CN103861843A - 反应腔室的清洗方法及基片刻蚀方法 - Google Patents

反应腔室的清洗方法及基片刻蚀方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种反应腔室的清洗方法及基片刻蚀方法，其包括以下步骤：S1，向反应腔室内输入由不含碳的氟化物气体和氧气混合的清洗气体，且所述氧气的流量远大于氟化物气体的流量；向所述反应腔室施加激励功率，以使所述清洗气体形成等离子体；S2，经过预定的工艺时间之后，向反应腔室内输入由不含碳的氟化物气体和氧气混合的清洗气体，且所述氟化物气体的流量远大于氧气的流量；向所述反应腔室施加激励功率，以使所述清洗气体形成等离子体。本发明提供的反应腔室的清洗方法不仅可以保持清洗工艺前后的两次基片刻蚀工艺的刻蚀选择比不变，而且还可以减少反应腔室中污染颗粒的数量，从而可以提高工艺质量。

Description

反应腔室的清洗方法及基片刻蚀方法
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种反应腔室的清洗方法及基片刻蚀方法。
背景技术
在采用电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，以下简称ICP)设备对蓝宝石衬底等基片进行刻蚀的过程中，在反应腔室中的腔室内壁和零部件表面附着有大量的刻蚀副产物(主要有C、B、O和Cl这四种元素)，这些刻蚀副产物会在基片刻蚀工艺的过程中产生污染颗粒，从而导致基片被污染，而且，大量的刻蚀副产物的积累还会改变刻蚀工艺的刻蚀选择比，从而给工艺质量带来了不良影响。为此，通常需要在经过预定的工艺时间之后对反应腔室中的腔室内壁和零部件表面进行清洗，目前，干法清洗(Dry clean)是人们普遍应用的一种清洗工艺，其在无需打开工艺腔室的前提下即可对反应腔室中的腔室内壁和零部件表面进行清洗，以减少甚至去除残留在反应腔室中的刻蚀副产物。
例如，在采用12英寸ICP设备进行工艺的过程中，通常在ICP设备每经过10RFH(RF Hours，射频电源累计开启的小时数)之后也就是说，在累计完成预定次数的基片刻蚀工艺之后，进行一次干法清洗工艺。如图1所示，该清洗工艺的工作流程具体为：完成预定次数的基片刻蚀工艺之后，向反应腔室内输入清洗气体(通常为CF4和O2的混合气体)；进行干法清洗工艺，该清洗工艺包括第一阶段和第二阶段，其中，第一阶段的工艺参数为：反应腔室的腔室压力范围在10～15mT；激励功率为1400W；CF4的流量为200sccm；O2的流量为50sccm；工艺时间为500s。第二阶段的工艺参数为：反应腔室的腔室压力范围在10～15mT；激励功率为1200W；CF4的流量为50sccm；O2的流量为100sccm；工艺时间为80s。循环进行上述干法清洗工艺的第一阶段和第二阶段至少两次，直至去除反应腔室中残留的刻蚀副产物；恢复反应腔室的工艺环境。
上述清洗工艺在实际应用中不可避免地存在以下问题：
其一，由于上述清洗工艺是在累计完成预定次数的基片刻蚀工艺之后才进行，导致反应腔室中积累的刻蚀副产物较多，因而需要循环进行多次清洗工艺，这导致清洗工艺实施的时间较长，从而降低了工艺效率；而且，由于清洗工艺实施的时间较长，导致清洗工艺前后的反应腔室的工艺环境相差较大，从而需要在完成上述清洗工艺之后实施恢复反应腔室的工艺环境的流程，以使反应腔室的工艺环境恢复至与清洗工艺之前的基片刻蚀工艺大致相同的水平，以保证工艺的稳定性，进而降低了工艺效率。
其二，由于CF4会向反应腔室引入大量的C元素，离化的F离子清洗了副产物中的硼，在腔室中留下了较多的C，较多的C不仅会影响腔室的清洗效果，随着射频时间的增加，会导致颗粒掉落。C的引入还会破坏反应腔室中能够与C结合形成的化合物的化学计量比，导致腔室的刻蚀环境发生变化，这会造成刻蚀工艺的刻蚀选择比产生较大的差异，从而不仅使在清洗工艺的前后进行的基片刻蚀工艺所获得的基片刻蚀高度会因刻蚀选择比的改变而产生差异，而且使在完成清洗工艺之后进行的基片刻蚀工艺所获得的基片刻蚀高度的均匀性变差，进而需要在后续的光刻工艺中对光刻胶的高度进行相应地调整，从而增加了工艺难度。
