JP2007095750A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 高いMR比を維持したまま磁歪定数ゼロ付近で磁歪定数が急峻に変化することがなく、所望の磁歪定数を安定して得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 この磁気抵抗効果素子10は、固定強磁性層と自由強磁性層とこれらの強磁性層によって挟まれたバリア層を有する磁気抵抗効果素子であり、自由強磁性層に、ホウ素Bの添加量(b:原子%)が21%≦b≦23%であるCoFeBを用いるように構成される。
【選択図】 図1
Description
本発明は磁気抵抗効果素子に関し、特に、磁気ヘッドやメモリ等のデバイスに利用される磁気抵抗効果素子であって、高いMR比を維持したまま磁歪定数を小さく抑えられる磁気抵抗効果素子に関する。
磁気抵抗効果素子は、不揮発性メモリとして知られるMRAM(Magnetic Random Access Memory)や磁気ヘッドや磁気センサなどに用いられている。この磁気抵抗効果素子は、基本的に、固定強磁性層/バリア層/自由強磁性層の三層構造を含む膜構造を有している。2つの強磁性層間に電流を流すとき、電気抵抗は、2つの強磁性層の磁化が層に平行に同じ向きのとき小さく(RP)、層に平行に反対向きのとき大きい(RA)。2つの強磁性層の磁化の向きによる電気抵抗の変化の大きさを表すのがMR比であり、次のように定義される。
(数1)
MR比(%)=(RA−RP)×100÷RP
MR比(%)=(RA−RP)×100÷RP
MRAMではTMR素子における2つの強磁性層の磁化の向きの違いによる電気抵抗の変化によって情報の読み取り、読み出しを行うので、MR比が大きい方が出力電圧を大きくできる。
本発明者らは、上記のごとき磁気抵抗効果素子に関して、自由強磁性層としてアモルファスのCoFeBを使用し、かつ当該バリア層に単結晶または厚さ方向に亘って結晶粒界を持たない高配向多結晶構造(fiber texture)のMgO膜を成長させ、CoFeB(固定強磁性層)/MgO(中間層)/CoFeB(自由強磁性層)の三層構造を含む膜構造とすることにより、230%もの高いMR比が得られることを見出した(非特許文献1)。
磁気ヘッド、メモリ、磁気センサ等のデバイスでは、良好なデバイス動作のために管理すべき測定量の1つとして、磁歪定数がある。磁性材料の膜応力をσ、磁歪定数をλ、飽和磁化をMsとすると、異方性磁界Hkは下記の(数2)によって表すことができる。
(数2)
Hk = 3・|λ|・σ/Ms
Hk = 3・|λ|・σ/Ms
上記(数2)によれば、磁性材料の飽和磁化Msが一定である条件の下では、膜応力σと磁歪λが大きくなると逆磁歪効果によって異方性磁界Hkが大きくなることがわかる。
磁気ヘッドでは、自由強磁性層の膜面内方向に数100 Oeのバイアス磁界が付与されて動作する。逆磁歪効果による異方性磁界Hkはバイアス磁界に擾乱を与えるので、逆磁歪効果による異方性磁界Hkはなるべく小さく抑えることが要求され、実用的には10 Oe以下程度にすることが望ましい。通常、自由強磁性層が有する応力σは300 MPa以下程度であることから、逆磁歪効果によって生じる異方性磁界Hkを10 Oe以下にするためには、磁歪定数の値を±1.0×10−6以内にすることが必要である。
ダビッド・ディー・ジャヤプラウィラ(David D Djayaprawira)、外8名、「CoFeB/MgO/CoFeB 磁気トンネル接合における230%室温磁気抵抗 (230% room-temperature magnetoresistance in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junction)」米国物理学会、2005年2月23日オンライン発行
ダビッド・ディー・ジャヤプラウィラ(David D Djayaprawira)、外8名、「CoFeB/MgO/CoFeB 磁気トンネル接合における230%室温磁気抵抗 (230% room-temperature magnetoresistance in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junction)」米国物理学会、2005年2月23日オンライン発行
前述した非特許文献1に記載された磁気抵抗効果素子について自由強磁性層であるCoFeB膜の磁歪定数を測定したところ、その絶対値が1.0×10−6よりもかなり大きいことが判明した。自由強磁性層の磁歪定数の絶対値が1.0×10−6よりも大きいと、この磁気抵抗効果素子で作られるデバイスの動作に悪い影響を及ぼし、所要のデバイス性能を発揮させることができなくなる。そこで、磁気抵抗効果素子における自由強磁性層の磁歪定数を小さくすることが必要である。
