CN101726950A - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了液晶显示装置。该液晶显示装置包括：扫描线，其布置在基板上并且还用作薄膜晶体管的栅极的；主配线，其布置在扫描线之间；源极配线，其沿与扫描线交叉的第二方向布置；图像元素电极，其布置在源极配线之间和扫描线之间；蓄电电容器，其由主配线、绝缘层和中间电极来形成；漏极配线，其连接到中间电极和薄膜晶体管的漏极。主配线包括第一透明电极和第一金属配线，第一金属配线形成在第一透明电极上，第一属配线的宽度和电阻小于第一透明电极的宽度和电阻。漏极配线包括第二透明电极和第二金属配线，第二金属配线的宽度和电阻小于第二透明电极的宽度和电阻。通过使第二透明电极延长来形成中间电极。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示装置。
背景技术
对于现有技术的液晶显示装置，例如，示出了平面布局图的图13和示出了沿着图13中的XIV-XIV所取的截面图的图14图示了在有源矩阵基板中形成并设置有蓄电电容器元件(也称为保持电容元件或者辅助电容元件)的像素部分的结构。
在图13和图14的示例中，液晶显示装置中的蓄电电容器元件230具有逆错列(inversely-staggered)结构。首先，还用作薄膜晶体管(TFT)的栅电极的扫描线212在玻璃基板211上形成有诸如铝的低电阻金属材料。通常，从生产率的观点来看，用于蓄电电容器元件(Cs)的主配线213和还用作薄膜晶体管的栅电极的扫描线212由相同的金属材料层同时形成。栅极绝缘层214形成在栅电极212(212G)和用于蓄电电容器元件(Cs)的主配线213上。栅极绝缘层214形成有氮化硅层。然后，有源元件215、源极配线216和漏极配线217形成在TFT部分中，并且对于TFT部分，形成无源层218、上覆层(overcoat layer)219和图像元素电极220。源极配线216和漏极配线217例如由诸如铝或铝合金之类的低电阻金属材料形成。无源层218例如由氮化硅层形成，上覆层219例如由丙烯酸树脂形成，并且图像元素电极220由透明电极形成(例如参见日本经审查的专利申请公报No.H01-33833)。
通常，蓄电电容器元件(CS)包括主配线213、通过使来自TFT的漏极电极217延长而形成的中间电极221、以及在主配线213和中间电极221之间形成的栅极绝缘层214。中间电极2221通过在无源层218和上覆层219中形成的接触孔222接触图像元素电极220。在此情况下，由于主配线213和中间电极221分别形成有低电阻金属层，该低电阻金属层是与栅电极212(212G)和漏极配线217相同的层，所以来自背光源的光被遮挡，因而孔径比减小(例如，参见日本未经审查的专利申请公报No.H04-217230)。当没有使用中间电极221时，蓄电电容器直接形成在图像元素电极220和栅电极212(212G)之间。在此情况下，如前所述，作为低电阻金属层的主配线212也使孔径比减小。
此外，作为用于提高视角特性的方法，有另一种称为“电容耦合半色调灰阶方法”(以下称为“半色调法”)。
在现有技术的多域竖直对准(Multidomain Vertical Alignment)型或者扭转向列(Twisted Nematic)型液晶显示装置中，出现了这样一种现象：从倾斜方向观察时显示屏幕变成淡白。当略高于阈值电压的电压施加到图像元素电极220时，从倾斜方向观察，显示屏幕的透射性变得高于从正面观察时显示屏幕的透射性。此外，当施加电压变成某种程度更高水平时，从倾斜方向观察的显示屏幕的透射性变得低于从正面观察时显示屏幕的透射性。因而，红色像素、绿色像素和蓝色像素之间的小的辉度差异造成前述显示屏幕变成淡白的现象。
在半色调方法中，作为该现象的对策，像素被分成多个彼此电容耦合的子像素。由于基于每个子像素的电容比率来分割电势，所以彼此不同的电压可以分别施加到多个子像素。因而，结果，一个像素呈现为具有透射性-电压特性(T-V特性)的阈值电压不同的多个区域。以此方式，当一个像素中具有T-V特性的阈值电压不同的多个区域时，这些区域中的平均T-V特性抑制了从倾斜方向观察显示屏幕的透射性变得高于从正面看去时显示屏幕的透射性的现象。结果，也抑制了从倾斜方向观察时显示屏幕变淡白这样的现象。
