JP2010093674A - 圧電デバイス及び圧電基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】貫通孔に埋設される導電接合材（封止材）が加熱されることによって生じる応力
の影響を減少させ、振動特性の安定した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電振動部１１と、圧電振動部１１の周囲を囲む枠部１２と、圧電振動部１
１と枠部１２とを接続する接続部１５ａ，１５ｂと、圧電振動部１１の主面に設けられた
励振電極１３，１４と、枠部１２の主面に設けられた可撓性を有する樹脂突起部１９ａ，
１９ｂと、樹脂突起部１９ａ，１９ｂの表面を含み励振電極１３，１４と電気的に接続さ
れた接続電極２３ａ，３３ｂと、を有する中間基板１０と、樹脂突起部１９ａ，１９ｂに
対向して形成された貫通孔５２ａ，５２ｂを有し、中間基板１０と接合されるベース基板
としての下側基板３０と、貫通孔５２ａ，５２ｂを封止するとともに樹脂突起部１９ａ，
１９ｂ表面の接続電極２３ａ，３３ｂと接続された封止部５３ａ，５３ｂと、を有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、圧電デバイス及びその圧電デバイスに用いる圧電基板の製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化に伴い、水晶振動子等の圧電デバイスは、より一層の小型化が
要求されている。素子の小型化を実現するための技術として、たとえば水晶振動子を有す
る水晶基板を、上下方向から同様の形状の基板で挟んで３層の基板を互いに接合する技術
が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

このような技術では、水晶基板を挟む一方の基板に貫通孔を設け、その貫通孔に埋設さ
れる導電接合材によって水晶基板に形成された電極と基板外部との接続が取られている（
例えば、特許文献２参照）。

特開２００６−９４３７２号公報 特開２０００−２６９７７５号公報

上述した技術では、貫通孔に埋設される導電接合材は、加熱されることによって硬化さ
れる。しかしながら、水晶基板と導電接合材とが撓みの殆んど生じない電極を介して接合
されているため、この加熱による導電接合材と水晶基板との熱膨張の違いから生じる応力
により、水晶の振動特性に影響を受ける恐れがあった。この応力の影響には、例えば、共
振周波数のシフトなどの振動特性の劣化、電極と導電接合材との接合強度の低下などがあ
る。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するように、以下の形態または適用例と
して実現される。

［適用例１］本適用例の圧電デバイスは、圧電振動部と、前記圧電振動部の周囲を囲む
枠部と、前記圧電振動部と前記枠部とを接続する接続部と、を有する圧電基板と、前記圧
電振動部の主面に設けられた励振電極と、前記枠部の主面に設けられた可撓性を有する樹
脂突起部と、前記樹脂突起部の表面に形成され、前記励振電極と電気的に接続された接続
電極と、前記樹脂突起部に対向して形成された貫通孔を有し、前記圧電基板と接合される
ベース基板と、前記貫通孔を封止するとともに前記樹脂突起部の前記表面に形成された前
記接続電極に接続された封止部と、を有することを特徴する。

本適用例によれば、可撓性を有する樹脂突起部の表面に設けられた接続電極を介して圧
電基板と封止部とが接続されている。これにより、封止部を形成する際の加熱によって応
力が生じても、樹脂突起部の可撓性により応力が吸収され、圧電基板の特性劣化、或いは
接続電極と封止部との接合強度の低下などの影響を防止することができる。

［適用例２］上記適用例に記載の圧電デバイスであって、前記樹脂突起部は、該樹脂突
起部に形成された前記接続電極を含み前記貫通孔の内に収まる大きさであることを特徴す
る。

本適用例によれば、樹脂突起部に形成された接続電極が貫通孔の中に入り込むため、貫
通孔内で封止部との接合が可能となる。これにより、封止部の位置が貫通孔の内側にばら
ついても確実に接合することが可能となり、接合の信頼性を向上させることが可能となる
。

［適用例３］本適用例の圧電基板の製造方法は、圧電振動部と、前記圧電振動部の周囲
を囲むように設けられた枠部と、前記圧電振動部と前記枠部とを接続する接続部とを有す
る圧電基板の製造方法であって、前記圧電基板の表面に可撓性を有する樹脂層を形成する
工程と、前記樹脂層をフォトリソ加工することによって所定の形状の樹脂突起部を形成す
る工程と、前記樹脂突起部を焼成する工程と、前記樹脂突起部の表面を含む前記圧電基板
の表面に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。

