JP2014120499A - 封止構造、封止方法、電子デバイス、電子機器、及び移動体 - Google Patents

Abstract

【課題】封止部材の飛散を抑制した封止構造と、当該封止構造を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】第１基板１０と、第１基板１０上に設けられている第２基板２０と、を含むパッケージ３０と、第２基板２０に設けられ、パッケージ３０の内部空間へ貫通する穴４０と、第１基板１０に設けられ、第２基板２０側から平面視した場合に穴４０の内部空間側の開口面と少なくとも一部が重なる頂面を含む突起１１と、穴４０を塞いでいる封止部材６０と、を備えることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、封止構造、封止方法、電子デバイス、電子機器、及び移動体に関するものである。

従来から、角速度や加速度等の物理量を検出するセンサーとして機能素子が搭載された空間を封止する封止構造を備える電子デバイスが知られている。一般にこの様な封止構造は、パッケージ内（キャビティー）を減圧、若しくは不活性ガス等で置換された状態で封止されている。また、機能素子が搭載されたキャビティーの封止は、キャビティーに貫通する穴をパッケージに設け、穴に封止部材を配置し、封止部材にレーザー光を照射して溶融させることにより穴を塞ぐことで行われている。
例えば、特許文献１では、キャビティーからパッケージの外部に貫く貫通孔に、外部から設けられた封止用金属体を溶融させ、貫通孔を封止するとともに、キャビティー内に設けられた配線と、封止用金属体とを接続させる封止構造が開示されている。

特開２０１０−１５４４８０号公報（図１０）

しかしながら、封止用金属体（封止部材）を溶融させるため照射するレーザー光のエネルギー（出力）が適切でない場合に、キャビティー内に微小溶融物が飛散する、いわゆるスプラッシュ現象が発生し、飛散した溶融物によって機能素子の特性に影響を及ぼす虞があった。また、スプラッシュ現象により封止部材が飛散し、孔（穴）の封止が不十分となることからキャビティー内の気密が低下する虞もあった。

本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態、又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］
本適用例に係る封止構造は、第１基板と、第１基板上に設けられている第２基板と、を含むパッケージと、第２基板に設けられ、パッケージの内部空間へ貫通する穴と、第１基板に設けられ、第２基板側から平面視した場合に穴の内部空間側の開口面と少なくとも一部が重なる頂面を含む突起と、穴を塞いでいる封止部材と、を備えることを特徴とする。

この様な封止構造によれば、頂面を有する突起が、封止部材が設けられている穴の内部空間側の開口面と少なくとも一部と重なる様に設けられている。これにより、封止部材が穴を塞ぎ、穴から内部空間側に流入することで突起に有する頂面と接続することができる。従って、第１基板の面に封止部材が接続される場合と比べて、内部空間内へ流入する封止部材の量を抑制し、内部空間側への流出を抑制することができる。

［適用例２］
上記適用例に係る封止構造は、封止部材は導電性を有し、第１基板には、突起が設けられている側の面に第１配線が設けられ、第１配線は、頂面に延設されるとともに、封止部材と接続されていることが好ましい。

この様な封止構造によれば、第１基板に第１配線が設けられ、当該第１配線が突起の頂面まで延設されている。封止部材が頂面に接続されることで、頂面に延設された第１配線と導電性を有する封止部材とが電気的に接続することができる。従って、第１配線は、穴を塞いだ封止部材を介して内部空間の外部と電気的に接続することができる。

［適用例３］
上記適用例に係る封止構造は、穴の内壁に第２配線が設けられ、封止部材は、第２配線、及び頂面に延設されている第１配線と接続されていることが好ましい。

この様な封止構造によれば、封止部材が設けられている穴の内壁に第２配線が設けられ、封止部材を介して、第１配線と第２配線とが接続されている。これにより、第１配線と第２配線とは、封止部材を介して電気的に接続することができる。

［適用例４］
上記適用例に係る封止構造は、第２基板側から平面視した場合に、頂面の外周縁に沿って突起と空隙を介して側壁が設けられていることが好ましい。

この様な封止構造によれば、第２基板側から平面視した場合に、突起に有する頂面の外周縁に沿って突起と空隙を介して側壁が設けられている。これにより、封止部材は、側壁に規制されて設けられ、所望の領域以外に飛散及び流出することを抑制することができる。

［適用例５］
上記適用例に係る封止構造は、第１基板と第２基板との間に第３基板が設けられ、第３基板に側壁が設けられていることが好ましい。

この様な封止構造によれば、第３基板を機能素子が形成された素子基板とした場合に、機能素子の形成と同じ工程で側壁を形成することができ、封止部材が空間内部で飛散及び流出することを抑制することができる。

［適用例６］
上記適用例に係る封止構造は、頂面と対向して設けられている第２基板の面から頂面の方向に向かって側壁が延設されていることが好ましい。

この様な封止構造によれば、突起に有する頂面に向かって第２基板から側壁が延設されている。これにより、側壁が第２基板から延設されているため、第２基板に設けられている穴から封止部材が流入して内部空間内に設けられる封止部材の流動が規制される。従って、封止部材が頂面等、所望の領域以外に飛散及び流出することを抑制することができる。

［適用例７］
上記適用例に係る封止構造は、第１基板、及び第２基板の間に、穴、突起、側壁、及び空間を囲む外周壁が設けられていることが好ましい。

この様な封止構造によれば、第２基板側から平面視した場合に、穴、突起、側壁、及び空間を囲む外周壁が第１基板と第２基板との間に設けられている。
これにより、第１基板、外周壁、及び第２基板が設けられた方向の空間を確保するとともに、外周壁の内側に設けられた内部空間の気密性を高めることができる。

