JP4113143B2 - 薄膜圧電体素子、サスペンション、及びハードディスク装置 - Google Patents

Description

本発明は、薄膜圧電体素子、サスペンション、及びハードディスク装置に関する。

ハードディスク等の記録媒体に磁気情報を記録及び再生する薄膜磁気ヘッドは、いわゆるヘッドスライダに形成されている。このヘッドスライダを、サスペンションの先端領域に搭載することにより、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）が構成される。一般的に、このサスペンションは、ＳＵＳ等で形成されたロードビームに可撓性のフレクシャを重ねたものであり、フレクシャには薄膜磁気ヘッドの記録／再生用の配線が施されている。また、このようなサスペンションの基端側は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）で駆動されるアクチュエータアームに連結される。そして、サスペンションとアクチュエータアームを連結したものにＶＣＭコイル等を取り付けることにより、所謂ヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）が構成されている。

ところで、近年のハードディスクの高記録密度化、特にトラック幅の狭小化に伴い、ヘッドスライダを高精度で微小量駆動させる技術が求められている。そこで従来、下記特許文献１に示すように、上記サスペンションとアクチュエータアームとの連結部分に、圧電素子を利用した薄膜圧電体素子を配置するヘッドジンバルアセンブリが提案されていた。これは所謂２段変動式のアセンブリであり、第１段階として、薄膜磁気ヘッドの比較的大きな移動はボイスコイルモータによるアクチュエータアームの駆動で制御し、第２段階として、トラッキング補正等の微小な移動は薄膜圧電体素子によるサスペンションの駆動により制御しようとするものである。

ところが、このような２段変動式のヘッドジンバルアセンブリでは、薄膜圧電体素子によって長尺のサスペンション全体を駆動させる必要があるため、トラッキングの高精度化に限界があった。このため、例えば下記特許文献２に開示されているように、ヘッドスライダとサスペンションの間に薄膜圧電体素子を設ける装置が提案されている。この装置によれば、薄膜圧電体素子は長尺サスペンションそのものを駆動させる必要が無く、直接的にヘッドスライダを駆動させることができるため、より高精度のトラッキングを実現することができる。

特許文献２に開示された薄膜圧電体素子は、圧電体膜と、当該圧電体膜を挟むように配置される一対の電極膜とを含む積層体を備える。更に、この薄膜圧電体素子は、積層体を覆うように形成される樹脂膜と、当該樹脂膜上に形成され、電極膜に電気的に接続される電極とを備える。
特開２００２−１３４８０７号公報 特開２００２−２０３３８４号公報

しかしながら、上記従来の薄膜圧電体素子には、次のような問題があった。樹脂膜の厚みが厚いと、積層体（圧電体膜）の変位を阻害して圧電性が低下する懼れがあると共に、樹脂膜が硬化する際の応力により積層体が反ってしまう懼れがある。一方、樹脂膜の厚みが薄いと、電極膜と電極との間において絶縁不良が生じてしまう懼れがある。

本発明の目的は、圧電性を損なうことなく、電極膜と電極との間の絶縁不良の発生を抑制することが可能な薄膜圧電体素子、サスペンション、及びハードディスク装置を提供することにある。

本発明に係る薄膜圧電体素子は、圧電体膜と、当該圧電体膜を挟むように配置される一対の電極膜とを含む積層体と、積層体を覆うように形成される樹脂膜と、樹脂膜上に形成され、電極膜に電気的に接続される電極と、を備え、樹脂膜は、電極が形成される領域の厚みが積層体の変位する部分に対応する領域の厚みよりも厚くなるように形成されていることを特徴とする。

一方、本発明に係るサスペンションは、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダが搭載されるサスペンションであって、ヘッドスライダを当該サスペンションに対して相対的に変位させる薄膜圧電体素子を備え、薄膜圧電体素子は、圧電体膜と、当該圧電体膜を挟むように配置される一対の電極膜とを含む積層体と、積層体を覆うように形成される樹脂膜と、樹脂膜上に形成され、電極膜に電気的に接続される電極と、を有し、樹脂膜は、電極が形成される領域の厚みが積層体の変位する部分に対応する領域の厚みよりも厚くなるように形成されていることを特徴とする。

