JP2010123212A - 垂直電流型再生磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高密度磁気ディスクの再生ヘッドのセンサ膜と磁性体上部シールドとの間には剥がれ防止のために非磁性密着層が介している。しかし、その層は低抵抗、高MR比、そしてシールド間隔の狭小化の妨げとなる。
【解決手段】センサ膜の上には非磁性密着層が介せず磁性体上部シールドが配置され、センサ膜の両側に形成される第1の絶縁膜、更にその両側に形成される一対の磁区制御用磁性膜、そのまた更にその両側に形成される一対の第2の絶縁膜上に形成される第3の絶縁膜の上には非磁性密着層を介して磁性体上部シールドが配置される構造。
【選択図】図5
【解決手段】センサ膜の上には非磁性密着層が介せず磁性体上部シールドが配置され、センサ膜の両側に形成される第1の絶縁膜、更にその両側に形成される一対の磁区制御用磁性膜、そのまた更にその両側に形成される一対の第2の絶縁膜上に形成される第3の絶縁膜の上には非磁性密着層を介して磁性体上部シールドが配置される構造。
【選択図】図5
Description
本発明は磁気ディスク装置に使用される薄膜磁気ヘッドに関するものであり、特に再生用に使用される薄膜磁気ヘッドに関するものである。
HDDの高記録密度化に伴い、搭載される薄膜磁気ヘッドは、より一層の狭トラック化及び狭ギャップ化、高感度化が求められている。現在、薄膜磁気ヘッドは記録ヘッドと再生ヘッドが組み合わされて用いられている。これまでの再生ヘッドとしてはGMR効果を利用したGMRヘッドが主流で用いられていた。このGMRヘッドは検知電流をセンサ膜に膜面内に平行に流すCIP(Current In Plane)型のヘッドである。現在の再生ヘッドとしては記録密度の向上の為に、狭トラック化及び狭ギャップ化においても高出力化に有利と思われるTMR(Tunneling MagnetoResistive)ヘッドが主に採用されている。更にTMRヘッドの次の世代として期待されているCPP−GMR(Current Perpendicular to the Plane-Giant MagnetoResistive)ヘッドの開発も盛んに行われている。このTMRヘッド及びCPP−GMRヘッドは従来のGMRヘッドとは異なり、検知電流を膜面と垂直方向に流すCPP型ヘッドである点が大きく異なる。
CPP構造のヘッドでは、いずれのタイプのヘッドにおいてもセンサ膜と磁性体上部シールドは、その間に非磁性金属層を介して電気的に接続されている(特許文献1,2)。この非磁性金属層には、Taなどが用いられている。
本発明者は、高密度磁気ディスクの再生ヘッドの構造に関する種々の検討を行っている。CPP−GMRやTMR、またそれ以降の高密度磁気ディスクの再生ヘッドには、低抵抗、高MR比、そしてシールド間隔の狭小化が要求されている。ここでシールド間隔とは、特にセンサ膜部分における磁性体下部シールド上面と磁性体上部シールドの下面の距離を指す。このシールド間隔を狭小化することで、磁気ディスクからの信号磁界を高分解能で検出が可能となり、高密度記録化が可能となる。
従来例の特開2008−97700号公報及び特開2003−204096号公報などにおける浮上面形状では、センサ膜及び磁区制御用磁性膜などのセンサ膜端部周辺に配置される様々な膜構造と、これらの上に形成される磁性体上部シールドとの間には非磁性密着層が全面に介在している。それは、センサ膜及びセンサ膜端部周辺に配置される様々な膜構造と磁性体上部シールドとの間の密着性を確保し、磁性体上部シールドの剥がれを防止し、ヘッド特性を維持する為である。しかしながら、前記従来構造ではセンサ膜と磁性体上部シールドの間には非磁性密着層が新たに配置される為、その非磁性密着層の膜厚分だけシールド間隔が増加する。また、非磁性密着層は抵抗成分となるため、電気的な特性が劣化する。
つまり、従来の構造では非磁性密着層は低抵抗、高MR比、そしてシールド間隔の狭小化の妨げとなるが、センサ膜と磁性体上部シールド間を剥がれ難くするという点において必要不可欠である。
そこで、本発明ではセンサ膜と磁性体上部シールド間で剥がれずに、低抵抗、高MR比、そしてシールド間隔の狭小化が可能な再生ヘッドの構造を提案する。
従来の構造ではセンサ膜、その両側に形成される一対の第1の絶縁膜、更にその両側に形成される一対の磁区制御用磁性膜、そのまた更にその両側に形成される一対の第2の絶縁膜、その第2の絶縁膜上に形成される第3の絶縁膜を有し、これらの膜上に連続した非磁性密着層を介して磁性体上部シールドが配置されている。
