JP2010096895A

JP2010096895A - 液晶表示装置

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Publication number: JP2010096895A
Application number: JP2008266251A
Authority: JP
Inventors: Hiroki Takahashi; 弘樹高橋; Yoji Nagase; 洋二長瀬
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2008-10-15
Filing date: 2008-10-15
Publication date: 2010-04-30
Anticipated expiration: 2028-10-15
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Abstract

【課題】蓄積容量を確保しながら、開口率を高めることを可能にする。
【解決手段】基板１１上に配設されたゲート電極２１を含む複数の走査線１２と、基板１１上に走査線１２間に配設された主配線１３と、走査線１２と交差する方向に配設された複数のソース配線１４と、ゲート電極２１を有する薄膜トランジスタ２０と、ソース配線１４間および走査線１２間に配設された絵素電極１７と、主配線１３とゲート絶縁膜２２と中間電極３１とで形成された蓄積容量３０と、薄膜トランジスタ２０のドレイン電極２３Ｄと中間電極３１に接続するドレイン配線１５とを有し、主配線１３は、第１透明電極５１上にこれよりも幅が狭く電気抵抗が低い第１金属配線５２を積層してなり、ドレイン配線１５は、第２透明電極５３上にこれよりも幅が狭く電気抵抗が低い第２金属配線５４を積層してなり、中間電極３１は第２透明電極５３が延長形成されたものからなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関するものである。

従来の液晶表示装置における、蓄積容量素子（保持容量素子または補助容量素子とも言う）を備えたアクティブマトリックス基板の画素部の構造は、例えば、図１３の平面レイアウト図、図１４の図１３中のＡ−Ａ’断面図に示したようになっている。

図１３および図１４の例では、液晶表示装置の蓄積容量素子２３０は、逆スタガー型構造となっている。
まず、ガラス基板２１１上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極兼走査線２１２がアルミニウム等の低抵抗金属材料で形成されている。
一般的に生産性などの観点から、蓄積容量素子（Ｃｓ）の主配線２１３は、ゲート電極兼走査線２１２を形成する時に同時に同層の金属材料層を用いて形成されている。上記ゲート電極２１２（２１２Ｇ）および蓄積容量素子（Ｃｓ）の主配線２１３上にゲート絶縁膜２１４が成膜されている。このゲート絶縁膜２１４は、窒化シリコン膜等で形成される。その後、ＴＦＴ部に能動素子２１５、ソース配線２１６およびドレイン配線２１７、ＴＦＴ部のパッシベーション膜２１８、オーバーコート膜２１９、絵素電極２２０が形成されている。上記ソース配線２１６およびドレイン配線２１７は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金等の低抵抗金属材料で形成される。上記パッシベーション膜２１８は例えば窒化シリコン膜で形成され、オーバーコート膜２１９は例えばアクリル樹脂で形成され、上記絵素電極２２０は透明電極で形成される（例えば、特許文献１参照。）。

上記蓄積容量素子（Ｃｓ）は、一般的に、主配線２１３と、ＴＦＴからのドレイン電極２１７を引き回して形成した中間電極２２１と、その間に形成されたゲート絶縁膜２１４とで構成されている。上記中間電極２２１は、パッシベーション膜２１８とオーバーコート２１９に形成したコンタクトホール２２２を通じて、絵素電極２２０がコンタクトされている。
ここで、主配線２１３および中間電極２２１は共に、それぞれゲート電極２１２（２１２Ｇ）やドレイン配線２１７と同層の低抵抗金属膜で形成されているため、バックライトからの光が遮られるので、開口率が低下している（例えば、特許文献２参照。）。
中間電極２２１を用いない場合は、直接、絵素電極２２０とゲート電極２１２（２１２Ｇ）間で蓄積容量が形成されている。
この場合も先に述べたように、主配線２１３が低抵抗金属膜であり、開口率の低下を引き起こしている。

また、別の視野角改善のための手法として、容量結合ハーフトーン・グレースケール法（以下、ハーフトーン法という。）と呼ばれる手法がある。

従来のＭＶＡ型やＴＮ型液晶表示装置では、画面を斜め方向から見たときに白っぽくなる現象が発生する。
しきい値電圧よりも若干高い電圧を絵素電極２２０に印加した時には、斜め方向から見たときの透過率が正面から見た時の透過率よりも高くなる。
また、印加電圧がある程度高くなると、斜め方向から見た時の透過率は、正面から見た時の透過率よりも低くなる。
このため、斜め方向から見た時には赤色画素、緑色画素および青色画素の輝度差が小さくなり、その結果前述したように画面が白っぽくなる現象が発生する。

