JP2010103194A - 薄膜圧電体素子及びその製造方法並びにそれを用いたヘッドジンバルアセンブリ、及びそのヘッドジンバルアセンブリを用いたハードディスクドライブ - Google Patents
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Abstract
【課題】 高性能化、高信頼性化及び低コスト化が実現可能な薄膜圧電体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 第1基板S1上に第1電極膜45、圧電体膜43及び第2電極膜41を積層して積層体Lを形成する工程と、第2基板S2上に支持膜48を積層して積層体Mを形成する工程と、第2電極膜41と支持膜48とが対向するように積層体Lと積層体Mとを接着膜47で貼り合わせて積層体L、接着膜47及び積層体Mからなる積層体Pを形成する工程と、積層体Pから第1基板S1を除去する工程と、第1基板S1の除去工程後に、積層体Pを所望の形状に加工する工程と、積層体Pの加工工程後に、第2基板S2を除去する工程と、を備え、接着膜47のヤング率は、圧電体膜43のヤング率より低く、第2電極膜41及び支持膜48それぞれのヤング率が接着膜47のヤング率より高く、積層体Pは、圧電体膜43以外に圧電体膜を有していない。
【選択図】 図4
Description
この工程では、積層体(第1積層体)Lを形成する(図6(a)及び(b)参照)。まず、第1基板S1を用意する。そして、第1基板S1上にバッファ膜42、第1電極膜45、圧電体膜43及び第2電極膜41を順次に積層させる。これらの層の積層には、エピタキシャル成長法を用いることができる。より具体的に説明すると、まず、第1基板S1上にバッファ膜42をエピタキシャル成長させる。バッファ膜42は、(100)方向、(010)方向または(001)方向に配向し、例えばその上面が{111}ファセット面を有するエピタキシャル成長膜を用いることができる。
次に、積層体(第2積層体)Mを形成する(図7(a)及び(b)参照)。まず、第2基板S2を用意して、第2基板S2上に下地膜44及び支持膜48を順次に積層させる。これらの層の積層には、蒸着、スパッタ、メッキなどの一般的な薄膜形成方法を用いることができる。これにより、第2基板S2、下地膜44及び支持膜48からなる積層体Mが形成される。
この工程においては、まず、積層体Lの第2電極膜41上に接着膜47a、及び積層体Mの支持膜48上に接着膜47bを形成する(図8参照)。接着膜47a及び47bの形成には、例えばモノマーを気化させて支持膜48に蒸着すると同時に重合させる、いわゆる重合蒸着法を用いることができる。また、接着膜47a及び47bを構成する樹脂をスピンコートにより塗布する方法等で形成することもできる。
次に、積層体Lを所望の形状に加工(パターニング)する(図10(a)及び(b)参照)。この工程では、まずフォトリソグラフィー及びエッチング技術を用いて第1領域40a及び第2領域40bに対応する形状のレジストパターン(図示せず)を形成する。その後、このレジストパターンをマスクとしてマスクされていない領域を下地膜44が露出するまでエッチングし、レジストパターンを除去する。
次に、ウェットエッチングを行い、下地膜44を除去する(図11参照)。これにより、第2基板S2が積層体Mから除去される。その結果、積層体Pは,積層体L2、接着膜47及び支持膜48からなる積層体P2となる。以上の工程を経ることで、図4に示されている薄膜圧電アクチュエータ40が完成される。なお、下地膜44の材料として、例えばZrO2膜、Y2O3膜等のような絶縁保護膜を用いてもよい。この場合、この下地膜44はパターニングしないで、パターニングされた積層体Pは、樹脂膜49側をワックス等を介して何らかの基材に保持し、その後ドライエッチングあるいはウェットエッチング等により第2基板S2を除去し、その後ワックス等を溶かして素子を個片化してもよい。この場合には、素子の個片化の際に、上面に素子が存在しない下地膜44の部分は破れてなくなる。こうすることで、エッチング時の素子へのダメージを低減させることができる。
Claims (7)
- 第1基板上に第1電極膜、圧電体膜及び第2電極膜を順に積層して第1積層体を形成する工程と、
第2基板上に支持膜を積層して第2積層体を形成する工程と、
前記第2電極膜と前記支持膜とが対向するように前記第1積層体と前記第2積層体とを接着膜で貼り合わせて前記第1積層体、前記接着膜及び前記第2積層体からなる第3積層体を形成する工程と、
前記第3積層体から前記第1基板を除去する工程と、
前記第1基板の除去工程後に、前記第3積層体を所望の形状に加工する工程と、
前記第3積層体の加工工程後に、前記第2基板を除去する工程と、
を備え、
前記接着膜のヤング率は、前記圧電体膜のヤング率より低く、
前記第2電極膜及び前記支持膜それぞれのヤング率が前記接着膜のヤング率より高く、
前記第3積層体は、前記圧電体膜以外に圧電体膜を有していない薄膜圧電体素子の製造方法。 - 前記第3積層体の形成工程においては、接着剤を熱硬化することにより前記接着膜を形成し、
前記第2電極膜及び前記支持膜それぞれの熱膨張係数が前記接着膜の熱膨張係数より小さい請求項1に記載の薄膜圧電体素子の製造方法。 - 支持膜、接着膜、第2電極膜、圧電体膜及び第1電極膜が順に積層された積層体を備えた薄膜圧電体素子において、
前記接着膜のヤング率は、前記圧電体膜のヤング率より低く、
前記第2電極膜及び前記支持膜それぞれのヤング率が前記接着膜のヤング率より高く、
前記薄膜圧電体素子は前記圧電体膜以外に圧電体膜を有していない薄膜圧電体素子。 - 前記圧電体膜の表面を覆う絶縁膜を更に備える請求項3に記載の薄膜圧電体素子。
- 前記積層体を密封する絶縁膜を更に備える請求項3に記載の薄膜圧電体素子。
- 前記録媒体に対して記録又は再生の少なくとも一方を行う薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダが搭載されたサスペンションと、
前記サスペンションの搭載面に搭載され、前記ヘッドスライダを前記サスペンションに
対して相対的に変位させる薄膜圧電体素子と、
を備え、
前記薄膜圧電体素子は、
支持膜、接着膜、第2電極膜、圧電体膜及び第1電極膜が順に積層された積層体を備えた薄膜圧電体素子において、
前記接着膜のヤング率は、前記圧電体膜のヤング率より低く、
前記第2電極膜及び前記支持膜それぞれのヤング率が前記接着膜のヤング率より高く、
前記薄膜圧電体素子は前記圧電体膜以外に圧電体膜を有していないヘッドジンバルアセンブリ。 - 請求項6に記載のヘッドジンバルアセンブリを備えるハードディスクドライブ。
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