［適用例８］
本適用例に係る電子デバイスは、上述した封止構造を有することを特徴とする。

この様な電子デバイスよれば、上述した封止構造を有することで、封止部材の流出及び飛散が抑制された信頼度の高い電子デバイスを得ることができる。

［適用例９］
本適用例に係る電子機器は、上述した電子デバイスが搭載されていることを特徴とする。

この様な電子機器によれば、上述した電子デバイスが搭載されていることで、信頼度の高い電子機器を得ることができる。

［適用例１０］
本適用例に係る移動体は、上述した電子デバイスが搭載されていることを特徴とする。

この様な移動体によれば、上述した電子デバイスが搭載されていることで、信頼度の高い移動体を得ることができる。

［適用例１１］
本適用例に係る封止構造を封止する封止方法は、突起が設けられた第１基板と、表裏を貫通する穴が設けられた第２基板とを用意する工程と、第２基板側から平面視した場合に、第２基板の穴の内部空間側の開口面と、第１基板の突起の頂面の少なくとも一部とを重なるように第１基板上に第２基板を載置して内部空間を形成する工程と、穴を封止部材で塞ぐ工程と、を含むことを特徴とする。

この様な封止方法によれば、突起が設けられた第１基板と、表裏を貫通する穴が設けられた第２基板とを用意する工程と、第１基板上に第２基板を載置して内部空間を形成する工程とを含む。また、第１基板に第２基板を載置する工程は、第２基板の穴の内部空間側の開口面と、第１基板の突起の頂面の少なくとも一部とが重なる様におこなう。
これにより、突起の隆起に応じて穴を塞ぐ封止部材の量を抑制するとともに、封止部材が内部空間内に流出することを抑制することができる。

第１実施形態に係る封止構造を有する電子デバイスを模式的に示す断面図。 第１実施形態に係る封止構造を有する電子デバイスを模式的に示す平面図。 第１実施形態に係る封止構造を有する電子デバイスの機能素子を模式的に示す平面図。 第１実施形態に係る封止構造を有する電子デバイスの動作を説明する図。 第１実施形態に係る封止構造を有する電子デバイスの動作を説明する図。 第１実施形態に係る封止構造を有する電子デバイスの動作を説明する図。 第１実施形態に係る封止構造を有する電子デバイスの動作を説明する図。 第１実施形態に係る封止構造を有する電子デバイスの製造方法を説明する図。 第１実施形態に係る封止構造を有する電子デバイスの製造方法を説明する図。 第２実施形態に係る封止構造を有する電子デバイスを模式的に示す断面図。 実施例に係る電子機器を模式的に示す図。 実施例に係る電子機器を模式的に示す図。 実施例に係る電子機器を模式的に示す図。 実施例に係る移動体を模式的に示す図。

以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載する場合がある。

［第１実施形態］
第１実施形態に係る封止構造について、当該封止構造が、角速度等を検出する機能素子が搭載された電子デバイスに設けられた態様について説明する。
図１は、第１実施形態に係る封止構造が設けられた電子デバイスを模式的に示す断面図である。図２は、本実施形態に係る封止構造が設けられた電子デバイスを模式的に示す平面図である。図１及び図２では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示し、Ｚ軸は、Ｘ軸、Ｙ軸と直交する方向で重力が作用する方向を示す軸である。

（電子デバイス）
本実施形態の封止構造Ｓが設けられた電子デバイス１００は、図１及び図２に示す様に、第１基板１０と、第２基板２０と、機能素子１０２とが設けられている。
第１基板１０には、突起１１が設けられているとともに、突起１１に有する頂面１１ａに第１配線５１（配線５０）が延設されている。また、第２基板２０には、穴４０が設けられるとともに、穴４０の内壁４０ａから第２基板２０の外面２０ｂに第２配線５２（配線５０）が延設されている。
第１基板１０及び第２基板２０は、機能素子１０２を収容するパッケージ３０として機能するものである。また、封止構造Ｓは、穴４０、突起１１、及び後述する封止部材６０などから構成されている。
なお、便宜上、図１及び図２では機能素子１０２を簡略化して図示している。また、図２では、封止部材６０の図示を省略している。

（第１基板１０、第２基板２０）
第１基板１０は、機能素子１０２を支持している。より具体的には、第１基板１０には、凹形状をなした凹部１２が形成されており、凹部１２に有する頂面１２ａに機能素子１０２に設けられた外周壁１０３が接続されることで第１基板１０に機能素子１０２が支持されている。後述するが、機能素子１０２は角速度等を検知するために一定の振動動作を伴っている。凹部１２の上方（＋Ｚ軸方向）に機能素子１０２が設けられていることで第１基板１０に干渉されることなく、所望の振動動作をすることができる。

第２基板２０には、機能素子１０２を収容する凹形状をなした凹部２２が設けられている。第１基板１０と第２基板２０とは、機能素子１０２の一部として設けられている外周壁１０３を介して接続されている。より具体的には、外周壁１０３を介して第１基板１０の凹部１２に有する頂面１２ａと、第２基板２０の凹部２２に有する頂面２２ａとが接続されている。
また、第１基板１０と第２基板２０とが接続されることで、凹部１２と凹部２２とが対向して配置されることで生じる空間を、機能素子１０２が収容されるキャビティー３２として用いることができる。
なお、図示は省略するが頂面１２ａ，２２ａに外周壁１０３を収容する段差部（凹部）を設けることで、外周壁１０３を介することなく第１基板１０と第２基板２０を接続しても良い。換言すると、外周壁１０３を介することなく頂面１２ａと頂面２２ａと、を接続しても良い。

