JP2010182359A - 半導体記憶装置及びそのテスト方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】アドレスラッチ動作とコマンド入力に応じた内部動作とを切り分け、内部回路の動作マージンを試験できる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】ロウアドレス保持部122及びカラムアドレス保持部132は、外部クロック端子から順次入力される外部クロック信号に同期して、メモリセルCellのロウアドレス及びカラムアドレスを取り込む。第1のテスト動作モードにおいては、ロウコントロール回路121及びカラムコントロール回路131は、カラムアドレスを取り込んだ後の外部クロックに同期して、WORD制御信号、YSW制御信号を出力し、メモリセル選択動作を行う。
【選択図】図1
【解決手段】ロウアドレス保持部122及びカラムアドレス保持部132は、外部クロック端子から順次入力される外部クロック信号に同期して、メモリセルCellのロウアドレス及びカラムアドレスを取り込む。第1のテスト動作モードにおいては、ロウコントロール回路121及びカラムコントロール回路131は、カラムアドレスを取り込んだ後の外部クロックに同期して、WORD制御信号、YSW制御信号を出力し、メモリセル選択動作を行う。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体記憶装置及びそのテスト方法に関し、特に、コマンド入力から次のコマンドが入力可能になるまでの時間を測定することができるテスト回路を備えた、半導体記憶装置及びそのテスト方法に関する。
近年の半導体記憶装置においては、外部から入力されるクロックの高速化によるデータの書き込み/読み出し処理の高速化の要求に伴い、あるコマンドを入力してから次のコマンドが入力可能になるまでの時間の短縮が要求されている。
このような半導体記憶装置の信頼性を確保するためには、半導体記憶装置の出荷前に、上述したコマンド入力から次のコマンドが入力可能になるまでの時間の短縮化に対応した試験を行なう必要がある。
このような試験を行なうことができるテスト回路を備えた半導体記憶装置としては、特許文献1及び特許文献2に記載された半導体装置が知られている。
このような半導体記憶装置の信頼性を確保するためには、半導体記憶装置の出荷前に、上述したコマンド入力から次のコマンドが入力可能になるまでの時間の短縮化に対応した試験を行なう必要がある。
このような試験を行なうことができるテスト回路を備えた半導体記憶装置としては、特許文献1及び特許文献2に記載された半導体装置が知られている。
例えば、特許文献1には、半導体記憶装置の特性測定試験の一つであるtRCD測定(ACTコマンド入力からREADコマンド又はWRITEコマンドが入力可能になるまでの時間の測定)について記載されている。そして、特許文献1では、tRCD測定が、アドレス入力をロウアドレス入力からカラムアドレス入力に切り換える際の切り替えマージン(アドレスのセットアップ、ホールド時間)によって律速されてしまい、内部回路の特性に基づく本来のtRCD時間測定が精確に測定できないことを問題としている。また、特許文献1においては、かかる問題を解決する技術として、ACTコマンド入力前に半導体記憶装置にロウアドレスを事前に保持し、ACTコマンド入力からREADコマンド又はWRITEコマンド入力の間にアドレスの切り替えを必要としない技術が開示されている。
また、特許文献2には、外部クロックに非同期の内部コマンド信号を、半導体内部記憶装置内で生成し、この内部コマンド信号により、内部回路を外部クロックには同期させず、外部クロックと同等の高周波数で試験する技術が開示されている。
ところで、上述のような半導体記憶装置においては、入力される外部クロックCKの高速化に伴い、コマンド入力の外部クロックに対するセットアップ時間(tS)、ホールド時間(tH)が短くなってきている。さらに、近年、入力端子数を削減するため、従来のコマンド用入力用端子を用いず、コマンド入力及びアドレス入力を共通のCA端子(コマンドアドレス入力端子)から取り込む半導体記憶装置が開発されている。
このような半導体記憶装置は、外部クロックの立上りエッジ(Rise Edge)に同期してコマンド入力とアドレス入力の一部を装置外部から取り込み、外部クロックの立下りエッジ(Fall Edge)に同期して残りのアドレス入力を外部から取り込む。従って、外部クロックの高速化にともない、コマンド入力及びアドレス入力の外部クロックに対するセットアップ、ホールドマージンは、従来の半導体記憶装置に比べ、少なくなっている。
このような半導体記憶装置は、外部クロックの立上りエッジ(Rise Edge)に同期してコマンド入力とアドレス入力の一部を装置外部から取り込み、外部クロックの立下りエッジ(Fall Edge)に同期して残りのアドレス入力を外部から取り込む。従って、外部クロックの高速化にともない、コマンド入力及びアドレス入力の外部クロックに対するセットアップ、ホールドマージンは、従来の半導体記憶装置に比べ、少なくなっている。
一方、半導体記憶装置の出荷前におけるウェハ状態での試験では、試験コスト削減のため、1つのプローブに複数の半導体記憶装置を接続して試験を行なう方法が用いられている。例えば、コマンド入力用のプローブ1つに対し、複数の半導体記憶装置を接続する。
この場合、1つのプローブに複数の半導体記憶装置が接続されているため、入力される波形は鈍る。入力波形の鈍りが生じると、上述の半導体記憶装置は、コマンド入力のセットアップ時間、ホールド時間が短いため、正確にコマンドが入力されない問題があった。
この問題は、特に、通常動作時に要求される仕様よりも高速なクロックに同期させて内部回路を動作させ、内部回路の動作マージンを測定しようとする場合に顕著となってくる。
この場合、1つのプローブに複数の半導体記憶装置が接続されているため、入力される波形は鈍る。入力波形の鈍りが生じると、上述の半導体記憶装置は、コマンド入力のセットアップ時間、ホールド時間が短いため、正確にコマンドが入力されない問題があった。
この問題は、特に、通常動作時に要求される仕様よりも高速なクロックに同期させて内部回路を動作させ、内部回路の動作マージンを測定しようとする場合に顕著となってくる。
このような問題を解決するために、半導体記憶装置の試験時に、装置外部から入力される外部クロックの周期を通常動作モードより遅くして試験を行なう方法が考えられる。
しかし、従来の半導体記憶装置では、外部クロックを遅くすると内部回路の動作も遅くなってしまうため、通常動作時と同等又はより厳しい条件での試験を行うことができなくなる。
しかし、従来の半導体記憶装置では、外部クロックを遅くすると内部回路の動作も遅くなってしまうため、通常動作時と同等又はより厳しい条件での試験を行うことができなくなる。
特許文献1に記載された半導体記憶装置では、実際に内部回路の動作を開始させtRCD測定を行なう際にはコマンド入力が必要であるため、アドレス入力のセットアップ、ホールド時間のマージンは確保できるものの、tRCD測定は、依然としてコマンド入力のセットアップ、ホールド時間により律速されてしまい、特に複数の半導体記憶装置を試験する場合に、tRCD測定を精確に行うことができないという問題があった。
また、特許文献2に記載された半導体記憶装置では、上述の内部コマンド信号は、内部回路を外部クロックに非同期で動作させるため、クロックに同期したtRCD測定を精確に行なうことが出来ないという問題があった。
