JP2009004039A - 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009004039A JP2009004039A JP2007164838A JP2007164838A JP2009004039A JP 2009004039 A JP2009004039 A JP 2009004039A JP 2007164838 A JP2007164838 A JP 2007164838A JP 2007164838 A JP2007164838 A JP 2007164838A JP 2009004039 A JP2009004039 A JP 2009004039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic head
- layer
- bearing surface
- air bearing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/41—Cleaning of heads
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】磁気ヘッド1の再生素子12は、下部磁気シールド層14と上部磁気シールド層16の間に磁気抵抗効果膜(TMR膜)2が設けられ、TMR膜2の両脇にはリフィル膜18と磁区制御膜19が設けられている。TMR膜2は、下部金属層3、反強磁性層4、強磁性固定層5、中間層6、強磁性自由層7、上部金属層8により構成されている。TMR膜2の記録媒体対向面9には、膜厚が約2.0nmの窒化珪素膜からなる浮上面保護層100が形成される。窒化珪素膜中の珪素は、窒素によって不活性化されるので、TMR膜2に対して損傷を与えることはない。したがって、再生素子12のノイズを低レベルに抑えることができる。
【選択図】図1
Description
これより、炭素膜と磁気抵抗効果膜を隔離するためには、以下の条件のいずれかを満足すればよいことが導かれる。即ち、侵入深さdが、密着膜の膜厚tよりも小さければよいことから、(1)密着膜の膜厚tが、炭素イオンの入射エネルギーを密着膜の阻止能で除した商よりも大きい、(2)炭素膜を形成する際の炭素粒子の入射エネルギーが、密着膜の膜厚tと阻止能dE/dxの関よりも小さい、(3)密着膜の阻止能dE/dxが、炭素膜を形成する際の炭素粒子の入射エネルギーEiを密着膜の膜厚tで除した商によも大きい。上記三つの条件のいずれかを満足するように浮上面保護層を形成することによって、炭素膜と磁気抵抗効果膜を隔離することが可能となる。また、浮上面保護膜(上層)に炭素を含まない構成にすることも、上述の問題を解決する手段である。
実施例2においては、炭素膜114の成膜に陰極真空アーク蒸着法を用いているが、本方法ではカーボンイオンのエネルギーの平均値は50eV程度である。炭素イオンのエネルギーはある程度の分布を有するが、ほとんどのイオンは100eV以下である。ここで、窒化珪素膜112の阻止能dE/dxは100eV/nm程度であることから、窒化珪素膜112の膜厚は1.0nm以上であれば、炭素イオンが窒化珪素膜からなる密着膜112を貫通してTMR膜2に損傷を与えることはなく、良好なSN比を有する磁気ヘッドを製造することができる。
Claims (12)
- 強磁性固定層と強磁性自由層の間に中間層を有する磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜の上下に配置された下部電極層と上部電極層を有する再生素子を備えた磁気ヘッドであって、
前記中間層は高抵抗特性を有するトンネルバリア層であり、記録媒体対向面側の前記再生素子の表面に形成された浮上面保護層が窒化珪素膜からなることを特徴とする磁気ヘッド。 - 前記浮上面保護層の膜厚が2.5nm以下であり、該浮上面保護層の窒素の組成比が35at%−60at%であることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッド。
- 前記中間層は、酸化マグネシウムで構成されていることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッド。
- 前記下部電極層及び上部電極層は軟磁性材料で構成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気ヘッド。
- さらに、前記再生素子に隣接して設けられた磁気誘導型記録素子を備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の磁気ヘッド。
- 強磁性固定層と強磁性自由層の間に中間層を有する磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜の上下に配置された下部電極層と上部電極層を有する再生素子を備えた磁気ヘッドであって、
前記中間層は高抵抗特性を有するトンネルバリア層であり、記録媒体対向面側の前記再生素子の表面に、窒化珪素膜からなる密着膜を下層に、炭素を含む浮上面保護膜を上層に配置した浮上面保護層を備えたことを特徴とする磁気ヘッド。 - 前記浮上面保護膜の窒素の含有率が35at%−60at%であり、前記密着膜と浮上面保護膜との合計膜厚が2.5nm以下であることを特徴とする請求項6記載の磁気ヘッド。
- 前記密着膜の膜厚は、該密着膜の阻止能をdE/dxとし、前記浮上面保護膜を形成する際の炭素イオンの初期エネルギーをEiとしたとき、Ei/(dE/dx)以上であることを特徴とする請求項6記載の磁気ヘッド。
- さらに、前記再生素子に隣接して配置された磁気誘導型記録素子を備えたことを特徴とする請求項6または8記載の磁気ヘッド。
- ウェハ上に磁気抵抗効果膜を有する磁気ヘッド素子を複数形成する工程と、
前記ウェハをローバーに切断する工程と、
前記ローバーの浮上面を機械研磨する工程と、
前記機械研磨した浮上面をイオンビーム又はガスプラズマを用いてクリーニングする工程と、
前記クリーニングを行った浮上面に対して窒素の含有率が35at%−60at%の窒化珪素からなる密着膜を形成する工程と、
前記密着膜の形成に続いて、炭素イオンが前記密着膜を貫通しない程度の初期エネルギーを持つ成膜法で炭素を含む浮上面保護膜を形成する工程と、
前記浮上面保護膜を形成した浮上面にレールを形成する工程と、
前記ローバーを前記磁気ヘッド素子毎に切断する工程と、
を備えたことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 前記浮上面保護膜は、陰極真空アーク蒸着法を用いて形成することを特徴とする請求項10記載の磁気ヘッドの製造方法。
- 前記浮上面保護膜は、スパッタリング法を用いて形成することを特徴とする請求項10記載の磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007164838A JP5285240B2 (ja) | 2007-06-22 | 2007-06-22 | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 |