第１基板１０、及び第２基板２０としては、例えば、ガラス、シリコン、及び水晶等を用いることができる。また、機能素子１０２としては、例えば、シリコンを主材料としたシリコン基板を用いることができる。
本実施形態においては、第１基板１０、及び第２基板２０としてガラス基板を用いるとともに、機能素子１０２としてシリコン基板を用いることが好適である。これにより、機能素子１０２（外周壁１０３）を介して第１基板１０、及び第２基板２０を陽極接合方法によって接続することが可能である。

なお、第１基板１０、第２基板２０、及び機能素子１０２の接合方法は、特に限定されず、例えば、低融点ガラス（ガラスペースト）による接続（接合）でもよい。また、半田による接続でもよい。さらには、第１基板１０、第２基板２０、及び機能素子１０２（外周壁１０３）の各々の接続部分（頂面１２ａ，頂面２２ａ，外周壁１０３）に金属薄膜（図示省略）を形成し、その金属薄膜相互を共晶接合させることにより、各々を接続させてもよい。

第１基板１０、及び第２基板２０の平面形状（Ｚ軸方向から見た形状）は、キャビティー３２に機能素子１０２を収容できれば特に限定されないが、本実施形態においては、図２に示す様に矩形、換言すると長方形とした。

キャビティー３２は、減圧状態や不活性ガス（例えば窒素ガス）雰囲気で密閉されている。角速度等を検出するセンサーとして機能素子１０２を用いる場合、キャビティー３２は、減圧状態（より好ましくは真空状態）であることが好ましい。これにより、機能素子１０２の振動が空気抵抗によって減衰することを抑制できる。
なお、加速度等を検出するセンサーとして機能素子１０２を用いる場合、キャビティー３２は、大気圧状態（より好ましくは、窒素等の不活性気体と置換された状態）であることが一般的である。例えば、不活性気体と置換された状態では、不活性気体の粘性がダンピング効果として感度特性に大きく寄与するためである。

（穴）
第２基板２０には、当該第２基板２０の内面２０ａと外面２０ｂとを貫く穴４０が設けられている。換言すると、穴４０は、キャビティー３２に連通する様に設けられている。図１に示す例では、穴４０は、第２基板２０をＺ軸方向に貫通している。
本実施形態の穴４０は、内面２０ａ（内部空間）側の第１開口４１の面積よりも、第１開口４１と反対側となる外面２０ｂ側の第２開口４２の面積の方が大きい形状を有している。

図２に示す様に第２基板２０側（Ｚ軸方向）から平面視した場合において、第１開口４１は、第２開口４２の外周の内側に設けられている。また、第１開口４１が第１基板１０に設けられた突起１１の頂面１１ａと重なる様に設けられている。穴４０は、第１開口４１から第２開口４２に向けて、徐々に開口の面積が大きくなるような形状を有している。
なお、穴４０の第１開口４１、第２開口４２の面積（大きさ）は、特に限定されず、例えば、第１開口４１、第２開口４２の面積が同じであっても良い。本実施形態においては、キャビティー３２（空間）を封止し、気密性を保つためには第１開口４１の面積は小さい方が好適であるため、第２開口４２と比べて小さくした。

穴４０（第１開口４１、第２開口４２）の形状は、図２（ａ）に示す様に、本実施形態では円錐形（円柱形）である。なお、穴４０の形状は、特に限定されず、例えば、多角錐（多角柱）でもよい。好ましくは、後述する封止部材６０の流動を阻害しない形状であれば良い。

（配線）
第１基板１０、及び第２基板２０には配線５０としての第１配線５１、及び第２配線５２が設けられている。
第１基板１０には、凹部１２の底面１２ｂに第１配線５１が設けられている。また、第１配線５１は、第１基板１０に設けられている突起１１の頂面１１ａに延設されている。
第２基板２０には、穴４０の内壁４０ａから外面２０ｂ側に第２配線５２が延設されている。

配線５０としては、導電性を有する材料を用いることができ、例えば、下地層にクロム（Ｃｒ）、表面層に金（Ａｕ）を用いると好適である。
配線５０は、この様な導電性を有する材料を用いることで後述する導電性を有する封止部材６０との密着性を向上させることができる。
なお、配線５０の材質は、封止部材６０の材質によって、適宜変更して良い。