そこで本発明者らは、磁気抵抗効果素子の自由強磁性層の磁歪定数を小さくするという観点で、磁歪定数が小さいと知られるNiFe膜を自由強磁性層CoFeBと積層することで、2層の積層膜「CoFeB/NiFe」として磁歪定数を測定することを試みた。それによれば、当該積層膜の磁歪定数は、単層のCoFeBの磁歪定数に比較すれば低下するものの、低下の程度は不十分であり、さらに、単層のCoFeBに比較してMR比が大幅に低下するという結果が得られた。図7と図8は、積層膜「CoFeB/NiFe」のBの添加量を振って、磁歪定数とMR比を測定した結果を示している。図7の変化特性61において、ホウ素Bを添加すると磁歪定数の値を、2.5×10−6程度まで低下することはできたが、それより下げることはできず、磁歪定数の値を必要な1.0×10−6より小さくすることはできなかった。しかも、ホウ素Bの添加量を増やしていくと、図8の変化特性62において、さらにMR比は低下し、Bの添加量20%でMR比は約23%まで低下した。
本発明の目的は、上記の課題に鑑み、高いMR比を維持したまま磁歪定数を小さく抑えることができる磁気抵抗効果素子を提供することにある。
また本発明の他の目的は、望ましくは、高いMR比を維持したまま磁歪定数の絶対値の値が1×10−6より小さい磁気抵抗効果素子を提供することにある。
本発明に係る磁気抵抗効果素子は、上記の目的を達成するために、次のように構成される。
第1の磁気抵抗効果素子(請求項1に対応)は、固定強磁性層と自由強磁性層とこれらの強磁性層によって挟まれたバリア層を有する磁気抵抗効果素子であり、自由強磁性層に、ホウ素Bの添加量(b:原子%)が21%≦b≦23%であるCoFeBを用いるように構成される。
第2の磁気抵抗効果素子(請求項2に対応)は、固定強磁性層と自由強磁性層とこれらの強磁性層によって挟まれたバリア層を有する磁気抵抗効果素子であり、自由強磁性層に、Niの添加量(a:原子%)が5%≦a≦17%であるCoNiFeBを用いるように構成される。
第3の磁気抵抗効果素子(請求項3に対応)は、上記第1または第2の構成において、好ましくは、バリア層はMgO層を含むことを特徴とする。
本発明によれば、固定強磁性層と自由強磁性層とこれらの強磁性層の間に挟まれたバリア層とを有する磁気抵抗効果素子において、高いMR比を維持したまま、磁歪定数の値を±1.0×10−6以内に抑えることができる。
以下に、本発明の好適な実施形態(実施例)を添付図面に基づいて説明する。
図1〜図6を参照して本発明に係る磁気抵抗効果素子の実施形態を説明する。図1は本実施形態に係る磁気抵抗効果素子を形成する多層膜の積層構造を示し、図2は本実施形態に係る磁気抵抗効果素子を作製する装置の平面図を概略的に示し、図3は第1の実施例に係る磁気抵抗効果素子の磁歪定数を説明するためのグラフを示し、図4は第1の実施例に係る磁気抵抗効果素子のMR比を説明するためのグラフを示している。図5は第2の実施例に係る磁気抵抗効果素子の磁歪定数を説明するためのグラフを示し、図6は第2の実施例に係る磁気抵抗効果素子のMR比を説明するためのグラフを示している。
図1において、この磁気抵抗効果素子10では、基板11の上に、磁気抵抗効果素子10を構成する例えば11層の多層膜が形成されている。基板11はシリコン等である。磁気抵抗効果素子10は、積層構造が分かるように描かれており、左右両側の横方向の広がり部分は省略されている。この11層の多層膜では、最下層の第1層から最上層の第11層に向かって「Ta」、「CuN」、「Ta」、「PtMn」、「CoFe」、「Ru」、「CoFeB」、「Mg」、「MgO」、「CoFeBまたはCoNiFeB」、「Ta」の順序で磁性膜等が積層されている。第1層(Ta:タンタル)から第3層までの層は下地層12を形成する。第4層(PtMn)は反強磁性層13である。第5層から第7層(CoFe、RuおよびCoFeB)は固定強磁性層14を形成している。第8層(Mg)と第9層(MgO:酸化マグネシウム)は絶縁層(バリア層)15であってトンネルバリア層である。第10層(CoFeBまたはCoNiFeB)は自由強磁性層16である。
第8層(Mg)と第9層(MgO)から成るバリア層は、固定強磁性層(CoFeB)と自由強磁性層(CoFeBまたはCoNiFeB)の2つの強磁性層に挟まれている。
第11層(Ta:タンタル)は酸化防止層17を形成している。
上記の固定強磁性層とバリア層と自由強磁性層から成る三層構造によって、基本的構造として狭義な意味での磁気抵抗効果素子が形成される。固定強磁性層である第7層の「CoFeB」はアモルファス状態の強磁性体として知られている。トンネルバリア層であるMgO層は単結晶または厚さ方向に亘って結晶粒界を持たない高配向多結晶構造(fiber texture)を有するように形成されている。