其三，上述清洗工艺的第一阶段采用大流量的O2，而相反地在第二阶段采用大流量的CF4，这使得在第一阶段，浓度较高的CF4会首先清除刻蚀副产物中的B元素；而后，在第二阶段浓度较高的O2会清除刻蚀副产物中的C元素和Cl元素。由于在完成第二阶段之后，未被清除的刻蚀副产物的表层中主要以B元素为主，导致在清洗工艺的前后刻蚀副产物的C元素含量产生较大差异，从而使在清洗工艺的前后进行的基片刻蚀工艺的刻蚀选择比产生较大的差异。
为此，人们采用了另一种清洗工艺，本清洗工艺与上述清洗工艺的区别在于：本清洗工艺是在完成每次基片刻蚀工艺之后进行，即，在相邻两次基片刻蚀工艺期间进行。如图2所示，该清洗工艺的工作流程具体为：完成一次基片刻蚀工艺；向反应腔室内输入清洗气体(CF4和O2的混合气体)；进行清洗工艺，该清洗工艺包括第一阶段和第二阶段，其中，第一阶段的工艺参数为：腔室压力范围在10～20mT；激励功率为1900W；CF4的流量为200sccm；O2的流量为50sccm；工艺时间为20～50s。第二阶段的工艺参数为：腔室压力范围在10～20mT；激励功率为1900W；CF4的流量为50sccm；O2的流量为200sccm；工艺时间为10s。循环执行上述三个步骤，直至完成整个工艺流程。通过在相邻两次基片刻蚀工艺期间进行一次清洗工艺，可以在反应腔室中积累较多的刻蚀副产物之前及时地进行清洗，从而不仅可以避免在反应腔室中产生较多的污染颗粒，而且每次清洗工艺无需实施较长的时间，这可以在一定程度上保持清洗工艺前后的工艺环境大致相同，从而可以省去了上述第一种清洗工艺中的恢复工艺环境的步骤，进而可以提高工艺效率。
然而，如图3所示，为在清洗工艺的前后基片形貌的扫描电镜图。由图可知，由于本清洗工艺与上述清洗工艺相比，二者采用的清洗气体相同，即，本清洗工艺仍然采用CF4作为清洗气体；而且，二者清除刻蚀副产物中各个元素的顺序相同，因而，本清洗工艺同样存在在清洗工艺的前后进行的基片刻蚀工艺的刻蚀选择比具有较大的差异，以及反应腔室中产生的污染颗粒的数量较多的问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室的清洗方法及基片刻蚀方法，其不仅可以保持清洗工艺前后的两次基片刻蚀工艺的刻蚀选择比不变，而且还可以减少反应腔室中污染颗粒的数量，从而可以提高工艺质量。
为实现本发明的目的而提供一种反应腔室的清洗方法，包括以下步骤：
S1，向反应腔室内输入由不含碳的氟化物气体和氧气混合的清洗气体，且所述氧气的流量远大于氟化物气体的流量；向所述反应腔室施加激励功率，以使所述清洗气体形成等离子体；
S2，经过预定的工艺时间之后，向反应腔室内输入由不含碳的氟化物气体和氧气混合的清洗气体，且所述氟化物气体的流量远大于氧气的流量；向所述反应腔室施加激励功率，以使所述清洗气体形成等离子体。
其中，所述不含碳的氟化物气体包括SF6或SF4。
其中，在所述步骤S 1中，所述氧气的流量范围在100～200sccm，且所述不含碳的氟化物气体的流量范围在30～50sccm。
其中，在所述步骤S1中，所述反应腔室的腔室压力的范围在20～40mT。
其中，在所述步骤S1中，所述激励功率的范围在1200～1800W。
其中，所述工艺时间的范围在10～20s。
优选地，所述氧气的流量为100sccm；所述不含碳的氟化物气体的流量为50sccm；腔室压力为30mT；激励功率为1200W；工艺时间为10s。
其中，在所述步骤S2中，所述氧气的流量范围在30～60sccm，且所述不含碳的氟化物气体的流量范围在150～250sccm。
其中，在所述步骤S2中，所述反应腔室的腔室压力的范围在30～80mT。
其中，在所述步骤S2中，所述激励功率的范围在1600～2200W。
其中，工艺时间的范围在30～60s。
优选地，所述氧气的流量为50sccm；所述不含碳的氟化物气体的流量为200sccm；腔室压力为50mT；激励功率为1600W；工艺时间为40s。
其中，在步骤S1中，在向所述反应腔室施加激励功率的同时还包括下述过程：
向位于所述反应腔室中的用于承载基片的托盘施加偏压功率，以使形成的所述等离子体刻蚀所述托盘的上表面；
在步骤S2中，在向所述反应腔室施加激励功率的同时还包括下述过程：
向位于所述反应腔室中的用于承载基片的托盘施加偏压功率，以使形成的所述等离子体刻蚀所述托盘的上表面。
其中，在所述步骤S1和步骤S2中，所述偏压功率的范围均在0～40W。