（封止部材・封止構造）
封止部材６０は、穴４０に設けられ、キャビティー３２を封止している。
ここで封止部材６０は、穴４０を塞ぐとともに、突起１１に有する頂面１１ａに延設された第１配線５１と接続されている。また、穴４０の内壁４０ａに延設されている第２配線５２とも接続されている。
ここで、図１に示す封止構造Ｓは、突起１１が設けられているため、穴４０の第１開口４１からキャビティー３２に流入される封止部材６０の量を少なく（抑制）することができる。換言すると、封止部材６０を突起１１（頂面１１ａ）で受け止めるため、第１基板１０に設けられている凹部１２の底面１２ｂで受け止める場合と比べて、封止部材６０の流入を少なくすることができる。
また、封止部材６０の流入を抑制することができるため、封止部材６０の飛散と、頂面１１ａから流出すること、を抑制することができる。また、飛散した封止部材６０がキャビティー３２内に収容されている機能素子１０２に付着することを抑制することができる。
従って、第１基板１０に設けられた第１配線５１と、第２基板２０に設けられた第２配線５２との接続を確実に行うことができ、接続に伴う損失抵抗を小さくすることができる。
また、機能素子１０２の動作を阻害することを抑制することができる。
また、第１配線５１と、第２配線５２とを同電位に保つことができ、例えば、接地することでシールド効果を得ることができる。また、例えば、封止部材６０を介して第１配線５１に流れる信号をキャビティー３２の外部に設けられている第２配線５２に伝達することができる。

封止部材６０としては、例えば、金・ゲルマニウム（Ａｕ・Ｇｅ）、金・ケイ素（Ａｕ・Ｓｉ）、金・錫（Ａｕ・Ｓｎ）、錫・鉛（Ｓｎ・Ｐｂ）、鉛・銀（Ｐｂ・Ａｇ）、錫・銀・銅（Ｓｎ・Ａｇ・Ｃｕ）、錫・亜鉛・ビスマス（Ｓｎ・Ｚｎ・Ｂｉ）等の合金を用いることができる。本実施形態の封止部材６０は、配線５０との密着性を高めるため金・ゲルマニウム（Ａｕ・Ｇｅ）合金を用いている。

（機能素子の構造）
機能素子１０２は、第１基板１０上に搭載されている。機能素子１０２は、第１基板１０、及び第２基板２０によって設けられるキャビティー３２に収容されている。機能素子１０２の形態としては、減圧状態や不活性ガス雰囲気で密閉されたキャビティー３２内で動作するものであれば、特に限定されず、例えば、角速度（ジャイロ）センサー、加速度センサー、振動子、ＳＡＷ（弾性表面波）素子、マイクロアクチュエーターなどの各種の機能素子を挙げることができる。

本実施形態では、角速度センサーとして機能素子１０２を用いた封止構造Ｓを有する電子デバイス１００について説明する。
図３は、本実施形態の封止構造Ｓを有する電子デバイス１００の機能素子１０２を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図３では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。このことは、後述する図４から図７でも同様である。

機能素子１０２は、図３に示す様に、構造体１０４と、駆動用固定電極１３０と、検出用固定電極１４０と、固定部１５０と、を有する。

構造体１０４は、例えば、第１基板１０に接合されたシリコン基板１０２ａ（図８参照）を加工することにより、一体的に設けられている。これにより、シリコン半導体デバイスの製造に用いられる微細な加工技術の適用が可能となり、構造体１０４の小型化を図ることができる。

構造体１０４は、第１基板１０（図１参照）に固定された固定部１５０（外周壁１０３）によって、支持されており、第１基板１０と離間して配置されている。構造体１０４は、第１振動体１０６と、第２振動体１０８と、を有する。第１振動体１０６及び第２振動体１０８は、Ｘ軸方向に沿って互いに連結されている。

第１振動体１０６及び第２振動体１０８は、それぞれの境界線Ｂ（Ｙ軸方向に沿った直線）に対して、対称となる形状を有する。換言すると第１振動体１０６及び第２振動体１０８は、同様の構成を有する。従って、以下では、第１振動体１０６の構成について説明し、第２振動体１０８の構成の説明については、省略する。

第１振動体１０６は、駆動部１１０と、検出部１２０と、を有する。駆動部１１０は、駆動用支持部１１２と、駆動用バネ部１１４と、駆動用可動電極１１６と、を有する。

駆動用支持部１１２は、例えば、矩形（フレーム状）の形状を有し、駆動用支持部１１２の内側には、検出部１２０が配置されている。図示の例では、駆動用支持部１１２は、Ｘ軸方向に沿って延在する第１延在部１１２ａと、Ｙ軸方向に沿って延在する第２延在部１１２ｂと、によって構成されている。

駆動用バネ部１１４は、駆動用支持部１１２の外側に配置されている。図示の例では、駆動用バネ部１１４の一端は、駆動用支持部１１２の角部（第１延在部１１２ａと第２延在部１１２ｂとの接続部）近傍に接続されている。駆動用バネ部１１４の他端は、固定部１５０に接続されている。

図示の例では、駆動用バネ部１１４は、第１振動体１０６において、４つ設けられている。そのため、第１振動体１０６は、４つの固定部１５０によって、第１基板１０に支持されている。なお、第１振動体１０６と第２振動体１０８との境界線Ｂ上の固定部１５０は、設けられていなくてもよい。

駆動用バネ部１１４は、Ｙ軸方向に沿って往復しながらＸ軸方向に沿って延在する形状を有している。複数の駆動用バネ部１１４は、駆動用支持部１１２の中心を通るＸ軸方向に沿った仮想線（図示せず）、及び駆動用支持部１１２の中心を通るＹ軸方向に沿った仮想線（図示せず）に対して、対称に設けられている。駆動用バネ部１１４を上記のような形状とすることにより、駆動用バネ部１１４が、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に変形することを抑制し、駆動用バネ部１１４を、駆動部１１０の振動方向であるＸ軸方向にスムーズに伸縮させることができる。そして、駆動用バネ部１１４の伸縮に伴い、駆動用支持部１１２を（駆動部１１０を）、Ｘ軸方向に沿って振動させることができる。なお、駆動用バネ部１１４は、駆動用支持部１１２をＸ軸方向に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。