そこで、本発明は上述の問題点に鑑み、コマンド入力から次のコマンドが入力可能になるまでの時間を測定する半導体記憶装置の試験の際に、試験装置による同時測定数が多い場合でも、コマンド入力を精確に取り込み、上述のtRCD測定を精度良く行うことができる半導体記憶装置を提供することを課題とする。
本発明は、外部から入力される第1のコマンドを取り込むと外部から供給されるクロック信号に同期して第1の動作を開始する通常動作モードと、外部から入力される第1のコマンドを取り込む際に第1の動作を開始せず、第1のコマンドを取り込んだ後に外部から入力される第2のコマンドを取り込むとクロック信号に同期して第1の動作を開始するテスト動作モードとを備えることを特徴とする半導体記憶装置である。
この発明によれば、半導体記憶装置は、テスト動作モードにおいては、順次入力される外部クロックに同期して、アドレス入力に応じたメモリセルのアドレスの決定動作と、コマンド入力に応じたメモリセル選択動作を異なる時刻に行うことができる。すなわち、アドレス入力及びコマンド入力の際は、外部クロックの周波数を低くして、コマンドアドレス入力信号CAの外部クロックCK及び反転外部クロック/CKに対するセットアップ、ホールドマージンを大きくとることができる。また、コマンド入力に対応する動作の際には、外部クロックの周波数を高くして、この外部クロックに同期させて内部動作を行うことができ、例えば上述のtRCD時間を厳しく設定した試験を行うことができる。
従って、試験装置による同時測定数が多い場合でも、コマンド入力を精度よく取り込み、上述のtRCD測定を精度良く行うことができる半導体記憶装置を提供できる。よって、外部クロックの高速化又はコマンド入力ピン数の削減によって、コマンドのセットアップ、ホールド時間が短くなった場合でも、tRCDの短縮に対応した試験を行なうことができ、その結果、半導体記憶装置の信頼性を高めることができる効果を奏する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の実施形態である半導体記憶装置100のブロック図である。
図1において、半導体記憶装置100は、コマンドデコーダ部、セレクタ部、アドレス制御部及びメモリセルアレイ部を備えている。コマンドデコーダ部は、CMD回路101〜104及びTCMD回路105〜106から構成され、セレクタ部はセレクタ111〜113から構成される。また、アドレス制御部は、ロウコントロール回路121及びカラムコントロール回路131から構成され、メモリセルアレイ部はメモリセルアレイ140から構成される。
図1は、本発明の実施形態である半導体記憶装置100のブロック図である。
図1において、半導体記憶装置100は、コマンドデコーダ部、セレクタ部、アドレス制御部及びメモリセルアレイ部を備えている。コマンドデコーダ部は、CMD回路101〜104及びTCMD回路105〜106から構成され、セレクタ部はセレクタ111〜113から構成される。また、アドレス制御部は、ロウコントロール回路121及びカラムコントロール回路131から構成され、メモリセルアレイ部はメモリセルアレイ140から構成される。
本実施形態において、半導体記憶装置100は、外部クロックCK及びその反転信号である反転外部クロック/CKに同期して、図示しないCA端子(コマンドアドレス入力端子)から入力されるコマンドアドレス入力信号CA(CA0〜9)を、コマンドデコーダ部において取り込む。そして、アドレス入力に応じて番地が決定されるメモリセルアレイ部のCell(メモリセル)を、コマンド入力に応じて選択動作させ、IO線を介して半導体記憶装置100の外部から又は外部へデータを入力又は出力する。
具体的には、第1のコマンド(例えば、ACTコマンド)の入力に応じて第1の動作である第1の選択動作(ワード線の選択動作)を行ない、第2のコマンド(例えば、READコマンド)の入力に応じて第2の動作である第2の選択動作(カラムスイッチの選択動作)を行なう。
具体的には、第1のコマンド(例えば、ACTコマンド)の入力に応じて第1の動作である第1の選択動作(ワード線の選択動作)を行ない、第2のコマンド(例えば、READコマンド)の入力に応じて第2の動作である第2の選択動作(カラムスイッチの選択動作)を行なう。
また、半導体記憶装置100は、その選択動作において、テスト信号TESTの論理レベルに応じて、通常動作モードとテスト動作モードの2モードの設定が可能である。そして、両動作モードにおいて、コマンド入力に対応する選択動作を、外部クロックに同期させたタイミングで行う。
以下、この構成について詳細に説明する。
以下、この構成について詳細に説明する。
CMD回路101は、外部からCA端子を介して入力されるコマンドアドレス入力信号CA(CA0〜9)の論理レベルに応じて、ロウ系のコマンド、例えば、ACTコマンドを取り込む回路である。また、CMD回路101は、外部クロックCKの立上りエッジに同期してワンショットパルスである内部コマンド信号aを出力する。
CMD回路102は、ACTコマンドに同期した内部コマンド信号aを保持し、反転外部クロック/CKの立上りエッジに同期したワンショットパルスである内部コマンド信号bを出力する。
CMD回路103は、外部から入力されるカラム系のコマンド、例えば、READコマンド、に応じて、外部クロックCKの立上りエッジに同期したワンショットパルスである内部コマンド信号cを出力する。
CMD回路104は、READコマンドに同期した内部コマンド信号cを保持し、反転外部クロック/CKの立上りエッジに同期したワンショットパルスである内部コマンド信号dを出力する。
CMD回路102は、ACTコマンドに同期した内部コマンド信号aを保持し、反転外部クロック/CKの立上りエッジに同期したワンショットパルスである内部コマンド信号bを出力する。
CMD回路103は、外部から入力されるカラム系のコマンド、例えば、READコマンド、に応じて、外部クロックCKの立上りエッジに同期したワンショットパルスである内部コマンド信号cを出力する。
CMD回路104は、READコマンドに同期した内部コマンド信号cを保持し、反転外部クロック/CKの立上りエッジに同期したワンショットパルスである内部コマンド信号dを出力する。
また、TCMD回路105は、CMD回路103から出力される内部コマンド信号cが入力されると、活性化し、活性化後に最初に入力された外部クロックCKの立上りエッジに同期したワンショットパルスである内部コマンド信号eを出力する。
TCMD回路106は、TCMD回路105から出力される内部コマンド信号eが入力されると活性化し、活性化後に最初に入力された反転外部クロック/CKの立上りエッジに同期したワンショットパルスである内部コマンド信号fを出力する。
TCMD回路106は、TCMD回路105から出力される内部コマンド信号eが入力されると活性化し、活性化後に最初に入力された反転外部クロック/CKの立上りエッジに同期したワンショットパルスである内部コマンド信号fを出力する。
セレクタ111は、内部コマンド信号bと内部コマンド信号eが入力され、制御用のテスト信号TESTの論理レベルに応じて、内部コマンド信号bと内部コマンド信号eのどちらか一方を、後段のロウコントロール回路121に対して内部コマンド信号gとして出力する。
ここで、内部コマンド信号gは、後段のロウコントロール回路121に、外部から入力されたロウ系のコマンドに対応した所定の動作の開始タイミングを伝える信号である。
なお、テスト信号TESTは、図1においては図示していない、例えばモードセレクト回路等において、外部より入力される信号の論理レベルに応じて、通常動作モード及びテスト動作モードにおいて、信号の論理レベルが切り替えられるものとする。なお、テスト信号TESTは、専用のテスト用端子から入力される構成としても良い。