参照图15、图16A和图16B描述半色调方法的构造示例，其中图15示出了平面布局图，图16A示出了沿着图15中的XVIA-XVIA所取的截面图，图16B示出了沿着图15中的XVIB-XVIB所取的截面图。
如图15、16A和16B所示，结构概略与使用图13进行说明的结构轮廓相同。例如，用于蓄电电容器元件(CS)的主配线213和还用作薄膜晶体管的栅电极的扫描线212由相同的金属材料层同时形成。栅极绝缘层214形成在栅电极212(212G)和用于蓄电电容器元件(CS)的主配线213上。栅极绝缘层213由氮化硅层形成。然后，有源元件215、源极配线216和漏极配线217形成在TFT部分中，并且对于TFT部分，形成无源层218和图像元素电极220。源极配线216和漏极配线217例如由诸如铝或铝合金之类的低电阻金属材料形成。无源层218由例如氮化硅层形成，上覆层219由例如丙烯酸树脂形成，并且图像元素电极220由透明电极形成。图像元素电极220分成图像元素电极220A和图像元素电极220B。图像元素电极220B以与使用图13所进行的说明相同的结构连接到漏极配线217。另一方面，图像元素电极220A电容耦合到漏极配线217。对于电容耦合，控制电极223形成在漏极配线217的中间，并且布置一定尺寸的区域用于确定每个选择的图像元素的电压值。以与之前描述的相同方式，由相同材料的低电阻金属层同时形成的漏极配线217和控制电极223具有遮光效果，并使孔径比减小。
发明内容
期望地确保提供蓄电电容和较高的孔径比。
通过使用透明电极和金属电极的层结构，本发明实施例使得孔径比变高，同时确保提供蓄电电容。
根据本发明的实施例，提供了一种液晶显示装置，包括
多个扫描线，其沿第一方向布置在基板上，并还用作栅电极；
蓄电电容器主配线，其沿与所述第一方向平行的方向布置在所述基板上的所述多个扫描线之间；
多个源极配线，其沿与所述第一方向交叉的第二方向布置；
薄膜晶体管，其包括所述栅电极；
图像元素电极，其布置在所述多个源极配线之间和所述多个扫描线之间；
蓄电电容器，其通过使用所述蓄电电容器主配线、位于所述蓄电电容器主配线上的绝缘层和位于所述绝缘层上的中间电极来形成；以及
漏极配线，其连接到所述中间电极和所述薄膜晶体管的漏电极；
其中，所述蓄电电容器主配线包括第一透明电极和形成在所述第一透明电极上的第一金属配线，所述第一金属配线相比所述第一透明电极具有更小的宽度和更小的电阻，
所述漏极配线包括第二透明电极和第二金属配线，所述第二金属配线相比所述第二透明电极具有更小的宽度和更小的电阻，并且
通过使所述第二透明电极延长来形成所述中间电极。
在根据本发明实施例的液晶显示装置中，蓄电电容器主配线包括第一透明电极和第一金属配线，第一金属配线的宽度和电阻小于第一透明电极的宽度和电阻。因而，第一透明电极的未被第一金属配线覆盖的部分能够使得图像元素的孔径比变高。此外，确保第一透明电极的面积保持了蓄电电容器的电容值以避免其减小，其中通过使用蓄电电容器主配线和中间电极形成蓄电电容器。此外，由于第一金属配线形成在第一透明电极上，配线电阻的增大受到抑制。
根据本发明实施例，提供了一种液晶显示装置，其能使孔径比变高，同时确保提供蓄电电容，结果使辉度和对比度变高。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明第一实施例的液晶显示装置的第一构造示例的平面布局图；
图2是沿着图1中的II-II所取的截面图；
图3是图示根据本发明第一实施例的液晶显示装置的第一构造示例的等效电路图；
图4是示意性地示出根据本发明第二实施例的液晶显示装置的第二构造示例的平面布局图；
图5A和图5B分别示出了沿着图4中的VA-VA所取的截面图和沿着图4中的VB-VB所取的截面图；
图6是图示根据本发明第二实施例的液晶显示装置的第二构造示例的等效电路图；
图7A至图7F是示意性地示出半色调光刻曝光处理的制造处理图；
图8是示意性地示出应用液晶显示装置的电视装置的示意性立体图；
图9A和图9B是示意性示出应用液晶显示装置的数字相机的示意性立体图；
图10是示意性地示出应用液晶显示装置的膝上型计算机的示意性立体图；
图11是示意性地示出应用液晶显示装置的摄像机的示意性立体图；
图12A至图12G是示意性地示出应用液晶显示装置的移动终端装置的图；
图13是示意性示出相关液晶显示装置的构造示例的平面布局图；
图14示出了沿着图13中的XIV-XIV所取的截面图；
图15是示意性地示出相关技术(半色调方法)的液晶显示装置的构造示例的平面布局图；并且