駆動用可動電極１１６は、駆動用支持部１１２の外側に、駆動用支持部１１２に接続されて配置されている。より具体的には、駆動用可動電極１１６は、駆動用支持部１１２の第１延在部１１２ａに接続されている。

駆動用固定電極１３０は、駆動用支持部１１２の外側に配置されている。駆動用固定電極１３０は、第１基板１０（図１参照）上に固定されている。図示の例では、駆動用固定電極１３０は、複数設けられ、駆動用可動電極１１６を介して、対向配置されている。図示の例では、駆動用固定電極１３０は、櫛歯状の形状を有しており、駆動用可動電極１１６は、駆動用固定電極１３０の櫛歯の間に挿入可能な突出部１１６ａを有している。駆動用固定電極１３０と突出部１１６ａとの距離（ギャップ）を小さくすることにより、駆動用固定電極１３０と駆動用可動電極１１６との間に作用する静電力を、大きくすることができる。

駆動用固定電極１３０及び駆動用可動電極１１６に、電圧を印加すると、駆動用固定電極１３０と駆動用可動電極１１６との間に静電力を発生させることができる。これにより、駆動用バネ部１１４がＸ軸方向に沿って伸縮し、駆動用支持部１１２（駆動部１１０）を、Ｘ軸方向に沿って振動させることができる。

なお、図示の例では、駆動用可動電極１１６は、第１振動体１０６において、４つ設けられているが、駆動用支持部１１２をＸ軸方向に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。また、図示の例では、駆動用固定電極１３０は、駆動用可動電極１１６を介して、対向配置されているが、駆動用支持部１１２をＸ軸方向に沿って振動させることができれば、駆動用固定電極１３０は、駆動用可動電極１１６の一方側にのみ配置されていてもよい。

検出部１２０は、駆動部１１０に連結されている。図示の例では、検出部１２０は、駆動用支持部１１２の内側に配置されている。検出部１２０には、検出用支持部１２２と、検出用バネ部１２４と、検出用可動電極１２６と、を有することができる。なお、図示はしないが、検出部１２０は、駆動部１１０に連結されていれば、駆動用支持部１１２の外側に配置されていてもよい。

検出用支持部１２２は、例えば、矩形（フレーム状）の形状を有している。図示の例では、検出用支持部１２２は、Ｘ軸に沿って延在する第３延在部１２２ａと、Ｙ軸に沿って延在する第４延在部１２２ｂと、によって構成されている。

検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２の外側に配置されている。検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２と駆動用支持部１１２とを接続している。より具体的には、検出用バネ部１２４の一端は、検出用支持部１２２の角部（第３延在部１２２ａと第４延在部１２２ｂとの接続部）近傍に接続されている。検出用バネ部１２４の他端は、駆動用支持部１１２の第１延在部１１２ａに接続されている。

検出用バネ部１２４は、Ｘ軸方向に沿って往復しながらＹ軸方向に沿って延在する形状を有している。図示の例では、検出用バネ部１２４は、第１振動体１０６において、４つ設けられている。複数の検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２の中心を通るＸ軸方向に沿った仮想線（図示せず）、及び検出用支持部１２２の中心を通るＹ軸方向に沿った仮想線（図示せず）に対して、対称に設けられている。検出用バネ部１２４を上記の様な形状とすることにより、検出用バネ部１２４が、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に変形することを抑制し、検出用バネ部１２４を、検出部１２０の振動方向であるＹ軸方向にスムーズに伸縮させることができる。そして、検出用バネ部１２４の伸縮に伴い、検出用支持部１２２を（検出部１２０を）、Ｙ軸方向に沿って振動させることができる。なお、検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２をＹ軸方向に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。

検出用可動電極１２６は、検出用支持部１２２の内側に、検出用支持部１２２に接続し、配置されている。図示の例では、検出用可動電極１２６は、Ｘ軸方向に沿って延在しており、検出用支持部１２２の２つの第４延在部１２２ｂに、接続されている。

検出用固定電極１４０は、検出用支持部１２２の内側に配置されている。検出用固定電極１４０は、第１基板１０（図１参照）上に固定されている。図示の例では、検出用固定電極１４０は、複数設けられ、検出用可動電極１２６を介して、対向配置されている。

検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との数、及び形状は、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の静電容量の変化を検出することができれば、特に限定されない。

（機能素子の動作）
次に、機能素子１０２の動作について説明する。図４から図７は、本実施形態に係る封止構造が電子デバイス１００に設けられている機能素子１０２の動作を説明するための図である。なお、便宜上、図４から図７では、機能素子１０２の各部分を、簡略化して図示している。

駆動用固定電極１３０及び駆動用可動電極１１６に、駆動回路（図示省略）によって、電圧を印加すると、駆動用固定電極１３０と駆動用可動電極１１６との間に静電力を発生させることができる。これにより、図４及び図５に示す様に、駆動用バネ部１１４をＸ軸方向に沿って伸縮させることができ、駆動部１１０をＸ軸方向に沿って振動させることができる。

