JP2006097105A - 大気圧プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】放電空間内にガスの対流を作ることにより、均一かつ高安定な処理が行え、さらに多層の処理が行える簡素でかつ安価な大気圧プラズマ処理装置の提供にある。
【解決手段】大気圧近傍の圧力下で、処理基材4を挟んで一対の電極1、2を備え、該電極間に処理ガスを導入する処理ガス供給口8と、ガスを排気するための処理ガス排気口7とを備えてなり、電圧を印加することにより、前記処理基材4にプラズマ処理を施す大気圧プラズマ処理装置であって、少なくとも一方の電極1に処理ガス供給口8を2つ以上、及び処理ガス排気口7を2つ以上設けてなり、かつ該処理ガス供給口8及び処理ガス排気口7が交互に配設されている大気圧プラズマ処理装置とするものである。
【選択図】図1
【解決手段】大気圧近傍の圧力下で、処理基材4を挟んで一対の電極1、2を備え、該電極間に処理ガスを導入する処理ガス供給口8と、ガスを排気するための処理ガス排気口7とを備えてなり、電圧を印加することにより、前記処理基材4にプラズマ処理を施す大気圧プラズマ処理装置であって、少なくとも一方の電極1に処理ガス供給口8を2つ以上、及び処理ガス排気口7を2つ以上設けてなり、かつ該処理ガス供給口8及び処理ガス排気口7が交互に配設されている大気圧プラズマ処理装置とするものである。
【選択図】図1
Description
本発明は、大気圧近傍の圧力下におけるプラズマ処理装置に関するものであり、さらに詳しくは、100〜1000Torrの大気圧近傍の圧力下でのグロー放電プラズマにより高安定性かつ均一性を有したプラズマ反応処理、表面洗浄処理や金属酸化物薄膜の形成を同一電極面上で多層の処理を効率良く行うための大気圧プラズマ処理装置に関するものである。
グロープラズマを利用した技術は、低温かつ高エネルギーである特徴から、表面改質や反応性、現在多岐に渡る分野で利用されている。従来、高分子フィルム、シリコンウエハ等の基材表面に、機能性の薄膜を積層する方法として、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、減圧プラズマCVD等の方法が用いられてきた。しかしながら、これらの方法はいずれも真空中でのプロセスである。そのため、真空度に見合った減圧のための設備が必要であり、それにともない排気に要する時間もかかるため、設備コストやランニングコストが嵩むものであった。
そこで電極間に固体誘電体を被覆することにより大気圧近傍の圧力下でも均一なグロー放電プラズマが発生することが発見され、従来、上記のような真空中のプロセスであった薄膜形成、表面処理の分野で盛んに研究が進められている。このような真空中のプロセスに比べて、大気圧プラズマCVDは真空中でのプロセスを必要としないため、設備コストやランニングコストが極めて安価なものとなる。この大気圧中のプラズマとしては、コロナ放電処理装置のような、表面処理装置が古くから利用されていが、このコロナ放電処理装置においては、放電がまばらであり、均一な処理は困難であるという問題があり、処理均一性の高い表面処理をもたらすためには、より均一なグロー放電が必要であった。
一方、大気圧グロープラズマは、大気中で処理が行えるものの、大気からの放電空間内へのガスの混入による均一なプラズマの維持の困難で、逆に大気へ処理ガスが流出すると、大気汚染や人体への害等が考えられ、その処理ガスと外気は、なるべく隔離する必要がある。
以上のように、大気圧プラズマは、真空中のプロセスに比べ設備コスト等から大きな利点を有しているものである。
しかしながら、大気圧の近傍の圧力下においては、ガスの対流がないため、減圧時に比べ、ガスが拡散しにくく、ガスの流れが滞る部分が存在しやすい。すなわち、放電空間内に反応に必要なガスを導入する場合、ガスは均一に拡散せず、ガスの偏りが生じるため、処理が不均一になりやすいという問題があった。
本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するものであり、その課題とするところは、放電空間内にガスの対流を作ることにより、均一かつ高安定な処理が行え、さらに、多層の処理が行える簡素でかつ安価な大気圧プラズマ処理装置を提供することにある。
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず請求項1の発明では、大気圧近傍の圧力下で、処理基材を挟んで一対の電極を備え、該電極間に処理ガスを導入する処理ガス供
給手段と、ガスを排気するための処理ガス排気手段とを備えてなり、電圧を印加することにより、前記処理基材にプラズマ処理を施す大気圧プラズマ処理装置であって、少なくとも一方の電極に処理ガス供給口を2つ以上、及び処理ガス排気口を2つ以上設けてなり、かつ該処理ガス供給口及び処理ガス排気口が交互に配設されていることを特徴とする大気圧プラズマ処理装置としたものである。