その対策としてのハーフトーン法は、１つの画素を複数の副画素に分割し、それらの副画素を容量結合させている。各副画素の容量比によって電位が分割されるため、各副画素に相互に異なる電圧を印加することができる。
したがって、見かけ上、１つの画素に透過率−電圧特性（Ｔ−Ｖ特性）のしきい値が異なる複数の領域が存在することになる。
このように１つの画素にＴ−Ｖ特性のしきい値が異なる複数の領域が存在すると、それらの領域のＴ−Ｖ特性が平均化されて、正面から見た時の透過率よりも斜め方向から見た時の透過率が高くなる現象が抑制される。その結果、斜め方向から見た時に画面が白っぽくなる現象（白茶け）も抑制されるというものである。

ハーフトーン法の構造例を図１５の平面レイアウト図、図１６（１）の図１５中のＡ−Ａ’断面図および図１６（２）のの図１５中のＢ−Ｂ’断面図によって説明する。

図１５および図１６に示すように、構造の概略は、前記図１３によって説明した構造と同様である。例えば、蓄積容量素子（Ｃｓ）の主配線２１３は、ゲート電極兼走査線２１２を形成する時に同時に同層の金属材料層を用いて形成されている。上記ゲート電極２１２（２１２Ｇ）および蓄積容量素子（Ｃｓ）の主配線２１３上にゲート絶縁膜２１４が成膜されている。このゲート絶縁膜２１４は、窒化シリコン膜等で形成される。その後、ＴＦＴ部に能動素子２１５、ソース配線２１６およびドレイン配線２１７、ＴＦＴ部のパッシベーション膜２１８、絵素電極２２０が形成されている。上記ソース配線２１６およびドレイン配線２１７は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金等の低抵抗金属材料で形成される。上記パッシベーション膜２１８は例えば窒化シリコン膜で形成され、オーバーコート膜２１９は例えばアクリル樹脂で形成され、上記絵素電極２２０は透明電極で形成される。
上記絵素電極２２０は、絵素電極２２０Ａと絵素電極２２０Ｂに分割されている。
絵素電極２２０Ａは、前記図１３によって説明した構造と同様に、主配線２１３に接続されている。一方、絵素電極２２０Ｂは、ドレイン配線２１７との間で容量結合されている。
この容量結合のために、ドレイン配線２１７の途中に制御電極２２３が形成されており、選択された各絵素の電圧の値を決定するために、ある程度の面積が求められる。
先述と同様に、このドレイン配線２１７および制御電極２２３は、同時に同材料の低抵抗金属膜で形成され、遮光性を示すため、開口率の低下に繋がっている。

特公平１−３３８３３号公報特開平４−２１７２３０号公報

解決しようとする問題点は、蓄積容量を確保しながら、開口率を高めることができない点である。

本発明は、透明電極と金属電極の積層構造を用いることで、蓄積容量を確保しながら、開口率を高めることを可能にする。

本発明の液晶表示装置は、基板上の第１方向に配設されたゲート電極を兼ねる複数の走査線と、
前記基板上に前記走査線間で第１方向と平行な方向に配設された蓄積容量主配線と、
第１方向と交差する第２方向に配設された複数のソース配線と、
前記ゲート電極を有する薄膜トランジスタと、
前記ソース配線間および前記走査線間に配設された絵素電極と、
前記蓄積容量主配線と前記蓄積容量主配線上の絶縁膜と前記絶縁膜上の中間電極とで形成された蓄積容量と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記中間電極に接続するドレイン配線とを有し
前記蓄積容量主配線は、第１透明電極と、前記第１透明電極上に形成されていて前記第１透明電極よりも幅が狭く電気抵抗が低い第１金属配線とからなり、
前記ドレイン配線は、第２透明電極と、前記第２透明電極上に形成されていて前記第２透明電極よりも幅が狭く電気抵抗が低い第２金属配線とからなり、
前記中間電極は前記第２透明電極が延長形成されたものからなる。