ここで、内部コマンド信号gは、後段のロウコントロール回路121に、外部から入力されたロウ系のコマンドに対応した所定の動作の開始タイミングを伝える信号である。
なお、テスト信号TESTは、図1においては図示していない、例えばモードセレクト回路等において、外部より入力される信号の論理レベルに応じて、通常動作モード及びテスト動作モードにおいて、信号の論理レベルが切り替えられるものとする。なお、テスト信号TESTは、専用のテスト用端子から入力される構成としても良い。
セレクタ112は、内部コマンド信号cと内部コマンド信号eが入力され、テスト信号TESTの論理レベルに応じて、内部コマンド信号cと内部コマンド信号eのどちらか一方を、後段のカラムコントロール回路131に対して内部コマンド信号hとして出力する。
セレクタ113は、内部コマンド信号dと内部コマンド信号fが入力され、制御用のテスト信号TESTの論理レベルに応じて、内部コマンド信号dと内部コマンド信号fのどちらか一方を、後段のカラムコントロール回路131に対して内部コマンド信号iとして出力する
ここで、内部コマンド信号hと内部コマンド信号iは、後段のカラムコントロール回路131に、外部から入力されたカラム系のコマンドに対応した所定の動作の開始タイミングを伝える信号である。
セレクタ113は、内部コマンド信号dと内部コマンド信号fが入力され、制御用のテスト信号TESTの論理レベルに応じて、内部コマンド信号dと内部コマンド信号fのどちらか一方を、後段のカラムコントロール回路131に対して内部コマンド信号iとして出力する
ここで、内部コマンド信号hと内部コマンド信号iは、後段のカラムコントロール回路131に、外部から入力されたカラム系のコマンドに対応した所定の動作の開始タイミングを伝える信号である。
ロウコントロール回路121は、外部から入力されたロウアドレスに対応する所定のワード線を活性化させる回路である。ロウコントロール回路121は、内部コマンド信号a,bに応じてCA端子から入力されるアドレスをロウアドレスとして保持するロウアドレス保持部122を備える。ロウコントロール回路121は、セレクタ111から出力される内部コマンド信号gのワンショットパルスの入力に応じて、WORD制御信号(ワード線制御信号)を活性化する。
カラムコントロール回路131は、外部から入力されるカラムアドレスに対応する所定のYSW選択線を活性化する回路である。カラムコントロール回路131は、内部コマンド信号c,dに応じてCA端子から入力されるアドレスをカラムアドレスとして保持するカラムアドレス保持部132を備える。カラムコントロール回路131は、セレクタ112から出力される内部コマンド信号h及びセレクタ113から出力される内部コマンド信号iに応じて、YSW制御信号を活性化する。
具体的には、内部コマンド信号hのワンショットパルスが入力された後に、内部コマンド信号iのワンショットパルスが入力されると、YSW制御信号を活性化する。
具体的には、内部コマンド信号hのワンショットパルスが入力された後に、内部コマンド信号iのワンショットパルスが入力されると、YSW制御信号を活性化する。
メモリセルアレイ140は、メモリセルCellが複数配置されたメモリセル領域と、カラムスイッチと、図1においては示していないワードドライバ及びカラムデコーダとを備えている。
メモリセル領域は、複数のワード線と複数のビット線とを有し、さらに、ビット線とワード線との交点に設けられた複数のメモリセルを備える。図1においては、説明の都合上一のビット線と一のワード線を示し、この交点に一のメモリセルCellを示している。
なお、メモリセルCellは、例えばDRAMであれば、容量素子と、ゲート端子がワード線へ、ソース又はドレイン端子の一方の端子が容量素子へ、ソース又はドレイン端子の他方の端子がビット線へと接続された一のトランジスタから構成される。そして、メモリセルCellは、上述のWORD制御信号が入力されるワードドライバが出力する信号WORDにより、ビット線と電気的に接続され、ビット線へデータを出力する。
メモリセル領域は、複数のワード線と複数のビット線とを有し、さらに、ビット線とワード線との交点に設けられた複数のメモリセルを備える。図1においては、説明の都合上一のビット線と一のワード線を示し、この交点に一のメモリセルCellを示している。
なお、メモリセルCellは、例えばDRAMであれば、容量素子と、ゲート端子がワード線へ、ソース又はドレイン端子の一方の端子が容量素子へ、ソース又はドレイン端子の他方の端子がビット線へと接続された一のトランジスタから構成される。そして、メモリセルCellは、上述のWORD制御信号が入力されるワードドライバが出力する信号WORDにより、ビット線と電気的に接続され、ビット線へデータを出力する。
また、メモリセルアレイ140は、複数のビット線のうちの一部のビット線を、外部のIO線へ電気的に接続するカラムスイッチを備える。図1において、このカラムスイッチは、カラムスイッチトランジスタN1として示されており、ゲート端子がYSW選択線へ、ソース又はドレイン端子の一方の端子がビット線へ、ソース又はドレイン端子の他方の端子がIO線へと接続されている。そして、カラムスイッチトランジスタN1は、上述のYSW制御信号が入力されるカラムデコーダが出力する信号YSWにより、ビット線とIO線を電気的に接続する。このようにして、選択されたメモリセルは、ビット線及びIO線を介して、半導体記憶装置100の外部からデータが入出力される。
次に、半導体記憶装置100の通常動作モードにおける動作について、図2を用いて説明する。図2は、半導体記憶装置100の通常動作モード時のACTコマンド入力から信号YSWが出力されるまでの動作を示すタイミングチャートである。
まず、時刻t1において、CMD回路101は、外部から入力される外部クロックCKの立上りエッジに同期して、CA端子からコマンドアドレス入力信号CA(CA0〜9)の論理レベルに応じてACTコマンドを取り込み、内部コマンド信号aを第1の論理レベル(以下、Lレベルとする)から第2の論理レベル(以下、Hレベルとする)へと遷移させる。内部コマンド信号aは、その立上りが外部クロックCKの立上りに同期したワンショットパルスである。
また、ロウコントロール回路121内のロウアドレス保持部122は、内部コマンド信号aの立上りに応じて、CA端子から入力されるアドレスを、ロウアドレスRADD(1)として保持する。
なお、CMD回路102は、内部コマンド信号aの論理レベル(Hレベル)を保持する。
また、ロウコントロール回路121内のロウアドレス保持部122は、内部コマンド信号aの立上りに応じて、CA端子から入力されるアドレスを、ロウアドレスRADD(1)として保持する。
なお、CMD回路102は、内部コマンド信号aの論理レベル(Hレベル)を保持する。
次に、時刻t2において、CMD回路102は、内部に保持した内部コマンド信号aの論理レベル(Hレベル)と、反転外部クロック/CKの立上りエッジ(Hレベル)の論理レベルに応じて、内部コマンド信号bをLレベルからHレベルへと遷移させる。内部コマンド信号bは、その立上りが反転外部クロック/CKの立上りに同期したワンショットパルスである。
また、ロウコントロール回路121内のロウアドレス保持部122は、内部コマンド信号bに応じて、CA端子から入力されるアドレスを、ロウアドレスRADD(2)として保持する。これにより、ロウアドレス保持部122は、選択すべきメモリセルCellのロウアドレスを、RADD(1)+RADD(2)としてラッチする。
