TW201539578A - 控制粒子剝脫之線上腔室塗佈 - Google Patents

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Michael P Stewart
Tsutomu Tanaka
Hari K Ponnekanti
Christopher T Lane
Ruiping Wang
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Abstract

本發明之實施例係關於用於一種在線上處理系統中減少剝脫之方法。該方法包括將基板移送至腔室內之處理區域，及將氮化矽層沉積在基板上。然後，自處理區域移送基板。然後，將二氧化矽層沉積在腔室之組件上方，以在氮化矽沉積期間覆蓋沉積在腔室組件上之任何氮化矽。安置在氮化矽層上之二氧化矽層減少氮化矽層自腔室組件之剝脫。

Description

控制粒子剝脫之線上腔室塗佈
本發明之實施例一般係關於用於在諸如半導體處理腔室之線上塗佈腔室中減少粒子剝脫之方法。
線上處理工具以連續方式在諸如太陽能電池之基板上沉積材料達數百個小時之久。由於連續沉積，數毫米之薄膜可能累積在諸如電漿源之腔室組件上。在經處理之基板移動通過處理腔室時，累積之沉積材料可能不利地自腔室組件剝脫至基板上。沉積材料之剝脫由於沉積材料之不均勻組成而加劇。例如，臨近前驅物進氣口處的薄膜中可包括濃度梯度。濃度梯度導致整個薄膜之不同薄膜品質，且促進剝脫。所剝脫材料可能不利地降低成品裝置之效能。在沉積氮化矽時，由於氮化矽之壓縮應力相對較高，因此阻止材料自腔室組件之剝脫尤為困難。
因此，需要在製程腔室中減少用以沉積氮化矽之材料之剝脫的方法。
本發明之實施例係關於一種用於在線上處理系統中減少剝脫之方法。該方法包括將基板移送至腔室內之處理區 域，及將氮化矽層沉積在基板上。然後，自處理區域移送基板。然後，將二氧化矽層沉積在腔室之組件上方，以在氮化矽沉積期間覆蓋沉積在腔室組件上之任何氮化矽。安置在氮化矽層上之二氧化矽層減少氮化矽層自腔室組件之剝脫。
在一個實施例中，用於減少自腔室組件之剝脫之方法包括將基板移送至腔室內之處理區域，及將氮化矽層沉積在基板上。在將氮化矽層沉積在基板上期間，氮化矽材料亦沉積在腔室內之組件上。該方法亦包括自處理區域移送基板，及在處理區域中沒有基板之時，將二氧化矽層沉積在腔室內之組件上所沉積之氮化矽層上方。
在另一實施例中，用於減少自腔室組件之剝脫之方法包括將基板移送至腔室內之處理區域，及將氮化矽層沉積在基板上。沉積氮化矽層包括將矽、氮，及氧引入製程腔室，其中在將氮化矽層沉積在基板上期間，亦將氮化矽材料沉積在腔室內之組件上。沉積在組件上之氮化矽材料中包括氧。然後，自處理區域移送基板。
在一個實施例中，用於減少自腔室組件之剝脫之方法包括將基板移送至腔室內之處理區域，及將氮化矽層沉積在基板上。在將氮化矽層沉積在基板上期間，氮化矽材料亦沉積在腔室內之組件上。該方法亦包括自處理區域移送基板，及在處理區域中沒有基板之時，將二氧化矽層沉積在腔室內之組件上所沉積之氮化矽層上方。
100‧‧‧基板處理系統
101‧‧‧基板
102‧‧‧腔室側壁
105‧‧‧基板接收腔室
106‧‧‧腔室體積
107‧‧‧預處理腔室
109‧‧‧移送腔室
110‧‧‧支撐組件
111‧‧‧移送腔室
112‧‧‧滾筒
113‧‧‧帶
114‧‧‧緩衝腔室
115‧‧‧輸送器傳送系統
116‧‧‧基板卸載腔室
121‧‧‧輸送器
125‧‧‧處理區域
128‧‧‧氣源
129‧‧‧氣源
131‧‧‧電源
140‧‧‧處理腔室