本適用例によれば、圧電基板の表面に形成された可撓性を有する樹脂層をフォトリソ加
工することによって、樹脂突起部を形成する。これにより、樹脂突起部は位置精度良く形
成することが可能となり、樹脂突起部の集積度を高めることができる。従って、圧電基板
をより小型化することが可能となる。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下で参照する図は
、図示の便宜上、部材あるいは縦横の縮尺については実際のものとは異なる模式図である
。

１．圧電デバイス。
図１（Ａ）、図１（Ｂ）及び図２は、本実施の形態に係る圧電デバイスに用いられる圧
電基板としての中間基板を示しており、図１（Ａ）は上面図、図１（Ｂ）は下面図、図２
は図１（Ｂ）のＰ−Ｐ´断面図である。図３は、本実施の形態に係る圧電デバイスを示す
断面図である。

図３に示すように、本実施の形態に係る圧電デバイス１００は、ベース基板としての下
側基板３０および上側基板２０と、それらに挟まれている圧電基板としての中間基板１０
とを含む。下側基板３０および上側基板２０は、中間基板１０を挟むことにより、中間基
板１０に設けられている圧電振動部１１を気密に封止することができる。

１．１．中間基板。
中間基板１０は、圧電振動部１１と、圧電振動部１１の周囲を取り囲む枠部１２と、圧
電振動部１１と枠部１２とを接続する接続部１５ａ，１５ｂと、圧電振動部１１の上面１
１ａに設けられた励振電極としての第１の励振電極１３と、圧電振動部１１の下面１１ｂ
に設けられた励振電極としての第２の励振電極１４と、第１の励振電極１３と電気的に接
続されている第１の配線２３と、第２の励振電極１４と電気的に接続されている第２の配
線３３と、を有する。

なお、本実施形態の説明における上面１１ａ及び下面１１ｂは、説明の便宜上、図面の
上側にある主面を上面１１ａとし、図面の下側にある主面を下面１１ｂとしているが、上
下の位置関係を示すものではなく、例えば、中間基板１０が表裏逆転して上面１１ａが下
側になっても構わない。

中間基板１０は、接続部１５ａ，１５ｂ以外の領域が接触しないように、例えばＣ字型
のスリット１６ａを有する。中間基板１０において、スリット１６ａの内側の領域が圧電
振動部１１として機能し、スリット１６ａの外側の領域が上側基板２０および下側基板３
０と接合するための枠部１２として機能する。また、２箇所に設けられた接続部１５ａ，
１５ｂの間にスリット１６ｂを有する。このように、圧電振動部１１は、Ｚ’軸に平行な
２つの端部のうち一方のみが支持されている。

中間基板１０は、圧電振動部１１、接続部１５ａ，１５ｂ、及び枠部１２が同じ厚さで
形成されている。なお、接続部１５ａ，１５ｂは、圧電振動部１１から枠部１２にかけて
上下面において傾斜して徐々に厚くなっていてもよい。また、枠部１２が、圧電振動部１
１、接続部１５ａ，１５ｂより厚くなっていてもよい。

圧電振動部１１は、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料からな
る。圧電振動部１１、接続部１５ａ，１５ｂ、および枠部１２は、水晶基板からなること
が好ましく、例えば基板面がＸ軸に平行でＸ軸の回りに回転切断して作製されるＡＴカッ
トの水晶基板である。

中間基板１０の下面には、可撓性を有する２つの樹脂突起部１９ａ，１９ｂが設けられ
ている。樹脂突起部１９ａ，１９ｂは、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などが用
いられて形成される。

図１（Ｂ）に示すように、樹脂突起部１９ａは、接続部１５ｂと枠部１２とが交わる付
近の枠部１２の下面に設けられており、樹脂突起部１９ｂは、樹脂突起部１９ａと圧電振
動部１１を挟んで略反対側の枠部１２の下面１１ｂに設けられている。そして、樹脂突起
部１９ａ，１９ｂの表面には、後述する接続電極２３ａ，３３ｂが設けられている。なお
、樹脂突起部１９ａ，１９ｂの設けられている位置は、前述の位置に限らず枠部１２の内
であればいずれの位置であってもよい。

第１の励振電極１３は、中間基板１０の上面に圧電振動部１１と接触するように設けら
れ、第２の励振電極１４は、中間基板１０の下面に圧電振動部１１と接触するように設け
られている。第１の励振電極１３は、接続部１５ａ上に設けられた第１の配線２３から引
き出されて、圧電振動部１１上に延出している。また、第１の配線２３は、スリット１６
ａの側面を介し枠部１２の下面に引き出され、接続電極２３ａに延出されている。

第２の励振電極１４は、接続部１５ｂの下面に設けられた第２の配線３３から引き出さ
れて、圧電振動部１１の下面に延出している。また、第２の配線３３は、第２の励振電極
１４の延出方向と反対方向に引き出されて接続電極３３ｂに延出されている。

第１の励振電極１３、第２の励振電極１４、第１の配線２３、および第２の配線３３の
材質としては、たとえば下地としてＣｒ膜を用い、その上にＡｕ膜を有する多層構造であ
る。

１．２．全体の構成。
図３は、本実施の形態に係る圧電デバイスの断面図である。圧電デバイス１００を構成
する上側基板２０および下側基板３０の材質は、絶縁性の材質であれば特に限定されない
が、材質の熱膨張差を考慮すると中間基板と同一の材質であることが好ましく、例えば、
水晶からなる。

下側基板３０は、中間基板１０に対向する面（表面）の中央部に、下側基板３０の外周
に沿った領域が枠状の凸部となるように凹部５１が形成されている。この凹部５１が形成
されることにより、下側基板３０と中間基板１０の圧電振動部１１、接続部１５ａ，１５
ｂなどの振動領域との接触を防止することができる。

下側基板３０には、中間基板１０の樹脂突起部１９ａ，１９ｂに対向する位置に貫通孔
５２ａ，５２ｂが形成されている。貫通孔５２ａ，５２ｂは、凹部５１の底面（中間基板
１０に対向する面）から下側基板３０の裏面に向かい順次大きくなるよう（テーパー状）
に形成されている。

また、貫通孔５２ａ，５２ｂの凹部５１の底面側の大きさは、接続電極２３ａ，３３ｂ
を含む樹脂突起部１９ａ，１９ｂのより大きく形成されていることが望ましい。換言すれ
ば、接続電極２３ａ，３３ｂを含む樹脂突起部１９ａ，１９ｂが、貫通孔５２ａ，５２ｂ
に収まる大きさである。このようにすることで、接続電極２３ａ，３３ｂが貫通孔５２ａ
，５２ｂの中に入り込むため、貫通孔５２ａ，５２ｂ内で後述する封止部５３ａ，５３ｂ
との接合が可能となる。これにより、封止部５３ａ，５３ｂの位置が貫通孔５２ａ，５２
ｂの中で深さ方向にばらついても確実に接合することが可能となり、接合の信頼性を向上
させることが可能となる。なお、貫通孔は、２つの貫通孔５２ａ，５２ｂが設けられた例
で説明したが貫通孔の数を限定するものではなく、幾つであってもよい。

下側基板３０の裏面には、貫通孔５２ａの周辺に第１の外部端子３２が形成され、貫通
孔５２ｂの周辺に第２の外部端子３４が形成されている。そして、第１の外部端子３２は
貫通孔５２ａの内面に形成された内面電極５８ａと接続されており、第２の外部端子３４
は、貫通孔５２ｂの内面に形成された内面電極５８ｂと接続されている。

第１の外部端子３２、第２の外部端子３４、および内面電極５８ａ，５８ｂは、導電性
材料によって形成され、例えば下地としてＣｒ膜を用い、その上にＡｕ膜を有する多層構
造である。

第１の外部端子３２および第２の外部端子３４は、圧電デバイス１００を外部の機器と
電気的に接続するために用いられる。第１の外部端子３２および第２の外部端子３４は、
互いに離れた位置に設けられ、具体的には下側基板３０の長手方向に対向する端部にそれ
ぞれ設けられる。

上側基板２０は、中間基板１０に対向する面の中央部に、該上側基板２０の外周に沿っ
た領域が枠状の凸部となるように凹部５５が形成されている。この凹部５５が形成される
ことにより、上側基板２０と中間基板１０の圧電振動部１１、接続部１５ａ，１５ｂなど
の振動領域との接触を防止することができる。

圧電デバイス１００は、下側基板３０と上側基板２０との間に中間基板１０を挟み接合
されている。接合は、中間基板１０の枠部１２の上面と、その面に対向する上側基板２０
の凸面との間、および中間基板１０の枠部１２の下面と、その面に対向する下側基板３０
の凸面との間で行われる。接合方法には、例えば、プラズマ接合などを用いる。プラズマ
接合については、後述する圧電デバイスの製造方法において詳細を説明する。