本発明の垂直電流型再生磁気ヘッドは、センサ膜の上には非磁性密着層が存在せず、第1の絶縁膜と磁区制御磁性膜の上部、又は磁区制御磁性膜の上部に非磁性密着層が存在して、磁性体上部シールドが配置される。あるいは、センサ膜と第1の絶縁膜と磁区制御用磁性膜の上には非磁性密着層が存在せず、第3の絶縁膜の上部に非磁性密着層が存在して、磁性体上部シールドが配置される。別の形態によると、センサ膜の上には非磁性密着層が存在せず、第1の絶縁膜と磁区制御磁性膜の上部、又は磁区制御磁性膜の上部に第1の非磁性密着層が存在し、更に第3の絶縁膜の上部に第2の非磁性密着層が存在して、磁性体上部シールドが配置される。非磁性密着層はCr,Ta,Ti,NiCrのいずれか、あるいはこれらの合金又は酸化膜で構成される。
本発明の垂直電流型再生磁気ヘッドは、磁性体下部シールドの上に形成されたセンサ膜の上にトラック形成レジストを形成する工程と、トラック形成レジストをマスクとしてセンサ膜をエッチング加工する工程と、トラック形成レジストを残したまま、第1の絶縁膜と磁区制御用磁性膜と非磁性密着層を積層して形成する工程と、トラック形成レジストをリフトオフする工程と、磁性体上部シールドを形成する工程とを有する製造方法によって製造される。
また、本発明の垂直電流型再生磁気ヘッドは、磁性体下部シールドの上に形成されたセンサ膜の上にトラック形成レジストを形成する工程と、トラック形成レジストをマスクとしてセンサ膜をエッチング加工する工程と、トラック形成レジストを残したまま、第1の絶縁膜と磁区制御用磁性膜を積層して形成する工程と、トラック形成レジストをリフトオフする工程と、センサ膜と少なくとも磁区制御用磁性膜のセンサ膜側の領域の上に第3の絶縁膜形成レジストを形成する工程と、第3の絶縁膜と非磁性密着層を積層して形成する工程と、第3の絶縁膜形成レジストをリフトオフする工程と、磁性体上部シールドを形成する工程とを有する製造方法によって製造される。第1の絶縁膜と磁区制御用磁性膜を積層して形成する工程では、磁区制御用磁性膜の上に更に非磁性密着層を積層して形成するようにしてもよい。
本発明によれば、センサ膜の上には非磁性密着層が存在しないため、従来の構造に比べてその膜厚分だけシールド間隔の狭小化が可能となることで分解能が向上し、記録密度向上が可能となる。更に非磁性密着層の抵抗成分を削減することが出来る為、ヘッド抵抗の低減が可能となり、MR比の向上やヘッド特性のS/N向上が可能となる。且つセンサ膜端部より外側の膜の上に存在する非磁性密着層によって磁性体上部シールドの剥離を防止することが可能であるため、磁性体上部シールドを安定に配置することが可能となる。
以下に、本発明の実施の形態を説明する。通常、本発明の高密度磁気ディスクの再生ヘッドは、記録ヘッドと組み合わせて使用される。本発明は再生ヘッドに適用されるため、記録ヘッド部分は省略し、再生ヘッド部分のみを説明する。
図1は本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図であり、センサ膜近傍の浮上面形状を示した図である。センサ膜3、磁性体下部シールド1、第1の絶縁膜5、磁区制御用磁性膜6、非磁性密着層2、磁性体上部シールド11を示している。センサ膜3は、自由層、固定層、及び自由層と固定層の間にある中間層を少なくとも有している多層膜であり、その詳細な構成については省略する。センサ膜3の上には非磁性密着層2が存在せず、且つ第1の絶縁膜5と磁区制御用磁性膜6の上に非磁性密着層2が存在する構造である。センサ膜3の上面は磁性体上部シールド11に接している。
本実施例の構造は、従来の構造に比べてセンサ膜3の上に非磁性密着層2が存在しないため、その膜厚分だけシールド間隔の狭小化が可能となることで分解能が向上し、記録密度向上が可能となる。更に非磁性密着層2の抵抗成分を削減することが出来る為、ヘッド抵抗の低減が可能となり、MR比の向上やヘッド特性のS/N向上が可能となる。且つセンサ膜端部より外側の膜の上に存在する非磁性密着層2によって磁性体上部シールド11の剥離を防止することが可能であるため、非磁性密着層2をセンサ膜上部からセンサ膜周辺部にまで連続的に形成すること無く磁性体上部シールド11を安定に配置することが可能となる。