141‧‧‧處理腔室
142‧‧‧處理腔室
143‧‧‧環境
145‧‧‧真空泵
148‧‧‧氣體管線
149‧‧‧氣體管線
160A‧‧‧沉積來源
160B‧‧‧沉積來源
160C‧‧‧沉積來源
160D‧‧‧沉積來源
161‧‧‧流體氣室
162‧‧‧流體氣室
163‧‧‧開口
164‧‧‧流體通道
181‧‧‧第一氣體輸送元件
182‧‧‧第二氣體輸送元件
208‧‧‧外殼
210‧‧‧電極
219a‧‧‧冷卻通路
219b‧‧‧冷卻通路
222‧‧‧空腔部分
223‧‧‧遮罩
224‧‧‧磁體
225‧‧‧磁體
226‧‧‧磁體
233‧‧‧遮罩
283‧‧‧靶材
284‧‧‧冷卻區塊
285‧‧‧冷卻套管
286a‧‧‧電絕緣體
286b‧‧‧電絕緣體
287‧‧‧磁極蓋
370‧‧‧方法
371‧‧‧操作步驟
372‧‧‧操作步驟
373‧‧‧操作步驟
374‧‧‧操作步驟
450‧‧‧薄膜堆疊
451‧‧‧層
452‧‧‧層
453‧‧‧層
454‧‧‧層
455‧‧‧層
456‧‧‧層
為詳細理解本發明之上述特徵，可藉由參考實施例 對上文中簡短概述之本發明進行更為特定之描述，該等實施例中之一些在附圖中進行圖示。然而，將注意，附圖僅圖示本發明之典型實施例，因此將不被視作限制本發明發明之範疇，因為本發明可承認其他同樣有效的實施例。
第1A圖是根據本發明之一個實施例的基板處理系統之示意性等角視圖；第1B圖是根據本發明之一個實施例的沉積腔室之示意性側視剖面圖；第2圖是根據本發明之一個實施例的沉積來源之示意性剖面；第3圖是流程圖，該圖圖示根據本發明之一個實施例的控制粒子剝脫之方法；及第4圖圖示根據第3圖之方法沉積的薄膜堆疊。
為便於理解，在可能之情況下已使用相同元件符號以指定圖式中共有之相同元件。可設想一個實施例之元件及特徵可以有利方式併入其他實施例而無需贅述。
本發明之實施例係關於一種用於在線上處理系統中減少剝脫之方法。該方法包括將基板移送至腔室內之處理區域，及將氮化矽層沉積在基板上。然後，自處理區域移送基板。然後，將二氧化矽層沉積在腔室組件上，以在氮化矽沉積期間覆蓋沉積在腔室組件上之任何氮化矽。安置在氮化矽層上之二氧化矽層減少氮化矽層自腔室組件之剝脫。
第1A圖是根據本發明之一個實施例的基板處理系 統100之示意性等角視圖。本發明一般提供高產量基板處理系統100或線上處理系統以用於薄膜堆疊之現場處理，該薄膜堆疊用以形成太陽能電池裝置的多個區域。在一個配置中，每一基板101上形成之一或更多個薄膜堆疊包含一或更多個鈍化層或介電層，該等鈍化層或介電層在高產量基板處理系統100內所包含之一或更多個處理腔室140、141、142內沉積及經進一步處理。處理腔室140、141、142可包括例如以下各者中之一或更多者：電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)腔室、低壓化學氣相沉積(low pressure chemical vapor deposition；LPCVD)腔室、原子層沉積(atomic layer deposition；ALD)腔室、電漿增強原子層沉積腔室(plasma enhanced atomic layer deposition chamber；PEALD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)腔室、熱處理腔室(例如RTA或RTO腔室)、基板重定向腔室(例如翻轉腔室)及/或其他類似處理腔室。