また、ロウコントロール回路121内のロウアドレス保持部122は、内部コマンド信号bに応じて、CA端子から入力されるアドレスを、ロウアドレスRADD(2)として保持する。これにより、ロウアドレス保持部122は、選択すべきメモリセルCellのロウアドレスを、RADD(1)+RADD(2)としてラッチする。
また、時刻t2においては、セレクタ111は、テスト信号TESTがLレベルであるので、内部コマンド信号bの論理レベルの遷移に応じて、内部コマンド信号gをLレベルからHレベルへと遷移させる。これにより、ロウコントロール回路121は、内部コマンド信号gに応じて、WORD制御信号(ワード線制御信号)を活性化する。また、メモリセルアレイ内のワードドライバは、ワード線へ、LレベルからHレベルへ遷移する信号WORDを出力する。そして、メモリセルCellは、ビット線と電気的に接続され、図2においては図示しないが、ビット線へ記憶されたデータを出力する。
次に、時刻t3において、CMD回路103は、外部から入力される外部クロックCKの立上りエッジに同期して、CA端子から入力されるコマンドアドレス入力信号CA(CA0〜9)の論理レベルに応じてREADコマンドを取り込み、内部コマンド信号cをLレベルからHレベルへ遷移させる。内部コマンド信号cは、その立上りが外部クロックCKの立上りに同期したワンショットパルスである。
また、カラムコントロール回路131内のカラムアドレス保持部132は、内部コマンド信号cの立上りに応じて、CA端子から入力されるアドレスを、カラムアドレスCADD(1)として保持する。
なお、CMD回路104は、内部コマンド信号cの論理レベル(Hレベル)を保持する。
また、カラムコントロール回路131内のカラムアドレス保持部132は、内部コマンド信号cの立上りに応じて、CA端子から入力されるアドレスを、カラムアドレスCADD(1)として保持する。
なお、CMD回路104は、内部コマンド信号cの論理レベル(Hレベル)を保持する。
また、時刻t3においては、セレクタ112は、テスト信号TESTがLレベルであるので、内部コマンド信号cの論理レベルの遷移に応じて、内部コマンド信号hをLレベルからHレベルへと遷移させる。内部コマンド信号hは、その立上りが内部コマンド信号cの立上りに同期したワンショットパルスである。
次に、時刻t4において、CMD回路104は、内部に保持した内部コマンド信号cの論理レベル(Hレベル)と、反転外部クロック/CKの立上りエッジ(Hレベル)の論理レベルに応じて、内部コマンド信号dをLレベルからHレベルへと遷移させる。内部コマンド信号dは、その立上りが反転外部クロック/CKの立上りに同期したワンショットパルスである。
また、カラムコントロール回路131内のカラムアドレス保持部132は、内部コマンド信号dに応じて、CA端子から入力されるアドレスを、カラムアドレスCADD(2)として保持する。これにより、カラムアドレス保持部132は、選択すべきメモリセルCellのカラムアドレスを、CADD(1)+CADD(2)としてラッチする。
また、時刻t4においては、セレクタ113は、テスト信号TESTがLレベルであるので、内部コマンド信号dの論理レベルの遷移に応じて、内部コマンド信号iをLレベルからHレベルへと遷移させる。内部コマンド信号iは、その立上りが内部コマンド信号dの立上りに同期したワンショットパルスである。
これにより、カラムコントロール回路131は、内部コマンド信号hのワンショットパルスが入力された後に、内部コマンド信号iのワンショットパルスが入力されるので、YSW制御信号をLレベルからHレベルへと遷移させる。
これにより、カラムコントロール回路131は、内部コマンド信号hのワンショットパルスが入力された後に、内部コマンド信号iのワンショットパルスが入力されるので、YSW制御信号をLレベルからHレベルへと遷移させる。
また、メモリセルアレイ内のカラムデコーダは、YSW制御信号の遷移を受けて、YSW選択線へ、LレベルからHレベルへ遷移する信号YSWを出力する。そして、ビット線はIO線と電気的に接続され、図2においては図示しないが、IO線へメモリセルCellに記憶されたデータを出力する。このように、選択されたメモリセルのデータは、ビット線及びIO線を介して、半導体記憶装置100の外部へ出力される。
次に、半導体記憶装置100のテスト動作モードにおける動作について、図3及び図4を用いて説明する。図3は、半導体記憶装置100の試験の構成を示すブロック図であり、半導体記憶装置100と、テストモード動作において試験される際に用いられるテスト装置300との接続関係を示している。また、図4は、半導体記憶装置100のテスト動作モード時のACTコマンド入力から信号YSWが出力されるまでの動作を示すタイミングチャートである。
図3においては、複数個の半導体記憶装置100(図3において、半導体記憶装置100a、半導体記憶装置100bで示す)が、テスト装置300に並列接続されており、上述のコマンドアドレス入力信号、外部クロック及び逆相外部クロックがそれぞれ、コマンドアドレス入力信号CA、外部クロックCK,反転外部クロック/CKとして、共通に入力される様子を示している。また、各半導体記憶装置に入出力されるデータは、それぞれDQa、DQbとして、独立にテスト装置300に入出力され、入力データは、テスト装置300内のドライバから入力され、出力データは、テスト装置300内のコンパレータによりその論理レベルが判定される。
また、各信号や入力データの入力タイミング設定、発生及び出力データの判定は、テスト装置300が、ユーザーによって設定されたプログラムに従って行う。
従って、テスト装置300は、ユーザーが設定したプログラムに従って、外部クロックCK及び反転外部クロック/CKの周波数の切り替えを行うこともできる。
従って、テスト装置300は、ユーザーが設定したプログラムに従って、外部クロックCK及び反転外部クロック/CKの周波数の切り替えを行うこともできる。
以下に、半導体記憶装置100のテスト動作モードにおける動作について、詳述する。
まず、時刻t1において、CMD回路101は、外部から入力される外部クロックCKの立上りエッジに同期して、ACTコマンドを取り込み、内部コマンド信号aをLレベルから、Hレベルへと遷移させる。内部コマンド信号aは、その立上りが外部クロックCKの立上りに同期したワンショットパルスである。
また、ロウコントロール回路121内のロウアドレス保持部122は、内部コマンド信号aの立上りに応じて、CA端子から入力されるアドレスを、ロウアドレスRADD(1)として保持する。
なお、CMD回路102は、内部コマンド信号aの論理レベル(Hレベル)を保持する。
まず、時刻t1において、CMD回路101は、外部から入力される外部クロックCKの立上りエッジに同期して、ACTコマンドを取り込み、内部コマンド信号aをLレベルから、Hレベルへと遷移させる。内部コマンド信号aは、その立上りが外部クロックCKの立上りに同期したワンショットパルスである。
また、ロウコントロール回路121内のロウアドレス保持部122は、内部コマンド信号aの立上りに応じて、CA端子から入力されるアドレスを、ロウアドレスRADD(1)として保持する。
なお、CMD回路102は、内部コマンド信号aの論理レベル(Hレベル)を保持する。
次に、時刻t2において、CMD回路102は、内部に保持した内部コマンド信号aの論理レベル(Hレベル)と、反転外部クロック/CKの立上りエッジ(Hレベル)の論理レベルに応じて、内部コマンド信号bをLレベルからHレベルへと遷移させる。内部コマンド信号bは、その立上りが反転外部クロック/CKの立上りに同期したワンショットパルスである。