給手段と、ガスを排気するための処理ガス排気手段とを備えてなり、電圧を印加することにより、前記処理基材にプラズマ処理を施す大気圧プラズマ処理装置であって、少なくとも一方の電極に処理ガス供給口を2つ以上、及び処理ガス排気口を2つ以上設けてなり、かつ該処理ガス供給口及び処理ガス排気口が交互に配設されていることを特徴とする大気圧プラズマ処理装置としたものである。
また、請求項2の発明では、前記処理ガス供給口及び/又は処理ガス排気口はスリット状であることを特徴とする請求項1記載の大気圧プラズマ処理装置としたものである。
また、請求項3の発明では、前記処理ガス供給口及び/又は処理ガス排気口は複数の口を有する群からなり、該処理ガス供給口及び/又は処理ガス排気口の群が平行に配列してなり、該処理ガス供給口からなる列と処理ガス排気口からなる列とが交互に配設されていることを特徴とする請求項1乃至2のいずれか1項記載の大気圧プラズマ処理装置としたものである。
また、請求項4の発明では、前記一対の電極のうち、少なくとも一方の電極が誘電体で覆われていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の大気圧プラズマ処理装置としたものである。
また、請求項5の発明では、前記処理基材を搬送させるための基材搬送手段を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の大気圧プラズマ処理装置としたものである。
また、請求項6の発明では、前記電極に設けられている処理ガス供給口及び処理ガス排気口が、処理基材搬送方向に対し交互に配設されており、かつ配設の両端が処理ガス排気口からなることを特徴とする請求項5記載の大気圧プラズマ処理装置としたものである。
また、請求項7の発明では、前記電極の両端に、処理基材と該電極間に存在する処理ガスの流出を防ぐためのガス遮断手段が接続されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載の大気圧プラズマ処理装置としたものである。
また、請求項7の発明では、前記電極の両端に、処理基材と該電極間に存在する処理ガスの流出を防ぐためのガス遮断手段が接続されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載の大気圧プラズマ処理装置としたものである。
また、請求項8の発明では、前記ガス遮断手段が誘電体材料からなることを特徴とする請求項7記載の大気圧プラズマ処理装置としたものである。
本発明は以上の構成であるから、下記に示す如き効果がある。
即ち、上記請求項に係る発明によれば、電極内に処理ガス排気口と処理ガス供給口を交互に設けることによって、大気圧下においても、比較的容易にガスの対流を作ることができ、さらにこのガスが均等に拡散されるため、ガスの滞る部分ができ難くなり、均一な膜厚分布で高安定な大気圧CVD成膜が行える大気圧プラズマ処理装置とすることができる。
さらにまた、隣接したガス排気口間でガスの流れは完結されるので、一つの電極内で多層の処理を行うことができ、電極を並列に何個も並べる必要がなく、低コスト化でより安定なグロープラズマ処理が行える大気圧プラズマ処理装置とすることができる。
以下本発明を実施するための最良の形態を図面を用いて詳細に説明する。
本発明の大気圧プラズマ処理装置は、図1に示すように、大気圧近傍の圧力下で、上下
部電極1、2間を送行する基材4上にプラズマ処理を行う装置であって、同一上部電極1内に処理ガス排気口7と処理ガス供給口8を2つ以上交互に設け、処理ガス排気口7間に、均一なガスの流れを作り、処理ガス供給口8の数だけ多層な処理を行える電極1、2である。
部電極1、2間を送行する基材4上にプラズマ処理を行う装置であって、同一上部電極1内に処理ガス排気口7と処理ガス供給口8を2つ以上交互に設け、処理ガス排気口7間に、均一なガスの流れを作り、処理ガス供給口8の数だけ多層な処理を行える電極1、2である。
大気圧下の圧力においては、ガスが非常に拡散しにくく、ガスの流れが滞ったり、反応領域内でガスが偏りやすくなるため、処理が不均一になりやすいが、このように反応領域内にガスの流れを作るために、処理ガス供給口8とともに、処理ガス排気口7を設けることにより、上部電極1内で均一なガスの流れを作ることができる。
また、処理ガス供給口8から電極1内に導入したガスは、隣接した処理ガス排気口7から回収されるため、処理ガス供給口8に挟まれた処理ガス排気口7間でガスの流れは完結する。本発明においては処理ガス排気口7と処理ガス供給口8を交互に設けるため、処理ガス供給口8の数だけ、それぞれ独立した処理ステージを設けることができ、一つの電極対1、2内で多層の処理が行える。例えば、アンカー処理、本処理、オーバー処理の3層の処理を一つの電極間内にて行うことができる。
上記処理ガス供給口8と処理ガス排気口7は、例えば図2に示すように、処理ガス供給口8及び処理ガス排気口7ともにスリット状で交互に配設されているようにすることができる。