図2は、本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図である。本実施例は、センサ膜3と第1の絶縁膜5の上には非磁性密着層2が存在せず、且つ磁区制御用磁性膜6の上に非磁性密着層2が存在する構造である。センサ膜3の上面及び第1の絶縁膜5のセンサ側上端面は磁性体上部シールド11に接している。本構造は図1の構造に比べて、トラック端部のシールド間隔が縮まることによって、隣接ビットの影響が低減でき、分解能の向上などが可能である。
図3は本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図であり、第3の絶縁膜10を示している。第1の絶縁膜5のトラック幅方向外側の両側には第2の絶縁膜7が形成され、第2の絶縁膜7の上に第3の絶縁膜10が形成されている。本実施例の構造は、センサ膜3と第1の絶縁膜5と磁区制御用磁性膜6の上には非磁性密着層2が存在せず、且つ第3の絶縁膜端部10の上に非磁性密着層22が存在する構造である。センサ膜3と磁区制御用磁性膜6の上面及び第1の絶縁膜5の上端面は磁性体上部シールド11に接している。本構造は図1〜2の構造に比べて、非磁性密着層2を作成する工程を省略でき、工程短縮及びコスト低減ができる。
図4は本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図であり、第3の絶縁膜10を示している。第1の絶縁膜5のトラック幅方向外側の両側には第2の絶縁膜7が形成され、磁区制御用磁性膜6の一部及び第2の絶縁膜7の上に第3の絶縁膜10が連続して形成されている。センサ膜3と第1の絶縁膜5と磁区制御用磁性膜6の上には非磁性密着層2が存在せず、且つ第3の絶縁膜10の上に非磁性密着層22が存在する構造である。センサ膜3と磁区制御用磁性膜6のセンサ側の一部領域の上面及び第1の絶縁膜5のセンサ側の上端面は磁性体上部シールド11に接している。本構造は図1〜2の構造に比べて、非磁性密着層2を作成する工程を省略でき、工程短縮及びコスト低減ができる。本実施例は、図3の第3の絶縁膜10の成膜範囲を変えた構造である。図3よりも非磁性密着層22がセンサ膜近傍に配置できる為、磁性体上部シールド11の密着性を図3の形態よりも向上させることが可能である。
図5は、本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図である。第1の絶縁膜5のトラック幅方向外側の両側に第2の絶縁膜7が形成され、第2の絶縁膜7の上に第3の絶縁膜10が形成されている。本実施例では、非磁性密着層は第1の非磁性密着層2と第2の非磁性密着層22からなる。センサ膜3の上には非磁性密着層2,22が存在せず、且つ第1の絶縁膜5と磁区制御用磁性膜6の上に第1の非磁性密着層2が存在し、第3の絶縁膜10の上に第2の非磁性密着層22が存在する構造である。センサ膜3の上面は磁性体上部シールド11に接している。本実施例は、図3の構造に非磁性密着層2を作成する工程を追加して磁性体上部シールド11の密着性を高めている。
図6は、本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図である。本実施例では、非磁性密着層は第1の非磁性密着層2と第2の非磁性密着層22からなる。センサ膜3の上には非磁性密着層2,22が存在せず、且つ第1の絶縁膜5と磁区制御用磁性膜6の上に第1の非磁性密着層2が存在する。更に、第1の非磁性密着層2のトラック幅方向外側の一部領域と第2の絶縁膜7の上に連続して第3の絶縁膜10が形成され、第3の絶縁膜10の上に第2の非磁性密着層22が存在する構造である。センサ膜3の上面は磁性体上部シールド11に接している。本構造は、図5の構造に対して第3の絶縁膜10の成膜範囲を変えた構造である。センサ膜上部以外には第1の非磁性密着層2、もしくは第2の非磁性密着層22が必ずあり、磁性体上部シールドの密着性をより高めている。
図7は、本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図である。本実施例では、非磁性密着層は第1の非磁性密着層2と第2の非磁性密着層22からなる。センサ膜3と第1の絶縁膜5の上には非磁性密着層2,22が存在せず、且つ磁区制御用磁性膜6の上に第1の非磁性密着層2が存在し、第3の絶縁膜10の上に第2の非磁性密着層22が存在する構造である。センサ膜3の上面は磁性体上部シールド11に接している。本構造は図5の構造に比べて、トラック端部のシールド間隔が縮まることによって、隣接ビットの影響が低減でき、分解能が上がる。更に、非磁性密着層2を作成する工程を追加して密着性を高めている。