本発明の液晶表示装置では蓄積容量主配線が、第１透明電極と、それよりも幅が狭く電気抵抗が低い第１金属配線で形成されていることから、第１金属配線で被覆されていない第１透明電極の部分によって絵素の開口率が高められる。しかも、第１透明電極の面積を確保することで、蓄積容量主配線と中間電極とで形成される蓄積容量の容量値を低下させることがない。また、第１透明電極上に第１金属配線が形成されていることで、配線抵抗の上昇が抑えられる。

本発明の液晶表示装置は、蓄積容量を確保しながら、開口率を高めることができるので、輝度やコントラストを高めることができるという利点がある。

以下、発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。
１．第１の実施の形態（液晶表示装置の構成の第１例）。
２．第２の実施の形態（液晶表示装置の構成の第２例）。
３．第３の実施の形態（液晶表示装置の適用の第１例）。
４．第４の実施の形態（液晶表示装置の適用の第２例）。
５．第５の実施の形態（液晶表示装置の適用の第３例）。
６．第６の実施の形態（液晶表示装置の適用の第４例）。

＜１．第１の実施の形態＞
［液晶表示装置の構成の第１例］
本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置の構成の第１例を、図１の平面レイアウト図および図２の図１中のＡ−Ａ’線断面図によって説明する。また図３に等価回路図を示す。図面では、一例として、アクティブマトリックス型液晶表示装置について示す。

図１〜図２に示すように、基板１１上の第１方向にゲート電極２１を兼ねる複数の走査線１２が配設されている。上記基板１１は、例えばガラス基板からなる。または、樹脂基板等であってもよい。
また、上記基板１１上には、上記走査線１２間で上記第１方向と平行な方向に蓄積容量主配線１３が配設されている。以下、蓄積容量主配線１３を主配線１３という。

上記基板１１上には、上記ゲート電極２１を含む走査線１２および上記主配線１３を被覆するゲート絶縁膜２２が形成されている。
上記ゲート電極２１上の上記ゲート絶縁膜２２上には半導体層からなる能動素子２３が形成され、この能動素子２３の中央部がチャネル領域となり、その両側がソース領域２３Ｓおよびドレイン領域２３Ｄとなる。上記ソース領域２３Ｓ上にはソース電極１４Ｅを含むソース配線１４が形成されている。また上記ドレイン領域２３Ｄ上にはドレイン電極１５Ｄを含むドレイン配線１５が形成されている。
上記のように、ゲート電極２１を有する薄膜トランジスタ２０が構成されている。

上記第１方向と交差する第２方向には、複数本の上記ソース配線１４が配設されている。

また、上記主配線１３と、上記主配線１３上の絶縁膜であるゲート絶縁膜２２と、上記ゲート絶縁膜２２上に形成された中間電極３１とで蓄積容量３０が形成されている。この中間電極３１は、例えば上記ドレイン配線１５の一部を延長形成したものである。

上記ゲート絶縁膜２２上には、上記能動素子２３、ソース配線１４、ドレイン配線１５、中間電極３１等を被覆するパッシベーション膜４１、オーバーコート膜４２が積層されて形成されている。上記パッシベーション膜４１は、例えば窒化シリコン膜で形成され、上記オーバーコート膜４２は、例えばアクリル樹脂で形成されている。

上記オーバーコート膜４２、上記パッシベーション膜４１には、上記中間電極３１に達するコンタクトホール４３が形成されている。そして、上記オーバーコート膜４２上に上記中間電極３１に接続する絵素電極１７が形成されている。

上記主配線１３は、蓄積容量を形成するのに必要な面積を有する島状の第１透明電極５１と、この第１透明電極５１上に形成されていて上記第１透明電極５１よりも幅が狭く電気抵抗が低い第１方向に配設された第１金属配線５２とからなる。
上記第１透明電極５１には、例えばインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、アルミニウム添加酸化亜鉛、インジウム亜鉛オキサイド等が用いられる。また、上記第１金属配線５２には、例えばアルミニウム、アルミニウムモリブデン、アルミニウムチタン等のアルミニウム合金が用いられる。
上記第１透明電極５１と上記第１金属配線５２は、上記したように第１透明電極５１上に上記第１金属配線５２を形成しても、逆に上記第１金属配線５２上に上記第１透明電極５１を形成してもよい。生産性を考慮すると、後に説明するハーフトーン露光を用いることができるように、第１透明電極５１上に上記第１金属配線５２を形成したほうが好ましい。後に説明するハーフトーン露光を用いることで、マスク枚数の増加を回避できるので、より生産性を高めることができる。