また、ロウコントロール回路121内のロウアドレス保持部122は、内部コマンド信号bに応じて、CA端子から入力されるアドレスを、ロウアドレスRADD(2)として保持する。これにより、ロウアドレス保持部122は、選択すべきメモリセルCellのロウアドレスを、RADD(1)+RADD(2)としてラッチする。
なお、時刻t2においては、セレクタ111は、テスト信号TESTがHレベルであるので、内部コマンド信号gの論理レベルを、内部コマンド信号eの論理レベルと同一の論理レベル、すなわち、Lレベルに維持している。
次に、時刻t3において、CMD回路103は、外部から入力される外部クロックCKの立上りエッジに同期して、READコマンドを取り込み、内部コマンド信号cをLレベルからHレベルへ遷移させる。内部コマンド信号cは、その立上りが外部クロックCKの立上りに同期したワンショットパルスである。
また、カラムコントロール回路131内のカラムアドレス保持部132は、内部コマンド信号cの立上りに応じて、CA端子から入力されるアドレスを、カラムアドレスCADD(1)として保持する。
なお、CMD回路104は、内部コマンド信号cの論理レベル(Hレベル)を保持する。
また、カラムコントロール回路131内のカラムアドレス保持部132は、内部コマンド信号cの立上りに応じて、CA端子から入力されるアドレスを、カラムアドレスCADD(1)として保持する。
なお、CMD回路104は、内部コマンド信号cの論理レベル(Hレベル)を保持する。
また、時刻t3においては、セレクタ112は、テスト信号TESTがHレベルであるので、内部コマンド信号hの論理レベルを、内部コマンド信号eの論理レベルと同一の論理レベル、すなわち、Lレベルに維持している。
次に、時刻t4において、CMD回路104は、内部に保持した内部コマンド信号cの論理レベル(Hレベル)と、反転外部クロック/CKの立上りエッジ(Hレベル)の論理レベルに応じて、内部コマンド信号dをLレベルからHレベルへと遷移させる。内部コマンド信号dは、その立上りが反転外部クロック/CKの立上りに同期したワンショットパルスである。
また、カラムコントロール回路131内のカラムアドレス保持部132は、内部コマンド信号dに応じて、CA端子から入力されるアドレスを、カラムアドレスCADD(2)として保持する。これにより、カラムアドレス保持部132は、選択すべきメモリセルCellのカラムアドレスを、CADD(1)+CADD(2)としてラッチする。
なお、時刻t4においては、セレクタ113は、テスト信号TESTがHレベルであるので、内部コマンド信号iの論理レベルを、内部コマンド信号fの論理レベルと同一の論理レベル、すなわち、Lレベルに維持している。
ここまでの動作において、半導体記憶装置100には、ACTコマンドを内部コマンド信号aとしてCMD回路102に、また、READコマンドを内部コマンド信号cとしてCMD回路104に、それぞれ論理レベルがHレベルの信号として、ラッチしている。
また、ロウアドレス保持部122及びカラムアドレス保持部132は、それぞれアドレスRADD(1)+RADD(2)及びCADD(1)+CADD(2)をラッチしており、選択すべきメモリセルのアドレスは決定されている。
また、ロウアドレス保持部122及びカラムアドレス保持部132は、それぞれアドレスRADD(1)+RADD(2)及びCADD(1)+CADD(2)をラッチしており、選択すべきメモリセルのアドレスは決定されている。
また、テスト装置300は、ここまでの時間において、ユーザーが作製するプログラムにより、外部クロックCK及び反転外部クロック/CKを低い周波数で、半導体記憶装置100a及び100bに対して供給する。従って、半導体記憶装置100a,100bは、アドレス及びコマンド入力を、外部クロックCK及び反転外部クロック/CKに対するセットアップ、ホールド時間に余裕を持たせて取り込んでいる。
この後、テスト装置300は、時刻t5までの間において、外部クロックCK及び反転外部クロック/CKの周波数を、時刻t4までの周波数に比べて高周波に変更し、半導体記憶装置100a及び100bへ供給する。
時刻t5において、TCMD回路105は、時刻t3において内部コマンド信号cを取り込み活性化しているので、活性化後に最初に入力された外部クロックCKの立上りエッジに同期して、ワンショットパルスである内部コマンド信号eを出力する。
なお、TCMD回路106は、内部コマンド信号eが入力され、活性化する。
時刻t5において、TCMD回路105は、時刻t3において内部コマンド信号cを取り込み活性化しているので、活性化後に最初に入力された外部クロックCKの立上りエッジに同期して、ワンショットパルスである内部コマンド信号eを出力する。
なお、TCMD回路106は、内部コマンド信号eが入力され、活性化する。
また、時刻t5においては、セレクタ111は、テスト信号TESTがHレベルであるので、内部コマンド信号eの論理レベルの遷移に応じて、内部コマンド信号gをLレベルからHレベルへと遷移させる。内部コマンド信号gは、その立上りが内部コマンド信号eの立上りに同期したワンショットパルスである。これにより、ロウコントロール回路121は、内部コマンド信号gに応じて、WORD制御信号(ワード線制御信号)を活性化する。また、メモリセルアレイ内のワードドライバは、ワード線へ、LレベルからHレベルへ遷移する信号WORDを出力する。そして、メモリセルCellは、ビット線と電気的に接続され、図4においては図示しないが、ビット線へ記憶されたデータを出力する。
また、時刻t5においては、セレクタ112は、テスト信号TESTがHレベルであるので、内部コマンド信号eの論理レベルの遷移に応じて、内部コマンド信号hをLレベルからHレベルへと遷移させる。内部コマンド信号hは、その立上りが内部コマンド信号eの立上りに同期したワンショットパルスである。
次に、時刻t6において、TCMD回路106は、時刻t5において内部コマンド信号eを取り込み活性化しているので、活性化後に最初に入力された反転外部クロック/CKの立上りエッジに同期したワンショットパルスである内部コマンド信号fを出力する。
また、セレクタ113は、テスト信号TESTがHレベルであるので、内部コマンド信号fの論理レベルの遷移に応じて、内部コマンド信号iをLレベルからHレベルへと遷移させる。内部コマンド信号iは、その立上りが内部コマンド信号fの立上りに同期したワンショットパルスである。
これにより、カラムコントロール回路131は、内部コマンド信号hのワンショットパルスが入力された後に、内部コマンド信号iのワンショットパルスが入力されるので、YSW制御信号をLレベルからHレベルへと遷移させる。なお、図4に示した時刻t5から時刻t6までの時間、すなわち外部クロックCKの一周期分の時間が、上述のtRCD時間に相当する。
また、セレクタ113は、テスト信号TESTがHレベルであるので、内部コマンド信号fの論理レベルの遷移に応じて、内部コマンド信号iをLレベルからHレベルへと遷移させる。内部コマンド信号iは、その立上りが内部コマンド信号fの立上りに同期したワンショットパルスである。
これにより、カラムコントロール回路131は、内部コマンド信号hのワンショットパルスが入力された後に、内部コマンド信号iのワンショットパルスが入力されるので、YSW制御信号をLレベルからHレベルへと遷移させる。なお、図4に示した時刻t5から時刻t6までの時間、すなわち外部クロックCKの一周期分の時間が、上述のtRCD時間に相当する。