より具体的には、第１振動体１０６の駆動用可動電極１１６と駆動用固定電極１３０との間に第１交番電圧を印加し、第２振動体１０８の駆動用可動電極１１６と駆動用固定電極１３０との間に第１交番電圧と位相が１８０度ずれた第２交番電圧を印加する。これにより、第１振動体１０６の第１駆動部１１０ａ、及び第２振動体１０８の第２駆動部１１０ｂを、互いに逆位相、かつ所定の周波数で、Ｘ軸方向に沿って振動させることができる。即ち、Ｘ軸方向に沿って互いに連結された第１駆動部１１０ａ及び第２駆動部１１０ｂは、Ｘ軸方向に沿って、互いに逆位相で振動（第１振動）する。例えば、先ず、図４に示す様に、第１駆動部１１０ａはα１方向に変位し、第２駆動部１１０ｂはα１方向と反対方向のα２方向に変位する。次に、図５に示す様に、第１駆動部１１０ａはα２方向に変位し、第２駆動部１１０ｂはα１方向に変位する。第１駆動部１１０ａ及び第２駆動部１１０ｂは、この動作を繰り返す。この様にして、第１駆動部１１０ａ及び第２駆動部１１０ｂは、互いに逆位相で振動する。

なお、検出部１２０は、駆動部１１０に連結されているため、検出部１２０も駆動部１１０の振動に伴い、Ｘ軸方向に沿って振動する。すなわち、第１振動体１０６および第２振動体１０８は、Ｘ軸に沿って、互いに逆位相で振動する。

図６及び図７に示す様に、双方の駆動部１１０ａ，１１０ｂが第１振動を行っている状態で、機能素子１０２にＺ軸回りの角速度ωが加わると、コリオリの力が働き、検出部１２０は、Ｙ軸方向に沿って変位する。即ち、第１駆動部１１０ａに連結された第１検出部１２０ａ、及び第２駆動部１１０ｂに連結された第２検出部１２０ｂは、第１振動及びコリオリ力によって、Ｙ軸方向に沿って、互いに反対方向に変位する。

例えば、図６に示す様に、第１検出部１２０ａはβ１方向に変位し、第２検出部１２０ｂはβ１方向と反対方向のβ２方向に変位する。また、図７に示す様に、第１検出部１２０ａはβ２方向に変位し、第２検出部１２０ｂはβ１方向に変位する。第１検出部１２０ａ及び第２検出部１２０ｂは、コリオリ力を受けている間、この動作を繰り返す。

双方の検出部１２０ａ，１２０ｂがＹ軸方向に沿って変位することにより、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の距離Ｌは変化する。そのため、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の静電容量が変化する。機能素子１０２では、検出用可動電極１２６および検出用固定電極１４０に電圧を印加することにより、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の静電容量の変化量を検出し、Ｚ軸回りの角速度ωを求めることができる。

なお、上記では、静電力によって、駆動部１１０を駆動させる形態（静電駆動方式）について説明したが、駆動部１１０を駆動させる方法は特に限定されず、圧電駆動方式や、磁場のローレンツ力を利用した電磁駆動方式等を適用することができる。

（封止方法）
次に、本実施形態に係る封止構造Ｓの封止方法について図面を参照しながら説明する。

なお、本実施形態の封止構造Ｓが電子デバイス１００に設けられた形態について説明する。
図８及び図９は、本実施形態に係る封止構造Ｓが設けられた電子デバイス１００の製造工程を模式的に示す断面図である。また、便宜上、図８及び図９では、機能素子１０２を簡略化して図示している。

本実施形態の封止方法は図８（ａ）に示す様に、内面２０ａと外面２０ｂとを備えた第２基板２０としてのガラス基板に、凹部２２及び穴４０を設けた基板２０を用意する。凹部２２及び穴４０の形成は、例えば、第１面２０ａ側をパターニングし、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術によってガラス基板をエッチングすることで設けることができる。
また、第２基板２０に設けられた穴４０の内壁から外面２０ｂに延設される第２配線５２を設ける。第２配線５２は、例えば、スパッタリング技術によって設けることができる。本実施形態の第２配線５２は、クロム（Ｃｒ）を下地として金（Ａｕ）をスパッタリングすることで第２基板２０に設けている。
次に、第２基板２０に、機能素子１０２となる第３基板としてのシリコン基板１０２ａを接続させる。第２基板２０とシリコン基板１０２ａ（機能素子１０２）との接合は、例えば、陽極接合法、又は接着剤を用いることができる。なお、本実施形態においては、ガラス基板である第２基板２０と、機能素子１０２となるシリコン基板１０２ａを陽極接合法によって接続している。
なお、図示を省略するが第２基板２０の第１面２０ａ側でシリコン基板１０２ａと当接する部分に導電性の膜を形成すると好適である。当該導電性の膜を形成することで、第２基板２０と接続するシリコン基板１０２ａとを同電位とすることができる。第２基板２０とシリコン基板１０２ａとは同電位であるため、静電引力によってシリコン基板１０２ａが凹部２２に貼り付くことを抑制することができる。

図８（ｂ）に示す様に、シリコン基板１０２ａを、例えば、研削機によって研削して、機能素子１０２に必要な厚さに薄板化する。また、薄板化をしたシリコン基板１０２ａを所望の形状にパターニングして機能素子１０２を形成する。
シリコン基板１０２ａのパターニングは、フォトリソグラフィー技術、及びエッチング技術によって行われる。これにより、第１基板１０に機能素子１０２を搭載することができる。