また、上記ドレイン配線１５は、第２透明電極５３と、この第２透明電極５３上に形成されていて上記第２透明電極５３よりも幅が狭く電気抵抗が低い第２金属配線５４とからなる。
上記第２透明電極５３には、例えばインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、アルミニウム添加酸化亜鉛、インジウム亜鉛オキサイド等が用いられる。また、上記第２金属配線５４には、例えばアルミニウム、アルミニウムモリブデン、アルミニウムチタン等のアルミニウム合金が用いられる。
上記第２透明電極５３と上記第２金属配線５４は、上記したように第２透明電極５３上に上記第２金属配線５４を形成しても、逆に上記第２金属配線５４上に上記第２透明電極５３を形成してもよい。生産性を考慮すると、後に説明するハーフトーン露光を用いることができるように、第２透明電極５３上に上記第２金属配線５４を形成したほうが好ましい。後に説明するハーフトーン露光を用いることで、マスク枚数の増加を回避できるので、より生産性を高めることができる。

上記走査線１２は、上記第１透明電極５１と同一層で形成される第３透明電極５５と、この第３透明電極５５上に形成されていて上記第３透明電極５５よりも幅が狭く電気抵抗が低い第３金属配線５６とからなる。この第３金属配線５６は、上記第１金属配線５２と同一層で形成される。

また、上記中間電極３１は、上記ドレイン配線１５が形成される上記第２透明電極５３を延長形成されたもので、蓄積容量を形成するのに必要な面積を有する島状のパターンからなる。したがって、中間電極３１は、第２透明電極５３からなる。この中間電極３１は、ハーフトーン露光を用いることで、上記ドレイン配線１５と同時に形成することができる。

したがって、上記蓄積容量３０は、上記主配線１３の第１透明電極５１と、上記中間電極３１との対向している部分のパターン面積によって容量値が決定される。

また、上記走査線１２と、上記絵素電極１７と、その間に形成されたゲート絶縁膜２２、パッシベーション膜４１、オーバーコート膜４２等の絶縁膜とで蓄積容量が形成されてもよい。

また、上記液晶表示装置１の等価回路は、図３に示すようになっている。この等価回路において、Ｇａｔｅが上記走査線１２であり、Ｃｓが主配線１３であり、Ｄａｔｅがソース配線１４である。また、上記Ｃ_S-A、Ｃ_S-Bが、それぞれ、分割されたＡ絵素、Ｂ絵素毎の蓄積容量３０であり、Ｃ_LC-A、Ｃ_LC-Bが、それぞれ、分割されたＡ絵素、Ｂ絵素毎の液晶容量である。またＴＦＴが上記薄膜トランジスタ２０である。

上記液晶表示装置１では、主配線１３が、第１透明電極５１と、それよりも幅が狭く電気抵抗が低い第１金属配線５２で形成されていることから、第１金属配線５２で被覆されていない第１透明電極５１の部分によって絵素の開口率が高められる。
また、ドレイン配線１５が、第２透明電極５３と、それよりも幅が狭く電気抵抗が低い第２金属配線５４で形成されていることから、第２金属配線５４で被覆されていない第２透明電極５３の部分によって絵素の開口率が高められる。
よって、液晶表示装置１の輝度やコントラストを高めることができるという利点がある。
しかも、第１透明電極５１の面積を確保することで、主配線１３と中間電極３１とで形成される蓄積容量３０の容量値を低下させることがない。また、第１透明電極５１上に第１金属配線５２が形成されていることで、主配線１３の配線抵抗の上昇が抑えられる。また、第２透明電極５３上に第２金属配線５４が形成されていることで、ドレイン配線１５の配線抵抗の上昇が抑えられる。

＜２．第２の実施の形態＞
［液晶表示装置の構成の第２例］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置の構成の第２例を、図４の平面レイアウト図および図５の図４中のＡ−Ａ’線断面図によって説明する。また図６に等価回路図を示す。図面では、一例として、アクティブマトリックス型液晶表示装置について示す。

図４〜図５に示すように、基板１１上の第１方向にゲート電極２１を兼ねる複数の走査線１２が配設されている。上記基板１１は、例えばガラス基板からなる。または、樹脂基板等であってもよい。
また、上記基板１１上には、上記走査線１２間で上記第１方向と平行な方向に蓄積容量主配線１３が配設されている。以下、蓄積容量主配線１３を主配線１３という。