更に、本発明に係るハードディスク装置は、記録媒体と、この記録媒体に対して記録又は再生の少なくとも一方を行う薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダと、このヘッドスライダが搭載されるサスペンションとを備え、サスペンションは、ヘッドスライダを当該サスペンションに対して相対的に変位させる薄膜圧電体素子を有し、薄膜圧電体素子は、圧電体膜と、当該圧電体膜を挟むように配置される一対の電極膜とを含む積層体と、積層体を覆うように形成される樹脂膜と、樹脂膜上に形成され、電極膜に電気的に接続される電極と、を有し、樹脂膜は、電極が形成される領域の厚みが積層体の変位する部分に対応する領域の厚みよりも厚くなるように形成されていることを特徴とする。

これら、本発明に係る薄膜圧電体素子、サスペンション、及びハードディスク装置それぞれによれば、樹脂膜における電極が形成される領域の厚みが積層体の変位する部分に対応する領域の厚みよりも厚いので、電極膜と電極との間隔が比較的大きくなり、電極膜と電極との間の絶縁不良の発生を抑制することができる。また、樹脂膜における積層体の変位する部分に対応する領域の厚みは、上記電極が形成される領域の厚みがより薄くなるので、積層体（圧電体膜）の変位が阻害されるようなことはなく、圧電性が低下するのを抑制できる。また、積層体が反ってしまうのも抑制できる。

また、上記樹脂層は、積層体を覆うように形成される第１の樹脂膜と、電極が形成される領域に形成される第２の樹脂膜とを含んでいることが好ましい。この場合、電極が形成される領域の厚みが積層体の変位する部分に対応する領域の厚みよりも厚くされた樹脂膜を極めて容易に形成することができる。

本発明によれば、圧電性を損なうことなく、電極膜と電極との間の絶縁不良の発生を抑制することが可能な薄膜圧電体素子、サスペンション、及びハードディスク装置を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明に係る薄膜圧電体素子、サスペンション、及びハードディスク装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１は、本実施形態のハードディスク装置を示す概略構成図である。ハードディスク装置１は、筐体５内に、記録媒体としてのハードディスク１０と、これに磁気情報を記録及び再生するヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）２０とを備えている。ハードディスク１０は、図示を省略するモータによって回転させられる。更に、ハードディスク装置１には、ハードディスク１０への情報の記録及び再生等の各種制御を行う制御部１５、及び、薄膜磁気ヘッドをハードディスク１０の上から退避させておくためのランプ機構１６が内蔵されている。

ヘッドスタックアセンブリ２０は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）により支軸２１周りに回転自在に支持されたアクチュエータアーム２２と、このアクチュエータアーム２２に接続されたヘッドジンバルアセンブリ（以下、「ＨＧＡ」と称す）３０とから構成される組立て体を、図の奥行き方向に複数個積層したものである。ＨＧＡ３０には、ハードディスク１０に対向するようにヘッドスライダ３２が取り付けられている。

ＨＧＡ３０は、薄膜磁気ヘッド３１を２段階で変動させる形式を採用しており、この形式を実現するために、薄膜圧電アクチュエータ７０が設けられている。薄膜圧電アクチュエータ７０は、ヘッドスライダ３２を支持ビーム部５０に対して相対的に変位させるものである。薄膜磁気ヘッドの比較的大きな移動はボイスコイルモータによるサスペンション４０及びアクチュエータアーム２２の全体の駆動で制御し、微小な移動は薄膜圧電アクチュエータ７０によるヘッドスライダ３２の駆動により制御する。

サスペンション４０は、支持ビーム部５０、フレクシャ６０、薄膜圧電体素子としての薄膜圧電アクチュエータ７０、伝達板８０を有している。支持ビーム部５０は、ベースプレート５１と、これに張り付けられた連結板５２と、ロードビーム５３とを備えている。図３に示すように、連結板５２は、ベースプレートよりも薄く且つ柔軟性が高くなっており、側方に突出した長方形状の突出部５２ａと、互いに離隔して延びる一対の連結片５２ｂ，５２ｂとが形成されている。各連結片５２ｂ，５２ｂには、ロードビーム５３が揺動自在に連結されている。ロードビーム５３の先端には、ヘッドスライダ３２がランプ機構１６に退避している際にスロープに乗り上がるタブ５３ａが形成されている。尚、ベースプレート５１におけるロードビーム５３が設けられた側の反対側が、アクチュエータアーム２２に接続される側である。また、連結板５２とロードビーム５３とは一体的に形成してもよい。