高產量基板處理系統100可包括一或更多個沉積腔室，如處理腔室140、141、142，基板101在該等腔室中曝露於一或更多個氣相材料及電漿。在一個實施例中，處理系統100包括至少一個電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)處理腔室，該腔室已經調適以在基板101以線性方向通過系統100時處理複數個基板101，如太陽能電池基板。在一個實施例中，基板101同時在真空或惰性環境中移送穿過高產量基板處理系統100，以防止基板污染及提高基板產量。
在一個實施例中，基板處理系統100包括基板接收腔室105、預處理腔室107、至少一個維持在低於大氣壓力之壓力下的處理腔室(如第一處理腔室140、第二處理腔室141，及第三處理腔室142)、至少一個移送腔室(如移送腔室109及111)、緩衝腔室114，及基板卸載腔室116。基板處理系統100亦可包括一或更多個支撐組件110，如控制單位、使用者介面、緩衝器，等等。
第1B圖是根據本發明之一個實施例的處理腔室140之示意性橫剖面側視圖。處理腔室140包括一或更多個沉積來源，如沉積來源160A-160D、氣源128及129、一或更多個電源131(圖示四個電源)、至少部分地圍封腔室體積106之一部分之腔室側壁102，及輸送器傳送系統115之至少一部分。沉積來源160A-160D經調適以當基板101在沉積來源160A-160D下方及鄰近處通過時在基板101之表面上形成層。側壁102一般包括可在腔室體積106被加熱至所需溫度且由真空泵145抽至真空壓力的情況下，在結構上支撐由環境143所施加之負載之材料，該環境143在腔室體積106外部。側壁102一般包括諸如鋁、鋁合金，或不銹鋼之材料。
在一個配置中，輸送器傳送系統115之部分包括輸送器121，該輸送器經調適以藉由利用一或更多個致動器(未圖示)支撐、引導，且移動基板101穿過處理腔室140，該等致動器例如步進馬達或伺服馬達。在一個配置中，輸送器121包括兩個或兩個以上滾筒112(圖示四個滾筒)及帶113，該帶113經配置以在處理期間支撐及向正X方向移動基板101。 然而，應注意，亦可設想在反向配置中進行處理。
在處理腔室140之一個實施例中，沉積來源160A-160D中之每一者耦接至至少一個氣源，如氣源128及129，該氣源經配置以將一或更多種處理氣體輸送至形成有腔室體積106之處理區域125，且輸送至沉積來源160A-160D中之每一者下方，並安置在該等沉積來源下方之基板101之表面上方。氣體管線148及149便於將氣體自氣源128、129輸送至沉積來源160A-160D。
沉積來源160A-160D將大體包括至少一個氣體輸送元件，如第一氣體輸送元件181及第二氣體輸送元件182，該等元件中每一者經配置以將處理氣體引導至處理區域125。在一個實例中，氣體輸送元件181、182可為噴嘴。第一氣體輸送元件181包括流體氣室161，該流體氣室經配置以從氣源128接收處理氣體，且將接收到之氣體經由在該流體氣室中形成之一或更多個開口163輸送至處理區域125。同樣，第二氣體輸送元件182包括流體氣室162，該流體氣室經配置以從氣源129接收處理氣體，且將接收到之氣體經由在該流體氣室中形成之一或更多個流體通道164輸送至處理區域125。氣體來源128及129大體經配置以提供經由諸如PECVD製程之沉積製程在基板101之表面上沉積層之一或更多種前驅氣體及/或載氣或反應性氣體。
