JP2010192522A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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【解決手段】基板2のフィールド領域の表面にフィールド酸化膜4を形成する工程と、フィールド酸化膜4を形成した基板2の第1アクティブ領域および第2アクティブ領域の表面に第1ゲート酸化膜11A,11Bを形成する工程と、第1ゲート酸化膜11A,11Bに第1純水ヒーリングを施す工程と、第2アクティブ領域における第1ゲート酸化膜11Bを除去する工程と、第1アクティブ領域および第2アクティブ領域の表面に第2ゲート酸化膜12A,12Bを形成する工程と、第2ゲート酸化膜12A,12Bに第2純水ヒーリングを施す工程と、第1アクティブ領域および第2アクティブ領域における第2ゲート酸化膜12A,12B上にゲート電極8を形成する工程と、をこの順に有する半導体素子の製造方法。
【選択図】図1
Description
(a)図5(A)に示すように、基板102のフィールド領域の表面にフィールド酸化膜104を形成するフィールド酸化膜形成工程
(b)酸化前洗浄を行った後、図5(B)に示すように、基板102の第1アクティブ領域および第2アクティブ領域の表面に第1ゲート酸化膜111Aおよび111Bを形成する第1ゲート酸化膜形成工程
(c)図5(C)に示すようにレジスト106を形成し、図6(A)に示すように、第2アクティブ領域における第1ゲート酸化膜111Bを除去する第1ゲート酸化膜除去工程
(d)図6(B)に示すように前記レジスト106を除去し、更に酸化前洗浄を行った後、図6(C)に示すように、第1アクティブ領域および第2アクティブ領域の表面に第2ゲート酸化膜112Aおよび112Bを形成する第2ゲート酸化膜形成工程
(e)第1アクティブ領域および第2アクティブ領域における第2ゲート酸化膜112Aおよび112B上にゲート電極108を形成するゲート電極形成工程
請求項1に係る発明は、
基板のフィールド領域の表面にフィールド酸化膜を形成するフィールド酸化膜形成工程と、
前記フィールド酸化膜を形成した前記基板の第1アクティブ領域および第2アクティブ領域の表面に第1ゲート酸化膜を形成する第1ゲート酸化膜形成工程と、
前記第1ゲート酸化膜に第1純水ヒーリングを施す第1純水ヒーリング工程と、
前記第2アクティブ領域における前記第1ゲート酸化膜を除去する第1ゲート酸化膜除去工程と、
前記第1アクティブ領域および第2アクティブ領域の表面に第2ゲート酸化膜を形成する第2ゲート酸化膜形成工程と、
前記第2ゲート酸化膜に第2純水ヒーリングを施す第2純水ヒーリング工程と、
前記第1アクティブ領域および第2アクティブ領域における前記第2ゲート酸化膜上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
をこの順に有する半導体素子の製造方法である。
本発明の半導体素子の製造方法は、以下の各工程をこの順に有することを特徴とする。(1)基板のフィールド領域の表面にフィールド酸化膜を形成するフィールド酸化膜形成工程
(2)前記フィールド酸化膜を形成した前記基板の第1アクティブ領域および第2アクティブ領域の表面に第1ゲート酸化膜を形成する第1ゲート酸化膜形成工程
(3)前記第1ゲート酸化膜に第1純水ヒーリングを施す第1純水ヒーリング工程
(4)前記第2アクティブ領域における前記第1ゲート酸化膜を除去する第1ゲート酸化膜除去工程
(5)前記第1アクティブ領域および第2アクティブ領域の表面に第2ゲート酸化膜を形成する第2ゲート酸化膜形成工程
(6)前記第2ゲート酸化膜に第2純水ヒーリングを施す第2純水ヒーリング工程
(7)前記第1アクティブ領域および第2アクティブ領域における前記第2ゲート酸化膜上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程
まず、第1ゲート酸化膜を形成した後に第1純水ヒーリングを行うことにより、第1ゲート酸化膜中での自己アニール現象によってゲート酸化膜中での欠陥が低減されるものと考えられる。また、第2ゲート酸化膜を形成することによって前記第1アクティブ領域では二重に酸化処理が行われる。該二重の酸化処理が行われると、第1アクティブ領域におけるゲート酸化膜中で原子の移動によるアニール現象(或いはアニール現象のような現象)が発生し、更に欠陥が低減されるものと考えられる。その後、更に第2純水ヒーリングを行うことにより、第2ゲート酸化膜中での自己アニール現象によってゲート酸化膜中での欠陥が低減されるものと考えられる。
ここで、上記「高耐圧素子を有する半導体素子」とは、酸化膜厚の異なる2つ以上の素子を含んだ半導体素子、または、2重酸化により形成される酸化膜を1つ以上有する半導体素子を指す。