上記ゲート絶縁膜２２上には、上記能動素子２３、ソース配線１４、ドレイン配線１５、中間電極３１等を被覆するパッシベーション膜４１が形成されている。上記パッシベーション膜４１は、例えば窒化シリコン膜で形成されている。

上記パッシベーション膜４１には、上記中間電極３１に達するコンタクトホール４３が形成されている。そして、上記パッシベーション膜４１上に上記中間電極３１に接続する絵素電極１７が形成されている。この絵素電極１７は、Ａ絵素電極１７Ａ、Ｂ絵素電極１７Ｂとからなり、Ａ絵素電極１７ＡとＢ絵素電極１７Ｂを一組として、上記ソース配線１４間および上記走査線１２間に配設されている。

上記ドレイン配線１５の途中には制御電極１８が接続されている。この制御電極１８は、例えば、上記ドレイン配線１５を形成する第２透明電極５３を張り出して形成したものである。したがって、制御電極１８は第２透明電極５３で形成されている。
したがって、上記ドレイン配線１５および上記制御電極１８と、上記絵素電極１７と、その間に形成されたパッシベーション膜４１等の絶縁膜とで結合容量（カップリング容量）が形成されている。

上記走査線１２は、第３金属配線５６で形成されている。この第３金属配線５６は、上記第１金属配線５２と同一層で形成される。なお、図示はしていないが、上記走査線１２は、上記主配線１３と同時に形成するときには、上記第１透明電極５１と同一層で形成される第３透明電極と、この第３透明電極上に形成されていて上記第３透明電極よりも電気抵抗が低い第３金属配線５６とからなる。

また、上記走査線１２と、上記絵素電極１７と、その間に形成されたゲート絶縁膜２２、パッシベーション膜４１等の絶縁膜とで蓄積容量が形成されてもよい。
同様に、上記主配線１３と、上記絵素電極１７と、その間に形成されたゲート絶縁膜２２、パッシベーション膜４１等の絶縁膜とで蓄積容量が形成されてもよい。

また、上記液晶表示装置２の等価回路は、図６に示すようになっている。この等価回路において、Ｇａｔｅが上記走査線１２であり、Ｃｓが主配線１３であり、Ｄａｔｅがソース配線１４である。また、上記Ｃ_S-A、Ｃ_S-Bが、それぞれ分割されたＡ絵素、Ｂ絵素毎の上記蓄積容量３０であり、Ｃ_LC-A、Ｃ_LC-Bが、それぞれ分割されたＡ絵素、Ｂ絵素毎の液晶容量である。さらに、Ｃｃが上記結合容量（カップリング容量）である。またＴＦＴが上記薄膜トランジスタ２０である。

上記液晶表示装置２では、主配線１３が、第１透明電極５１と、それよりも幅が狭く電気抵抗が低い第１金属配線５２で形成されていることから、第１金属配線５２で被覆されていない第１透明電極５１の部分によって絵素の開口率が高められる。
また、ドレイン配線１５が、第２透明電極５３と、それよりも幅が狭く電気抵抗が低い第２金属配線５４で形成されていることから、第２金属配線５４で被覆されていない第２透明電極５３の部分によって絵素の開口率が高められる。
さらに、特に容量結合方式の場合、制御電極１８が追加で必要となり、より開口率を低下させているが、この制御電極１８は第２透明電極５３で形成されていることから、制御電極１８の部分によってより絵素の開口率を高める効果がある。
よって、液晶表示装置２の輝度やコントラストを高めることができるという利点がある。
しかも、第１透明電極５１の面積を確保することで、主配線１３と中間電極３１とで形成される蓄積容量３０の容量値を低下させることがない。また、第１透明電極５１上に第１金属配線５２が形成されていることで、主配線１３の配線抵抗の上昇が抑えられる。また、第２透明電極５３で面積を確保することで、結合容量を低下させることがない。また、第２透明電極５３上に第２金属配線５４が形成されていることで、ドレイン配線１５の配線抵抗の上昇が抑えられる。

［ハーフトーン露光プロセス］
次に、ハーフトーン露光でのプロセスについて、図７の製造工程図によって説明する。図７では、上記ゲート電極２２を含む走査線１２と主配線１３を形成する一例を示した。
なお、このハーフトーン露光でのプロセスは、ドレイン配線１５と中間電極３１を形成するプロセス、ドレイン配線１５と制御電極１８を形成するプロセスにも適用できる。