本发明还提供一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括刻蚀工艺和清洗工艺，其中，所述刻蚀工艺用于对基片进行刻蚀；所述清洗工艺采用本发明提供的反应腔室的清洗方法，用以对所述反应腔室进行清洗；所述基片刻蚀方法具体包括以下步骤：
S10，对基片进行一次所述刻蚀工艺；
S20，待本次工艺完成后，进行所述清洗工艺；
循环所述步骤S10和步骤S20至少两次。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的反应腔室的清洗方法，其通过向反应腔室中通入大流量的氧气和小流量的不含碳的氟化物气体，可以借助浓度较高的氧气首先清除刻蚀副产物中的C元素和Cl元素；而后，通过向反应腔室中通入大流量的不含碳的氟化物气体和小流量的氧气，可以借助浓度较高的不含碳的氟化物气体清除刻蚀副产物中的B元素，从而完成一次清洗工艺。由于上述清洗方法采用不含碳的氟化物气体作为清洗气体，这可以避免向反应腔室中引入C元素，从而不仅可以减少反应腔室中污染颗粒的数量，提高工艺质量；而且还可以保证在清洗工艺前后进行的基片刻蚀工艺的刻蚀选择比大致相同，以使在清洗工艺前后进行的基片刻蚀工艺所获得的基片刻蚀高度保持一致，进而可以降低前道的光刻工艺的工艺难度。
另外，由于上述清洗方法是先清除刻蚀副产物中的C元素和Cl元素，后清除刻蚀副产物中的B元素，这使得在完成B元素的清除之后，未被清除的刻蚀副产物的表层中的C元素的含量与在进行清洗工艺之前刻蚀副产物的表层中的C元素的含量大致相同，从而可以进一步保证在清洗工艺前后进行的基片刻蚀工艺的刻蚀选择比大致相同。而且，由于未被清除的刻蚀副产物的表层中的C元素具有较强的吸附性，因而其可以将污染颗粒粘附在腔室壁上，从而可以避免基片被污染，进而提高工艺质量。
本发明提供的基片刻蚀方法，其通过采用本发明提供的上述反应腔室的清洗工艺，不仅可以保持清洗工艺前后的两次基片刻蚀工艺的刻蚀选择比不变，而且还可以减少反应腔室中污染颗粒的数量，从而可以提高工艺质量。而且，本发明提供的基片刻蚀方法通过在相邻两次基片刻蚀工艺期间进行一次清洗工艺，可以在反应腔室中积累较多的刻蚀副产物之前及时地进行清洗，从而不仅可以避免在反应腔室中产生较多的污染颗粒，而且每次清洗工艺无需实施较长的时间，这可以在一定程度上保持清洗工艺前后的工艺环境大致相同，从而可以省去了上述第一种清洗工艺中的恢复工艺环境的步骤，进而可以提高工艺效率。
附图说明
图1为现有的一种清洗工艺的流程框图；
图2为现有的另一种清洗工艺的流程框图；
图3为在清洗工艺的前后基片形貌的扫描电镜图；
图4a为本发明提供的反应腔室的清洗方法的流程框图；
图4b为图4a清洗方法的清洗过程的微观机理示意图；
图5a为第二组清洗实验前后的基片形貌的扫描电镜图；以及
图5b为第三组清洗实验前后的基片形貌的扫描电镜图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的反应腔室的清洗方法及基片刻蚀方法进行详细描述。
图4a为本发明提供的反应腔室的清洗方法的流程框图。图4b为图4a清洗方法的清洗过程的微观机理示意图。请一并参阅图4a和图4b，该方法包括以下步骤：
S1，向反应腔室内输入由不含碳的氟化物气体和O2混合的清洗气体，且O2的流量远大于氟化物气体的流量；
向反应腔室施加激励功率，以使清洗气体形成等离子体；优选地，激励功率的范围在1200～1800W；工艺时间的范围在10～20s。
在步骤S1中，由于O2的流量远大于不含碳的氟化物气体的流量，因而形成的等离子体中O元素的浓度较高，而O元素会在清洗过程中与刻蚀副产物中的C元素和Cl元素结合，因此，步骤S1主要是对刻蚀副产物中的C元素和Cl元素进行清除。容易理解，可以根据具体情况设定O2的流量与不含碳的氟化物气体的流量之比，只要能够实现首先对反应腔室中的C元素和Cl元素进行清除即可。优选地，O2的流量范围在100～200sccm，且不含碳的氟化物气体的流量范围在30～50sccm；反应腔室的腔室压力的范围在20～40mT。
S2，经过预定的工艺时间之后，即，在完成对刻蚀副产物中的C元素和Cl元素的清除之后，向反应腔室内输入由不含碳的氟化物气体和O2混合的清洗气体，且氟化物气体的流量远大于O2的流量；