また、例えば図3に示すように、処理ガス供給口8及び処理ガス排気口7ともに複数の口を有する群でかつ平行に配列しているものとし、両者が交互に配設されているようにすることもできる。
また、例えば図4に示すように、処理ガス排気口7を複数の口を有する群で、かつ平行に配列しているものとし、処理ガス供給口8をスリット状のものとし、両者が交互に配設されているようにすることもできる。
さらにまた、例えば図5に示すように、処理ガス排気口7をスリット状のものとし、処理ガス供給口8を複数の口を有する群でかつ平行に配列しているものとし、両者が交互に配設されているようにすることもできる。
上記処理ガス供給口8から導入する雰囲気ガスとしては、不活性なガスが望ましく、ヘリウム、アルゴン、窒素を単体、またはこれら2種類以上の混合物を用いることが望ましい。また、反応性ガスとしては、たとえば、酸素、水素、炭化水素、アンモニア、二酸化炭素等が挙げられる。これらは所定の薄膜組成やその物性に応じて選択される。また混合ガス成分に関しては、希ガス濃度が混合ガス成分の90%以上であることが望ましい。
上記処理ガス排気口7は、ガスの流量に合わせた排気量のコンプレッサーやロータリーポンプ等の減圧式のポンプに接続すれば良い。前記ガス排気量はガス吹き出し量と同量であることが望ましい。
また、放電空間は外気と隔離することが望ましく、電極1、2間側面にカバーを設けることが好ましい。このカバーとしては、テフロン(登録商標)、アクリル、ガラス等の誘電体であれば構わない。これにより、大気中のガスの放電空間への流入および処理ガスの大気放出を防ぎ、放電空間内にきれいなガスの流れを作ることができる。
また、基材4の送行方向に対して一番外側となるガスの流路は、処理ガス排気口7とすることが望ましく、これにより、基材4の送行方向よりの放電空間へのガスの流入を防ぐ
ことができる。また、この一番外側に配置された処理ガス排気口の外側に、基材の搬送を妨げない程度に、外気の進入を少なくするためのシール材13を配置しても良い。
ことができる。また、この一番外側に配置された処理ガス排気口の外側に、基材の搬送を妨げない程度に、外気の進入を少なくするためのシール材13を配置しても良い。
本発明の成膜方法における雰囲気圧力は、100〜1000Torrの大気圧近傍の圧力であり、圧力調整が容易な760±100Torrの範囲の圧力が特に好ましい。
本発明の大気圧プラズマ処理装置に使用する原料ガスの材料は、常温常圧において液体である有機金属化合物が望ましい。有機珪素化合物では、具体的な例としては、テトラエトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、メチルトリエトキシシラン、1,1,3,3,テトラメチルジシロキサン、テトラメトキシシラン、メトキシトリメチルシラン、テトラメチルシラン、ヘキサメチルトリシロキサン、テトラクロロシラン、トリクロロメチルシラン、トリメチルクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、ジメチルクロロシランなどを挙げることができるが、特に、テトラエトキシシラン(TEOS:C2 H20O4 Si:沸点169℃)、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO:C6 H18OSi2
:沸点100℃)が好ましい化合物である。
:沸点100℃)が好ましい化合物である。
また、本発明の大気圧プラズマ処理装置に使用する基材4としては、特に制限はないが、高分子フィルム、シリコン基板等の金属基板、ガラス基板、セラミック等が挙げられる。高分子フィルムの具体的な例としてはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ナイロン−6、ナイロン−66、ポリビニルアルコール等が挙げられる。これらの高分子フィルムには添加剤、例えば可塑剤、帯電防止剤、滑剤、紫外線吸収剤等が含まれていてもよい。
上記基材4の搬送は、電極1、2間内を均一な速度で搬送できれば良く、その搬送方式は特に問わないが、例えば、フィルム基材であれば、電極外に基材4の幅方向への均一なテンションをかけたローラーを設ければ良い。
また、本発明の大気圧プラズマ処理装置で使用する電源としては、交流パルス電源やMF電源、RF電源等があげられるが、数kHz以上の周波数の交流電源であれば良い。
次に、本発明の大気圧プラズマ処理装置を使用した処理方法を具体例を挙げて説明すると、例えば図1に示すように、厚さ30μmの二軸延伸PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムを基材4として使用し、電極1、2の空間内を送行させた。
続いて図1に示したように、4個の処理ガス供給口8と、3個の処理ガス排気口7を交互に設けた場合には、一度に3層の処理が行える。例えば、1層目では、ヘリウムやアルゴン等の雰囲気ガスに酸素を混合したガスを導入して、基材4表面に付着した汚れ、主に表面有機物の除去、および表面活性化のための前処理を行い、基材4の密着性を上げることができる。