基板のフィールド領域の表面にフィールド酸化膜を形成する。
まず図2(A)に示すように、基板2表面にパッド酸化処理を施して、パッド酸化膜22を形成する。その後、前記基板2のアクティブ領域(フィールド領域以外の領域)に相当する部分に耐酸化膜としての窒化膜24を形成する(図2(B))。窒化膜24をマスクとしてLOCOS酸化処理を施し、窒化膜24が形成されていない部分(フィールド領域)のみを酸化して、フィールド酸化膜4を形成する(図2(C))。その後、窒化膜24およびパッド酸化膜22を除去して、フィールド酸化膜4が形成された基板2を得る(図2(D))。
上記基板2としては、例えば、SOI基板(Si基板と表面Si層の間にSiO2を挿入した構造の基板)やSi基板等を用いることができる。また、特に高耐圧および高温動作の観点から炭化珪素基板を用いてもよい。該炭化珪素としては、例えば、2H−SiC、3C−SiC、4H−SiC、6H−SiC、8H−SiC、10H−SiC、15R−SiC等が挙げられる。なお、これらは「Ramsdellの表記法」で表したものであり、最初の数字は積層方向(c軸方向)の1周期中に含まれるSi−C単位層の数であり、後のアルファベットは、C:立方晶、H:六方晶、R:菱面体を表す。前記炭化珪素において、4H−SiC、6H−SiC、15R−SiCは2000℃以上の高温にて製造され、3C−SiCは1800℃以下の低温で製造することができる。これらの中で、3C−SiCは結晶内における電子の走行速度が最も高く(飽和電子速度はSiの2.7倍)、かつ従来のSiに類似した結晶構造(立方晶)である。従って、高速・高効率・微細化デバイスの製造が可能であり、且つ低温にて製造することができるという観点から、3C−SiC基板を用いることが好ましい。
また、3C−SiC基板は、Siを基板としてCVD法を用いたヘテロエピタキシャル成長により製造することができるため、大口径化が容易で基板製造コストを他の方法よりも低く抑えることができる。
前記フィールド酸化膜を形成した前記基板の第1アクティブ領域および第2アクティブ領域の表面に第1ゲート酸化膜を形成する。
尚、第1ゲート酸化膜を形成する前に、図3(A)に示す基板2に対して、前洗浄として表面を超純水等によって洗浄を行い表面に付着する塵や埃などの汚染物を取除いておくことが好ましい。
熱酸化の条件としては、酸化性雰囲気であれば特に限定されないが、例えば基板2として炭化珪素基板を用いる場合であれば、ゲート酸化膜11Aおよび11Bと基板2との界面近傍における炭素原子の偏析を抑制する観点から、例えば、H2とO2との混合ガス雰囲気にて熱酸化することが好ましい。また熱酸化の保持温度および保持時間としては、炭素原子の偏析の観点から、1100〜1200℃程度の温度で30分程度の処理時間で形成することが好ましい。
前記混合ガス中のH2とO2との混合比は、H2:O2=1:2〜1:100程度であることが好ましい。
次いで、第1アクティブ領域および第2アクティブ領域に形成された前記第1ゲート酸化膜11Aおよび11Bに対し、図3(C)に示すように、第1純水ヒーリングを施す。
尚、純水ヒーリングとは、表面に純水を供給しながらゲート酸化膜が形成された基板を高速回転させることで、該ゲート酸化膜に60V程度の静電電圧差を発生させ、酸化膜中での微小放電電流によって微小な領域での自己アニール現象を生じさせ、ゲート酸化膜の膜質を改善する方法である。即ち、第1ゲート酸化膜11Aおよび11Bに対し第1純水ヒーリングを施すことにより、第1ゲート酸化膜11Aおよび11B中の欠陥が低減される。
具体的には、図3(C)に示すように、フィールド酸化膜4と第1ゲート酸化膜11Aおよび11Bとが形成された基板2を、導電性でGND電位としたスピンチャック32に真空吸着し、第1ゲート酸化膜11Aおよび11B表面に純水を供給する。この状態で基板2を高速回転、例えば6000rpmで60秒処理することにより、純水との摩擦により第1ゲート酸化膜11Aおよび11Bの表面に負電荷が帯電する。
第1純水ヒーリングを施した後、第2アクティブ領域における第1ゲート酸化膜11Bを除去する。
まず、図3(D)に示すように、第1アクティブ領域とフィールド酸化膜4の所望の領域とを覆うようにレジスト6を形成する。次いで、フォトリソおよびエッチング処理を用いたパターニングにより、第2アクティブ領域における第1ゲート酸化膜11Bを除去する(図4(A))。尚その際、フィールド酸化膜4の所望の領域も同様に除去される。
第2アクティブ領域における第1ゲート酸化膜11Bを除去した後、第1アクティブ領域および第2アクティブ領域の表面に第2ゲート酸化膜を形成する。
まず、図4(B)に示すように、第1アクティブ領域とフィールド酸化膜4の所望の領域とを覆うように形成されたレジスト6を除去する。尚、第1ゲート酸化膜形成工程と同様に、第2ゲート酸化膜を形成する前に、前洗浄として表面を超純水等によって洗浄を行い表面に付着する塵や埃などの汚染物を取除いておくことが好ましい。