CN200810125361.3A CN101329873B (zh) | 2007-06-22 | 2008-06-20 | 磁头及制造磁头的方法 |
US12/214,748 US20080316656A1 (en) | 2007-06-22 | 2008-06-20 | Magnetic head and method of manufacturing the magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007164838A JP5285240B2 (ja) | 2007-06-22 | 2007-06-22 | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009004039A true JP2009004039A (ja) | 2009-01-08 |
JP5285240B2 JP5285240B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=40136231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007164838A Expired - Fee Related JP5285240B2 (ja) | 2007-06-22 | 2007-06-22 | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080316656A1 (ja) |
JP (1) | JP5285240B2 (ja) |
CN (1) | CN101329873B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7911741B2 (en) * | 2007-04-30 | 2011-03-22 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands, B.V. | Slider overcoat for noise reduction of TMR magnetic transducer |
US7855861B2 (en) * | 2007-04-30 | 2010-12-21 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands, B.V. | Insulator barrier for noise reduction of a TMR magnetic transducer |
TWI487916B (zh) * | 2013-03-06 | 2015-06-11 | Univ Nat Taiwan | 磁場探針及其探針頭 |
EP3028276A1 (en) * | 2013-07-31 | 2016-06-08 | Hewlett Packard Enterprise Development LP | Coating magnetic tape heads |
US9852755B2 (en) * | 2016-04-28 | 2017-12-26 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head, head gimbals assembly, head arm assembly, and magnetic disk unit |
CN109270937A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-01-25 | 中国人民解放军海军航空大学青岛校区 | 一种磁钉、电磁铁阵列、基于电磁铁阵列的agv导航方法及其agv |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000293830A (ja) * | 1999-04-08 | 2000-10-20 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその保護膜形成方法 |
JP2005310300A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Shinka Jitsugyo Kk | 薄膜磁気ヘッド装置の製造方法、薄膜磁気ヘッド装置、該薄膜磁気ヘッド装置を備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置 |
JP2006107607A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
JP2006344728A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子及びその製造方法 |
JP2007058942A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5192618A (en) * | 1991-04-26 | 1993-03-09 | International Business Machines Corporation | Corrosion protection by femn by ion implantation |
JPH09212814A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Nec Corp | 保護被膜と保護被膜を有する磁気ヘッドスライダおよび磁気ディスク装置 |
JP4131720B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2008-08-13 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体、ヘッドスライダおよびそれらの製造方法 |
US7477482B2 (en) * | 2005-04-19 | 2009-01-13 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording head |
JP2007095750A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Canon Anelva Corp | 磁気抵抗効果素子 |
US8014104B2 (en) * | 2007-03-21 | 2011-09-06 | Sae Magnetics (Hk) Ltd. | Magnetic head/disk with transition metal oxynitride adhesion/corrosion barrier and diamond-like carbon overcoat bilayer |
US7911741B2 (en) * | 2007-04-30 | 2011-03-22 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands, B.V. | Slider overcoat for noise reduction of TMR magnetic transducer |