図8は、本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図である。本実施例では、非磁性密着層は第1の非磁性密着層2と第2の非磁性密着層22からなる。センサ膜3と第1の絶縁膜5の上には非磁性密着層2,22が存在せず、且つ磁区制御用磁性膜6の上に第1の非磁性密着層2が存在する。更に、第1の非磁性密着層2のトラック幅方向外側の一部領域と更にその外側の領域の上に連続して第3の絶縁膜10が形成され、第3の絶縁膜10の上に第2の非磁性密着層22が存在する構造である。本構造は、図7の構造と第3の絶縁膜10の成膜範囲を変えた構造である。センサ膜3の上面は磁性体上部シールド11に接している。センサ膜3の上面と第1の絶縁膜5のセンサ側上端面以外には第1の非磁性密着層2、もしくは第2の非磁性密着層22が必ずあり、より密着性を高めている。
上述したいずれの実施例においても、第1の非磁性密着層2と第2の非磁性密着層22は、Cr,Ta,Ti,NiCrや、これらの合金又は酸化膜で構成されている。
次に、本発明の高密度磁気ディスクの再生ヘッドの製造方法の一実施例について、図9及び図10を用いて説明する。
図9(a):まず、磁性体下部シールド1上にTMR膜などのセンサ膜3を形成する。その後、素子高さ形成レジスト8を形成する。
図9(b):素子高さ形成レジスト8をエッチングマスクとして、センサ膜3をエッチングする。そして、素子高さ形成レジスト8がある状態で、第2の絶縁膜7を形成する。図示していないが、その後、素子高さ形成レジスト8をリフトオフすることにより素子高さ形成レジスト8を用いたエッチング部分にのみ第2の絶縁膜7が配置される。
図9(c):トラック形成レジスト4を形成する。
図9(d):トラック形成レジスト4をエッチングマスクとして用い、センサ膜3と第2の絶縁膜7をエッチングする。
図9(b):素子高さ形成レジスト8をエッチングマスクとして、センサ膜3をエッチングする。そして、素子高さ形成レジスト8がある状態で、第2の絶縁膜7を形成する。図示していないが、その後、素子高さ形成レジスト8をリフトオフすることにより素子高さ形成レジスト8を用いたエッチング部分にのみ第2の絶縁膜7が配置される。
図9(c):トラック形成レジスト4を形成する。
図9(d):トラック形成レジスト4をエッチングマスクとして用い、センサ膜3と第2の絶縁膜7をエッチングする。
図10(a):トラック形成レジスト4を残した状態で、次にセンサ壁面の絶縁性を確保する為に第1の絶縁膜5と磁区制御用磁性膜6と非磁性密着層2を形成する。
図10(b):トラック形成レジスト4をリフトオフすることにより不要な部分の第1の絶縁膜5と磁区制御用磁性膜6と非磁性密着層2を除去する。
図10(c):第3の絶縁膜形成レジスト20を形成する。その後、第3の絶縁膜10と、第2の非磁性密着層22を形成する。
図10(d):第3の絶縁膜形成レジスト20をリフトオフすることにより、不要な部分の第3の絶縁膜10と、第2の非磁性密着層22を除去する。
図10(e):磁性体上部シールド11を形成する。
図10(b):トラック形成レジスト4をリフトオフすることにより不要な部分の第1の絶縁膜5と磁区制御用磁性膜6と非磁性密着層2を除去する。
図10(c):第3の絶縁膜形成レジスト20を形成する。その後、第3の絶縁膜10と、第2の非磁性密着層22を形成する。
図10(d):第3の絶縁膜形成レジスト20をリフトオフすることにより、不要な部分の第3の絶縁膜10と、第2の非磁性密着層22を除去する。
図10(e):磁性体上部シールド11を形成する。
上記製造方法を用いることで、図5に示した再生ヘッドの構造を安定に得ることが可能となる。
次に、本発明の高密度磁気ディスクの再生ヘッドの製造方法の別の方法について説明する。図9(a)から図9(d)までの工程は共通なので説明を省略し、その後の工程について説明する。
図11(a):トラック形成レジスト4を残した状態で、次にセンサ壁面の絶縁性を確保する為に第1の絶縁膜5と磁区制御用磁性膜6を形成する。
図11(b):トラック形成レジスト4をリフトオフすることにより不要な部分の第1の絶縁膜5と磁区制御用磁性膜6を除去する。
