制在2Torr～10Torr，仅为采用TEOS工艺沉积SiO₂的反应腔室进行清洗的一个优选实施例，本领域技术人员可以根据不同的实际情况，对其进行相应的调整，故，上述的C₂F₆的流量、O₂的流量、反应腔室的压强不应作为对本发明的限定。

在上述C₂F₆和O₂的混合气体的等离子体在反应腔室压强为第一压强的条件下与反应腔室的副产物反应第一预设时间后，调节所述反应腔室的压强至第二压强，进行低压清洗，并使得所述混合气体的等离子体继续与所述副产物反应第二预设时间，由于第二压强小于第一压强，因此增加了清洗气体等离子体中氟原子的自由程，可以对通入清洗气体的等离子体入口处较远的反应腔室的内壁、压力控制阀及连接所述腔室和抽气泵之间的管路进行相应地清洗。本实施例中采用在输入气体流量不变的情况下，控制压力控制阀来调节反应腔室的压强。在其他实施例中也可以采用其他方式调节反应腔室的压强，如增大通入清洗气体的流量，并相应地调节压力控制阀。本实施例中所述第二压强为0.6Torr～2Torr，具体例如：0.6Torr、0.7Torr、0.8Torr、0.9Torr、1.0Torr、1.1Torr、1.2Torr、1.3Torr、1.4Torr、1.5Torr、1.6Torr、1.7Torr、1.8Torr、1.9Torr、2Torr等。同样地，本实施例中所述第二预设时间也由反应腔室内沉积的SiO₂膜的厚度而定。

本实施例中由于第二压强小于第一压强，使得混合气体的等离子体中氟原子的自由程变长，进而可以对压力控制阀、反应腔室内壁及反应腔室和抽气泵之间的部分管路进行清洗。

也即本领域技术人员可以在第一步清洗时通入C₂F₆和O₂的流量不变的情况下，调节压力控制阀控制第二压强在0.6Torr～2Torr，即使得第二步清洗时反应腔室内的压强小于第一步清洗时反应腔室内的压强，并使得C₂F₆和O₂的等离子体主要与反应腔室的内壁、压力控制阀、连接所述反应腔室和抽气泵之间的管道上覆盖的副产物进行反应第二预设时间以对其进行清洗。

需要说明的是本实施例中是以第一步清洗时反应腔室内的压强大于第二步清洗时反应腔室内的压强进行说明的，即第一步清洗采用高压清洗，第二步清洗采用低压清洗。在其他实施例中也可以在第一步清洗采用低压清洗，第二步清洗采用高压清洗，即使得第一步清洗时的第一压强小于第二步清洗时的第二压强，即先对反应腔室内壁、压力控制阀、连接所述反应腔室和抽气泵之间的管道进行清洗，然后再对反应腔室内的硬件喷淋装置、加热器等进行清洗。

此外，一般而言通过两步清洗即可以达到较佳的清洗效果，为了使得清洗效果更好，在又一实施例中，还可以进行第三步清洗或者更多步清洗，一般前后两次清洗时反应腔室的压强可以不同。所述第三步清洗包括：调节所述反应腔室的压强至第三压强，并使得所述等离子体化后的清洗气体继续与所述副产物反应第三预设时间，所述第三压强小于或者大于所述第二压强。同样地，所述第三预设时间仍由反应腔室内沉积的SiO₂膜的厚度而定，所述第三压强既可以大于第二压强也可以小于第二压强。举例来说：若第一步清洗时采用高压清洗，第二步清洗时采用低压清洗，第三步清洗时可以采用比第二步清洗时的压强小的第三压强，即继续增大氟原子的自由程，以对距离清洗气体的等离子体入口较远的地方进行清洗，如连接所述反应腔室和抽气泵之间管路的后端部分等进行清洗。另外，第三步清洗时的第三压强也可以大于第二压强，以对距离清洗气体的等离子体入口较近的地方进行清洗。而对于第一步清洗先采用低压清洗，第二步清洗采用高压清洗的两步清洗，第三步清洗时第三压强的选择与上述相同，此处不再赘述。

实施例二

本实施例中仍以采用TEOS和臭氧或氧气的方法沉积SiO₂为例进行说明，不同的是本实施例中的压力控制阀为具有扇叶结构的压力控制阀，其通过扇叶开启的角度来控制反应腔室的压强。对于采用扇叶结构的压力控制阀而言，随着反应腔室内沉积膜层厚度的增加，其扇叶上也会覆盖有一层很厚的副产物(通常为SiO₂)。

本实施例中第一步清洗与实施例一中相似，C₂F₆的流量为2000sccm～3000sccm，O₂的流量为3000sccm～4500sccm，第一压强为2Torr～10Torr，即本领域技术人员可以根据清洗气体中C₂F₆及O₂的流量范围及第一压强的范围来选择C₂F₆和O₂的流量及第一压强值，根据所要沉积的SiO₂膜层的厚度来选择进行第一步清洗的时间。通过压力控制阀将反应腔室的压强控制在所述第一压强值，并使得C₂F₆和O₂的等离子体与沉积在反应腔室内的喷淋装置、加热器等上较厚的副产物进行反应生成易挥发性的物质，对反应腔室内的硬件进行彻底清洗，达到最佳的清洗效果。本步中，为了达到最佳的清洗效果C₂F₆的流量和反应腔室的压强的取值可以与实施例一中的相同，而O₂的流量的可以比实施例一中氧气流量的取值大一些，这样做可以使得扇叶开启的角度的大一些，方便以后采用抽气泵对扇叶上残留的副产物的抽取。