また、メモリセルアレイ内のカラムデコーダは、YSW制御信号の遷移を受けて、YSW選択線へ、LレベルからHレベルへ遷移する信号YSWを出力する。そして、ビット線はIO線と電気的に接続され、図4においては図示しないが、IO線へメモリセルCellに記憶されたデータを出力する。このように、選択されたメモリセルのデータは、ビット線及びIO線を介して、半導体記憶装置100の外部へ出力される。
このように、本発明の半導体記憶装置(半導体記憶装置100)は、外部から入力される第1のコマンド(ACTコマンド)を取り込むと外部から供給されるクロック信号(外部クロックCK及び反転外部クロック/CK)に同期して第1の動作(ワード線の選択動作)を開始する通常動作モードと、外部から入力される第1のコマンド(ACTコマンド)を取り込む際に第1の動作(ワード線の選択動作)を開始せず、第1のコマンド(ACTコマンド)を取り込んだ後に外部から入力される第2のコマンド(READコマンド)を取り込むとクロック信号(外部クロックCK及び反転外部クロック/CK)に同期して第1の動作(ワード線の選択動作)を開始するテスト動作モードとを備えることを特徴とする半導体記憶装置(半導体記憶装置100)である。
これにより、半導体記憶装置100は、テスト動作モードにおいては、時系列に入力される外部クロックの異なる時刻において、アドレス入力に応じたメモリセルのアドレスの決定動作と、コマンド入力に応じたメモリセル選択動作を、それぞれ外部クロックに同期させて行うことができる。すなわち、アドレス入力及びコマンド入力の際は、外部クロックの周波数を低くして(時刻t1〜時刻t4)、コマンドアドレス入力信号CAの外部クロックCK及び反転外部クロック/CKに対するセットアップ、ホールドマージンを大きくとることができる。また、コマンド入力に対応する動作の際には、外部クロックの周波数を高くして(時刻t5〜t6)、この外部クロックに同期させて内部動作を行うことができ、例えば上述のtRCD時間を厳しく設定した試験を行うことができる。
従って、試験装置による同時測定数が多い場合でも、コマンド入力を精度よく取り込み、上述のtRCD測定を精度良く行うことができる半導体記憶装置を提供できる。よって、外部クロックの高速化又はコマンド入力ピン数の削減によって、コマンドのセットアップ、ホールド時間が短くなった場合でも、tRCDの短縮に対応した試験を行なうことができ、その結果、半導体記憶装置の信頼性を高めることができる効果を奏する。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について、図5乃至図8を用いて説明する。
図5は、本発明の実施形態である半導体記憶装置200のブロック図である。
なお、図5において、例えば、コマンドデコーダ回路のように図1と共通する部分については、図1と同一の符号を付している。
まず、半導体記憶装置200を構成する部分のうち、図1と相違する部分について説明する。
次に、本発明の第2の実施形態について、図5乃至図8を用いて説明する。
図5は、本発明の実施形態である半導体記憶装置200のブロック図である。
なお、図5において、例えば、コマンドデコーダ回路のように図1と共通する部分については、図1と同一の符号を付している。
まず、半導体記憶装置200を構成する部分のうち、図1と相違する部分について説明する。
図5において、AND回路150が、セレクタ111〜113へ入力されるテスト信号TEST2を出力する。AND回路150は2入力の論理積回路であり、入力されるテスト信号TEST1と未使用アドレス信号CA9の論理レベルに応じて、テスト信号TEST2を出力する。未使用アドレス信号CA9とは、アドレス入力及びコマンド入力の際使用されないアドレス信号であり、外部から半導体記憶装置200に入力される。また、テスト信号TEST1は、図1におけるテスト信号TESTと同じく、図5においては図示していない、例えばモードセレクト回路等において、外部より入力される信号の論理レベルに応じて、通常動作モード及びテスト動作モードにおいて、信号の論理レベルが切り替えられるものとする。なお、テスト信号TEST1は、専用のテスト用端子から入力される構成としてもよい。
本実施形態において、半導体記憶装置200は、外部クロックCK及びその反転信号である反転外部クロック/CKに同期して、図示しないCA端子(コマンドアドレス入力端子)から入力されるコマンドアドレス入力信号CA(CA0〜9)を、コマンドデコーダ部において取り込む。そして、アドレス入力に応じて番地が決定されるメモリセルアレイ部のCell(メモリセル)を、コマンド入力に応じて選択動作させ、IO線を介して半導体記憶装置200の外部からデータを入出力する。また、半導体記憶装置200は、その選択動作において、テスト信号TEST1及び未使用アドレス信号CA9の論理レベルに応じて、通常動作モードと、第1及び第2のテストモード(以下の説明において、第2のテストモードを通常テストモードとし、第1のテストモードを内部動作分離テストモードとする。)との設定が可能である。そして、これらの動作モードにおいて、コマンド入力に対応するメモリセルCellの選択動作を、外部クロックに同期させたタイミングで行う。
図6及び図7は、半導体記憶装置200がテスト動作モードに設定された時のACTコマンド入力から信号YSWが出力されるまでの動作を示すタイミングチャートであり、図6が通常テストモードの動作を、図7が内部動作分離テストモードの動作を示している。
なお、2つのテスト動作モードにおいて、半導体記憶装置200は、上述の第1の実施形態におけるテスト動作モードと同じく、テスト装置300に複数個並列接続され、共通の外部クロックCK、反転外部クロック/CK及びコマンドアドレス入力信号CAが入力される。
なお、2つのテスト動作モードにおいて、半導体記憶装置200は、上述の第1の実施形態におけるテスト動作モードと同じく、テスト装置300に複数個並列接続され、共通の外部クロックCK、反転外部クロック/CK及びコマンドアドレス入力信号CAが入力される。
図6に示す通常テストモードにおいては、AND回路150は、入力される信号である未使用アドレス信号CA9がLレベル、テスト信号TEST1がHレベルであるため、Lレベルのテスト信号TEST2を出力する。これにより、半導体記憶装置200は、上述した第1の実施形態における半導体記憶装置100の通常動作モードと同じ動作を行う。また、図6に示す通常テストモードにおいては、半導体記憶装置200は、テスト装置300から上述の図4の時刻t1〜t4における周期と同じ周期の外部クロックが入力される。すなわち、半導体記憶装置200は、図6の時刻t1〜t4において、外部クロックに対するセットアップ、ホールドマージンを大きくした状態で、アドレス入力及びコマンド入力を取り込む。そして、半導体記憶装置200は、上述した実施形態1の半導体記憶装置100の通常動作モードにおける動作、すなわちACTコマンド入力から信号YSWが出力されるまでの一連の動作を行う。
一方、図7に示す内部動作分離テストモードにおいては、AND回路150は、入力される信号である未使用アドレス信号CA9がHレベル、テスト信号TEST1がHレベルであるため、Hレベルのテスト信号TEST2を出力する。これにより、半導体記憶装置200は、上述した第1の実施形態における半導体記憶装置100のテスト動作モードと同じ動作を行う。すなわち、半導体記憶装置200は、時刻t1〜t4において、外部クロックに対するセットアップ、ホールドマージンを大きくした状態で、アドレス入力及びコマンド入力を取り込む。また、半導体記憶装置200は、時刻t5〜t6において、WORD線によるメモリセルCell選択及びカラムスイッチトランジスタN1の選択を、時刻t1〜t4に比べ高周波の外部クロックに同期して行う。すなわち、半導体記憶装置200は、図7の時刻t1〜t6において、上述の実施形態1の半導体記憶装置100のテスト動作モードにおける動作、すなわちACTコマンド入力から信号YSWが出力されるまでの一連の動作を行う。
