JP2010126734A - 非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法及びその成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】保持電極に基材を保持する基材保持工程と、大気圧雰囲気下において、印加電極を有する電極体を保持電極に対向させ、電極体と保持電極との間に炭化水素系ガスを含む原料ガスを供給し、電極体と保持電極との間に直流バイアス電圧を発生させながら、印加電極に交流電圧を印加して電極体と基材の表面との間でグロー放電プラズマを発生させ、排ガスを排気して、基材の表面に非晶質硬質炭素皮膜の成膜を行う成膜工程と、を有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
すなわち、本発明の非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法は、保持電極に基材を保持する基材保持工程と、大気圧雰囲気下において、印加電極を有する電極体を保持電極に対向させ、電極体と保持電極との間に炭化水素系ガスを含む原料ガスを供給し、電極体と保持電極の間に直流バイアス電圧を発生させながら、印加電極に交流電圧を印加して電極体と基材の表面との間でグロー放電プラズマを発生させ、排ガスを排出し、基材の表面に非晶質硬質炭素皮膜の成膜を行う成膜工程と、を有することを特徴とする。
また本発明の非晶質硬質炭素皮膜の成膜装置は、基材を保持する保持電極と、保持電極に対向して位置し、印加電極を有する電極体と、保持電極と電極体の間に高周波電界を印加させ大気圧雰囲気下でグロー放電プラズマを発生させる印加電極に印加する電圧印加手段と、電極体と保持電極との間に直流バイアス電圧を発生させる直流バイアス電圧印加手段と、保持電極と電極体の間に、基材の表面に非晶質硬質炭素皮膜を形成するための原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、保持電極と電極体の間から排ガスを排出する排気手段と、を有することを特徴とする。
本発明の非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法は、基材保持工程と、成膜工程とからなる。
また本発明の非晶質硬質炭素皮膜の成膜装置は、保持電極と、電極体と、電圧印加手段と、直流バイアス電圧印加手段と、原料ガス供給手段と、排気手段と、を有する。
図1は、本発明の非晶質硬質炭素皮膜の成膜装置の第一実施例を示す模式説明図である。
図2は、本発明の非晶質硬質炭素皮膜の成膜装置の第二実施例の部分側断面図である。また図3は図2におけるX−X‘断面で切断した切断面からみた部分平面図である。
図4は、本発明の非晶質硬質炭素皮膜の成膜装置の第三実施例の部分側断面図である。また図5は図4を上からみた部分平面図である。
図1〜図3に示す方法を用いて、非晶質硬質炭素皮膜を成膜した。
膜硬度は、ナノインデンテーション法により測定した。ナノインデンターには、原子間力顕微鏡(SHIMADZU社製SPM9500J2 )に取り付けたHYSITORON社製Toribo Scopeを用いた。なお、ナノインデンテーション法によれば、基材の影響を受けずに、薄膜そのものの硬度を測定することができる。
ERDA反跳粒子検出法及びRBS(ラザフォード後方散乱分析)によって元素組成比の分析を行った。
FT−IRを用いて結合状態の分析をした。
6、保持電極、7、直流電源、8、フィルタ用コイル、9、第二コンデンサ、
10、第一コンデンサ、11、冷却装置、12、耐熱構造材、13、ガス供給ノズル、
14、排気ノズル、15、潤滑剤、16、17、スペーサー、20、電圧印加手段、
30、直流バイアス電圧印加手段、40、電極体、100、200、300、成膜装置、
130、ガス供給口、140、排気口。
Claims (12)
- 保持電極に基材を保持する基材保持工程と、
大気圧雰囲気下において、印加電極を有する電極体を前記保持電極に対向させ、該電極体と該保持電極との間に炭化水素系ガスを含む原料ガスを供給し、該電極体と該保持電極との間に直流バイアス電圧を発生させながら、該印加電極に交流電圧を印加して前記電極体と前記基材の表面との間でグロー放電プラズマを発生させ、排ガスを排出し、前記基材の表面に非晶質硬質炭素皮膜の成膜を行う成膜工程と、
を有することを特徴とする非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法。 - 前記直流バイアス電圧は、DC200V〜10,000Vであり、前記交流電圧は、周波数0.1kHz以上、電圧5kV〜50kVであり、前記原料ガスはその混合比が不活性ガス/炭化水素系ガス=0/100〜99.9/0.1であり、該電極体と該保持電極との間は、その放電ギャップ距離が0.1mm〜5mmである請求項1に記載の非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法。
- 前記保持電極は前記基材を加熱する加熱手段を配設され、前記成膜工程において、前記基材は50℃〜300℃に加熱しながら成膜される請求項1または2に記載の非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法。
- 前記成膜工程において、該原料ガスの供給及び排ガスの排気はガス流速が200mm/sec〜3,000mm/secとなるように行われる請求項1〜3のいずれかに記載の非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法。
- 前記基材保持工程において、該基材の表面と該保持電極の電極面とは略同一面状に保持される請求項1〜4のいずれかに記載の非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法。
- 前記印加電極はその表面が誘電体に覆われている請求項1〜5のいずれかに記載の非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法。
- 前記成膜工程において、前記保持電極と前記電極体とは相対移動する請求項1〜6のいずれかに記載の非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法。
- 基材を保持する保持電極と、
前記保持電極に対向して位置し、印加電極を有する電極体と、
該保持電極と該電極体の間に高周波電界を印加させ大気圧雰囲気下でグロー放電プラズマを発生させる該印加電極に印加する電圧印加手段と、
該電極体と該保持電極との間に直流バイアス電圧を発生させる直流バイアス電圧印加手段と、
該保持電極と該電極体の間に、該基材の表面に非晶質硬質炭素皮膜を形成するための原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、
該保持電極と該電極体の間から排ガスを排出する排気手段と、
を有することを特徴とする非晶質硬質炭素皮膜の成膜装置。 - 前記成膜装置は、前記保持電極の背面に配設され基材を加熱する加熱手段を有する請求項8に記載の非晶質硬質炭素皮膜の成膜装置。
- 前記原料ガス供給手段は、該原料ガスを整流し、少なくとも該基材雰囲気では該原料ガスが層流状態となるように原料ガスを供給するためのガス供給ノズルを有し、前記排気手段は、該原料ガスを整流し、少なくとも該基材雰囲気では該原料ガスが層流状態となるように原料ガスを排気するための排気ノズルを有する請求項8または9に記載の非晶質硬質炭素皮膜の成膜装置。
- 前記保持電極と前記電極体とを相対移動させる移動手段を有し、かつ前記電極体は複数の印加電極を有し、一つの該印加電極と他の一つの該印加電極との間に原料ガスを供給するガス供給口を配設し、かつ該ガス供給口の印加電極をはさんだ少なくとも両側に排気口を配設する請求項8または9に記載の非晶質硬質炭素皮膜の成膜装置。
- 前記印加電極はその表面が誘電体に覆われている請求項8〜11のいずれかに記載の非晶質硬質炭素皮膜の成膜装置。
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