JP5652244B2 - 非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜の成膜方法及びその成膜装置 - Google Patents
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先ず、成膜装置について説明する。本実施形態1の成膜装置100は、図1に示すように、被成膜体(基材)Wを保持する保持電極1と、該保持電極1に対して対向位置された電極体10を構成する印加電極2と、保持電極1と電極体10との間に直流バイアス電圧を発生させる直流バイアス電圧印加手段20と、印加電極2に交流電圧を印加して、保持電極1と電極体10との間の高周波電界(放電空間)においてグロー放電プラズマを発生させる電圧印加手段30と、保持電極1と電極体10の間に原料ガスを供給する原料ガス供給手段40とを有する。
図2、図3に、本発明に係る成膜装置の実施形態2の要部断面を示す。本実施形態2の成膜装置200も、上記実施形態1の成膜装置100と基本的構成は同じであり、保持電極1、印加電極2を含む電極体、保持電極1と電極体との間に直流バイアス電圧を発生させる直流バイアス電圧印加手段、大気圧雰囲気下で印加電極2に交流電圧を印加して、放電空間にグロー放電プラズマを発生させる電圧印加手段、原料ガス供給手段などを有する。したがって、以下には実施形態1と異なる点を中心に説明する。
図4,図5に、本発明に係る成膜装置の実施形態3の要部断面を示す。本実施形態3の成膜装置300も、上記実施形態1の成膜装置100と基本的構成は同じであり、保持電極1、印加電極2を含む電極体10、保持電極1と電極体10との間に直流バイアス電圧を発生させる直流バイアス電圧印加手段、大気圧雰囲気下で印加電極2に交流電圧を印加して、放電空間にグロー放電プラズマを発生させる電圧印加手段、原料ガス供給手段などを有する。したがって、以下には実施形態1と異なる点を中心に説明する。
比較例2:被成膜体の温度を30℃で行った以外は、実施例1と同じ条件で成膜を行った。
実施例1、比較例2用の混合ガス;アセチレンガス:トリメチルシランガス:酸素ガス:ヘリウムガス=1:0.1:0.1:98.8
比較例1用の混合ガス;トリメチルシランガス:酸素ガス:ヘリウムガス=0.1:0.1:99.8
1a 凹部
2 印加電極
3 加熱装置
4 誘電体
10 電極体
11 冷却装置
12 耐熱構造材
15 潤滑剤
17 スペーサー
20 直流バイアス電圧印加手段
21 直流電源
30 電圧印加手段
31 交流電源
40 原料ガス供給手段
46 ガス供給口
47 排気口
100・200・300 成膜装置
W 被成膜体
Claims (6)
- 互いに対向配置された保持電極と印加電極を有する電極体との間に原料ガスを供給し、大気圧雰囲気下において、前記印加電極に交流電圧を印加して、前記保持電極に保持された被成膜体と前記電極体との間でグロー放電プラズマを発生させることで、前記被成膜体の表面に膜を成膜する成膜方法であって、
前記原料ガスが、炭化水素系ガスと有機シラン系ガスと酸素源ガスとを含み、
該原料ガス中、前記有機シラン系ガス:前記酸素源ガスが99.9:0.1〜0.1:99.9であり、且つ、前記炭化水素系ガス:前記有機シラン系ガス+前記酸素源ガスが1:99〜99:1の混合比で構成されており、
成膜中、前記原料ガスにおける各ガスの混合比は一定であることを特徴とする、非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜の成膜方法。 - 前記保持電極と電極体との間には、前記原料ガスと共に不活性ガスも供給され、
前記原料ガス:前記不活性ガスの混合比が100:0〜0.01:99.99である、請求項1に記載の非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜の成膜方法。 - 前記交流電圧が周波数0.1kHz以上であり、
前記交流電圧が1〜50kVであり、
前記電極体と保持電極との間の放電ギャップ距離が0.1〜5mmである、請求項1または請求項2に記載の非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜の成膜方法。 - ガス流速が1〜3,000mm/secである、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜の成膜方法。
- 成膜中、前記電極体と印加電極との間に0〜10,000Vの直流バイアス電圧を発生させる、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜の成膜方法。
- 前記被成膜体を50〜300℃に加熱しながら成膜する、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜の成膜方法。
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