JP2006344728A - 磁気検出素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 積層体22の側端面22a上に形成される第1の絶縁層の厚みT3を、下部シールド層20上に形成される第2の絶縁層26の膜厚T4より薄く形成する。これにより、ハードバイアス層36からフリー磁性層28に対して適切な大きさのバイアス磁界を供給できる。また、前記ハードバイアス層36と前記積層体22間の絶縁性、及び前記ハードバイアス層36と前記下部シールド層20間の絶縁性を良好に保つことができる。
【選択図】 図2
Description
前記絶縁障壁層4は、例えば、Al2O3で形成される。
トンネル型磁気検出素子の公知文献を下記に示す。
導電層上に形成され下から固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層の順に積層された構造を有する積層体と、前記積層体のトラック幅方向の両側に形成された第1の絶縁層と、前記形成面上に形成され前記第1の絶縁層に繋がる第2の絶縁層と、前記第1の絶縁層上及び第2の絶縁層上に形成されたバイアス層と、を有し、
前記第1の絶縁層のトラック幅方向への厚みは、前記第2の絶縁層の膜厚に比べて薄く形成されていることを特徴とするものである。
(b) 前記積層体のトラック幅方向の両側に第1の絶縁層を形成し、さらに前記導電層上に前記第1の絶縁層に繋がる第2の絶縁層を形成し、このとき、前記第1の絶縁層のトラック幅方向への厚みを、前記第2の絶縁層の膜厚に比べて薄く形成する工程、
(c) 前記第1の絶縁層上及び第2の絶縁層上にバイアス層を形成する工程、
これにより、前記バイアス層と前記フリー磁性層間の距離を、適切な大きさのバイアス磁界が前記フリー磁性層に供給できる程度に短くできるとともに、第1の絶縁層と前記積層体間、及び第2の絶縁層と導電層間の絶縁性を良好に保つことができる磁気検出素子を簡単且つ適切に形成できる。
(d) 前記バイアス層上にストッパ層を形成する工程、
(e) 前記積層体の上面に形成された不要な層を除去する処理を、前記ストッパ層の少なくとも一部が除去された時点で終了する工程、
これにより、除去量を適切に制御でき、特に前記積層体やバイアス層に対する過剰な除去を適切に防止できる。
前記フリー磁性層28の上にはTa等で形成された保護層29が形成されている。
21 トンネル型磁気検出素子
22、51 積層体
24 反強磁性層
25 第1の絶縁層
26 第2の絶縁層
27 絶縁障壁層
28 フリー磁性層
30 上部シールド層
31 固定磁性層
36 ハードバイアス層
40、42 内側絶縁層
41、43 外側絶縁層
50 レジスト層
52、53 絶縁層
54 ハードバイアス材料層
55、55a ストッパ層
Claims (16)
- 導電層上に形成され下から固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層の順に積層された構造を有する積層体と、前記積層体のトラック幅方向の両側に形成された第1の絶縁層と、前記導電層上に形成され前記第1の絶縁層に繋がる第2の絶縁層と、前記第1の絶縁層上及び第2の絶縁層上に形成されたバイアス層と、を有し、
前記第1の絶縁層のトラック幅方向への厚みは、前記第2の絶縁層の膜厚に比べて薄く形成されていることを特徴とする磁気検出素子。 - 少なくとも前記非磁性材料層の上面よりも下側に、前記第2の絶縁層の上面が形成されている請求項1記載の磁気検出素子。
- 前記第1の絶縁層のトラック幅方向への厚みは、一定の寸法で形成されている請求項1または2に記載の磁気検出素子。
- 前記第2の絶縁層は、一定の膜厚で形成されている請求項1ないし3のいずれかに記載の磁気検出素子。
- 前記第1の絶縁層のトラック幅方向への厚みは、1nm〜20nmの範囲内で形成される請求項1ないし4のいずれかに記載の磁気検出素子。
- 少なくとも前記第1の絶縁層は、前記積層体に接する内側絶縁層と、前記内側絶縁層上に形成される外側絶縁層の2層で形成され、前記内側絶縁層は、前記外側絶縁層と前記積層体とが接して形成される場合に比べて前記積層体の酸化を抑制する酸化抑制層として機能する請求項1ないし5のいずれかに記載の磁気検出素子。
- 前記内側絶縁層は、Si3N4、SiNX、WOX、SiO2、SiOX、SiON、Ta2O5、TaOX、TiNから選ばれた単層構造あるいは積層構造で形成される請求項6記載の磁気検出素子。
- 前記外側絶縁層は、Al2O3、SiO2、AlSiO、SiAlONから選ばれた単層構造あるいは積層構造で形成される請求項6または7に記載の磁気検出素子。
- 前記磁気検出素子は、非磁性材料層が絶縁障壁層で形成されたトンネル型磁気検出素子である請求項1ないし8のいずれかに記載の磁気検出素子。
- 以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
(a) 導電層上に、下から固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層の順に積層された構造を有する積層体を形成する工程、
(b) 前記積層体のトラック幅方向の両側に第1の絶縁層を形成し、さらに前記導電層上に前記第1の絶縁層に繋がる第2の絶縁層を形成し、このとき、前記第1の絶縁層のトラック幅方向への厚みを、前記第2の絶縁層の膜厚に比べて薄く形成する工程、
(c) 前記第1の絶縁層上及び第2の絶縁層上にバイアス層を形成する工程、 - 前記(b)工程で、少なくとも前記非磁性材料層の上面よりも下側に、前記第2の絶縁層の上面を形成する請求項10記載の磁気検出素子の製造方法。
- 前記(b)工程で、前記第1の絶縁層のトラック幅方向への厚みが、前記第2の絶縁層の膜厚に比べて薄く形成されるように、少なくとも2段階以上に成膜角度を異ならせて、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層を形成する請求項10または11に記載の磁気検出素子の製造方法。
- 前記(c)工程後、次の工程を有する請求項10ないし12のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
(d) 前記バイアス層上にストッパ層を形成する工程、
(e) 前記積層体の上面に形成された不要な層を除去する処理を、前記ストッパ層の少なくとも一部が除去された時点で終了する工程、 - 前記(b)工程で、少なくとも前記第1の絶縁層を、前記積層体に接する内側絶縁層と、前記内側絶縁層上に形成される外側絶縁層の2層で形成し、このとき、前記内側絶縁層を、前記外側絶縁層と前記積層体とが接して形成される場合に比べて前記積層体の酸化を抑制する材質で形成する請求項10ないし13のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
- 前記内側絶縁層を、Si3N4、SiNX、WOX、SiO2、SiOX、SiON、Ta2O5、TaOX、TiNから選ばれた単層構造あるいは積層構造で形成する請求項14記載の磁気検出素子の製造方法。
- 前記外側絶縁層を、Al2O3、SiO2、AlSiO、SiAlONから選ばれた単層構造あるいは積層構造で形成する請求項14または15に記載の磁気検出素子の製造方法。
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