向反应腔室施加激励功率，以使清洗气体形成等离子体；优选地，激励功率的范围在1600～2200W；工艺时间的范围在30～60s。
在步骤S2中，由于氟化物气体的流量远大于O2的流量，因而形成的等离子体中F基的浓度较高，而F基会在清洗过程中与刻蚀副产物中的B元素结合，因此，步骤S2主要是对刻蚀副产物中的B元素进行清除。与步骤S1相类似的，可以根据具体情况设定步骤S2中O2的流量与氟化物气体的流量之比，只要能够实现对反应腔室中的B元素进行清除即可。优选地，O2的流量范围在30～60sccm，且不含碳的氟化物气体的流量范围在150～250sccm；反应腔室的腔室压力的范围在30～80mT。
在实际应用中，氟化物气体可以包括SF6(六氟化硫)和SF4(四氟化硫)，事实上，凡是不含C元素且能够被电离出F离子的氟化物均可以作为清洗气体。通过采用不含碳的氟化物气体作为清洗气体，可以避免向反应腔室中引入C元素，从而不仅可以减少反应腔室中污染颗粒的数量，从而可以提高工艺质量；而且，还可以保证在清洗工艺前后进行的基片刻蚀工艺的刻蚀选择比大致相同，以使在清洗工艺前后进行的基片刻蚀工艺所获得的基片刻蚀高度保持一致，进而可以降低后续的光刻工艺的工艺难度。
另外，图4b为上述清洗方法的具体清洗过程的微观机理图。如图4b所示，通过先清除刻蚀副产物中的C元素和Cl元素，后清除刻蚀副产物中的B元素，可以在完成对B元素的清除之后，使未被清除的刻蚀副产物表层中主要以C元素为主，且C元素的含量与在进行清洗工艺之前刻蚀副产物表层中C元素的含量大致相同，从而可以进一步保证在清洗工艺前后进行的基片刻蚀工艺的刻蚀选择比大致相同，以使在清洗工艺前后进行的基片刻蚀工艺所获得的基片刻蚀高度保持一致，进而可以降低前道的光刻工艺的工艺难度。而且，由于在完成清洗工艺之后，未被清除的刻蚀副产物表层中主要以C元素为主，而C元素具有较强的吸附性，因而其可以将污染颗粒粘附在腔室壁上，从而可以避免基片被污染，进而提高工艺质量。
在本实施例中，在步骤S1和步骤S2中，在向反应腔室施加激励功率的同时还可以包括下述过程：向位于反应腔室中的用于承载基片的托盘施加偏压功率，以使形成的等离子体刻蚀托盘的上表面。在进行清洗工艺的过程中，由于承载有基片的托盘被置于反应腔室中，导致托盘的上表面(通常，托盘包括叠置在基片上的盖板，在这种情况下，托盘的上表面是指盖板的上表面)也会在进行基片刻蚀工艺的过程中附着有刻蚀副产物，因此，为了能够将该刻蚀副产物清除，可以在开启激励电源的同时开启偏压电源，以在托盘的上表面施加偏压功率，从而使形成的等离子体能够轰击托盘的上表面，进而实现对其表面刻蚀副产物的清除。优选地，在步骤S1和步骤S2中，偏压功率的范围在0～40W。
下面以SF6和O2的混合气体作为清洗气体为例，对本实施例提供的反应腔室的清洗方法进行详细地描述。
S1，向反应腔室内输入由SF6和O2混合的清洗气体，且O2的流量远大于氟化物气体的流量；
向反应腔室施加激励功率，以使清洗气体形成等离子体；
S2，在完成对反应腔室中的有机碳和有机氯的清除之后，向反应腔室内输入由SF6和O2混合的清洗气体，且SF6的流量远大于O2的流量；
向反应腔室施加激励功率，以使清洗气体形成等离子体。
下面针对本实施例提供的反应腔室的清洗方法进行三组清洗实验，三组清洗实验所用的ICP设备的工艺参数如下述表1所示。
表1
Figure BDA00002573775600091
从表1可以看出，第一组清洗实验和第二组清洗实验均采用先清除刻蚀副产物中的B元素，后清除刻蚀副产物中的C元素和Cl元素的元素清除顺序进行清洗；而第三组清洗实验采用先清除刻蚀副产物中的C元素和Cl元素，后清除刻蚀副产物中的B元素的元素清除顺序进行清洗；而且，第一组清洗实验采用较低的腔室压力，而第二组实验和第三组实验均采用较高的腔室压力。
在进行第一组清洗实验的过程中，由于SF6是一种不容易被电离的气体，导致在进行上述清洗工艺的过程中，激励电源在该腔室压力下无法正常启辉，甚至出现ICP设备发出警报并停机的问题，因此上述清洗工艺的工艺稳定性较差。而且，激励电源无法正常启辉还会导致CF4的离化率降低，从而被电离出的F基的浓度降低，进而使清洗工艺的清洗效果变差。例如，下述表2为当通入的SF6的流量为200sccm，且O2的流量为50sccm时，腔室压力和激励功率的匹配表。