図11(c):第3の絶縁膜形成レジスト20を形成する。その後、第3の絶縁膜10と第2の非磁性密着層22を形成する。
図11(d):第3の絶縁膜形成レジスト20をリフトオフすることにより不要な部分の第3の絶縁膜10と、第2の非磁性密着層22を除去する。
図11(e):磁性体上部シールド11を形成する。
図11(b):トラック形成レジスト4をリフトオフすることにより不要な部分の第1の絶縁膜5と磁区制御用磁性膜6を除去する。
図11(c):第3の絶縁膜形成レジスト20を形成する。その後、第3の絶縁膜10と第2の非磁性密着層22を形成する。
図11(d):第3の絶縁膜形成レジスト20をリフトオフすることにより不要な部分の第3の絶縁膜10と、第2の非磁性密着層22を除去する。
図11(e):磁性体上部シールド11を形成する。
上記製造方法を用いることで、図3に示した再生ヘッドの構造を安定に得ることが可能となる。
次に、本発明の高密度磁気ディスクの再生ヘッドの製造方法の別の方法について説明する。図9(a)から図9(d)までの工程は共通なので説明を省略し、その後の工程について説明する。
図12(a):トラック形成レジスト4を残した状態で、次にセンサ壁面の絶縁性を確保する為に、コンフォーマルに第1の絶縁膜5を形成し、次に磁区制御用磁性膜6を形成する。
図12(b):トラック形成レジスト4をリフトオフすることにより、不要な部分の第1の絶縁膜5と磁区制御用磁性膜6を除去する。
図12(c):第3の絶縁膜形成レジスト20を形成する。その後、第3の絶縁膜10と第2の非磁性密着層22を形成する。
図12(d):第3の絶縁膜形成レジスト20をリフトオフすることにより、不要な部分の第3の絶縁膜10と第2の非磁性密着層22を除去する。
図12(e):磁性体上部シールド11を形成する。
図12(b):トラック形成レジスト4をリフトオフすることにより、不要な部分の第1の絶縁膜5と磁区制御用磁性膜6を除去する。
図12(c):第3の絶縁膜形成レジスト20を形成する。その後、第3の絶縁膜10と第2の非磁性密着層22を形成する。
図12(d):第3の絶縁膜形成レジスト20をリフトオフすることにより、不要な部分の第3の絶縁膜10と第2の非磁性密着層22を除去する。
図12(e):磁性体上部シールド11を形成する。
上記製造方法を用いることで、図7に示した再生ヘッドの構造を安定に得ることが可能となる。
以上、実施例を用いて本発明の内容を具体的に説明してきた。本発明の基本的な技術思想、説明に基づいて種々の変形形態をとりえることが可能である。
例えば、図8の構造はセンサ膜3と第1の絶縁膜5の上には非磁性密着層が存在せず、且つ磁区制御用磁性膜6と第3の絶縁膜10の上に非磁性密着層が存在する構造であるが、本発明の思想に依ればセンサ膜上に非磁性密着層を配置しない構造であれば良い。つまり、第一の絶縁膜5上に非磁性密着層を配置する構造と組み合わせることも可能である。
なお、センサ膜3についての膜構成については詳細には触れてはいないが、センサ膜3に対して垂直な方向に検知電流を流すデバイスであれば、本発明の効果は変わるものではない。
1.磁性体下部シールド
2.非磁性密着層
3.センサ膜
4.トラック形成レジスト
5.第1の絶縁膜
6.磁区制御用磁性膜
7.第2の絶縁膜
8.素子高さ形成レジスト
10.第3の絶縁膜
11.磁性体上部シールド
20.第3の絶縁膜形成レジスト
22.第2の非磁性密着層
2.非磁性密着層
3.センサ膜
4.トラック形成レジスト
5.第1の絶縁膜
6.磁区制御用磁性膜
7.第2の絶縁膜
8.素子高さ形成レジスト
10.第3の絶縁膜
11.磁性体上部シールド
20.第3の絶縁膜形成レジスト
22.第2の非磁性密着層
Claims (8)
- センサ膜と、
前記センサ膜の膜厚方向に電流を流す一対の磁性体上部シールド及び磁性体下部シールドと、
前記センサ膜のトラック幅方向の両側に第1の絶縁膜を介して設けられた磁区制御用磁性膜とを有し、
前記磁性体上部シールドは非磁性密着層を介して形成されている垂直電流型再生磁気ヘッドにおいて、
前記非磁性密着層は前記センサ膜の近くに不連続な領域を有し、前記センサ膜は前記磁性体上部シールドと接していることを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッド。 - 請求項1記載の垂直電流型再生磁気ヘッドにおいて、前記磁区制御用磁性膜の上に前記非磁性密着層が設けられていることを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッド。