フレクシャ６０は、ポリイミド樹脂等で形成された可撓性を有する配線基板６１を有しており、この底面にはステンレス鋼等によって形成された薄板状の支持板（図示略）が部分的に張り付けられている。フレクシャ６０は、レーザスポット溶接によって支持ビーム部５０に接着されている。配線基板６１は、その後端側にパッド搭載領域６１ａを有している。パッド搭載領域６１ａは、連結板５２の突出部５２ａの上に敷かれる形になる。

フレクシャ６０のパッド搭載領域６１ａには、記録用の電極６２ｂ，６３ｂ、圧電アクチュエータ用の電極６４ｂ〜６６ｂ、再生用の電極６７ｂ，６８ｂが搭載されている。一方、図４の拡大図に示すように、フレクシャ６０の先端側には、４つの電極６２ａ，６３ａ，６７ａ，６８ａが配列されている。また、フレクシャ６０の４つの電極６２ａ，６３ａ，６７ａ，６８ａの後方には、３つの電極６４ａ〜６６ａが配列されている。電極６２ａ〜６８ａと電極６２ｂ〜６８ｂは、それぞれ配線６２ｃ〜６８ｃで電気的に接続されている。各配線６２ｃ〜６８ｃは、実際は絶縁膜で覆われている。なお、配線基板６１上の配線６２ｃ〜６８ｃは、例えばめっき法等の成膜技術によって形成することができる。

電極６２ａ，６３ａはヘッドスライダ３２の記録パッド３３，３４にそれぞれ接続され、電極６７ａ，６８ａは再生パッド３５，３６にそれぞれ接続される。これらの電極同士の接続には、図２に示すようにゴールドボールボンディングが用いられる。

ここで、図４〜図８を参照して、薄膜圧電アクチュエータ７０の詳細について説明する。薄膜圧電アクチュエータ７０は、伸縮方向が互いに異なるように構成された第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂを有している。各領域７０ａ，７０ｂは、ＰＺＴ等の薄膜の圧電素子で構成されており、その周囲は樹脂膜７７によりコーティングされている。尚、薄膜の圧電素子には、厚膜の素子と比較して、軽量、振動に対する周波数特性が良好、設置場所の幅が広い、低電圧で制御可能という様々な利点がある。

第１領域７０ａと第２領域７０ｂは、根元付近は樹脂によって一体化されているが、先細りになる先端側は互いに離間している。第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの外側の各辺は並行になっており、対向する内側の辺が外に広がっている。更に、薄膜圧電アクチュエータ７０の図中底面側には、それぞれ所定の駆動電圧が印加される電極７１ａ，７１ｂ、グランド電位とされる電極７１ｃが設けられている。そして、これらの電極７１ａ，７１ｂ，７１ｃは、直接的に、又は、導電部材を介して間接的に、フレクシャ６０上の電極６６ａ，６４ａ，６５ａに電気的に接続される。

薄膜圧電アクチュエータ７０の電極７１ａ〜７１ｃ付近の根元領域は、電極７１ａ，７１ｂ，７１ｃと電極６６ａ，６４ａ，６５ａとが接続されることにより、フレクシャ６０の配線基板６１に接着される。一方、この根元領域よりも先端側の領域は、フレクシャ６０の開口領域に位置するため、ロードビーム５３と対面する形になる。