貫通孔５２ａ，５２ｂは、封止部５３ａ，５３ｂによって封止されている。この封止部
５３ａ，５３ｂによって、下側基板３０と上側基板２０との間に挟まれ、それぞれの凹部
５１，５５によって形成された空間は、外気と遮断された密閉（気密）空間となる。封止
部５３ａ，５３ｂは、例えば、半田（Ｓｎ−Ｐｂ）、金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）な
どの金属が用いられて形成されている。なお、封止方法についての詳細は、後述する圧電
デバイスの製造方法において説明する。

そして、封止部５３ａ，５３ｂは、貫通孔５２ａ，５２ｂを封止するとともに、中間基
板１０の樹脂突起部１９ａ，１９ｂの表面に形成されている接続電極２３ａ，３３ｂ、お
よび貫通孔５２ａ，５２ｂの内面電極５８ａ，５８ｂと接続されている。

２．圧電デバイスの製造方法。
次に本実施の形態に係る圧電デバイス１００の製造方法について、図４、図５、および
図６を参照しながら説明する。図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、中間基板の製造方法の内、樹
脂突起部１９ａ，１９ｂおよび接続電極２３ａ，３３ｂなどの電極の形成方法を示す工程
図である。図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、圧電デバイス１００の製造方法を示す工程フロー
図である。図６は、圧電デバイス１００の製造方法を示す斜視図である。

先ず、上側水晶板１２０（上側基板）、中間水晶板１１０（中間基板）、および下側水
晶板１３０（下側基板）を準備する（図６参照）。上側水晶板１２０、中間水晶板１１０
、および下側水晶板１３０は、それぞれ複数の上側基板２０、中間基板１０、および下側
基板３０が縦及び横方向に連続して配置された基板である。

２．１．中間水晶板１１０の製造方法。
先ず、大型の水晶板を準備し、図１に示すスリット１６ａ，１６ｂを形成して、圧電振
動部１１および枠部１２を設ける。この工程は、たとえばフォトリソグラフィ技術を利用
したウェットエッチングにより設けられる。
このとき、少なくとも枠部１２の上側基板２０及び下側基板３０との接合面である表裏
面（上面、下面）は、鏡面研磨加工する。鏡面研磨加工は、各接合面の表面粗さが好まし
くは１ｎｍ以下となるように行う。

次に、樹脂突起部１９ａ，１９ｂおよび接続電極２３ａ，３３ｂなどの電極を形成する
。この形成方法を図４に沿って説明する。

図４（Ａ）に示すように、水晶板の下面１１ｂ側の面に、例えばエポキシ、ポリイミド
などの可撓性を有する樹脂層９を形成する。

次に、図４（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて樹脂層９の一部（不
要部分）を除去して、樹脂突起１９を形成する。

次に、樹脂突起１９を硬化（例えば熱硬化）させることによって、図４（Ｃ）に示すよ
うに、樹脂突起部１９ａ，１９ｂを形成する。

なお、本実施の形態では、樹脂突起１９を溶融させた後に硬化させることによって、樹
脂突起部１９ａ，１９ｂを形成してもよい。このとき、樹脂突起１９溶融条件や、硬化条
件を調整することによって、樹脂突起部１９ａ，１９ｂの形状（上面の形状）を制御する
ことができる。例えば、樹脂突起１９を、表面のみが溶融し、中心が溶融しないように（
半溶融状態まで）加熱し、その後硬化させることによって、上面が凸曲面（半球状）とな
るように、樹脂突起部１９ａ，１９ｂを形成することができる。このように、樹脂突起部
１９ａ，１９ｂの形状は、樹脂突起１９の形状や材料、硬化条件などを調整することで制
御することができる。

このように、フォトリソグラフィ技術を用いて樹脂突起部１９ａ，１９ｂを形成するこ
とにより、樹脂突起部１９ａ，１９ｂは位置精度良く形成することが可能となり、樹脂突
起部１９ａ，１９ｂの集積を高めることができる。これにより、中間基板１０をより小型
化することが可能となる。

次に、図４（Ｄ）に示すように、第１の励振電極１３、第２の励振電極１４、第１の配
線２３、第２の配線３３、および接続電極２３ａ，３３ｂを、例えば蒸着法やスパッタ法
、フォトリソグラフィ技術を利用したエッチングにより形成する。電極材料としては、例
えばクロム、金などの導電材料が用いられる。このとき、接続電極２３ａ，３３ｂは、樹
脂突起部１９ａ，１９ｂの表面にかかるように形成する。