このように、本発明の半導体記憶装置(半導体記憶装置200)は、外部から入力される第1のコマンド(ACTコマンド)を取り込むと外部から供給されるクロック信号(外部クロックCK及び反転外部クロック/CK)に同期して第1の動作(ワード線の選択動作)を開始する通常動作モードと、外部から入力される第1のコマンド(ACTコマンド)を取り込む際に第1の動作(ワード線の選択動作)を開始せず、第1のコマンド(ACTコマンド)を取り込んだ後に外部から入力される第2のコマンド(READコマンド)を取り込むとクロック信号(外部クロックCK及び反転外部クロック/CK)に同期して第1の動作(ワード線の選択動作)を開始するテスト動作モードとを備えることを特徴とする半導体記憶装置(半導体記憶装置200)である。
また、本発明の半導体記憶装置(半導体記憶装置200)は、上述のテスト動作モードが第1のテスト動作モードであり、テスト時に通常動作モードと同一の動作を行う第2のテスト動作モードを備え、通常動作モードと第1のテスト動作モード又は第2のテスト動作モードとを、第1の信号(テスト信号TEST1)の論理レベルに応じて切り替え、第1のテスト動作モードと第2のテスト動作モードとを、外部から入力可能な第2の信号(未使用アドレス信号CA9)の論理レベルに応じて切り換えることを特徴とする。
これにより、半導体記憶装置200は、上述の第1の実施形態における効果を維持しつつ、以下に説明する効果を更に奏する。なお、説明は図8を用いて行う。
図8は、第1の実施形態による半導体記憶装置100と、第2の実施形態による半導体記憶装置200の試験サイクルを示すタイミングチャートである。図8においては、時系列に入力される外部クロックCK及び反転外部クロック/CKに同期して、入力されるコマンド入力が示されている。図8において、コマンド1は、第1の実施形態による半導体記憶装置100に入力されるコマンド入力であり、コマンド2は、第2の実施形態による半導体記憶装置200に入力されるコマンド入力である。また、図8においては、半導体記憶装置200に入力される未使用アドレス信号CA9の論理レベルを、0(Lレベル)または1(Hレベル)で示している。
図8は、第1の実施形態による半導体記憶装置100と、第2の実施形態による半導体記憶装置200の試験サイクルを示すタイミングチャートである。図8においては、時系列に入力される外部クロックCK及び反転外部クロック/CKに同期して、入力されるコマンド入力が示されている。図8において、コマンド1は、第1の実施形態による半導体記憶装置100に入力されるコマンド入力であり、コマンド2は、第2の実施形態による半導体記憶装置200に入力されるコマンド入力である。また、図8においては、半導体記憶装置200に入力される未使用アドレス信号CA9の論理レベルを、0(Lレベル)または1(Hレベル)で示している。
ここで、WRTコマンドは書き込みコマンドを、PREコマンドはプリチャージコマンドを、MRWコマンドは、テスト信号TESTの論理レベルを切り替える際に必要なコマンドである。すなわち、半導体記憶装置100において、テスト信号TESTの論理レベルを切り換えるには、PREコマンド入力後にMRWコマンドを入力する必要がある。
半導体記憶装置100の試験では、時刻t1においてACTコマンドを、時刻t2においてWRTコマンドを入力し、書き込み動作が行われる。この書き込み動作においては、内部回路の動作(WORD、YSW選択)を外部コマンド信号とクロック信号との両方に同期して行う。すなわち、上述の通常動作モードで動作を行う。そして、メモリセルCellに書き込んだデータを読み出す前に、時刻t3においてPREコマンドを、時刻t4においてMRWコマンドを入力する。MRWコマンド入力により、テスト信号TESTの論理レベルをHレベルにして、読み出し時の内部回路の動作を外部コマンド信号とは同期させずにクロック信号に同期させて行なうためである。
半導体記憶装置100の試験では、時刻t1においてACTコマンドを、時刻t2においてWRTコマンドを入力し、書き込み動作が行われる。この書き込み動作においては、内部回路の動作(WORD、YSW選択)を外部コマンド信号とクロック信号との両方に同期して行う。すなわち、上述の通常動作モードで動作を行う。そして、メモリセルCellに書き込んだデータを読み出す前に、時刻t3においてPREコマンドを、時刻t4においてMRWコマンドを入力する。MRWコマンド入力により、テスト信号TESTの論理レベルをHレベルにして、読み出し時の内部回路の動作を外部コマンド信号とは同期させずにクロック信号に同期させて行なうためである。
そして、MRWコマンド入力をした後、時刻t6においてACTコマンドを入力し、時刻t7においてREADコマンドを入力する。こうして、読み出し動作をテスト動作モードで行うことができる。しかし、半導体記憶装置100では、テスト信号の切り替えのために、書き込みと読み出しの切り替え毎に上述のMRWコマンドを入力する必要が生じる。つまり、図8に示した時間tUNに相当する時間が、書き込みと読み出しの切り替え毎に必要となり、試験時間が長くなるという問題が生じる。
一方、半導体記憶装置200の試験では、通常テストモードと内部動作分離テストモードとの切り替えをテスト信号に代えて未使用アドレス信号CA9を用いて行なえるため、半導体記憶装置100の試験に比べて試験時間を短縮することができる。
すなわち、図8のコマンド2において、読み出し動作に対応するACTコマンド、WRTコマンド及びPREコマンドが入力される際(それぞれ時刻t1、時刻t2、時刻t3)には、未使用アドレス信号CA9の論理レベルを0(Lレベル)とする。そして、読み出し動作に対応するACTコマンド及びREADコマンドが入力される際(それぞれ時刻t4、時刻t5)には、未使用アドレス信号CA9の論理レベルを1(Hレベル)とする。
すなわち、図8のコマンド2において、読み出し動作に対応するACTコマンド、WRTコマンド及びPREコマンドが入力される際(それぞれ時刻t1、時刻t2、時刻t3)には、未使用アドレス信号CA9の論理レベルを0(Lレベル)とする。そして、読み出し動作に対応するACTコマンド及びREADコマンドが入力される際(それぞれ時刻t4、時刻t5)には、未使用アドレス信号CA9の論理レベルを1(Hレベル)とする。
これにより、半導体記憶装置200の試験では、テスト信号の切り替えのために、書き込みと読み出しの切り替え毎に上述のMRWコマンドを入力する必要がなくなる。従って、半導体記憶装置200においては、半導体記憶装置100の効果を維持しつつ、更にテスト時間を短縮できることにより、テストコストを削減できる効果を奏する。
100,100a,100b,200…半導体記憶装置、101,102,103,104…CMD回路、
105,106…TCMD回路、111,112,113…セレクタ、
121…ロウコントロール回路、122…ロウアドレス保持部、
131…カラムコントロール回路、132…カラムアドレス保持部、
140…メモリセルアレイ、N1…カラムスイッチトランジスタ、Cell…メモリセル、
a,b,c,d,e,f,g,h,i…内部コマンド信号、
TEST,TEST1,TEST2…テスト信号、CK…外部クロック、/CK…反転外部クロック、CA…コマンドアドレス入力信号、CA9…未使用アドレス信号、
150…AND回路