图16A和图16B分别示出了沿着图15中的XVIA-XVIA所取的截面图和沿着图15中的XVIB-XVIB所取的截面图。
具体实施方式
以下将描述本发明的优选实施例。
第一实施例
液晶显示装置的第一构造示例
将参照图1和图2描述根据本发明第一实施例的液晶显示装置的第一构造示例，图1示出了平面布局图，图2示出了沿着图1中的II-II所取的截面图。然后，图3图示了等效电路图。例如，有源矩阵类型液晶显示装置在图1、图2和图3中示出。
如图1和2所述，还用作栅电极21的多个扫描线12沿第一方向布置在基板11上。例如，基板11的示例包括玻璃基板和树脂基板。此外，在基板11上，蓄电电容器主配线13沿着与第一方向平行的方向布置在多个扫描线12之间。以下，蓄电电容器主配线13将简称为“主配线13”。
在基板11上，形成包括栅电极21的扫描线12和覆盖主配线13的栅极绝缘层22。在栅电极21上的栅极绝缘层22上，形成包括半导体层的有源元件23。有源元件23的中央区域用作通道区域，并且有源元件23的两侧分别用作源极区域23S和漏极区域23D。在源极区域23S上，形成包括源极电极14E的源极配线14。然后，在漏极区域23D上，形成包括漏极电极15D的漏极配线15。如上所述，形成包括栅电极21的薄膜晶体管20。
多个源极配线14布置在与第一方向交叉的第二方向上。
此外，通过使用主配线13、作为在主配线13上的绝缘层的栅极绝缘层22和在栅极绝缘层22上形成的中间电极31，来形成蓄电电容器30。例如，通过使漏极配线15的一部分延长来形成中间电极31。
在栅极绝缘层22上，层叠形成无源层41和上覆层42以覆盖有源元件23、源极配线14、漏极配线15和中间电极31。无源层41由例如氮化硅层形成，并且上覆层42由例如丙烯酸树脂形成。
在上覆层42和无源层41中，形成到达中间电极31的接触孔43。此外，连接到中间电极31的图像元素电极17形成在上覆层42上。
主配线13包括第一透明电极51、呈岛状并具有用于形成蓄电电容器的尺寸区域的第一透明电极51和沿第一方向布置在第一透明电极51上的第一金属配线52，第一金属配线52的宽度比第一透明电极51小，第一金属配线52的电阻小于第一透明电极51的电阻。例如，氧化铟锡(ITO)、氧化锌、铝掺杂氧化锌、或氧化铟锌用于第一透明电极51。此外，例如，第一金属配线52由铝或者诸如铝钼合金或铝钛合金之类的铝合金形成。关于第一透明电极51和第一金属配线52之间的关系，如上所述可以在第一透明电极51上形成第一金属配线52，或者相反，可以在第一金属配线52上形成第一透明电极51。从生产率的观点看，期望在第一透明电极51上形成第一金属配线52，使得可以使用以下描述的半色调光刻曝光。由于以下描述的半色调光刻曝光防止了掩膜数量的增大，所以可以进一步提高生产率。
漏极配线15包括第二透明电极53和形成在第二透明电极53上的第二金属配线54，第二金属配线54的宽度小于第二透明电极53，第二金属配线54的电阻小于第二透明电极53。例如，氧化铟锡(ITO)、氧化锌、铝掺杂氧化锌、或氧化铟锌用于第二透明电极53。此外，例如，第二金属配线54由铝或者诸如铝钼合金或铝钛合金之类的铝合金形成。关于第二透明电极53和第二金属配线54之间的关系，如上所述可以在第二透明电极53上形成第二金属配线54，或者相反，可以在第二金属配线54上形成第二透明电极53。从生产率的观点看，期望在第二透明电极53上形成第二金属配线54，使得可以使用以下描述的半色调光刻曝光。由于以下描述的半色调光刻曝光防止了掩膜数量的增大，所以可以进一步增大生产率。
扫描线12包括由与用于第一透明电极51的层相同的层形成的第三透明电极55、以及形成在第三透明电极55上的第三金属配线56，第三金属配线56的宽度小于第三透明电极55，第三金属配线56的电阻小于第三透明电极55。第三金属配线56由与用于第一金属配线52的层相同的层形成。
然后，通过使包括在漏极配线15中的第二透明电极53延长来形成中间电极31，并且中间电极31包括岛状图案，该图案具有用于形成蓄电电容器的尺寸面积。因而，中间电极31包括第二透明电极53。通过使用半色调光刻曝光，同时形成中间电极31和漏极配线15。
因而，基于包括在中间电极31和在主配线13中所包括的第一透明电极51之间的面对图案的面积来确定蓄电电容器的电容值。
此外，可以通过使用扫描线12、图像元素电极17、在扫描线12、和在图像元素电极17之间形成的诸如栅极绝缘层22、无源层41或者上覆层42之类的绝缘层来形成蓄电电容器。
然后，图3示出了液晶显示装置1的等效电路。在等效电路中，“Gate”是扫描线12，“CS”是主配线13，并且“Data”是源极配线14。于是，“CS-A”和“CS-B”分别是分割图像元素A和分割图像元素B的蓄电电容器30，并且“CLC-A”和“CLC-B”分别是分割图像元素A和B的液晶电容器。此外，“TFT”是薄膜晶体管20。
在液晶显示装置1中，主配线13包括第一透明电极51以及宽度和电阻小于第一透明电极51的第一金属配线52。因而，第一透明电极51的未被第一金属配线52覆盖的部分能够使图像元素的孔径比变高。然后，漏极配线15包括第二透明电极53以及宽度和电阻小于第二透明电极53的第二金属配线54。因而，第二透明电极53的未被第二金属配线54覆盖的部分能够使图像元素的孔径比变高。因而，液晶显示装置1使辉度和对比度变高。此外，第一透明电极51的得到确保的面积能保持蓄电电容器30的电容值不降低，其中蓄电电容器30是通过使用主配线13和中间电极31来形成的。此外，由于第一金属配线52形成在第二透明电极51上，所以主配线13的配线电阻的增大受到抑制。然后，由于第二金属配线54形成在第二透明电极53上，所以漏极配线15的配线电阻的增大受到抑制。
第二实施例
液晶显示装置的第二构造示例
接着，将参照图4、图5A和图5B描述根据本发明第二实施例的液晶显示装置的第二构造示例，其中图4示出了平面布局图，图5A和图5B分别示出了沿着图4中的VA-VA所取的截面图和沿着图4中的VB-VB所取的截面图。然后，图6图示了等效电路图。例如，在图4、图5A、图5B和图6中，示出了有源矩阵型液晶显示装置。
如图4、图5A和图5B所示，还用作栅电极21的多个扫描线12沿第一方向布置在基板11上。例如，基板11包括玻璃基板或树脂基板。此外，在基板11上，蓄电电容器主配线13沿与第一方向平行的方向布置在多个扫描线12之间。以下，蓄电电容器主配线13将简称为“主配线13”。
在基板11上，形成包括栅电极21的扫描线和覆盖主配线13的栅极绝缘层22。在栅电极21上的栅极绝缘层22上，形成包括半导体层的有源元件23。有源元件23的中央区域用作通道区域，并且有源元件23的两侧分别用作源极区域23S和漏极区域23D。在源极区域23S上，形成包括源极电极14E的源极配线14。然后，在漏极区域23D上，形成包括漏极电极15D的漏极配线15。如上所述，形成包括栅电极21的薄膜晶体管20。
多个源极配线14沿与第一方向交叉的第二方向布置。
此外，通过使用主配线13、作为在主配线13上的绝缘层的栅极绝缘层22、和在栅极绝缘层22上形成的中间电极31来形成蓄电电容器30。例如，通过使漏极配线15的一部分延长来形成中间电极31。
在栅极绝缘层22上，形成无源层41以覆盖有源元件23、源极配线14、漏极配线15和中间电极31。无源层41由例如氮化硅层形成。
在无源层41中，形成到达中间电极31的接触孔43。此外，连接到中间电极31的图像元素电极17形成在无源层41上。图像元素电极17包括图像元素A的电极17A和图像元素B的电极17B，并且图像元素电极17通过电极17A和电极17B的组合而被布置在源极配线14之间和扫描线12之间。
主配线13包括第一透明电极51、呈岛状并具有用于形成蓄电电容器的尺寸面积的第一透明电极51、和沿第一方向布置在第一透明电极51上上的第一金属配线52，第一金属配线52的宽度比第一透明电极51小，第一金属配线52的电阻小于第一透明电极51的电阻。例如，氧化铟锡(ITO)、氧化锌、铝掺杂氧化锌、或者氧化铟锌用于第一透明电极51。此外，例如，第一金属配线52由铝或者诸如铝钼合金或铝钛合金之类的铝合金形成。关于第一透明电极51和第一金属配线52之间的关系，如上所述可以在第一透明电极51上形成第一金属配线52，或者相反，可以在第一金属配线52上形成第一透明电极51。从生产率的观点看，期望在第一透明电极51上形成第一金属配线52，使得可以使用以下描述的半色调光刻曝光。由于以下描述的半色调光刻曝光防止了掩膜数量的增大，所以可以进一步提高生产率。
漏极配线15包括第二透明电极53和形成在第二透明电极53上的第二金属配线54，第二金属配线54的宽度小于第二透明电极53，第二金属配线54的电阻小于第二透明电极53。例如，氧化铟锡(ITO)、氧化锌、铝掺杂氧化锌、或氧化铟锌用于第二透明电极53。此外，例如，第二金属配线54由铝或者诸如铝钼合金或铝钛合金之类的铝合金形成。关于第二透明电极53和第二金属配线54之间的关系，如上所述可以在第二透明电极53上形成第二金属配线54，或者相反，可以在第二金属配线54上形成第二透明电极53。从生产率的观点看，期望在第二透明电极53上形成第二金属配线54，使得可以使用以下描述的半色调光刻曝光。由于以下描述的半色调光刻曝光防止了掩膜数量的增大，所以可以进一步提高生产率。
在漏极配线15的中途接续地形成控制电极18。例如，通过使包括在漏极配线15中的第二透明电极53突伸来形成控制电极18。因而，控制电极18由第二透明电极53形成。因而，通过使用漏极配线15和控制电极18、图像元素电极17、以及在漏极配线15和控制电极18与图像元素电极17之间形成的诸如无源层41之类的绝缘层，来形成耦合电容器。
扫描线12由第三金属配线56形成。第三金属配线56由与用于第一金属配线52的层相同的层形成。此外，未示出的，当扫描线12与主配线13同时形成时，扫描线12包括由与用于第一透明电极51的层相同层形成的第三透明电极、以及形成在第三透明电极上的第三金属配线56，第三金属配线56的宽度小于第三透明电极，第三金属配线56的电阻小于第三透明电极。
然后，通过使包括在漏极配线15中的第二透明电极53延长来形成中间电极31，并且中间电极31包括岛状图案，该图案具有用于形成蓄电电容器的尺寸面积。因而，中间电极31包括第二透明电极53。通过使用半色调光刻曝光，同时形成中间电极31和漏极配线15。
因而，基于包括在主配线13中的第一透明电极51与中间电极31之间的面对图案的面积，来确定蓄电电容器30的电容值。
此外，可以通过使用扫描线12、图像元素电极17、在扫描线12与图像元素电极17之间形成的诸如栅极绝缘层22或无源层41之类的绝缘层，来形成蓄电电容器。以此方式，可以通过使用主配线13、图像元素电极17、在主配线13与图像元素电极17之间形成的诸如栅极绝缘层22或无源层41之类的绝缘层，来形成蓄电电容器。
然后，图6示出了液晶显示装置2的等效电路。在等效电路中，“Gate”是扫描线12，“CS”是主配线13，并且“Data”是源极配线14。于是，“CS-A”和“CS-B”分别是分割图像元素A和分割图像元素B的蓄电电容器30，并且“CLC-A”和“CLC-B”分别是分割图像元素A和B的液晶电容器。此外，“CC”是耦合电容器。然后，“TFT”是薄膜晶体管20。
在液晶显示装置2中，主配线13包括第一透明电极51以及宽度和电阻小于第一透明电极51的第一金属配线52。因而，第一透明电极51的未被第一金属配线52覆盖的部分使图像元素的孔径比变高。然后，漏极配线15包括第二透明电极53以及宽度和电阻小于第二透明电极53的第二金属配线54。因而，第二透明电极53的未被第二金属配线54覆盖的部分使图像元素的孔径比变高。此外，在电容耦合方法中，在附加设置控制电极18(其使得孔径比劣化)的同时，包括在控制电极18中的第二透明电极53具有增大图像元素的孔径比的效果。因而，液晶显示装置2使辉度和对比度变高。此外，第一透明电极51的得到确保的面积能保持蓄电电容器30的电容值不降低，通过使用主配线13和中间电极31形成蓄电电容器30。此外，由于第一金属配线52形成在第二透明电极51上，所以主配线13的配线电阻的增大受到抑制。然后，第二透明电极53的得到确保的面积能保持耦合电容器的电容值不降低。此外，由于第二金属配线54形成在第二透明电极53上，所以漏极配线15的配线电阻的增大受到抑制。
半色调光刻曝光处理
接着，将参照图7A至图7F所示的制造处理图，来描述半色调光刻曝光处理。图7A至图7F示出了形成包括栅电极22的扫描线12、以及主配线13的示例。此外，半色调光刻曝光处理可以应用于漏极配线15和中间电极31的形成处理以及漏极配线15和控制电极18的形成处理。
如图7A所示，执行透明导电层和金属层的层形成处理。在处理中，透明导电层61和金属层62顺次层叠形成在基板11上。例如，基板11包括玻璃基板或者树脂基板。例如，氧化铟锡(ITO)、氧化锌、铝掺杂氧化锌、或氧化铟锌用于透明导电层61。此外，例如，金属层62由铝或者诸如铝钼合金或铝钛合金之类的铝合金形成。
接着，如图7B所示，执行光刻(半色调光刻曝光)处理。在处理中，用于形成包括栅电极的扫描线的电阻图案71和用于形成主配线(蓄电电容器主配线)的电阻图案72形成在金属层62上。通过使用半色调掩膜，电阻图案72形成为台阶形状，使得金属层62被蚀刻，并且使得宽度小于透明导电层61的宽度。即，电阻图案72包括用于蚀刻透明导电层61的下电阻图案72A和用于蚀刻金属层62的上电阻图案72B，上电阻图案72B的宽度小于下电阻图案72A的宽度。
接着，如图7C所示，执行扫描线和主配线的蚀刻处理。在处理中，通过使用电阻图案71和72作为蚀刻掩膜，来蚀刻金属层62和透明导电层61，使得形成扫描线12和包括在主配线13中的第一透明电极51。此时，包括在主配线13中的金属层62形成为与第一透明电极51几乎相同的尺寸。此外，通常通过调节蚀刻条件，形成扫描线和主配线，使得截面表面可以具有图7C所示的锥形。
接着，如图7D所示，执行电阻图案的蚀刻处理。在处理中，例如，通过使用干蚀刻，在整个表面上减小电阻图案72的层厚度，使得与下电阻图案72A的电阻层厚度对应的一定厚度的层被剥离，仅仅留下上电阻图案72B的突起部分(参见图7C)。因而，电阻图案72B的宽度变得小于第一透明电极51的宽度。此外，在电阻图案的蚀刻处理中电阻图案72的层厚度被减小的同时，电阻图案71的层厚度被保留，以保持涂覆有电阻图案71的金属层62和透明导电层61不被蚀刻。
接着，如图7E所示，执行包括在主配线中的金属层的蚀刻处理。在处理中，通过使用电阻图案71和72作为蚀刻掩膜，包括在主配线部分中的金属层62被蚀刻，使得形成包括在主配线13中的第一金属配线52。
接着，如图7E所示，执行电阻剥离处理。在处理中，电阻图案71和72(参照图7E)被剥离。现在，用半色调光刻曝光形成扫描线12和主配线13的处理被完成。
由于利用半色调曝光进行配线形成处理，防止了掩膜数量的增大，可以进一步提高生产率。此外，半色调光刻曝光处理可以应用到漏极配线15和中间电极31的形成处理以及漏极配线15和控制电极18的形成处理。
根据本发明实施例的液晶显示装置的应用示例
根据本发明实施例的以上所述液晶显示装置1和2能应用到各种图8至图12G所示的各种电子装置。例如，电子装置的种类包括数字相机、膝上型计算机、诸如移动电话之类的移动终端装置、和摄像机。即，液晶显示装置1和2可以应用到包括用于将输入到电子装置中或者在电子装置中产生的视频信号显示为图像或者视频的所有类型的电子装置中的液晶显示装置。以下将描述液晶显示装置1和2所应用的电子装置的示例。
此外，液晶显示装置1和2的示例包括具有密封结构的模块型装置。例如，显示模块对应于模块型装置，显示模块通过贴在诸如透明玻璃的面对部分上而形成在图像元素阵列部分中。颜色过滤器、保护层或者遮光层可以形成在透明面对部分上。此外，用于将信号从外部输入到图像元素阵列部分或者将信号从图像元素阵列部分输出到外部的电路部分或者FPC(柔性印刷电路板)可以设置在显示模块中。
电视装置
首先，将参照图8中所示的示意立体图描述液晶显示装置1或2所应用的电视装置。如图8所示，液晶显示装置1或2应用的电视装置包括视频显示屏幕部分101，视频显示屏幕部分101包括前面板102和过滤玻璃103。此外，通过使用液晶显示装置1或2作为视频显示屏幕部分101来制造电视装置。
数字相机
接着，将参照图9A和图9B所示的示意性立体图来描述液晶显示装置1或2所应用的数字相机。图9A示出了从观看侧观察的示意性立体图，并且图9B示出了从相反侧观察的示意性立体图。如图9A和图9B所示，液晶显示装置1或2所应用的数字相机包括用于闪光的发光部分111、显示部分112、菜单开关113和快门按钮114。此外，通过使用液晶显示装置1或2作为显示部分112来制造数字相机。
膝上型计算机
接着，将参照图10所示的示意性立体图描述液晶显示装置1或2所应用的膝上型计算机。如图10所示，液晶显示装置1或2所应用的膝上型计算机在主单元121中包括操作以输入文字的键盘122和用于显示图像的显示部分123。通过使用液晶显示装置1或2作为显示部分123来制造膝上型计算机。
摄像机
接着，将参照图11所示的示意性立体图描述液晶显示装置1或2所应用的摄像机。如图11所示，液晶显示装置1或2所应用的摄像机包括主单元131、设置在前面上的摄像镜头132、用于摄像的起动/停止开关133、和显示部分134。通过使用液晶显示装置1或2作为显示部分134来制造摄像机。
移动终端装置
接着，将参照图12A至12G描述液晶显示装置1或2所应用的诸如移动电话机之类的移动终端装置。图12A示出了展开的移动终端装置，图12B示出了展开的移动终端装置的侧视图，图12C示出了折叠的移动终端装置的前视图，图12D示出了折叠的移动终端装置的左侧视图，图12E示出了折叠的移动终端装置的右侧视图，图12F示出了折叠的移动终端装置的俯视图，并且图12G示出了折叠的移动终端装置的仰视图。如图12A至12G所示，液晶显示装置1或2所应用的移动电话包括上机壳141、下机壳142、接合部分(在此情况下铰接部分)143、显示部144、子显示部145、图像发光部146、相机147。通过使用液晶显示装置1或2作为显示部144或子显示部145来制造移动电话。
本申请包含在日本在先专利申请JP2008-266251中公开的内容有关的主题，该日本专利申请于2008年10月15日向日本专利局递交，其全部内容通过引用而结合于此。
本领域的技术人员应该理解，只要在权利要求或者其等同技术方案的范围内，可以根据设计要求和其它因素进行各种修改、组合、子组合和替换。

Claims (6)

1.一种液晶显示装置，包括：
多个扫描线，其沿第一方向布置在基板上，并还用作栅电极；
蓄电电容器主配线，其沿与所述第一方向平行的方向布置在所述基板上的所述多个扫描线之间；
多个源极配线，其沿与所述第一方向交叉的第二方向布置；
薄膜晶体管，其包括所述栅电极；
图像元素电极，其布置在所述多个源极配线之间和所述多个扫描线之间；
蓄电电容器，其通过使用所述蓄电电容器主配线、位于所述蓄电电容器主配线上的绝缘层和位于所述绝缘层上的中间电极来形成；以及
漏极配线，其连接到所述中间电极和所述薄膜晶体管的漏电极；
其中，所述蓄电电容器主配线包括第一透明电极和形成在所述第一透明电极上的第一金属配线，所述第一金属配线相比所述第一透明电极具有更小的宽度和更小的电阻，
所述漏极配线包括第二透明电极和第二金属配线，所述第二金属配线相比所述第二透明电极具有更小的宽度和更小的电阻，并且
通过使所述第二透明电极延长来形成所述中间电极。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第二金属配线形成在所述第二透明电极上。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，
其中，所述多个扫描线包括第三透明电极和形成在所述第三透明电极上的第三金属配线，所述第三金属配线相比所述第三透明电极具有更小的宽度和更小的电阻，并且
通过使用所述扫描线、所述图像元素电极、以及形成在所述扫描线与所述图像元素电极之间的绝缘层，来形成像素内蓄电电容器。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，
其中，通过使用所述蓄电电容器主配线、所述图像元素电极、以及形成在所述蓄电电容器主配线与所述图像元素电极之间的绝缘层，来形成像素内蓄电电容器。
5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，还包括：
控制电极，其连接到所述漏极配线；
其中，通过使所述第二透明电极在所述第二透明电极的中途突起，来形成所述控制电极。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其中，通过使用所述漏极配线和所述控制电极、所述图像元素电极、以及形成在所述漏极配线和所述控制电极与所述图像元素电极之间的绝缘层，来形成耦合电容器。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120042029A (ko) * 2010-10-22 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2081018B (en) * 1980-07-31 1985-06-26 Suwa Seikosha Kk Active matrix assembly for display device
JPS57132191A (en) 1981-02-10 1982-08-16 Suwa Seikosha Kk Active matrix substrate
JPS6433833A (en) 1987-07-29 1989-02-03 Canon Kk Electron emitting element
JPH04217230A (ja) 1990-12-19 1992-08-07 Nec Corp 液晶表示素子およびその製造方法
JP2633992B2 (ja) 1991-01-30 1997-07-23 株式会社オーイズミ 板状物送出入装置