図７（１）に示すように、「透明導電膜と金属膜の成膜」工程を行う。この工程では、基板１１上に透明導電膜６１と金属膜６２を順に積層して形成する。
上記基板１１は、例えばガラス基板からなる。または、樹脂基板等であってもよい。
上記透明導電膜６１には、例えばインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、アルミニウム添加酸化亜鉛、インジウム亜鉛オキサイド等を用いる。また、上記金属膜６２には、例えばアルミニウム、アルミニウムモリブデン、アルミニウムチタン等のアルミニウム合金を用いる。

次に、図７（２）に示すように、「リソグラフィ（ハーフトーン露光）」工程を行う。この工程では、上記金属膜６２上に、走査線（ゲート電極を含む）を形成するためのレジストパターン７１と、主配線（蓄積容量主配線）１３を形成するためのレジストパターン７２を形成する。このレジストパターン７２は、ハーフトーンマスクにより透明導電膜６１より金属膜６２の幅が狭くエッチング加工できるように段差をつけて形成される。すなわち、透明導電膜６１をエッチング加工するときに用いる下部レジストパターン７２Ａと、この下部レジストパターン７２Ａよりも幅が狭い、上記金属膜６２をエッチング加工するときに用いる上部レジストパターン７２Ｂとからなる。

次に、図７（３）に示すように、「走査線と主配線の加工」工程を行う。この工程では、上記レジストパターン７１、７２をエッチングマスクに用いて、上記金属膜６２と上記透明導電膜６１をエッチング加工して、走査線１２と、主配線１３の第１透明電極５１を形成する。このとき、主配線１３の金属膜６２は第１透明電極５１とほぼ同等な大きさに形成される。なお、一般的にはエッチング条件等の調整によって、図示したように断面がテーパ形状になるように形成する。

次に、図７（４）に示すように、「レジストパターンの加工」工程を行う。この工程では、上記レジストパターン７２を例えばドライエッチング等により、全面的に膜減りさせ、下部レジストパターン７２Ａ部のレジスト膜厚分を除去し、上部レジストパターン７２Ｂ（前記図７（３）参照）の突起部のみのレジストパターンを残すことで、上記第１透明電極５１よりも幅が狭いレジストパターンになる。また、上記レジストパターンの加工時に、上記レジストパターン７１の膜厚も減少するが、レジストパターン７１に被覆されている金属膜６２、透明導電膜６１がエッチングされることがないように、レジストパターン７１の膜厚を確保しておく。

次に、図７（５）に示すように、「主配線の金属膜の加工」工程を行う。この工程では、上記レジストパターン７１、７２をエッチングマスクにして、主配線部の金属膜６２をエッチング加工して、主配線１３の第１金属配線５２を形成する。

次に、図７（６）に示すように、「レジスト除去」工程を行う。この工程では、上記レジストパターン７１、７２（前記図７（６）参照）を除去する。
以上、ハーフトーン露光を用いた走査線１２と主配線１３を形成するプロセスが終了する。

上記ハーフトーン露光を用いた配線形成プロセスでは、マスク枚数の増加を回避することができるので、より生産性は高くなる。
なお、このハーフトーン露光でのプロセスは、ドレイン配線１５と中間電極３１を形成するプロセス、ドレイン配線１５と制御電極１８を形成するプロセス等にも適用できる。

［本発明の液晶表示装置の適用例］
以上説明した本発明に係る液晶表示装置１、２は、図８〜図１２に示す様々な電子機器に適用することができる。例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなどである。すなわち、電子機器に入力された映像信号、もしくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像もしくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の液晶表示装置に適用することが可能である。
以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。

なお、上記液晶表示装置１、２は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部に貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、さらには、遮光膜が設けられてもよい。なお、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。

まず、上記液晶表示装置１または２が適用されるテレビを、図８の斜視図によって説明する。
図８に示すように、上記液晶表示装置１、２が適用されるテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として上記液晶表示装置１または２を用いることにより作製されている。

次に、上記液晶表示装置１または２が適用されるデジタルカメラを、図９の斜視図によって説明する。図９（１）は表側から見た斜視図であり、（２）は裏側から見た斜視図である。
図９に示すように、上記液晶表示装置１または２が適用されるデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として上記液晶表示装置１または２を用いることにより作製される。