-
2007
- 2007-06-22 JP JP2007164838A patent/JP5285240B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-20 US US12/214,748 patent/US20080316656A1/en not_active Abandoned
- 2008-06-20 CN CN200810125361.3A patent/CN101329873B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000293830A (ja) * | 1999-04-08 | 2000-10-20 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその保護膜形成方法 |
JP2005310300A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Shinka Jitsugyo Kk | 薄膜磁気ヘッド装置の製造方法、薄膜磁気ヘッド装置、該薄膜磁気ヘッド装置を備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置 |
JP2006107607A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
JP2006344728A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子及びその製造方法 |
JP2007058942A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080316656A1 (en) | 2008-12-25 |
CN101329873A (zh) | 2008-12-24 |
JP5285240B2 (ja) | 2013-09-11 |
CN101329873B (zh) | 2012-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7859799B2 (en) | Magnetoresistive head and a manufacturing method thereof | |
JP5820102B2 (ja) | ハードバイアス構造およびその形成方法、ならびに磁気再生ヘッド | |
US8169752B2 (en) | Method for manufacturing a magneto-resistance effect element having spacer layer | |
JP5336591B2 (ja) | 磁気センサ積層体、その成膜方法、成膜制御プログラムおよび記録媒体 | |
JP5032430B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置 | |
US7746602B2 (en) | Magnetic read head with reduced shunting | |
US8315020B2 (en) | Method for manufacturing a magneto-resistance effect element and magnetic recording and reproducing apparatus | |
US7735213B2 (en) | Method for fabricating magnetic head slider | |
US20120063034A1 (en) | Current-perpendicular-to-the-plane (cpp) magnetoresistive (mr) sensor with improved insulating structure | |
KR20070111433A (ko) | 자기 저항 소자 및 이를 제조하는 방법 및 장치 | |
US8671554B2 (en) | Method of manufacturing a magneto-resistance effect element | |
JP5285240B2 (ja) | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 | |
US20100091412A1 (en) | Method for manufacturing a magneto-resistance effect element and magnetic recording and reproducing apparatus | |
US20110205669A1 (en) | Method for manufacturing magneto-resistance effect element, magnetic head assembly, and magnetic recording and reproducing apparatus | |
US6982854B2 (en) | Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect head comprising the same, and magnetic recording/reproducing apparatus | |
US7436635B2 (en) | Current perpendicular to plane (CPP) magnetoresistive sensor having a highly conductive lead structure | |
JP2003086861A (ja) | 磁気検出素子及びその製造方法 | |
JP3939514B2 (ja) | 磁気検出素子の製造方法 | |
JP2006186345A (ja) | 薄膜及び磁気抵抗デバイス用ナノ粒子生成方法 | |
JPWO2004051629A1 (ja) | 磁気ディスク装置及びその製造方法 | |
JP4028050B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 | |
JP2004031544A (ja) | 磁気検出素子及びその製造方法 | |
US8354034B2 (en) | Method of manufacturing a magnetic head | |
JP2007115745A (ja) | トンネル型磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
JP2008186574A (ja) | 磁気ヘッドスライダのトンネル磁気抵抗の磁気抵抗低下防止方法、及び、磁気ヘッドスライダの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121011 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130531 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |