JP2010115832A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010115832A5
JP2010115832A5 JP2008289806A JP2008289806A JP2010115832A5 JP 2010115832 A5 JP2010115832 A5 JP 2010115832A5 JP 2008289806 A JP2008289806 A JP 2008289806A JP 2008289806 A JP2008289806 A JP 2008289806A JP 2010115832 A5 JP2010115832 A5 JP 2010115832A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
self
block copolymer
forming
pattern
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008289806A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2010115832A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008289806A priority Critical patent/JP2010115832A/ja
Priority claimed from JP2008289806A external-priority patent/JP2010115832A/ja
Priority to PCT/JP2009/004217 priority patent/WO2010055601A1/ja
Publication of JP2010115832A publication Critical patent/JP2010115832A/ja
Publication of JP2010115832A5 publication Critical patent/JP2010115832A5/ja
Priority to US13/085,954 priority patent/US20110186544A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2008289806A 2008-11-12 2008-11-12 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法 Pending JP2010115832A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008289806A JP2010115832A (ja) 2008-11-12 2008-11-12 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法
PCT/JP2009/004217 WO2010055601A1 (ja) 2008-11-12 2009-08-28 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法
US13/085,954 US20110186544A1 (en) 2008-11-12 2011-04-13 Method of accelerating self-assembly of block copolymer and method of forming self-assembled pattern of block copolymer using the accelerating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008289806A JP2010115832A (ja) 2008-11-12 2008-11-12 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010289544A Division JP4815010B2 (ja) 2010-12-27 2010-12-27 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法
JP2010289550A Division JP4815011B2 (ja) 2010-12-27 2010-12-27 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010115832A JP2010115832A (ja) 2010-05-27
JP2010115832A5 true JP2010115832A5 (https=) 2011-02-17

Family

ID=42169748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008289806A Pending JP2010115832A (ja) 2008-11-12 2008-11-12 ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20110186544A1 (https=)
JP (1) JP2010115832A (https=)
WO (1) WO2010055601A1 (https=)

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9183870B2 (en) 2007-12-07 2015-11-10 Wisconsin Alumni Research Foundation Density multiplication and improved lithography by directed block copolymer assembly
JP5300799B2 (ja) * 2010-07-28 2013-09-25 株式会社東芝 パターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料
JP5259661B2 (ja) 2010-09-07 2013-08-07 株式会社東芝 パターン形成方法
JP5112500B2 (ja) * 2010-11-18 2013-01-09 株式会社東芝 パターン形成方法
KR20120126725A (ko) 2011-05-12 2012-11-21 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 소자의 형성 방법
KR101999870B1 (ko) * 2011-09-15 2019-10-02 위스콘신 얼럼나이 리서어치 화운데이션 화학적으로 패턴화된 표면과 제2 표면 사이의 블록 공중합체 막의 유도 조립
JP5694109B2 (ja) * 2011-09-26 2015-04-01 株式会社東芝 パターン形成方法
JP2013075984A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Toshiba Corp 微細構造体の製造方法
US9314819B2 (en) 2012-02-10 2016-04-19 Board Of Regents, The University Of Texas System Anhydride copolymer top coats for orientation control of thin film block copolymers
CN104321700B (zh) 2012-02-10 2018-07-03 得克萨斯大学体系董事会 使用化学气相沉积膜控制嵌段共聚物薄膜中的域取向
US9157008B2 (en) 2012-02-10 2015-10-13 Board Of Regents, The University Of Texas System Anhydride copolymer top coats for orientation control of thin film block copolymers
JP6089298B2 (ja) * 2012-04-10 2017-03-08 裕司 清野 パターン形成方法、スチレン系ポリマー薄膜付き基材、表面撥水性材料、パスワード生成装置、培養器、パターン形成剤、及び反転パターン形成方法。
JP5752655B2 (ja) * 2012-09-10 2015-07-22 株式会社東芝 パターン形成方法
KR101529646B1 (ko) * 2012-09-10 2015-06-17 주식회사 엘지화학 실리콘 옥사이드의 나노 패턴 형성 방법, 금속 나노 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 정보저장용 자기 기록 매체
JP5537628B2 (ja) * 2012-10-09 2014-07-02 株式会社東芝 自己組織化パターンの形成方法
JP6027912B2 (ja) * 2013-02-22 2016-11-16 東京応化工業株式会社 相分離構造を含む構造体の製造方法、及びパターン形成方法、並びにトップコート材料
WO2014139793A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Asml Netherlands B.V. Methods for providing lithography features on a substrate by self-assembly of block copolymers
JP5981392B2 (ja) 2013-06-19 2016-08-31 株式会社東芝 パターン形成方法
TWI658055B (zh) * 2013-06-19 2019-05-01 德州大學董事會 用於薄膜嵌段共聚物之定向控制之酸酐共聚物面塗層
JP6452136B2 (ja) 2013-09-04 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 誘導自己組織化用の化学テンプレートを形成するための硬化フォトレジストのｕｖ支援剥離
US9793137B2 (en) 2013-10-20 2017-10-17 Tokyo Electron Limited Use of grapho-epitaxial directed self-assembly applications to precisely cut logic lines
US9349604B2 (en) 2013-10-20 2016-05-24 Tokyo Electron Limited Use of topography to direct assembly of block copolymers in grapho-epitaxial applications
US10150832B2 (en) 2013-12-06 2018-12-11 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
JP6419820B2 (ja) 2013-12-06 2018-11-07 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
JP6361893B2 (ja) * 2013-12-06 2018-07-25 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
WO2015084125A1 (ko) 2013-12-06 2015-06-11 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
JP6432847B2 (ja) 2013-12-06 2018-12-05 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
WO2015084121A1 (ko) 2013-12-06 2015-06-11 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
KR101780101B1 (ko) 2013-12-06 2017-09-19 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
WO2015084122A1 (ko) 2013-12-06 2015-06-11 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
JP6432846B2 (ja) 2013-12-06 2018-12-05 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
CN105960422B (zh) 2013-12-06 2019-01-18 株式会社Lg化学 嵌段共聚物
JP6483694B2 (ja) 2013-12-06 2019-03-13 エルジー・ケム・リミテッド 単量体およびブロック共重合体
WO2015084123A1 (ko) 2013-12-06 2015-06-11 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
WO2015084128A1 (ko) 2013-12-06 2015-06-11 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
WO2015084124A1 (ko) 2013-12-06 2015-06-11 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
JP6483693B2 (ja) 2013-12-06 2019-03-13 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
EP3214102B1 (en) 2014-09-30 2022-01-05 LG Chem, Ltd. Block copolymer
JP6538157B2 (ja) * 2014-09-30 2019-07-03 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
JP6505212B2 (ja) 2014-09-30 2019-04-24 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
US10240035B2 (en) 2014-09-30 2019-03-26 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
WO2016053009A1 (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
US10287430B2 (en) 2014-09-30 2019-05-14 Lg Chem, Ltd. Method of manufacturing patterned substrate
JP6538158B2 (ja) 2014-09-30 2019-07-03 エルジー・ケム・リミテッド ブロック共重合体
JP6633062B2 (ja) 2014-09-30 2020-01-22 エルジー・ケム・リミテッド パターン化基板の製造方法
WO2016053005A1 (ko) 2014-09-30 2016-04-07 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
KR20160038711A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 주식회사 엘지화학 블록 공중합체
EP3202798B1 (en) 2014-09-30 2022-01-12 LG Chem, Ltd. Block copolymer
US10633533B2 (en) 2014-09-30 2020-04-28 Lg Chem, Ltd. Block copolymer
US9947597B2 (en) 2016-03-31 2018-04-17 Tokyo Electron Limited Defectivity metrology during DSA patterning
US10303049B2 (en) * 2017-03-22 2019-05-28 Canon Kabushiki Kaisha Reducing electric charge in imprint lithography
TWI805617B (zh) * 2017-09-15 2023-06-21 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 層壓板
JP7552110B2 (ja) * 2020-07-10 2024-09-18 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 パターン膜の形成方法及びパターン膜
JP7528580B2 (ja) * 2020-07-10 2024-08-06 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 パターン膜及びその形成方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4455645B2 (ja) * 2001-12-28 2010-04-21 株式会社東芝 発光素子
TW576864B (en) * 2001-12-28 2004-02-21 Toshiba Corp Method for manufacturing a light-emitting device
JP2008535648A (ja) * 2005-03-09 2008-09-04 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ナノ複合膜ならびにそれを作製および使用する方法
US20070093587A1 (en) * 2005-10-25 2007-04-26 Starfire Systems Silicon carbide precursors and uses thereof
JP4673266B2 (ja) * 2006-08-03 2011-04-20 日本電信電話株式会社 パターン形成方法及びモールド
US20080038467A1 (en) * 2006-08-11 2008-02-14 Eastman Kodak Company Nanostructured pattern method of manufacture
US8097175B2 (en) * 2008-10-28 2012-01-17 Micron Technology, Inc. Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure
US8101261B2 (en) * 2008-02-13 2012-01-24 Micron Technology, Inc. One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof
JP4654279B2 (ja) * 2008-08-28 2011-03-16 株式会社日立製作所 微細構造を有する高分子薄膜およびパターン基板の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010115832A5 (https=)
JP2008522001A5 (https=)
JP2013511151A5 (https=)
EP2650112A3 (en) Nanopatterned biopolymer optical device and method of manufacturing the same
JP2008505486A5 (https=)
US20110186544A1 (en) Method of accelerating self-assembly of block copolymer and method of forming self-assembled pattern of block copolymer using the accelerating method
JP2009505424A5 (https=)
JP2010513601A5 (https=)
EP2180518A3 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2009521679A5 (https=)
EP1879214A3 (en) Substrate for mass spectrometry, and method for manufacturing substrate for mass spectrometry
JP2007525550A5 (https=)
EP1804958A4 (en) NANOSTRUCTURED THIN FILMS AND ITS USE
EP1923907A3 (en) High electron mobility transistor semiconductor device and fabrication method thereof
JP2005529767A5 (https=)
JP2011514658A5 (https=)
JP2013513472A5 (https=)
WO2012058377A3 (en) Methods for etching oxide layers using process gas pulsing
JP2009532245A5 (https=)
JP2014198453A5 (https=)
TW200626482A (en) Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency
JP2011164598A5 (https=)
JP2012079907A5 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
SG140481A1 (en) A method for fabricating micro and nano structures
DE602005026671D1 (de) Dünnschichtige polymerstruktur und verfahren zu ihrer herstellung