第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂは、図６及び図７に示されるように、薄膜圧電体７３と、当該薄膜圧電体７３を挟むように配置される第１及び第２の電極膜７５ａ，７５ｂとを含む積層体である。第１領域７０ａに含まれる第２の電極膜７５ｂと第２領域７０ｂに含まれる第２の電極膜７５ｂとは一体に形成されており、第１領域７０ａと第２領域７０ｂとの間にも第２の電極膜７５ｂが位置する。この第２の電極膜７５ｂにおける第１領域７０ａと第２領域７０ｂとの間に位置する部分は、第２の電極膜７５ｂから電極を取り出すための領域となる。なお、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂは、２つの薄膜圧電体が積層配置された２層構造としてもよい。

樹脂膜７７は、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂ（薄膜圧電体７３と第１及び第２の電極膜７５ａ，７５ｂとを含む積層体）を覆うように形成された第１の樹脂膜７７ａと、電極７１ａ〜７１ｃが形成される領域（薄膜圧電アクチュエータ７０の根元領域）に形成される第２の樹脂膜７７ｂとを含んでいる。これにより、樹脂膜７７は、電極７１ａ〜７１ｃが形成される領域の厚みが第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの変位する部分に対応する領域の厚みよりも厚くなるように形成されることとなる。樹脂膜７７（第１の樹脂膜７７ａ及び第２の樹脂膜７７ｂ）の材料には、例えばポリイミド樹脂等を用いることができる。

電極７１ａ，７１ｂは、第２の樹脂膜７７ｂの上に形成されると共に、コンタクトホール７８ａ，７８ｂを通して対応する第１電極膜７５ａに電気的に接続されている。電極７１ｃは、第２の樹脂膜７７ｂの上に形成されると共に、コンタクトホール７８ｃを通して、第２の電極膜７５ｂにおける第１領域７０ａと第２領域７０ｂとの間に位置する部分に電気的に接続されている。

電極７１ａ，７１ｂのそれぞれには、薄膜圧電体７３を駆動する駆動電圧が印可される。駆動電圧が印加されると、図８に示されるように、薄膜圧電体７３は駆動電圧に対応して矢印Ａ１，Ａ２方向に伸縮する。電極７１ａ，７１ｂにそれぞれ印加される駆動電圧は、例えばバイアス電圧を中心として互いに逆位相となっている。電極７１ａにバイアス電圧に対しプラスの駆動電圧が印加されると、第１領域７０ａにおける薄膜圧電体７３は矢印Ａ１方向に収縮する。一方、電極７１ｂにバイアス電圧に対しプラスの駆動電圧が印加されると、第２領域７０ｂにおける薄膜圧電体７３は矢印Ａ２方向に伸長する。

第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂは、図１４に示されるように、２つの薄膜圧電体が積層配置された２層構造としてもよい。第２の電極膜７５ｂの上には、積層体９０が接着剤９１により固定されている。積層体９０は、薄膜圧電体７３と、当該薄膜圧電体７３を挟むように配置される第３の電極金属膜７５ｃ及び第４の電極金属膜７５ｄとを含んでいる。第２の電極膜７５ｂと第３の電極金属膜７５ｃとが接着剤９１で接着されている。

第１の電極金属膜７５ａ及び第４の電極金属膜７５ｄは、電極７１ａに電気的に接続されている。第２の電極金属膜７５ｂと第３の電極金属膜７５ｃとは、電極７１ｃに電気的に接続されている。電極７１ａ，７１ｂのそれぞれには、２つの薄膜圧電体７３をそれぞれ駆動する駆動電圧が印可される。駆動電圧が印加されると、図１４に示されるように、２つの薄膜圧電体７３は駆動電圧に対応して矢印Ａ１，Ａ２方向に伸縮する。電極７１ａ，７１ｂにそれぞれ印加される駆動電圧は、例えばバイアス電圧を中心として互いに逆位相となっている。電極７１ａにバイアス電圧に対しプラスの駆動電圧が印加されると、第１領域７０ａにおける２つの薄膜圧電体７３は矢印Ａ１方向に収縮する。一方、電極７１ｂにバイアス電圧に対しプラスの駆動電圧が印加されると、第２領域７０ｂにおける２つの薄膜圧電体７３は矢印Ａ２方向に伸長する。なお、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂは、３つ以上の薄膜圧電体が積層配置された多層構造としてもよい。

伝達板８０は、薄膜圧電アクチュエータ７０の変位をヘッドスライダ３２に伝達する。伝達板８０は、一方の面（図４の下面）が薄膜圧電アクチュエータ７０に対向し、他方の面がヘッドスライダ３２に対向している。伝達板８０は、導電性を有する金属、例えばステンレス鋼等によって形成され、図４にも示されるように、幅方向に延びる矩形形状の後部８３と、幅細で長尺の連結部８４を介して後部８３に接続された前部８５とを有している。ここで、ヘッドスライダ３２、薄膜圧電アクチュエータ７０、及び、伝達板８０の位置関係を説明する。ヘッドスライダ３２は、伝達板８０の前部８５上に載置されている。薄膜圧電アクチュエータ７０は、伝達板８０の下に位置しており、電極７１ａ〜７１ｃが位置する根元部分が伝達板８０の後部８３と重なり、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの先端部分がそれぞれ前部８５と重なるように位置している。

次に、図９〜図１３を参照して、薄膜圧電アクチュエータ７０の製造過程について説明する。図９〜図１３の各（ａ）は、薄膜圧電アクチュエータの製造過程を説明するための模式図である。図９（ｂ）は図９（ａ）におけるIXｂ−IXｂ方向の断面構成を示す模式図である。図１０（ｂ）は図１０（ａ）におけるXｂ−Xｂ方向の断面構成を示す模式図である。図１１（ｂ）は図１１（ａ）におけるXIｂ−XIｂ方向の断面構成を示す模式図である。図１２（ｂ）は図１２（ａ）におけるXIIｂ−XIIｂ方向の断面構成を示す模式図である。図１３（ｂ）は図１３（ａ）におけるXIIIｂ−XIIIｂ方向の断面構成を示す模式図である。

薄膜圧電アクチュエータ７０の形成は、以下の工程（１）〜（５）に従って行う。

工程（１）
まず、基板Ｓを用意する。そして、この基板Ｓの上に、第２の電極膜７５ｂを構成する材料からなる薄膜Ｆ１、薄膜圧電体７３を構成する材料からなる薄膜Ｆ２、及び第１の電極膜７５ａを構成する材料からなる薄膜Ｆ３の順に積層して積層体Ｌ１を形成する（図９（ａ）及び（ｂ）参照）。基板Ｓには、例えば酸化マグネシア（ＭｇＯ）を材料とする単結晶基板等を用いることができる。薄膜Ｆ１，Ｆ３（第１及び第２の電極膜７５ａ，７５ｂ）には、例えばＰｔやＩｒ等の金属の他、導電性酸化物（例えば、ＩｒＯ等）や導電性樹脂といった導電性材料を用いることができる。薄膜Ｆ２には、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリウム等の圧電材料を用いることができる。薄膜Ｆ１〜Ｆ３を形成する方法には、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、レーザーアブレーション法等の方法を用いることができる。

工程（２）
次に、積層体Ｌ１を所望の形状に加工（パターニング）する（図１０（ａ）及び（ｂ）参照）。この工程（２）では、まず、積層体Ｌ１上に、第１領域７０ａ、第２領域７０ｃ、及び第２の電極膜７５ｂにおける第１領域７０ａとの第２領域７０ｂとの間に位置する部分に対応する位置にレジスト膜（図示せず）を形成し、当該レジスト膜をマスク層として薄膜Ｆ１〜Ｆ３をエッチングにより除去する。続いて、上記レジスト膜を除去する。

次に、第２の電極膜７５ｂにおける第１領域７０ａとの第２領域７０ｂとの間に位置する部分に対応する開口を有するレジスト膜（図示せず）を再度形成する。そして、このレジスト膜をマスク層として、第２の電極膜７５ｂが露出するまでエッチングする。続いて、上記レジスト膜を除去する。

以上の工程（１）及び（２）により、基板Ｓの上に第２の電極膜７５ｂ、薄膜圧電体７３及び第１の電極膜７５ａの順に成膜されて、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂが形成されることとなる。

工程（３）
次に、第２の電極膜７５ｂ、薄膜圧電体７３及び第１の電極膜７５ａの腐食を回避するために、基板Ｓ上において、第１領域７０ａ、第２領域７０ｂ、及び第２の電極膜７５ｂにおける第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂとの間に位置する部分の表面を覆うように第１の樹脂膜７７ａを形成する（図１１（ａ）及び（ｂ）参照）。第１の樹脂膜７７ａは、当該第１の樹脂膜７７ａを構成する樹脂材料を塗布した後にベークすることにより形成される。

工程（４）
次に、第１の樹脂膜７７ａ上であって、電極７１ａ〜７１ｃが形成される予定領域（薄膜圧電アクチュエータ７０の根元領域）に第２の樹脂膜７７ｂを形成する（図１２（ａ）及び（ｂ）参照）。第２の樹脂膜７７ｂは、第１の樹脂膜７７ａと同じく、第２の樹脂膜７７ｂを構成する樹脂材料を塗布した後にベークすることにより形成される。

そして、電極７１ａ〜７１ｃに対応する位置に開口を有するレジスト膜（図示せず）を形成する。そして、このレジスト膜をマスク層として樹脂膜７７（第１の樹脂膜７７ａ及び第２の樹脂膜７７ｂ）をエッチングにより除去し、樹脂膜７７にコンタクトホール７８ａ〜７８ｃを形成する（同じく、図１２（ａ）及び（ｂ）参照）。続いて、上記レジスト膜を除去する。

工程（５）
次に、コンタクトホール７８ａ〜７８ｃに対応する位置に開口を有するレジスト膜（図示せず）を再度形成する。そして、このレジスト膜をマスク層として、コンタクトホール７８ａ〜７８ｃが形成されることにより露出した第１の電極膜７５ａ及び第２の電極膜７５ｂ上に、蒸着とリフトオフ法とにより各電極７１ａ〜７１ｃを形成する（図１３（ａ）及び（ｂ）参照）。

その後、基板Ｓを除去する。これにより、薄膜圧電アクチュエータ７０が形成されることとなる。基板Ｓの除去は、基板ＳにＭｇＯの単結晶基板を用いる場合、燐酸水溶液（燐酸の濃度が、例えば３０％程度である）によりエッチングすることにより行うことができる。なお、エッチング速度を速くするために、燐酸水溶液を予め８０℃程度に加熱しておくことが好ましい。

なお、２つの薄膜圧電体が積層配置された２層構造とする場合、積層体Ｌ１が形成された基板Ｓをもう１つ用意し、上記工程（２）の前に、薄膜Ｆ３同士が対向するように積層体Ｌ１同士を接着剤で接着した後に、一方の基板を除去する工程が追加されることとなる。

続いて、ＨＧＡ３０の組立て過程の一例を説明する。

まず、フレクシャ６０をレーザスポット溶接にてロードビーム５３に固定する。また、薄膜圧電アクチュエータ７０を伝達板８０に対して位置決めした後に、これらを接着剤等により固定する。このとき、伝達板８０の後部８３と薄膜圧電アクチュエータ７０の根元部分とを電気絶縁性を有する接着剤等で接着すると共に、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの先端部分をそれぞれ対応するアーム部８６，８７に接着剤等で接着する。

次に、伝達板８０が固定された薄膜圧電アクチュエータ７０を、電極７１ａ，７１ｂ，７１ｃと電極６６ａ，６４ａ，６５ａとを接続することにより、フレクシャ６０に固定する。薄膜圧電アクチュエータ７０は電極７１ａ〜７１ｃ（電極６４ａ〜６６ａ）の位置でのみフレクシャ６０に接続される。したがって、薄膜圧電アクチュエータ７０は、ロードビーム５３から浮いた状態となっている。次いで、伝達板８０の前部８５にヘッドスライダ３２を接着することにより、本実施形態のＨＧＡ３０が得られる。

また、このようにして得られたＨＧＡ３０にアクチュエータアーム２２を連結してヘッドスタックアセンブリ２０を構成し、これをハードディスク１０上に移動可能に組み立てることで、本実施形態のハードディスク装置１を作製することができる。