図８（ｃ）に示す様に、凹部１２、及び突起１１を設けた第１基板１０としてのガラス基板を用意する凹部１２及び突起１１は、例えば、ガラス基板（第１基板１０）をパターニングし、フォトリソグラフィー技術、及びエッチング技術等によってガラス基板をエッチングすることで設けることができる。
また、第１基板１０の凹部１２に第１配線５１を設ける。また、第１配線５１は、突起１１に有する頂面１１ａに延設されている。第１配線５１は、例えば、上述した第２配線５２と同様に、スパッタリング技術等によって設けることができる。

図９（ｄ）に示す様に、第１基板１０に設けられた凹部１２の底面１２ｂと、第２基板２０の内面２０ａを対向させて設けることで、凹部１２及び凹部２２によって構成されるキャビティー３２を設けることができる。また、当該キャビティー３２に機能素子１０２を収容することができる。

第１基板１０と第２基板２０との接続は、第２基板２０をＺ軸方向から平面視した場合、穴４０の第１開口４１と、突起１１の頂面１１ａとの少なくとも一部が重なる様に行われる。また、第１基板１０と第２基板２０との接続は、機能素子１０２に設けられた外周壁１０３を介して行われる。なお、第１基板１０と第２基板２０との接続は、穴４０と機能素子１０２とが重ならない様に行われる。

第１基板１０と第２基板２０（シリコン基板１０２ａ）との接続は、例えば、ガラス基板である第１基板１０及び第２基板２０を、シリコン基板１０２ａである機能素子１０２に設けられた外周壁１０３との間で陽極接合法によって行うことができる。これにより、密着性を高めることができるとともに、後述する封止部材６０によって封止されるキャビティー３２の気密性を高めることができる。なお、第１基板１０と第２基板２０との接続方法は、陽極接合法が好適であるが、これに限定されること無く、接着材等を用いた接続方法を用いることができる。

また、図示は省略するが頂面１２ａ，２２ａに段差部が設けられている場合には、外周壁１０３を介することなく第１基板１０と第２基板２０を接続しても良い。換言すると、外周壁１０３を介することなく頂面１２ａと頂面２２ａとの相互を接続しても良い。この場合には、頂面１２ａと頂面２２ａとの相互を接着材等や、頂面１２ａ，２２ａに金属薄膜を設け、その金属薄膜相互を共晶接合させる接続方法を用いることができる。

図９（ｅ）に示す様に、穴４０に、封止部材６０を設けることで穴４０の封止、及び第１配線５１と、第２配線５２との接続を行う。
図示を省略するが封止部材６０は、穴４０に設けられる前の形状としては球状であり、いわゆる半田ボールである。なお、穴４０の第１開口４１と比べてその径（直径）が大きい半田ボール（封止部材６０）が用いられている。

本実施形態の封止方法においては、半田ボール（封止部材６０）は、第１開口４１を塞ぐ様に穴４０に載置される。次に封止部材６０を、例えば、レーザー光の照射によって溶融させ、穴４０を塞ぐことができる。換言すると、穴４０の第１開口４１を塞ぐことができる。また、溶融した封止部材６０は、溶融されることで流動し、突起１１の頂面１１ａに到達する。封止部材６０が頂面１１ａに到達することで、当該頂面１１ａに延設された第１配線５１と接続することができる。また、封止部材６０は、溶融されることで穴４０の内壁４０ａに延設されている第２配線５２と接続することができる。換言すると、第１配線５１及び第２配線５２は、封止部材６０が溶融されることで当該封止部材６０と密着することで相互に接続される。また、第１配線５１及び第２配線５２は、封止部材６０が溶融されることで、当該封止部材６０を介して電気的に接続することができる。

本実施形態の封止方法において、封止構造Ｓは、突起１１に有する頂面１１ａと封止部材６０が接続されるため、突起１１の隆起に応じてキャビティー３２内に流入する封止部材６０が抑制される。従来、封止部材６０を溶融させるレーザー光の出力過多により、キャビティー３２内に流入した封止部材６０の表面張力の臨界を超え、スプラッシュが生じる虞があったが、本実施形態では封止部材６０の流入量が抑制されるため、レーザー光の出力（照射）精度を緩和しても、スプラッシュの発生を抑制することが可能である。

封止部材６０の溶融は、例えば、穴４０を通してキャビティー３２を減圧した後に（真空引きした後に）行われる。また、例えば、真空チャンバー内でレーザーを照射して封止部材６０を溶融させ、穴４０を塞いでもよい。
封止部材６０を溶融させるレーザー光の種類としては、特に限定されず、例えばＹＡＧレーザーやＣＯ₂レーザーを用いることができる。

上述した封止方法において、第２基板２０に機能素子１０２を接続（搭載）した後に、第１基板１０と接続する工程を行う順序で説明したが、これに限定されることなく、先ず、第１基板１０に凹部１２等を設けて、次に第１基板１０に機能素子１０２を接続しても良い。即ち、第１基板１０と、第２基板２０と、を形成する順序、シリコン基板１０２ａと接続される順序は限定されるものでない。