在製程腔室140中執行之製程的一個實例中，氣源128及129中至少一者經配置以將含矽氣體輸送至沉積來源160A-160D。含矽氣體可選自由以下各者組成之群組：矽烷、 二矽烷、氯矽烷、二氯矽烷、三氯矽烷、二溴矽烷、三甲基矽烷、四甲基矽烷、三二甲基胺基矽烷(TriDMAS)、四乙氧基矽烷(TEOS)、三乙氧基氟矽烷(TEFS)、四氯化矽、四溴化矽、1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、二甲基二乙氧矽烷(DMDE)、八甲基環四矽氧烷(OMCTS)、甲基二乙氧矽烷(MDEOS)、雙(第三丁胺)矽烷(BTBAS)，或上述各者之組合。含氧氣體可選自由以下各者組成之群組：氧氣(O2)、一氧化二氮(N2O)、臭氧(O3)，及上述各者之組合。在一個實施例中，含矽氣體是矽烷及含氧氣體是O2。含矽氣體及含氧氣體可在基板101之表面上形成介電層。
在另一製程序列，諸如在第一處理腔室140中執行之處理中，氣源128及129中至少一者經配置以將含矽氣體及含氮氣體輸送至沉積來源160A-160D。含氮氣體例如可為雙原子氮、一氧化二氮，或氨氣。
可設想在一些實施例中，氣源128及129可經調適以單獨或同時提供多種前驅氣體。在此實施例中，氣源128、129可為容納多種前驅氣體及/或載氣來源之氣體櫃。
可設想沉積來源160A-163D中之任何者可經配置以輸送除上文列舉之彼等氣體以外的其他前驅進氣，包括含鋁氣體。沉積來源160A-160D及提供至該等來源之前驅氣體可用以促進所需鈍化層堆疊沉積之成型。亦可設想更多氣源可增添至腔室140以容納更多類型之氣體輸送。
可設想沉積源160A-160D中每一沉積源可經調適以在基板101上沉積不同薄膜材料。例如，沉積來源160A-160D 可經調適以沉積以下一或更多個者之薄膜：二氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氮化鋁，等等。
第2圖是根據本發明之一個實施例的沉積來源之示意性剖面視圖。如第2圖中所示，第一沉積來源160A包括諸如噴嘴之氣體輸送元件181，以用於將處理氣體引入處理區域125。氣體輸送元件182(圖示兩個元件)安置成臨近氣體輸送元件181，且經調適以將第二處理氣體經由流體通道164輸送至處理區域125。氣體輸送元件181、182中之每一者耦接至氣源，如氣源128或129。例如，氣體輸送元件181可耦接至氣源128，且氣體輸送元件182可耦接至氣源129。
沉積來源160A亦包括外殼208，電極210經圍封在該外殼中。電極210可耦接至共同電源131(在第1B圖中圖示)。在一個實施例中，電源131是交流電源。電極210由諸如矽靶之靶材283環繞，該靶材防止電極在沉積製程期間被電漿侵蝕。靶材283是犧牲材料且可有助於材料經由濺射而在基板101上形成。在一個實例中，形成於基板101上之材料包括小於1%之源自於靶材283之材料。靶材亦可包括除矽以外的材料。在一個實例中，靶材組成可與前驅氣體共享共有元件。靶材283可藉由使用一或更多個突出部分(未圖示)及安置在靶材283上端及下端處之電絕緣體286a、286b而緊固。電絕緣體286a、286b亦可有助於電極210之電絕緣。
冷卻區塊284亦安置在外殼208中，且包括形成於該區塊中之冷卻通路219a以有助於沉積來源組件之冷卻。其中形成有冷卻通路219b之冷卻套管285亦可安置在外殼208 內以進一步增強冷卻。氣體輸送元件182包括由遮罩223圍住之空腔部分222。磁體224在遮罩223與外殼208之一部分之間沿圓周安置圍住遮罩223。磁體224可包括永久性磁體。此外，磁體226存在於空腔部分222內，且耦接至電極210。磁體225定位在冷卻區塊284內。磁體225及磁體226產生磁場，該磁場負責持續的電漿形成，而磁體224、226則促使磁體225、226之間之磁場的成型。在磁體224、226之間產生之磁場可負責將電漿從空腔部分222引導至處理區域125。磁體226可由磁極蓋287圍封或保護。