なお、ＨＧＡ３０の組立て手順は上記のものに限られず、次のような変形例も実施することができる。例えば、薄膜圧電アクチュエータ７０をフレクシャ６０に接続した後に、伝達板８０を薄膜圧電アクチュエータ７０に固定するという手順である。また、ヘッドスライダ３２、伝達板８０、及び薄膜圧電アクチュエータ７０を一体に組み立てた後に、これをフレクシャ６０上に載せてもよい。

以上のように、本実施形態によれば、樹脂膜７７における電極７１ａ〜７１ｃが形成される領域の厚みが第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの変位する部分に対応する領域の厚みよりも厚いので、第１の電極膜７５ａと電極７１ａ〜７１ｃとの間隔が比較的大きくなり、第１の電極膜７５ａと電極７１ａ〜７１ｃとの間の絶縁不良の発生を抑制することができる。また、樹脂膜７７における第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの変位する部分に対応する領域の厚みは、上記電極７１ａ〜７１ｃが形成される領域の厚みがより薄くなるので、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂ（薄膜圧電体７３）の変位が阻害されるようなことはなく、圧電性が低下するのを抑制できる。また、樹脂膜７７が硬化する際に生じる応力も小さくなることから、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂが反ってしまうのも抑制できる。

また、樹脂層７７は、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂを覆うように形成される第１の樹脂膜７７ａと、電極７１ａ〜７１ｃが形成される領域に形成される第２の樹脂膜７７ｂとを含んでいる。これにより、電極７１ａ〜７１ｃが形成される領域の厚みが第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの変位する部分に対応する領域の厚みよりも厚くされた樹脂膜７７を極めて容易に形成することができる。

以上、本発明者らによってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、薄膜圧電アクチュエータ７０の構成は、上述した層構成に限られるものではない。また、記録媒体に対して記録及び再生の双方を行う薄膜磁気ヘッドに代えて、記録又は再生の一方のみを行う薄膜磁気ヘッドを用いてもよい。また、伝達板８０を設けることなく、ヘッドスライダ３２を薄膜圧電アクチュエータ７０に直接搭載するように構成してもよい。また、本発明に係る薄膜圧電体素子は、上述した実施形態のサスペンション及びハードディスク装置以外の電子部品等に適用できる。

また、本実施形態においては、樹脂膜７７を第１の樹脂膜７７ａ及び第２の樹脂膜７７ｂで構成することにより、電極７１ａ〜７１ｃが形成される領域の厚みを第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの変位する部分に対応する領域の厚みよりも厚くしているが、樹脂膜７７の構成はこれに限られるものではない。例えば、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの変位する部分に対応する領域を覆うように形成される樹脂膜と、電極７１ａ〜７１ｃが形成される領域に形成される樹脂膜とで構成し、電極７１ａ〜７１ｃが形成される領域に形成される樹脂膜の厚みを第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの変位する部分に対応する領域を覆うように形成される樹脂膜の厚みよりも厚くしてもよい。また、単一の樹脂層７７で、電極７１ａ〜７１ｃが形成される領域を厚くするようにしてもよい。更には、第２の樹脂膜７７ｂの上に樹脂膜を更に形成するように構成してもよい。

本実施形態のハードディスク装置を示す図である。 本実施形態のヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を示す斜視図である。 ＨＧＡの分解斜視図である。 ＨＧＡのフレクシャ先端付近の分解斜視図である。 薄膜圧電アクチュエータを示す斜視図である。 図５におけるVIｂ−VIｂ方向の断面構成を示す模式図である。 図５におけるVIIｂ−VIIｂ方向の断面構成を示す模式図である。 圧電アクチュエータの構成を説明するための模式図である。 （ａ）は薄膜圧電アクチュエータの製造過程を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるIXｂ−IXｂ方向の断面構成を示す模式図である。 （ａ）は薄膜圧電アクチュエータの製造過程を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるXｂ−Xｂ方向の断面構成を示す模式図である。 （ａ）は薄膜圧電アクチュエータの製造過程の変形例を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるXIｂ−XIｂ方向の断面構成を示す模式図である。 （ａ）は薄膜圧電アクチュエータの製造過程の変形例を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるXIIｂ−XIIｂ方向の断面構成を示す模式図である。 （ａ）は薄膜圧電アクチュエータの製造過程の変形例を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるXIIIｂ−XIIIｂ方向の断面構成を示す模式図である。 圧電アクチュエータの構成を説明するための模式図である。