特に、高耐圧素子を有する半導体素子を製造する場合には、上記第1アクティブ領域における第2ゲート酸化膜12Aが高耐圧トランジスタ用の厚いゲート酸化膜となり、一方上記第2アクティブ領域における第2ゲート酸化膜12Bが低圧トランジスタ用の薄いゲート酸化膜となる。
次いで、第1アクティブ領域および第2アクティブ領域に形成された前記第2ゲート酸化膜12Aおよび12Bに対し、図4(D)に示すように、第2純水ヒーリングを施す。
該第2純水ヒーリングは、(3)第1純水ヒーリング工程と同様の方法によって行うことができる。即ち、図4(D)に示すように、フィールド酸化膜4と第2ゲート酸化膜12Aおよび12Bとが形成された基板2を、導電性でGND電位としたスピンチャック32に真空吸着し、第2ゲート酸化膜12Aおよび12B表面に純水を供給する。この状態で基板2を高速回転、例えば6000rpmで60秒処理することにより、純水との摩擦により第2ゲート酸化膜12Aおよび12Bの表面に負電荷が帯電する。
第2純水ヒーリングを施した後、前記第1アクティブ領域および第2アクティブ領域における前記第2ゲート酸化膜12Aおよび12B上にゲート電極8を形成する。尚、ゲート電極を形成する前に、前洗浄として表面を超純水等によって洗浄を行い表面に付着する塵や埃などの汚染物を取除いておくことが好ましい。
尚、前記第1ゲート酸化膜および/または第2ゲート酸化膜には、閾値制御を目的として、閾値制御用インプラウインドウホトリソグラフィーおよび閾値電圧制御用イオン注入(インプラ)を施してもよい。この処理を施すタイミングは、(3)第1純水ヒーリング工程
の前後や(6)第2純水ヒーリング工程の前後等、任意のタイミングで行うことができる。また、閾値制御用インプラウインドウホトリソグラフィー、閾値電圧制御用インプラでは、不純物の種類などの条件を適宜設定する。
本実施形態の効果を確かめるために、以下の試験例を行った。
尚、上記ストレス不良の発生率テストは、「第1純水ヒーリング工程と第2純粋ヒーリング工程とを行った上記実施形態に係る半導体素子の製造方法によって製造した半導体素子(実施例)」と、「第1純水ヒーリング工程を行わなかったこと以外は上記実施形態に係る半導体素子の製造方法と同様の方法によって製造した半導体素子(比較例)」と、について行った。ゲート酸化膜の詳細な形成条件や、純粋ヒーリング処理の詳細な条件等は以下の通りである。
第1ゲート酸化膜形成条件は、希釈酸化雰囲気で温度950℃膜厚1100Åとした。また第2ゲート酸化膜形成条件は、希釈酸化雰囲気で温度850℃膜厚120Åとした。
半導体素子(ウエハ)毎に、純水を供給しながら、回転数6000rpm、60秒間の高速回転を行った。
(尚、前述の通り、実施例においては上記純水ヒーリングを第1純水ヒーリング工程および第2純水ヒーリング工程の2回実施し、一方比較例においては上第2純水ヒーリング工程の1回のみ実施した。)
また、上記ストレス不良の発生率テストは以下の方法にて行った。
半導体素子(ウエハ)の温度:100℃、電源電圧:51V、印加時間:0.5秒として電圧を印加するテストを繰り返し、ストレス不良(ゲート酸化膜中における欠陥)の発生を観察して、該ストレス不良の発生率を算出した。
このストレス不良の発生率の結果を下記表1に示す。
4 フィールド酸化膜
6 レジスト
8 ゲート電極
11A、11B 第1ゲート酸化膜
12A、12B 第2ゲート酸化膜
22 パッド酸化膜
24 窒化膜
32 スピンチャック
102 基板
104 フィールド酸化膜
106 レジスト
108 ゲート電極
111A、111B 第1ゲート酸化膜
112A、112B 第2ゲート酸化膜
Claims (1)
- 基板のフィールド領域の表面にフィールド酸化膜を形成するフィールド酸化膜形成工程と、
前記フィールド酸化膜を形成した前記基板の第1アクティブ領域および第2アクティブ領域の表面に第1ゲート酸化膜を形成する第1ゲート酸化膜形成工程と、
前記第1ゲート酸化膜に第1純水ヒーリングを施す第1純水ヒーリング工程と、
前記第2アクティブ領域における前記第1ゲート酸化膜を除去する第1ゲート酸化膜除去工程と、
前記第1アクティブ領域および第2アクティブ領域の表面に第2ゲート酸化膜を形成する第2ゲート酸化膜形成工程と、
前記第2ゲート酸化膜に第2純水ヒーリングを施す第2純水ヒーリング工程と、
前記第1アクティブ領域および第2アクティブ領域における前記第2ゲート酸化膜上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
をこの順に有する半導体素子の製造方法。
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