在一個實施例中，電源131是交流電電源，該電源頻率範圍在20kHz至500kHz之間，如40kHz。在操作期間，反應性氣體及/或惰性氣體由諸如氣源129之氣源供應，且經由空腔部分222被引入處理區域125。同時，第二氣體經由氣體輸送元件181經引入處理區域125。磁體224及磁體226有助於由位於處理區域125中之處理氣體形成電漿，由此誘發在位於處理區域125內之基板上之材料沉積。
藉由沉積來源160A進行之電漿成型往往不利地導致在沉積來源160A表面上形成薄膜，尤其在遮罩223及磁極蓋227上形成。不合乎需要之沉積亦可能在第一氣體輸送元件181之通道的最上部區域上發生，此沉積亦可由於第一氣體輸送元件181在處理期間之熱循環而導致粒子剝脫。此外，沉積在第一氣體輸送元件181通道內之薄膜可具有相對較低之矽成分，此進一步增大剝脫之可能性。所沉積之薄膜經受剝脫(尤其在薄膜包含氮化矽之情況下)，此情況可能不利 地影響經處理裝置之效能。儘管在每一次沉積之後可停止處理以從遮罩223上移除薄膜，但該種清洗導致產量顯著減少，因此，將清洗頻率降至最低是合乎需要的。第3圖圖示用於減少粒子剝脫，同時將腔室清洗頻率降至最低之方法。
第3圖是流程圖，該圖圖示根據本發明之一個實施例的控制粒子剝脫之方法370。方法370自操作371開始，在該操作中，將基板移送至與沉積來源相鄰的處理區域，如與沉積來源160A相鄰的處理區域125(在第1B圖中圖示)。基板可為太陽能電池基板，如晶態矽晶圓。在操作372中，一旦基板定位在處理區域中，則將含矽處理氣體及含氮處理氣體引入處理區域中。在一個實例中，將諸如矽烷之含矽處理氣體經由氣體輸送元件181引入處理區域，而將諸如氨氣之含氮處理氣體經由流體通道164引入處理區域。在將含氮處理氣體及含矽處理氣體引入處理區域之同時，將功率應用於電極210以根據含矽處理氣體及含氮製程氣體產生電漿。所得電漿有助於氮化矽薄膜在基板表面上之沉積，該基板定位在處理區域125內。因此，不合乎需要之氮化矽薄膜亦在沉積來源160A之組件上沉積，如在遮罩223表面上沉積。
在操作373中，在其上方形成有氮化矽薄膜之基板在輸送器121上從處理區域125被移送至下一處理位置，如與沉積來源160B相鄰之處理區域125。在374操作中，在基板之移送期間，及在基板不位於用於氮化矽沉積之處理區域125中之時，將含矽處理氣體及含氧處理氣體引入與沉積來源160A相鄰之處理區域125。含矽處理氣體及含氧處理氣體經 點燃以形成電漿以促進在位於沉積來源160A之組件上之氮化矽薄膜上沉積二氧化矽薄膜；例如在沉積於遮罩223上之氮化矽層上方沉積二氧化矽薄膜。在氮化矽上添加二氧化矽藉由提供覆蓋層或密封層而減少氮化矽薄膜之剝脫。此外，二氧化矽層提供更光滑之表面以用於後續的氮化矽層黏附於該表面，由此進一步減少剝脫之可能性。而且，可設想在操作373中來自電漿之氧可部分地氧化氮化矽層，由此藉由減少氮化矽層內之應力而額外減少氮化矽層剝脫之可能性。將氧結合至氮化矽薄膜內得到更機械穩定及熱動態穩定之薄膜。
在一些實施例中，需要避免或減輕氧在沉積於基板101上之氮化矽薄膜中之結合，因此，將氧引入處理區域125僅可在處理區域125中沒有基板101時發生。然而，亦需要最大化基板生產量，此最大化在基板位於處理區域125內時發生。在一個實例中，氧流之工作循環可為約25%或更低，如約10%或更低，此提供了充分的基板產量，同時將粒子剝脫降至最低。