なお、図1において、各層において括弧の中に記載された数値は各層の厚みを示し、単位は「オングストローム(Å)」である。当該厚みは一例であって、これに限定されるものではない。
上記の磁気抵抗効果素子10は、トンネルバリア層がMgO層であることを基礎とするスピンバルブ型磁気トンネル接合素子である。
次に、図2を参照して、上記積層構造を有する磁気抵抗効果素子10を製造する装置と製造方法を概略的に説明する。
図2は、本実施形態に係る磁気抵抗効果素子を作製する磁性多層膜作製装置の平面図である。上記磁気抵抗効果素子10を製作する磁性多層膜作製装置20はクラスタ型装置であり、スパッタリング法等に基づく複数の成膜チャンバを備えている。
磁性多層膜作製装置20では、搬送チャンバ22の周囲に、例えば、3つの成膜チャンバ27A,27B,27Cが設けられている。各チャンバの間には両チャンバを隔離しかつ必要に応じて開閉自在であるゲートバルブ30が設けられている。尚、各チャンバには、図示しない真空排気装置、ガス導入機構、電力供給機構などが付設されている。磁性多層膜作製装置20の成膜チャンバ27A,27B,27Cの各々ではスパッタリング法により基板上に前述した各磁性膜を順次に堆積する。上記において、例えば、ターゲット31の材料は「Ta」であり、ターゲット33の材料は「CoFeB」であり、ターゲット35の材料は「Ni」である。またターゲット41の材料は「PtMn」であり、ターゲット42の材料は「CoFe」であり、ターゲット43の材料は「Ru」である。さらにターゲット51の材料は「MgO」である。
自由強磁性層16については、それがCoFeB膜の場合には「CoFeB」ターゲット33を用いてスパッタすることにより、それがCoNiFeB膜の場合にはコバルト鉄ホウ素「CoFeB」ターゲットとニッケル「Ni」ターゲットを同時にスパッタすることにより形成するようにしている。
上記構成を有する磁性多層膜作製装置20では、各成膜チャンバ27A,27B,27Cを利用して、基板上に図1に示した磁性多層膜がスパッタリング法により順次に成膜が行われた。
成膜チャンバ27A,27B,27Cのそれぞれでスパッタリング成膜を行って積層が完了した磁気抵抗効果素子10は、熱処理炉において、アニーリング処理を行う。このとき、アニーリング温度は例えば約300℃であり、例えば8kOeの磁場中で、例えば4時間アニーリング処理が行われる。これにより、磁気抵抗効果素子10のPtMn層に所要の磁化が与えられる。
上記の自由強磁性層16の第1の実施例の組成について説明する。自由強磁性層16の原子構成の構造(組成)をCoxFeyBbと表現する。このときx,y,bは、それぞれ対応する各原子コバルトCo、鉄Fe、ホウ素Bの添加量(含有量)であり、「原子%(at.%)」で示される。
上記において、自由強磁性層16であるCoxFeyBbにおけるホウ素Bの最適な添加量(b:原子%)は、21%≦b≦23%である。
図3と図4を参照して上記の条件が見出される理由を説明する。図3は、前述した多層膜構造を有する磁気抵抗効果素子10において、自由強磁性層(第10層:「CoFeB」)16のホウ素Bの添加量(横軸)に対する磁歪定数(λ)の変化特性71を示す。図4は、上記磁気抵抗効果素子10において、自由強磁性層(第10層:「CoFeB」)16のホウ素Bの添加量(横軸)に対するMR比(磁気抵抗比:%)の変化特性72を示す。
図3の変化特性71において、磁歪定数(λ)の値は、ホウ素Bの添加量を増していくと上昇し、ホウ素Bの添加量が10〜15(原子%)をピークとして減少に転じることを見出した。そしてホウ素Bの添加量が約22(原子%)で、磁歪定数の値はゼロ(約4×10−8)になり、さらにホウ素Bの添加量を増やすと、磁歪定数の値はマイナスに転じることを見出した。ホウ素Bの添加量(b:原子%)が、21%≦b≦23%のとき、磁歪定数の値は、ほぼ±1.0×10−6以内に抑えることができた。
一方、図4の変化特性72において、ホウ素Bの添加量(b:原子%)が、21%≦b≦23%のとき、MR比の値は60〜100%の大きな値を取ることが分った。
図3に示した変化特性71、および図4に示した変化特性72によれば、各図のグラフに示されるごとく、ホウ素Bの添加量(b)を21%≦b≦23%とした当該ホウ素Bを含む自由強磁性層(CoFeB)16を用いることにより、MR比は60%以上の高い値を維持しつつ、磁歪定数(λ)の値は±1.0×10−6以内に抑えることができた。
次に、自由強磁性層16の第2の実施例の組成について説明する。自由強磁性層16の原子構成の構造(組成)をCoxNiaFeyBzと表現する。この場合においてa,x,y,zは、それぞれ対応する各原子ニッケルNi,コバルトCo,鉄Fe,ホウ素Bの添加量(含有量)であり、「原子%(at.%)」で示される。
上記において、自由強磁性層16であるCoxNiaFeyBzにおけるニッケルNiの最適な添加量(a:原子%)は、好ましくは5%≦a≦17%である。
次に、図5と図6を参照して上記の条件が見出される理由を説明する。図5は、前述した多層膜構造を有する磁気抵抗効果素子10において、自由強磁性層(第10層:「CoNiFeB」)16のニッケルNiの添加量(横軸)に対する磁歪定数(λ)の変化特性81を示す。図6は、上記磁気抵抗効果素子10において、自由強磁性層(第10層:「CoNiFeB」)16のニッケルNiの添加量(横軸)に対するMR比(磁気抵抗比:%)の変化特性82を示す。
図6の変化特性82において、ニッケルNiの添加量が小さい場合にはMR比の値は100%より大きな値をとり、MR比はほとんど低下しない。他方、図5の変化特性81において、磁歪定数(λ)の値は、ニッケルNiの添加量を増していくと、Niの添加量が0(原子%)のときの磁歪定数値(約2×10−6)から徐々に低下する。そしてニッケルNiの添加量が11(原子%)で、磁歪定数の値はゼロ(約4×10−8)になる。その後、磁歪定数の値はマイナスに転じ、ニッケルNiの添加量が30(原子%)の値に至るまで、磁歪定数の値は徐々に減少し(マイナスの値としては増加し)、約−3×10−6まで低下する。また、磁歪ゼロの付近で、ニッケルNiの添加量の変化に対して磁歪(λ)の値はなだらかに変化することがわかった。
図5に示した変化特性81、および図6に示した変化特性82によれば、各図のグラフに示されるごとく、ニッケルNiの添加量(a)を5%≦a≦17%とした当該ニッケルNiを含む自由強磁性層(CoNiFeB)22を用いることが望ましい。この条件を満たすことにより、MR比は90〜110%という高い値を維持し、その状態のままで磁歪定数(λ)の値は良好な制御性の下で±1.0×10−6以内に抑えることができた。ニッケルNiの添加量が5%未満のときは磁歪定数(λ)は+1.0×10−6よりも大きくなり、ニッケルNiの添加量が17%よりも大きいときには磁歪定数(λ)が−1.0×10−6よりマイナスの値が大きくなる。
上記の実施形態では、バリア層が単結晶または厚さ方向に亘って結晶粒界を持たない高配向多結晶構造(fiber texture)のMgO膜の例について説明したが、本発明はこれに限定されない。すなわち単結晶または高配向多結晶構造ではなく、層状結晶、アモルファスなどであってもよい。またバリア層はMgO膜ではなく、AlO膜やTiO膜であってもよい。さらに本実施形態ではバリア層はMgO/Mgであるが、バリア層はMgO単層であってもよい。さらに磁気抵抗効果素子10の構造も固定強磁性層、バリア層、自由強磁性層の順に形成したボトムタイプ構造に限定されず、上下を逆転して自由強磁性層、バリア層、固定強磁性層の順に形成したトップタイプ構造に適用しても同等の効果が得られる。
本発明によれば、高いMR比を維持したまま磁歪定数の値の小さい磁気抵抗効果素子を作ることが可能であり、特に磁歪定数の値が±1.0×10−6以内の磁気抵抗効果素子を作ることが可能であり、磁気ヘッド、メモリ、磁気センサ等に利用される。
10 磁気抵抗効果素子
11 基板
12 下地層
13 反強磁性層
14 固定強磁性層
15 絶縁層(バリア層)
16 自由強磁性層
17 酸化防止層
20 磁性多層膜作製装置
27A,27B,27C 成膜チャンバ
11 基板
12 下地層
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14 固定強磁性層
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27A,27B,27C 成膜チャンバ
Claims (3)
- 固定強磁性層と自由強磁性層とこれらの強磁性層によって挟まれたバリア層を有する磁気抵抗効果素子であって、前記自由強磁性層に、ホウ素Bの添加量(b:原子%)が21%≦b≦23%であるCoFeBを用いることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
- 固定強磁性層と自由強磁性層とこれらの強磁性層によって挟まれたバリア層を有する磁気抵抗効果素子であって、前記自由強磁性層に、ニッケルNiの添加量(a:原子%)が5%≦a≦17%であるCoNiFeBを用いることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
- 前記バリア層はMgO層を含むことを特徴とする請求項1または2記載の磁気抵抗効果素子。
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