JP5592289B2 - 圧電素子及びその製造方法並びにその圧電素子を搭載したヘッドジンバルアセンブリ - Google Patents
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Description
1)金属膜からのバリ等の離脱を防ぐ
2)保護膜の応力により圧電膜の動作(変位量)を阻害しない
3)保護膜の応力により個片化後における素子の変形を生じさせない
ことをコンセプトとして設計され、第2の保護膜は、通常、特許文献1の図5や図6に示されているように金属膜周辺(特に、取り出し電極の周辺)に形成される。
(第1の積層体形成工程)
(第2の積層体形成工程)
(第3の積層体形成工程)
(積層体加工工程)
(第2基板除去工程)
[信頼性]
[変位特性]
[反り]
Claims (3)
- 一対の電極膜で、圧電磁器である圧電膜が挟まれた圧電部と、
前記圧電部の少なくとも一方面に形成され、前記圧電部を全面に亘って覆う絶縁性の第1の保護膜と、
前記第1の保護膜上に形成され、前記第1の保護膜を介して前記圧電部の一端部領域を部分的に覆う絶縁性の第2の保護膜と、
前記圧電部の前記一端部領域に設けられ、前記第1の保護膜及び第2の保護膜を貫通して前記一対の電極膜と電気的に接続される取り出し電極とを備え、
前記第1の保護膜上における、前記第1の保護膜と前記第2の保護膜との境界線が、湾曲部又は屈曲部を有する、圧電素子。 - 基板上に、一対の電極膜で、圧電磁器である圧電膜が挟まれた圧電部を形成する工程と、
前記圧電部の面のうちの前記基板側とは反対側の面に、前記圧電部を全面に亘って覆う絶縁性の第1の保護膜を形成する工程と、
前記第1の保護膜上に、前記第1の保護膜を介して前記圧電部の一端部領域を部分的に覆う絶縁性の第2の保護膜を形成する工程と、
前記圧電部の前記一端部領域に、前記第1の保護膜及び第2の保護膜を貫通して前記一対の電極膜と電気的に接続される取り出し電極を設ける工程と、
前記基板から前記圧電部を分離する工程とを備え、
前記第1の保護膜上における、前記第1の保護膜と前記第2の保護膜との境界線が、湾曲部又は屈曲部を有する、圧電素子の製造方法。 - 請求項1記載の圧電素子を備える、ヘッドジンバルアセンブリ。
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