次に、2層目で、雰囲気ガスと酸素とTEOSを混合したガスを導入して、1層目で易接着処理を行ったPET基材に、SiOxからなる薄膜を形成する。最後に3層目で、雰囲気ガスと酸素を導入して、2層目で形成したSiOx薄膜の膜面安定化後処理を行う。3層目の後処理を行うことによって、形成した薄膜は、水滴接触角が数度の超親水性の薄膜を形成することができる。
以上のように、本発明の大気圧プラズマ処理装置によって、従来のプラズマCVD等のように真空系を必要とすることがなく、一つの電極内で、多層の処理を行うため高効率での薄膜製造が可能である。また、電極を並列に並べることなく一つの電極内で処理を完結できるため、装置が大掛かりにならず、これらの過程をインラインで行うことを容易とす
る。
る。
1‥‥上部電極
2‥‥下部電極
3‥‥誘電体層
4‥‥基材
5‥‥交流電源
6‥‥基材搬送ローラ
7‥‥処理ガス排気口
8‥‥処理ガス供給口
9‥‥ガス導入ライン
10‥‥ガス排気ライン
13‥‥シール材
2‥‥下部電極
3‥‥誘電体層
4‥‥基材
5‥‥交流電源
6‥‥基材搬送ローラ
7‥‥処理ガス排気口
8‥‥処理ガス供給口
9‥‥ガス導入ライン
10‥‥ガス排気ライン
13‥‥シール材
Claims (8)
- 大気圧近傍の圧力下で、処理基材を挟んで一対の電極を備え、該電極間に処理ガスを導入する処理ガス供給手段と、ガスを排気するための処理ガス排気手段とを備えてなり、電圧を印加することにより、前記処理基材にプラズマ処理を施す大気圧プラズマ処理装置であって、少なくとも一方の電極に処理ガス供給口を2つ以上、及び処理ガス排気口を2つ以上設けてなり、かつ該処理ガス供給口及び処理ガス排気口が交互に配設されていることを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。
- 前記処理ガス供給口及び/又は処理ガス排気口はスリット状であることを特徴とする請求項1記載の大気圧プラズマ処理装置。
- 前記処理ガス供給口及び/又は処理ガス排気口は複数の口を有する群からなり、該処理ガス供給口及び/又は処理ガス排気口の群が平行に配列してなり、該処理ガス供給口からなる列と処理ガス排気口からなる列とが交互に配設されていることを特徴とする請求項1乃至2のいずれか1項記載の大気圧プラズマ処理装置。
- 前記一対の電極のうち、少なくとも一方の電極が誘電体で覆われていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の大気圧プラズマ処理装置。
- 前記処理基材を搬送させるための基材搬送手段を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の大気圧プラズマ処理装置。
- 前記電極に設けられている処理ガス供給口及び処理ガス排気口が、処理基材搬送方向に対し交互に配設されており、かつ配設の両端が処理ガス排気口からなることを特徴とする請求項5記載の大気圧プラズマ処理装置。
- 前記電極の両端に、処理基材と該電極間に存在する処理ガスの流出を防ぐためのガス遮断手段が接続されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載の大気圧プラズマ処理装置。
- 前記ガス遮断手段が誘電体材料からなることを特徴とする請求項7記載の大気圧プラズマ処理装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009299107A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Nihon Ceratec Co Ltd | 大気開放型cvd装置 |
JP2010126734A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Toyota Industries Corp | 非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法及びその成膜装置 |
JP2015076328A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 株式会社ケイテックリサーチ | プラズマ処理装置 |
JP2015198073A (ja) * | 2014-04-03 | 2015-11-09 | トヨタ自動車株式会社 | 大気圧プラズマ処理装置およびその処理方法 |
JP5872089B1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-03-01 | 中外炉工業株式会社 | シャワープレート装置 |
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2004
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