符号の説明

１…ハードディスク装置、１０…ハードディスク、２０…ヘッドスタックアセンブリ、２２…アクチュエータアーム、３１…薄膜磁気ヘッド、３２…ヘッドスライダ、４０…サスペンション、５０…支持ビーム部、６０…フレクシャ、６１…配線基板、７０…薄膜圧電アクチュエータ（薄膜圧電体素子）、７１ａ〜７１ｃ…電極、７３…薄膜圧電体、７５ａ…第１の電極膜、７５ｂ…第２の電極膜、７７…樹脂膜、７７ａ…第１の樹脂膜、７７ｂ…第２の樹脂膜、８０…伝達板。

Claims (9)

1. 圧電体膜と、当該圧電体膜を挟むように配置される一対の電極膜とを含む積層体と、
   前記積層体を覆うように形成される樹脂膜と、
   前記樹脂膜上に形成され、前記電極膜に電気的に接続される電極と、を備え、
   前記樹脂膜は、前記電極が形成される領域の厚みが前記積層体の変位する部分に対応する領域の厚みよりも厚くなるように形成されていることを特徴とする薄膜圧電体素子。
2. 前記樹脂層は、前記積層体を覆うように形成される第１の樹脂膜と、前記電極が形成される前記領域に形成される第２の樹脂膜とを含んでいることを特徴とする請求項１に記載の薄膜圧電体素子。
3. 前記積層体の上に接着される新たな積層体を更に備え、
   前記新たな積層体は、圧電体膜と、当該圧電体膜を挟むように配置される一対の電極膜とを含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜圧電体素子。
4. 薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダが搭載されるサスペンションであって、
   前記ヘッドスライダを当該サスペンションに対して相対的に変位させる薄膜圧電体素子を備え、
   前記薄膜圧電体素子は、
   圧電体膜と、当該圧電体膜を挟むように配置される一対の電極膜とを含む積層体と、
   前記積層体を覆うように形成される樹脂膜と、
   前記樹脂膜上に形成され、前記電極膜に電気的に接続される電極と、を有し、
   前記樹脂膜は、前記電極が形成される領域の厚みが前記積層体の変位する部分に対応する領域の厚みよりも厚くなるように形成されていることを特徴とするサスペンション。
5. 前記樹脂層は、前記積層体を覆うように形成される第１の樹脂膜と、前記電極が形成される前記領域に形成される第２の樹脂膜とを含んでいることを特徴とする請求項４に記載のサスペンション。
6. 前記積層体の上に接着される新たな積層体を更に備え、
   前記新たな積層体は、圧電体膜と、当該圧電体膜を挟むように配置される一対の電極膜とを含むことを特徴とする請求項４に記載のサスペンション。
7. 記録媒体と、この記録媒体に対して記録又は再生の少なくとも一方を行う薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダと、このヘッドスライダが搭載されるサスペンションとを備え、
   前記サスペンションは、前記ヘッドスライダを当該サスペンションに対して相対的に変位させる薄膜圧電体素子を有し、
   前記薄膜圧電体素子は、
   圧電体膜と、当該圧電体膜を挟むように配置される一対の電極膜とを含む積層体と、
   前記積層体を覆うように形成される樹脂膜と、
   前記樹脂膜上に形成され、前記電極膜に電気的に接続される電極と、を有し、
   前記樹脂膜は、前記電極が形成される領域の厚みが前記積層体の変位する部分に対応する領域の厚みよりも厚くなるように形成されていることを特徴とするハードディスク装置。
8. 前記樹脂層は、前記積層体を覆うように形成される第１の樹脂膜と、前記電極が形成される前記領域に形成される第２の樹脂膜とを含んでいることを特徴とする請求項７に記載のハードディスク装置。
9. 前記積層体の上に接着される新たな積層体を更に備え、
   前記新たな積層体は、圧電体膜と、当該圧電体膜を挟むように配置される一対の電極膜とを含むことを特徴とする請求項７に記載のハードディスク装置。
   

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