JP2008282947A - プラズマ発生装置、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マイクロ波の腹の位置に対応して配置されたスリット13a、13bを導波管12の両面にそれぞれ設け、ガス導入管17a、17bを介してチャンバ11内にプロセスガスを導入し、マイクロ波を導波管12内に導波させ、スリット13a、13bをそれぞれ介してマイクロ波を導波管12の両側から放射させることにより、導波管12の両側に表面波プラズマを発生させ、基板18a、18bのプラズマ処理を行う。
【選択図】 図1
Description
そこで、本発明の目的は、マイクロ波を導波させる導波管の両側でプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ発生装置、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することである。
また、請求項4記載のプラズマ処理装置によれば、前記プロセスガスは、成膜用ガス、スパッタガスまたはエッチングガスであることを特徴とする。
また、請求項5記載のプラズマ処理方法によれば、導波管を導波するマイクロ波を前記導波管の両側から放射させることにより、前記導波管の両側に表面波プラズマを発生させる工程と、前記導波管の両側に発生された表面波プラズマによる処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
図1は、本発明の第1実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。なお、図1(a)は、図1(b)のA−A´線で切断したものである。
図1において、プラズマ処理装置には、マイクロ波を導波させる導波管12が設けられ、導波管12には、マイクロ波の腹の位置に対応して配置されたスリット13a、13bが導波管12の両面にそれぞれ設けられている。なお、マイクロ波としてはTE10モードのマイクロ波を使用することができる。そして、導波管12の両面にはスリット13a、13bにそれぞれ接するように配置された誘電体14a、14bが設けられている。なお、誘電体14a、14bとしては、例えば、石英板や酸化アルミニウムを使用することができる。
なお、基板18a、18bは、半導体であっても、導電性のものであっても、あるいは電気絶縁性のものであってもよく、例えば、Siウエハ、SOIウエハ、GaAaウエハ等の半導体基体が挙げることができる。
絶縁性基体としては、石英ガラスやそれ以外の各種ガラス、Si3 N4 、NaCl、KCl、LiF、CaF2 、BaF2 、Al2 O3 、AlN、MgOなどの無機物、ポリエステル、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミドなどの有機物のフィルム、シートなどを挙げることができる。
基板18a、18bの表面をエッチングする場合のエッチングガスとしては、F2 、CF4 、CH2 F2 、C2 F6 、C4 F8 、CF2 Cl2 、SF6 、NF3 、Cl2 、CCl4 、CH2 Cl2 、C2 Cl6 などを挙げることができる。
フォトレジストなど基板18a、18b上の有機成分をアッシング除去する場合のアッシング用ガスとしては、O2 、O3 、H2 O、N2 、NO、N2 O、NO2 などを挙げることができる。
図2において、プラズマ処理装置には、マイクロ波を導波させる導波管22が設けられ、導波管22には、マイクロ波の腹の位置に対応して配置されたスリット23a、23bが導波管22の両面にそれぞれ設けられている。そして、導波管22の両面にはスリット23a、23bにそれぞれ接するように配置された誘電体24a、24bが設けられている。
12、22 導波管
13a、13b、23a、23b スリット
14a、14b、24a、24b 誘電体
15a、15b、25a、25b ステージ
16a、16b、26a、26b 排気ポート
17a、17b、27a、27b ガス導入管
18a、18b、28a、28b 基板
Claims (5)
- マイクロ波を導波させる導波管と、
前記導波管の両面にそれぞれ設けられ、前記導波管を導波するマイクロ波の腹の位置に対応して配置されたスリットと、
前記スリットにそれぞれ接するようにして前記導波管の両面にそれぞれ配置された誘電体と、
前記スリットを介して放射されたマイクロ波にて前記導波管の両側に表面波プラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備えることを特徴とするプラズマ発生装置。 - マイクロ波を導波させる導波管と、
前記導波管の両面にそれぞれ設けられ、前記導波管を導波するマイクロ波の腹の位置に対応して配置されたスリットと、
前記スリットにそれぞれ接するようにして前記導波管の両面にそれぞれ配置された誘電体と、
前記スリットを介して放射されたマイクロ波にて発生された表面波プラズマによる処理を行う処理室とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記処理室内に設けられ、前記導波管の両面にそれぞれ対向配置されるようにして処理対象を保持する保持部と、
前記処理室内にプロセスガスを導入するガス導入部とを備えることを特徴とする請求項2記載のプラズマ処理装置。 - 前記プロセスガスは、成膜用ガス、スパッタガスまたはエッチングガスであることを特徴とする請求項2または3記載のプラズマ処理装置。
- 導波管を導波するマイクロ波を前記導波管の両側から放射させることにより、前記導波管の両側に表面波プラズマを発生させる工程と、
前記導波管の両側に発生された表面波プラズマによる処理を行う工程とを備えることを特徴とするプラズマ処理方法。
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