在另一實施例中，可設想操作372可額外包括將含氧處理氣體引入處理區域。在一個實例中，可將諸如一氧化二氮之含氧氣體按一流速引入腔室，該流速為諸如雙原子氮之含氮氣體流速之約15%或小於含氮氣體之流速。當形成於基板101上之薄膜依據薄膜形成規格而容許結合一些氧時，可使用該種實施例。含氧處理氣體流在基板上形成氮化矽薄膜之同時導致氧結合至沉積在沉積來源表面上之氮化矽薄膜 中。氧之結合促進減少自沉積來源組件上之剝脫，直至沉積來源組件例如在連續使用100小時之後得以清潔。在該種實施例中，可省去操作374。在一個實例中，一氧化二氮可用作前驅氣體以向處理區域125提供氧及氮，因此單獨的氧前驅氣體及氮前驅氣體可能並非必需。
在又一實施例中，可設想在執行操作374之前可多次循環執行操作371至373。由此，無需在形成於沉積來源組件上的每一單獨氮化矽層上沉積氧化矽塗層，從而藉此提高基板產量。在一個實例中，在執行操作374之前，可執行5次、10次、50次或更多次操作371至373。或者，可在每次操作371至373完成之後執行操作374。
在另一實施例中，可設想操作374中之含氧氣體可並不提供至處理區域，相反，僅可提供含矽氣體及可選載氣。在該種實例中，諸如非晶態矽之矽漿料在氮化矽上形成，以減少氮化矽之剝脫。在又一實施例中，操作374可僅利用含矽氣體及可選載氣，但可隨後將諸如O2、O3，或N2O之含氧氣體引入處理區域以部分地氧化先前沉積之矽薄膜。該種實施例減少靶材283上之介電質堆積，從而導致電漿之熄滅。而且，含氧氣體與含矽氣體之共同流動可防止含矽氣體到達來源內之深處以塗佈流體通道164之開口的鄰近部分。
第4圖圖示根據本發明之一個實施例的根據第3圖之方法沉積之薄膜堆疊450。薄膜堆疊450圖示為安置在遮罩233上；然而，將理解，薄膜堆疊450可形成於除遮罩233以外的組件上。薄膜堆疊包括二氧化矽與氮化矽之交替層。 可設想二氧化矽層亦可包括非化學計量的含矽及氧之層。同樣，可設想氮化矽層可包括例如Si3N4或其他化學計量或非化學計量的含矽及氮材料。
堆疊包括在遮罩233上沉積之氮化矽層451。二氧化矽層452沉積在層451上以防止層451之剝脫。包括氮化矽之層453沉積在層452上。包括二氧化矽之層454沉積在層453上以防止層453之剝脫。包括氮化矽之層455沉積在層454上。包括二氧化矽之層456沉積在層455上以防止該層455上之剝脫。層451、453，及455可根據操作372而沉積。層452、454，及456根據操作374而沉積。二氧化矽層452、454、456大體具有均勻之SiO2組分，且促進位於該等層452、454、456下方之氮化矽層451、453、455之減少剝脫。二氧化矽層452、454、456可沉積至約1微米與約5微米之間之厚度，如約2微米至約3微米。
本發明之優勢包括減少從腔室組件上之材料剝脫，從而獲得更高品質及效能更佳之裝置。剝脫之減少延長腔室清洗之間的平均時間，由此增大基板產量。
儘管本文中之實施例針對特定沉積來源進行描述，但可設想使用其他類型之電漿產生(包括電感耦合電漿(inductively-coupled plasma；ICP))之沉積來源亦可得益於本文所述之實施例。此外，儘管本文中之實施例針對用以減少氮化矽剝脫之氧化矽層進行描述，但可設想諸如非晶態矽之其他材料亦可用以減少氮化矽薄膜之剝脫。在該種實例中，諸如矽烷之含矽氣體可用以在氮化矽上沉積非晶態薄膜。此 外，可設想本文中之實施例可用以預防除氮化矽以外的薄膜。