- 請求項1記載の垂直電流型再生磁気ヘッドにおいて、
前記磁区制御用磁性膜のトラック幅方向外側に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の上あるいは前記磁区制御用磁性膜のトラック幅方向外側領域から前記第2の絶縁膜の上に連続して設けられた第3の絶縁膜とを有し、
前記第3の絶縁膜上に前記非磁性密着層が設けられていることを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッド。 - 請求項1記載の垂直電流型再生磁気ヘッドにおいて、
前記磁区制御用磁性膜のトラック幅方向外側に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の上あるいは前記磁区制御用磁性膜のトラック幅方向外側領域から前記第2の絶縁膜の上に連続して設けられた第3の絶縁膜とを有し、
前記非磁性密着層は第1の非磁性密着層と第2の非磁性密着層からなり、
前記磁区制御用磁性膜の上に第1の非磁性密着層が設けられ、前記第3の絶縁膜上に第2の非磁性密着層が設けられていることを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッド。 - 請求項1〜4のいずれか1項記載の垂直電流型再生磁気ヘッドにおいて、前記非磁性密着層はCr,Ta,Ti,NiCr、あるいはこれらの合金又は酸化膜で構成されていることを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッド。
- センサ膜と、前記センサ膜の膜厚方向に電流を流す一対の磁性体上部シールド及び磁性体下部シールドと、前記センサ膜のトラック幅方向の両側に第1の絶縁膜を介して設けられた磁区制御用磁性膜とを有する垂直電流型再生磁気ヘッドの製造方法において、
磁性体下部シールドの上に形成されたセンサ膜の上にトラック形成レジストを形成する工程と、
前記トラック形成レジストをマスクとして前記センサ膜をエッチング加工する工程と、
前記トラック形成レジストを残したまま、第1の絶縁膜と磁区制御用磁性膜と非磁性密着層を積層して形成する工程と、
前記トラック形成レジストをリフトオフする工程と、
磁性体上部シールドを形成する工程と
を有することを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッドの製造方法。 - センサ膜と、前記センサ膜の膜厚方向に電流を流す一対の磁性体上部シールド及び磁性体下部シールドと、前記センサ膜のトラック幅方向の両側に第1の絶縁膜を介して設けられた磁区制御用磁性膜と、前記磁区制御用磁性膜のトラック幅方向外側に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の上あるいは前記磁区制御用磁性膜のトラック幅方向外側領域から前記第2の絶縁膜の上に連続して設けられた第3の絶縁膜とを有する垂直電流型再生磁気ヘッドの製造方法であって、
磁性体下部シールドの上に形成されたセンサ膜の上にトラック形成レジストを形成する工程と、
前記トラック形成レジストをマスクとして前記センサ膜をエッチング加工する工程と、
前記トラック形成レジストを残したまま、第1の絶縁膜と磁区制御用磁性膜を積層して形成する工程と、
前記トラック形成レジストをリフトオフする工程と、
前記センサ膜と少なくとも前記磁区制御用磁性膜の前記センサ膜側の領域の上に第3の絶縁膜形成レジストを形成する工程と、
第3の絶縁膜と非磁性密着層を積層して形成する工程と、
前記第3の絶縁膜形成レジストをリフトオフする工程と、
磁性体上部シールドを形成する工程と
を有することを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッドの製造方法。 - 請求項7記載の垂直電流型再生磁気ヘッドの製造方法において、前記第1の絶縁膜と磁区制御用磁性膜を積層して形成する工程では、前記磁区制御用磁性膜の上に更に非磁性密着層を積層して形成することを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッドの製造方法。
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