表2
腔室压力(单位，mT) 激励功率(单位，W)
15 ＞2400
20 1800～2200
30 1400～2200
50 1400～2200
从表2可以看出，在进行第一组清洗实验的过程中，若腔室压力为15mT，则激励电源在其激励功率达到2400W以上才能够正常启辉，导致SF6的离化率较低，从而清洗效果较差。而在第二组和第三组清洗实验中，通过将腔室压力提高至30mT以上，激励电源在其激励功率达到1400～2200W时即可实现启辉，也就是说，在较高的腔室压力下，SF6更容易被离化，从而可以增加F基的浓度，进而可以提高清洗效果。
下面针对第二组和第三组清洗实验对清洗工艺前后的基片刻蚀形貌进行比较。图5a为第二组清洗实验前后的基片形貌的扫描电镜图。图5b为第三组清洗实验前后的基片形貌的扫描电镜图。比较图5a和图5b可以看出，第二组清洗实验采用先清除刻蚀副产物中的B元素，后清除刻蚀副产物中的C元素和Cl元素的元素清除顺序进行清洗。由图5a可知，在第二组清洗实验之前进行的基片刻蚀工艺所获得的基片刻蚀高度为1.4μm，而在第二组清洗实验之后进行的基片刻蚀工艺所获得的基片刻蚀高度为1.48μm，因此，基片刻蚀高度在第二组清洗实验的前后相差较大，从而导致后续的光刻工艺必须对光刻胶的高度进行相应地调整，进而增加了工艺难度。而且，由于在第二组清洗实验之后进行的基片刻蚀工艺所获得的基片刻蚀高度的均匀性为2.7％，基片刻蚀高度的均匀性变差，从而降低了工艺质量。
与之相比，第三组清洗实验采用先清除刻蚀副产物中的C元素和Cl元素，后清除刻蚀副产物中的B元素的元素清除顺序进行清洗。由图5b可知，在第三组清洗实验的前后进行基片刻蚀工艺所获得的基片刻蚀高度均为1.5μm，即，在第三组清洗实验的前后基片刻蚀高度没有变化，从而给后续的光刻工艺带来方便。而且，由于在第三组清洗实验之后进行基片刻蚀工艺所获得的基片刻蚀高度的均匀性小于1％，因此基片刻蚀高度的均匀性较好，从而可以提高工艺质量。
此外，针对上述三组清洗实验对反应腔室中产生的污染颗粒的数量进行比较，由三组清洗实验获得的污染颗粒的数量的实验数据分别为：第一组清洗实验在反应腔室中产生67粒污染颗粒；第二组清洗实验在反应腔室中产生26粒污染颗粒；第三组清洗实验在反应腔室中产生16粒污染颗粒。由此可以看出，第三组清洗实验通过采用先清除刻蚀副产物中的C元素和Cl元素，后清除刻蚀副产物中的B元素的元素清除顺序进行清洗，可以在有效减少反应腔室中产生的污染颗粒的数量，进而可以避免基片被污染。
综上所述，本发明提供的反应腔室的清洗方法，其通过向反应腔室中通入大流量的氧气和小流量的不含碳的氟化物气体，可以借助浓度较高的氧气首先清除刻蚀副产物中的C元素和Cl元素；而后，通过向反应腔室中通入大流量的不含碳的氟化物气体和小流量的氧气，可以借助浓度较高的不含碳的氟化物气体清除刻蚀副产物中的B元素，从而完成一次清洗工艺。这不仅可以保持清洗工艺前后的两次基片刻蚀工艺的刻蚀选择比不变，而且还可以减少反应腔室中污染颗粒的数量，从而可以提高工艺质量。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种基片刻蚀方法，其包括刻蚀工艺和清洗工艺。其中，刻蚀工艺用于对基片进行刻蚀；清洗工艺采用了本实施例提供的上述反应腔室的清洗方法，用以对反应腔室进行清洗；基片刻蚀方法具体包括以下步骤：
S10，对基片进行一次所述刻蚀工艺；
S20，待本次工艺完成后，进行所述清洗工艺；
循环所述步骤S10和步骤S20至少两次。
通过在相邻两次基片刻蚀工艺期间进行一次清洗工艺，可以在反应腔室中积累较多的刻蚀副产物之前及时地进行清洗，从而不仅可以避免在反应腔室中产生较多的污染颗粒，而且每次清洗工艺无需实施较长的时间，这可以在一定程度上保持清洗工艺前后的工艺环境大致相同，从而可以省去了上述第一种清洗工艺中的恢复工艺环境的步骤，进而可以提高工艺效率。
本实施例提供的上述基片刻蚀方法，其通过采用本实施例提供的上述反应腔室的清洗工艺，不仅可以保持清洗工艺前后的两次基片刻蚀工艺的刻蚀选择比不变，而且还可以减少在进行刻蚀工艺的过程中污染颗粒脱落的数量，从而可以提高工艺质量。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种反应腔室的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，向反应腔室内输入由不含碳的氟化物气体和氧气混合的清洗气体，且所述氧气的流量远大于氟化物气体的流量；向所述反应腔室施加激励功率，以使所述清洗气体形成等离子体；