儘管前述內容是針對本發明之實施例，但可在不背離本發明基本範疇之前提下設計本發明之其他及更多實施例，且本發明之範疇由下文之專利申請範圍決定。
370‧‧‧方法
371‧‧‧操作步驟
372‧‧‧操作步驟
373‧‧‧操作步驟
374‧‧‧操作步驟

Claims (15)

  1. 一種用於減少自腔室組件上之剝脫之方法，該方法包括以下步驟：(a)將一基板移送至一腔室內之一處理區域；(b)在該基板上沉積氮化矽層，其中在該氮化矽層在該基板上之沉積期間，氮化矽材料亦沉積在該腔室內之組件上；(c)自該處理區域中移送該基板；及(d)在該處理區域中沒有該基板之同時，將氧化矽層沉積在該氮化矽層上，該氮化矽層沉積在該腔室內之組件上。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該氮化矽層及該氧化矽層藉由使用電漿強化化學氣相沉積而沉積。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該沉積該氮化矽層之步驟包括以下步驟：將一含矽氣體及一含氮氣體引入該處理區域，且點燃該含矽氣體及該含氮氣體以形成一電漿。
  4. 如請求項3所述之方法，其中該沉積該氧化矽層之步驟包括以下步驟：將一含矽氣體及一含氧氣體引入該處理區域，且點燃該含矽氣體及該含氧氣體以形成一電漿。
  5. 如請求項4所述之方法，其中該含矽氣體包括矽烷、二矽烷、氯矽烷、二氯矽烷、三氯矽烷、二溴矽烷、三甲基矽烷、四甲基矽烷、三二甲基胺基矽烷、四乙氧基矽烷、三乙 氧基氟矽烷、四氯化矽、四溴化矽、1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、二甲基二乙氧矽烷、八甲基環四矽氧烷、甲基二乙氧矽烷、雙(三級丁胺)矽烷中之一或更多者。
  6. 如請求項4所述之方法，其中該含氮氣體包括雙原子氮及氨氣中之一或更多者。
  7. 如請求項4所述之方法，其中該含氧前驅物包括雙原子氧、臭氧，或一氧化二氮。
  8. 如請求項1所述之方法，包括以下步驟：在執行該操作(d)之前多次執行該等操作(a)至(c)。
  9. 如請求項1所述之方法，其中該操作(d)與該操作(b)之間的該工作循環為約10%或更少。
  10. 如請求項1所述之方法，其中該腔室安置在一線上處理系統內。
  11. 如請求項1所述之方法，其中該操作(d)與該操作(b)之間的該工作循環為約25%或更少。
  12. 一種用於減少自腔室組件上之剝脫之方法，該方法包括以下步驟： 將一基板移送至一腔室內之一處理區域；在該基板上沉積一氮化矽層，該步驟包括：將矽、氮及氧引入該製程腔室，其中在將該氮化矽層沉積在該基板上期間，亦將氮化矽材料沉積在該腔室內之組件上，及沉積在該等組件上之該氮化矽材料中包括氧；及自該處理區域移送該基板。
  13. 如請求項12所述之方法，其中該腔室安置在一線上處理系統內。
  14. 如請求項12所述之方法，其中將矽、氮及氧引入該製程腔室之步驟包括以下步驟：將一氧化二氮及一含矽前驅物引入該腔室，其中該含矽前驅物是矽烷或二矽烷。
  15. 一種用於減少自腔室組件上之剝脫之方法，該方法包括以下步驟：(a)將一基板移送至一腔室內之一處理區域；(b)在該基板上沉積氮化矽層，其中在該氮化矽層在該基板上之沉積期間，氮化矽材料亦沉積在該腔室內之組件上；(c)自該處理區域中移送該基板；及(d)在該處理區域中沒有該基板之同時，將一矽層沉積在該氮化矽層上，該氮化矽層沉積在該腔室內之該等組件上。
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