JPH05323378A (ja) * 1992-05-27 1993-12-07 Toshiba Corp 液晶表示装置用アレイ基板
KR970011972A (ko) * 1995-08-11 1997-03-29 쯔지 하루오 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP3272212B2 (ja) * 1995-09-29 2002-04-08 シャープ株式会社 透過型液晶表示装置およびその製造方法
JPH1020331A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Sharp Corp 液晶表示装置
JP3340353B2 (ja) * 1996-08-20 2002-11-05 松下電器産業株式会社 液晶画像表示装置の製造方法と液晶画像表示装置
JPH1096949A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Toshiba Electron Eng Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPH11352525A (ja) * 1998-05-27 1999-12-24 Center For Liquid Crystal Res 液晶表示装置
JP2000101091A (ja) * 1998-09-28 2000-04-07 Sharp Corp 薄膜トランジスタ
TW452860B (en) * 1998-12-14 2001-09-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Wiring, thin-film transistor substrate with the wiring, method of manufacture thereof, and liquid crystal display device
JP3844913B2 (ja) * 1999-06-28 2006-11-15 アルプス電気株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置
US20010019390A1 (en) * 1999-12-20 2001-09-06 Nobuyuki Itoh Liquid crystal display apparatus
JP2001194676A (ja) * 2000-01-07 2001-07-19 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR20020002089A (ko) * 2000-06-29 2002-01-09 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 고개구율 액정 표시 소자의 제조방법
US7586121B2 (en) * 2004-12-07 2009-09-08 Au Optronics Corp. Electroluminescence device having stacked capacitors
KR20060079040A (ko) * 2004-12-31 2006-07-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법
JP2006195098A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd マトリクスアレイ基板、その製造方法、及び平面表示装置
JP2007248667A (ja) 2006-03-15 2007-09-27 Sony Corp 液晶表示装置
KR101264789B1 (ko) * 2006-06-30 2013-05-15 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
CN100520550C (zh) * 2007-12-17 2009-07-29 友达光电股份有限公司 半穿透式液晶显示面板及其像素结构

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