105,106…TCMD回路、111,112,113…セレクタ、
121…ロウコントロール回路、122…ロウアドレス保持部、
131…カラムコントロール回路、132…カラムアドレス保持部、
140…メモリセルアレイ、N1…カラムスイッチトランジスタ、Cell…メモリセル、
a,b,c,d,e,f,g,h,i…内部コマンド信号、
TEST,TEST1,TEST2…テスト信号、CK…外部クロック、/CK…反転外部クロック、CA…コマンドアドレス入力信号、CA9…未使用アドレス信号、
150…AND回路
Claims (15)
- 外部から入力される第1のコマンドを取り込むと外部から供給されるクロック信号に同期して第1の動作を開始する通常動作モードと、外部から入力される前記第1のコマンドを取り込む際に前記第1の動作を開始せず、前記第1のコマンドを取り込んだ後に外部から入力される第2のコマンドを取り込むと前記クロック信号に同期して前記第1の動作を開始するテスト動作モードとを備えることを特徴とする半導体記憶装置。
- 前記テスト動作モード時には、第1の周波数の前記外部クロックに同期して前記第1及び第2のコマンドを外部から取り込み、前記第1の周波数よりも高い第2の周波数の前記外部クロックに同期して前記第1の動作を開始することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 複数のメモリセルを有し、前記複数のメモリセルの中の第1のメモリセル群を指定する第1のアドレスの少なくとも一部を前記第1のコマンドと共に外部から取り込み、前記第1のメモリセル群の中の第2のメモリセル群を指定する第2のアドレスの少なくとも一部を前記第2のコマンドと共に外部から取り込むことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1のコマンドと前記第1のアドレスの一部とを前記クロック信号の第1のクロックパルスの一方のエッジに同期して取り込み、第1のアドレスの残りを前記第1のクロックパルスの他方のエッジに同期して取り込み、前記第2のコマンドと前記第2のアドレスの一部とを前記クロック信号の第2のクロックパルスの一方のエッジに同期して取り込み、第2のアドレスの残りを前記第2のクロックパルスの他方のエッジに同期して取り込むことを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 前記テスト動作モード時には、前記クロック信号の第2のクロックパルスの一方のエッジに同期して前記第2のコマンドを取り込み、前記第2のクロックパルスに続く第3のクロックパルスの前記一方のエッジに同期して前記第1の動作を開始することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記テスト動作モード時には、前記第3のクロックパルスの他方のエッジに同期して前記第2のコマンドによって規定される第2の動作を開始することを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置。
- 複数のビット線と、前記複数のビット線と交差して配置された複数のワード線と、前記複数のビット線と複数のワード線との交点に配置された複数のメモリセルとを有し、前記第1の動作が、前記複数のワード線のうち所定のワード線を選択する動作であることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記通常動作モードと前記テスト動作モードとを、第1の信号の論理レベルに応じて切り換えることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記テスト動作モードが第1のテスト動作モードであり、テスト時に前記通常動作モードと同一の動作を行う第2のテスト動作モードを備え、前記通常動作モードと前記第1のテスト動作モード又は前記第2のテスト動作モードとを、第1の信号の論理レベルに応じて切り替え、前記第1のテスト動作モードと前記第2のテスト動作モードとを、外部から入力可能な第2の信号の論理レベルに応じて切り換えることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 外部から供給されるクロック信号に同期して半導体記憶装置のテストを行なう方法であって、前記クロック信号の周波数を第1の周波数に設定して、前記クロック信号に同期して外部から第1及び第2のコマンドを前記半導体記憶装置に順次入力する工程と、前記第2のコマンドを入力した後に前記クロック信号の周波数を前記第1の周波数よりも高い第2の周波数に切り換える工程と、前記クロック信号の周波数を切り換えた後に前記クロック信号に同期して、各々前記第1及び第2のコマンドによって規定される第1の動作及び第2の動作を順次開始することを特徴とする半導体記憶装置のテスト方法。
- 複数のメモリセルを有し、前記複数のメモリセルの中の第1のメモリセル群を指定する第1のアドレスの少なくとも一部を前記第1のコマンドと共に入力し、前記第1のメモリセル群の中の第2のメモリセル群を指定する第2のアドレスの少なくとも一部を前記第2のコマンドと共に外部から入力することを特徴とする請求項10に記載のテスト方法。
- 前記第1のコマンドと前記第1のアドレスの一部とを前記クロック信号の第1のクロックパルスの一方のエッジに同期して入力し、第1のアドレスの残りを前記第1のクロックパルスの他方のエッジに同期して入力し、前記第2のコマンドと前記第2のアドレスの一部とを前記クロック信号の第2のクロックパルスの一方のエッジに同期して入力し、第2のアドレスの残りを前記第2のクロックパルスの他方のエッジに同期して入力することを特徴とする請求項11に記載のテスト方法。
- 前記第1のコマンドがアクティブコマンドであり、前記第2のコマンドがリードコマンド又はライトコマンドであることを特徴とする請求項10に記載のテスト方法。
- 通常動作モードと第1のテスト動作モードを設定可能な半導体記憶装置であって、複数のビット線と、前記ビット線と交差して配置された複数のワード線と、前記ビット線と前記ワード線の各交点に配置された複数のメモリセルとを含むメモリセルアレイと、外部クロック信号に同期してコマンドアドレス端子から前記メモリセルのロウアドレス及びカラムアドレスを順次取り込むアドレスラッチ回路と、前記ロウアドレスに応じて前記ワード線を選択する第1の制御回路と、前記カラムアドレスに応じて前記ビット線を選択する第2の制御回路と、を有し、前記通常動作モードにおいては、前記第1の制御回路は前記ロウアドレスを取り込んだ外部クロックパルスに同期して前記ワード線を選択し、かつ、前記第2の制御回路は前記カラムアドレスを取り込んだ外部クロックパルスに同期して前記ビット線を選択し、前記第1のテスト動作モードにおいては、前記第1の制御回路及び前記第2の制御回路は、前記カラムアドレスを取り込んだ後に入力される外部クロックパルスに同期して前記ワード線及び前記ビット線の選択を行うことを特徴とする半導体記憶装置。
- メモリセルの選択動作をテストに用いるアドレスとコマンドを取り込む際の外部クロックに同期させて行う第2のテスト動作モードを備え、前記第2のテスト動作モードにおいては、前記第1の制御回路は前記ロウアドレスを取り込んだ外部クロックパルスに同期して前記ワード線を選択し、かつ、前記第2の制御回路は前記カラムアドレスを取り込んだ外部クロックパルスに同期して前記ビット線の選択を行うことを特徴とする請求項14記載の半導体記憶装置。
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