次に、図示しないが、複数の圧電振動部１１のそれぞれの周波数を調整する。以上の工
程により中間基板１０が配列された中間水晶板１１０を形成することができる。

２．２．上側水晶板１２０の製造方法。
上述と並行して、複数の上側基板２０を縦及び横方向に連続して配置した大型の上側水
晶板１２０を準備する。

先ず、大型の水晶板を準備し、図３に示す凹部５５を形成する。
凹部５５は、該大型の水晶板の中間基板１０との対向面に、エッチングまたはサンドブ
ラスト加工などにより複数形成する。凹部５５は、上側基板２０の中央部に形成され、そ
の外周部が枠状の凸部となるように形成する。枠状の凸部の表面は中間基板との接合面で
あり、鏡面研磨加工を行う。鏡面研磨加工は、同様に各接合面の表面粗さが好ましくは１
ｎｍ以下となるように行う。

２．３．下側水晶板１３０の製造方法。
同様に、複数の下側基板３０を縦及び横方向に連続して配置した大型の下側水晶板１３
０を準備する。

先ず、大型の水晶板を準備し、図３に示す凹部５１を形成する。凹部５１は、該大型の
水晶板の中間基板１０との対向面に、エッチングまたはサンドブラスト加工などにより複
数形成する。凹部５１は、下側基板３０の中央部に形成され、その外周部が枠状の凸部と
なるように形成する。枠状の凸部の表面は中間基板との接合面であり、鏡面研磨加工を行
う。鏡面研磨加工は、同様に各接合面の表面粗さが好ましくは１ｎｍ以下となるように行
う。

また、下側基板３０には、図１に示す樹脂突起部１９ａ，１９ｂに対向する位置に貫通
孔５２ａ，５２ｂを形成する。貫通孔５２ａ，５２ｂは、サンドブラスト加工などにより
形成する。なお、凹部５１の加工と貫通孔５２ａ，５２ｂの加工との順序は問わない。

下側基板３０の下面には、導電材料をスパッタリングなどで成膜することにより、第１
の外部端子３２および第２の外部端子３４を所定の位置に形成する。
また、貫通孔５２ａ，５２ｂの内面に導電材料などの金属膜である内面電極５８ａ，５
８ｂを形成する。内面電極５８ａ，５８ｂは、導電材料をスパッタリングなどで成膜する
ことにより形成するが、第１の外部端子３２および第２の外部端子３４の形成と同時に行
うことも可能である。

２．４．圧電デバイス１００の製造方法。
前述のように準備された上側水晶板１２０、中間水晶板１１０、下側水晶板１３０の各
接合面をプラズマ処理により表面活性化する。プラズマ処理後、中間水晶板１１０の上下
面に上側水晶板１２０及び下側水晶板１３０を互いに重ね合わせる。

先ず、各水晶板１１０，１２０，１３０は、それらを位置合わせして各接合面を貼り合
わせることにより仮接合する。次に、この水晶ウエハ積層体２００を常温で上下から加圧
し、その後加熱処理を行うことにより、本接合する。本実施形態では３枚の水晶ウエハを
同時に接合したが、１枚ずつ接合することもできる。例えば、中間水晶板１１０の上面に
上側水晶板１２０を接合した後、その下面に下側水晶板１３０を接合する。

次に、内面に内面電極５８ａ，５８ｂが形成された貫通孔５２ａ，５２ｂを封止する。
この封止方法について図５に沿って説明する。

図５（Ａ）に示すように、本接合された上側水晶板１２０、中間水晶板１１０、下側水
晶板１３０を用意する。

次に、図５（Ｂ）に示すように、双方の貫通孔５２ａ，５２ｂに導電性材料として例え
ば半田、Ａｕ−Ｇｅ等の球体の金属ボール５６ａ，５６ｂを配置する。金属ボール５６ａ
，５６ｂの大きさは、少なくとも貫通孔５２ａ，５２ｂの上面（中間基板１０側の面）に
おける直径より大きい直径を有する。このように金属ボール５６ａ，５６ｂを貫通孔５２
ａ，５２ｂに嵌め込んだ後に、レーザー光５７を照射して、金属ボール５６ａ，５６ｂを
溶解する。

この溶解によって、図５（Ｃ）に示すように、貫通孔５２ａ，５２ｂを気密に塞ぐ封止
部５３ａ，５３ｂを形成するとともに、中間基板１０の樹脂突起部１９ａ，１９ｂ表面の
接続電極２３ａ，３３ｂと貫通孔５２ａ，５２ｂの内面電極５８ａ，５８ｂとを接続する
。内面電極５８ａ，５８ｂは、第１の外部端子３２および第２の外部端子３４と接続され
ているので中間基板１０の種々の電極と第１の外部端子３２および第２の外部端子３４と
が接続される。