S2，经过预定的工艺时间之后，向反应腔室内输入由不含碳的氟化物气体和氧气混合的清洗气体，且所述氟化物气体的流量远大于氧气的流量；向所述反应腔室施加激励功率，以使所述清洗气体形成等离子体。
2.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述不含碳的氟化物气体包括SF6或SF4。
3.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述氧气的流量范围在100～200sccm，且所述不含碳的氟化物气体的流量范围在30～50sccm。
4.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述反应腔室的腔室压力的范围在20～40mT。
5.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述激励功率的范围在1200～1800W。
6.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述工艺时间的范围在10～20s。
7.如权利要求3-6任意一项权利要求所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述氧气的流量为100sccm；所述不含碳的氟化物气体的流量为50sccm；腔室压力为30mT；激励功率为1200W；工艺时间为10s。
8.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述氧气的流量范围在30～60sccm，且所述不含碳的氟化物气体的流量范围在150～250sccm。
9.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述反应腔室的腔室压力的范围在30～80mT。
10.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述激励功率的范围在1600～2200W。
11.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，工艺时间的范围在30～60s。
12.如权利要求8-11任意一项权利要求所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，所述氧气的流量为50sccm；所述不含碳的氟化物气体的流量为200sccm；腔室压力为50mT；激励功率为1600W；工艺时间为40s。
13.如权利要求1所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，在步骤S1中，在向所述反应腔室施加激励功率的同时还包括下述过程：
向位于所述反应腔室中的用于承载基片的托盘施加偏压功率，以使形成的所述等离子体刻蚀所述托盘的上表面；
在步骤S2中，在向所述反应腔室施加激励功率的同时还包括下述过程：
向位于所述反应腔室中的用于承载基片的托盘施加偏压功率，以使形成的所述等离子体刻蚀所述托盘的上表面。
14.如权利要求13所述的反应腔室的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S1和步骤S2中，所述偏压功率的范围均在0～40W。
15.一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括刻蚀工艺和清洗工艺，其中，所述刻蚀工艺用于对基片进行刻蚀；所述清洗工艺采用权利要求1-14任意一项权利要求所述的反应腔室的清洗方法，用以对所述反应腔室进行清洗；所述基片刻蚀方法具体包括以下步骤：
S10，对基片进行一次所述刻蚀工艺；
S20，待本次工艺完成后，进行所述清洗工艺；
循环所述步骤S10和步骤S20至少两次。
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