在上述C₂F₆和O₂的混合气体的等离子体在反应腔室压强为第一压强的条件下与反应腔室的副产物反应第一预设时间后，调节所述反应腔室的压强至第二压强，进行低压清洗，并使得所述混合气体的等离子体继续与所述副产物反应第二预设时间。本实施例中采用在输入气体流量不变的情况下，控制压力控制阀扇叶开启的角度来调节反应腔室的压强，由于第二压强小于第一压强，因此扇叶的开启角度会比在第一压强下扇叶开启的角度大，更加有利于抽气泵对扇叶上残留的副产物的抽取。同时，由于第二压强小于第一压强，因此也增加了清洗气体等离子体中氟原子的自由程，可以对通入清洗气体的等离子体入口处较远的反应腔室的内壁、压力控制阀的扇叶及连接所述腔室和抽气泵之间的管路进行相应地清洗。本实施例中所述第二压强为0.6Torr～2Torr，具体例如：0.6Torr、0.7Torr、0.8Torr、0.9Torr、1.0Torr、1.1Torr、1.2Torr、1.3Torr、1.4Torr、1.5Torr、1.6Torr、1.7Torr、1.8Torr、1.9Torr、2Torr等。同样地，本实施例中所述第二预设时间也由反应腔室内沉积的SiO₂膜的厚度而定。

此外，本实施例中若第一步采用低压清洗，第二步采用高压清洗，则本领域技术人员可以在保证C₂F₆流量适当的情况下(既不会造成浪费又可以与反应腔室内的副产物完全反应)选择第一步清洗时的压强和氧气的流量来使得扇叶开启的角度大一些，在第二步高压清洗时，可以适当地再增加氧气的流量，来调节反应腔室的压强，这样做一方面仍然可以保证对反应腔室内的硬件喷淋装置、加热器等进行较佳的清洗，又可以使得扇叶开启的角度不会太小，对于后续采用抽气泵将覆盖在扇叶上的仍存在的未与清洗气体等离子体反应的副产物的抽取提供了便利条件，也防止了由于副产物覆盖在压力控制阀的扇叶上而导致的压力控制阀不能准确地控制反应腔室的压力，无法正常工作的问题。

综上所述，本发明的反应腔室的清洗方法，对反应腔室采用不同压强进行清洗，由于两步清洗压强的不同，改变了清洗气体的等离子体中原子的自由程，故可以对反应腔室的各个部分都进行清洗。对于采用高压清洗而言其可以对反应腔室内的硬件(如喷淋装置、加热器等)进行清洗，保证反应腔室内部环境的干净。而采用低压清洗则可以对压力控制阀及连接所述反应腔室和抽气泵之间的部分管路进行清洗。以确保压力控制阀可以正常工作，同时也防止了由于反应腔室和抽气泵之间的部分管路堵塞而阻碍抽气泵抽取反应腔室内的副产物的问题。在很大程度上改善了对反应腔室清洗的效果，提高了产品的良率。

此外，对于采用带有扇叶结构通过扇叶开启的角度来控制反应腔室压强的压力控制阀而言，为了控制反应腔室压强的大小而改变了扇叶的开启角度，有利于采用抽气泵抽取所述扇叶上残留的副产物，进一步提高了对采用扇叶结构的压力控制阀的清洗效果，确保压力控制阀可以正常工作，提高产品的良率。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims

1.一种反应腔室的清洗方法，用于清洗反应腔室的副产物，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述副产物为采用TEOS工艺沉积SiO₂时所产生的副产物，所述清洗气体包括氧气和含氟气体。

3.如权利要求2所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述第一压强小于或者大于第二压强。

4.如权利要求3所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述第一压强为2Torr～10Torr，所述第二压强为0.6Torr～2Torr。

5.如权利要求3所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述第一压强为0.6Torr～2Torr，所述第二压强为2Torr～10Torr。

6.如权利要求4或5所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述含氟气体为C₂F₆、CF₄、NF₃其中的一种。

7.如权利要求6所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述含氟气体为C₂F₆，所述C₂F₆的流量为2000～3000sccm，所述氧气的流量为3000～4500sccm。

8.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，采用射频源或高频源对所述对清洗气体等离子体化。

9.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，还包括在所述第二步清洗后进行第三步清洗，所述第三步清洗包括：调节所述反应腔室的压强至第三压强，所述等离子体化后的清洗气体继续与所述副产物反应第三预设时间，所述第三压强小于或者大于所述第二压强。

10.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述反应腔室还连接有压力控制阀，所述压力控制阀具有扇叶，所述反应腔室的压强通过所述扇叶开启的角度来控制。