次に、上記液晶表示装置１または２が適用されるノート型パーソナルコンピュータを、図１０の斜視図によって説明する。
図１０に示すように、上記液晶表示装置１または２が適用されるノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として上記液晶表示装置１または２を用いることにより作製される。

次に、上記液晶表示装置１または２が適用されるビデオカメラを、図１１の斜視図によって説明する。
図１１に示すように、上記液晶表示装置１または２が適用されるビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として上記液晶表示装置１または２を用いることにより作製される。

次に、上記液晶表示装置１または２が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を、図１２によって説明する。図１２（１）は携帯端末装置を開いた状態での正面図、（２）はその側面図、（３）は閉じた状態での正面図、（４）は左側面図、（５）は右側面図、（６）は上面図、（７）は下面図である。
図１２に示すように、上記液晶表示装置１または２が適用される携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として上記液晶表示装置１または２を用いることにより作製される。

本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置の構成の第１例を示した平面レイアウト図である。図１中のＡ−Ａ’線断面図である。液晶表示装置の構成の第１例を示した等価回路図である。本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置の構成の第２例を示した平面レイアウト図である。図４中のＡ−Ａ’線断面図およびＢ−Ｂ’線断面図である。液晶表示装置の構成の第２例を示した等価回路図である。ハーフトーン露光のプロセスの一例を示した製造工程図である。液晶表示装置が適用されるテレビを示した斜視図である。液晶表示装置が適用されるデジタルカメラを示した斜視図である。液晶表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示した斜視図である。液晶表示装置が適用されるビデオカメラを示した斜視図である。液晶表示装置が適用される携帯端末装置を示した図面である。従来の液晶表示装置を示した平面レイアウト図である。図１３中のＡ−Ａ’線断面図である。従来の液晶表示装置（ハーフトーン法）を示した平面レイアウト図である。図１５中のＢ−Ｂ’線断面図である。

符号の説明

１…液晶表示装置、１１…基板、１２…走査線、１３…蓄積容量主配線（主配線）、１４…ソース配線、１５…ドレイン配線、１７…絵素電極、２０…薄膜トランジスタ、２１…ゲート電極、２２…ゲート絶縁膜、２３Ｄ…ドレイン電極、３０…蓄積容量、３１…中間電極３１、５１…第１透明電極、５２…第１金属配線、５３…第２透明電極、５４…第２金属配線

Claims

基板上の第１方向に配設されたゲート電極を兼ねる複数の走査線と、
前記基板上に前記走査線間で第１方向と平行な方向に配設された蓄積容量主配線と、
第１方向と交差する第２方向に配設された複数のソース配線と、
前記ゲート電極を有する薄膜トランジスタと、
前記ソース配線間および前記走査線間に配設された絵素電極と、
前記蓄積容量主配線と前記蓄積容量主配線上の絶縁膜と前記絶縁膜上の中間電極とで形成された蓄積容量と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記中間電極に接続するドレイン配線とを有し
前記蓄積容量主配線は、第１透明電極と、前記第１透明電極上に形成されていて前記第１透明電極よりも幅が狭く電気抵抗が低い第１金属配線とからなり、
前記ドレイン配線は、第２透明電極と、前記第２透明電極上に形成されていて前記第２透明電極よりも幅が狭く電気抵抗が低い第２金属配線とからなり、
前記中間電極は前記第２透明電極が延長形成されたものからなる
液晶表示装置。
前記ドレイン配線は、前記第２透明電極と、前記第２透明電極上に形成されていて前記第２透明電極よりも幅が狭く電気抵抗が低い前記第２金属配線とからなり、
請求項１記載の液晶表示装置。
前記走査線は、第３透明電極と、前記第３透明電極上に形成されていて前記第３透明電極よりも幅が狭く電気抵抗が低い第３金属配線とからなり、
前記走査線と、前記絵素電極と、その間に形成された絶縁膜とで画素内蓄積容量が形成されている
請求項１記載の液晶表示装置。
前記蓄積容量主配線と、前記絵素電極と、その間に形成された絶縁膜とで画素内蓄積容量が形成されている
請求項１記載の液晶表示装置。
前記ドレイン配線に接続された制御電極を有し、
前記制御電極は、前記第２透明電極の途中から前記第２透明電極を張り出して形成したものからなる
請求項１記載の液晶表示装置。
前記ドレイン配線および前記制御電極と、前記絵素電極と、その間に形成された絶縁膜とで結合容量が形成されている
請求項５記載の液晶表示装置。