なお、金属ボール５６ａ，５６ｂの溶解は、レーザー光の照射に限定されず、たとえば
高温炉を用いてもよい。

以上の工程により、図６に示すように、水晶板が３層積層され、複数の圧電振動部１１
を有する圧電水晶デバイス２００ａ（圧電デバイス）を得ることができる。

次に、図６に示す切断ラインＬ１およびＬ２に沿って、圧電水晶デバイス２００ａを切
断分離することにより、図３に示す圧電デバイス１００を得ることができる。

本実施の形態に係る圧電デバイス１００によれば、可撓性を有する樹脂突起部１９ａ，
１９ｂの表面に設けられた接続電極２３ａ，３３ｂを介して圧電基板としての中間基板１
０と封止部５３ａ，５３ｂとが接続されている。これにより、封止部５３ａ，５３ｂを形
成する際の加熱によって応力が生じても、樹脂突起部１９ａ，１９ｂの可撓性により応力
が吸収される。従って、この応力の影響によって生じる、中間基板１０に形成された圧電
振動部１１の振動特性劣化、或いは接続電極２３ａ，３３ｂと封止部５３ａ，５３ｂとの
接合強度の低下などを防止することができる。

本実施の形態に係る圧電基板としての中間基板を示し、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は下面図。 本実施の形態に係る圧電基板としての中間基板を示し、図１（Ｂ）のＰ−Ｐ´断面図。 本実施の形態に係る圧電デバイスを示す断面図。 （Ａ）〜（Ｄ）は、本実施の形態に係る樹脂突起部および電極の形成方法を示す工程フロー図。 （Ａ）〜（Ｃ）は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を示す工程フロー図。 本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を示す斜視図。

符号の説明

１０…圧電基板としての中間基板、１１…圧電振動部、１２…枠部、１３…励振電極と
しての第１の励振電極、１４…励振電極としての第２の励振電極、１５ａ，１５ｂ…接続
部、１６ａ，１６ｂ…スリット、１９…樹脂突起、１９ａ，１９ｂ…樹脂突起部、２０…
上側基板、２３…第１の配線、２３ａ，３３ｂ…接続電極、３０…ベース基板としての下
側基板、３２…第１の外部端子、３３…第２の配線、３４…第２の外部端子、５２ａ，５
２ｂ…貫通孔、５３ａ，５３ｂ…封止部、５６ａ，５６ｂ…金属ボール、５７…レーザー
光、５８ａ，５８ｂ…内面電極、１００…圧電デバイス、１１０…中間水晶板、１２０…
上側水晶板、１３０…下側水晶板、２００…水晶ウエハ積層体、２００ａ…圧電水晶デバ
イス、Ｌ１，Ｌ２…切断ライン。

Claims (3)

1. 圧電振動部と、前記圧電振動部の周囲を囲む枠部と、前記圧電振動部と前記枠部とを接
   続する接続部と、を有する圧電基板と、
   前記圧電振動部の主面に設けられた励振電極と、
   前記枠部の主面に設けられた可撓性を有する樹脂突起部と、
   前記樹脂突起部の表面に形成され、前記励振電極と電気的に接続された接続電極と、
   前記樹脂突起部に対向して形成された貫通孔を有し、前記圧電基板と接合されるベース
   基板と、
   前記貫通孔を封止するとともに前記樹脂突起部の前記表面に形成された前記接続電極に
   接続された封止部と、を有することを特徴する圧電デバイス。
2. 請求項１に記載の圧電デバイスにおいて、
   前記樹脂突起部は、該樹脂突起部に形成された前記接続電極を含み前記貫通孔の内に収
   まる大きさであることを特徴する圧電デバイス。
3. 圧電振動部と、前記圧電振動部の周囲を囲むように設けられた枠部と、前記圧電振動部
   と前記枠部とを接続する接続部とを有する圧電基板の製造方法であって、
   前記圧電基板の表面に可撓性を有する樹脂層を形成する工程と、
   前記樹脂層をフォトリソ加工することによって所定の形状の樹脂突起部を形成する工程
   と、
   前記樹脂突起部を焼成する工程と、
   前記樹脂突起部の表面を含む前記圧電基板の表面に電極を形成する工程と、を有するこ
   とを特徴とする圧電基板の製造方法。

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