なお、上述した実施形態では、ジャイロセンサー（角速度センサー）として機能素子１０２を設けたため、キャビティー３２を減圧した後にキャビティー３２を封止部材６０によって封止をした。これにより、減圧状態におかれた機能素子１０２は、当該機能素子１０２に設けられた固定電極と可動電極との間の誘電率を低く保ち、角速度の変化を静電容量の変位として高精度に検出することができる。
また、例えば、加速度センサーとして機能素子１０２を設けた場合、キャビティー３２は大気圧状態であることが望ましい。そこで、穴４０を通してキャビティー３２に不活性気体（具体的には窒素ガス）を充填した後に封止部材６０を溶融させることができる。これにより、キャビティー３２を大気圧状態（不活性気体雰囲気）にすることができる。機能素子１０２として加速度センサーを設けた場合は、不活性気体の粘性がダンピング効果として感度特性に大きく寄与するためである。
また、本実施形態では、１つの機能素子１０２が設けられたキャビティー３２を封止する封止方法として説明をしたが、例えば、複数の機能素子１０２がそれぞれ複数のキャビティー３２に設けられ、機能素子１０２に応じて減圧状態で封止するキャビティー３２、大気圧状態で封止するキャビティー３２、とする封止方法としても良い。

以上の工程により、本実施形態の封止構造Ｓが設けられた電子デバイス１００を製造することができる。

上述した第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
本実施形態の封止構造Ｓは、封止部材６０を受け止める頂面１１ａを有する突起１１が設けられている。これにより封止構造Ｓは、突起１１の隆起に応じて封止部材６０が流入する穴４０の第１開口４１から頂面１１ａの距離が短くなるため、キャビティー３２内に流入する封止部材６０の量を抑制することができる。
また、キャビティー３２内に流入する封止部材６０の量が抑制されるため、封止部材６０が溶融された際に生じるスプラッシュを抑制し、キャビティー３２内で封止部材６０が飛散することを抑制することができる。
また、封止部材６０を介して第１配線５１と第２配線５２とを同電位とすることができるとともに、これら配線５０を接地することでシールド効果を得ることができる。また、封止部材６０を介してキャビティー３２内に設けられている第１配線５１に流れる信号をキャビティー３２の外部に設けられている第２配線５２に伝達することができる。

本実施形態の封止構造Ｓの封止方法は、キャビティー３２内に流入する封止部材６０の量が抑制されるため、封止部材６０を溶融するレーザー光の出力精度を緩和することができる。これにより、レーザー光の出力過多による封止部材６０のスプラッシュの発生を抑制することができる。

［第２実施形態］
図１０は、第２実施形態に係る封止構造Ｓ１，Ｓ２が設けられた電子デバイス１００を模式的に示す断面図である。図１０では、機能素子１０２を簡略して図示している。また、図１０では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示し、Ｚ軸は、重力が作用する方向を示す軸である。

本実施形態に示す封止構造Ｓ１，Ｓ２は、上述した第１実施形態の封止構造Ｓと比べて側壁７０が設けられている点が異なる。その他の構成は、第１実施形態と同様のため、相違点を説明し、同様の部分の説明は簡略、若しくは省略する。

本実施形態の封止構造Ｓ１，Ｓ２が設けられた電子デバイス１００は、図１０に示す様に側壁７０が設けられている。

例えば、図１０（ａ）に示す封止構造Ｓ１が設けられた電子デバイス１００には、第２基板２０の内面２０ａから第１基板１０に設けられた突起１１の方向（−Ｚ軸方向）に向かって側壁７１（７０）が延設されている。

側壁７１は、第２基板２０側から平面視した場合に、頂面１１ａの外周縁に沿って突起１１と空隙を介して設けられている。
なお、側壁７１は、第２基板２０側から平面視した場合に、穴４０の第１開口４１と頂面１１ａとの一部が重なっていれば、第１開口４１に沿って設けられていても良い。

側壁７１は、第２基板２０の内面２０ａをパターニングし、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術によって凹部２２と併行して設けることができる。

また、例えば、図１０（ｂ）に示す封止構造Ｓ２が設けられた電子デバイス１００には、機能素子１０２の一部として側壁７２（７０）が設けられている。
側壁７２は、第２基板２０側から平面視した場合に、頂面１１ａの外周縁に沿って突起１１と空隙を介して設けられている。

側壁７２は、第３基板としてのシリコン基板１０２ａ（図８参照）をパターニングし、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術によって機能素子１０２と併行して設けることができる。

これら側壁７０（７１，７２）は、溶融された封止部材６０が頂面１１ａ以外の部位への流出と、キャビティー３２内で封止部材６０のスプラッシュが生じること、を抑制することができる。
その他の点は、上述した封止構造Ｓと同様のため、説明を省略する。

上述した第２実施形態によれば、以下の効果が得られる。
本実施形態の封止構造Ｓ１，Ｓ２は、側壁７０を備えることで、封止部材６０の流動を規制してキャビティー３２を封止することができる。
また、封止構造Ｓ２は、側壁７２が第３基板としてのシリコン基板１０２ａに設けられることで、封止部材６０を介して第１基板１０、第２基板２０、及び機能素子１０２が設けられたシリコン基板１０２ａを同電位に保つことが出来る。
従って、封止構造Ｓ１，Ｓ２は、封止部材６０が溶融され時に側壁７０で封止部材の流動を規制するとともに、スプラッシュを抑制し、キャビティー３２内で封止部材６０が飛散することを抑制することができる。
また、封止構造Ｓ２は、機能素子１０２（シリコン基板１０２ａ）が静電力によって、第１基板１０又は第２基板２０に吸引、吸着されることを抑制することができる。

（実施例）
次いで、本発明の一実施形態に係る封止構造が設けられたジャイロセンサー（角速度センサー）としての電子デバイス１００適用した実施例について、図１１から図１４に基づき説明する。

［電子機器］
先ず、本発明の一実施形態に係る封止構造が設けられた電子デバイス１００を適用した電子機器について、図１１から図１３に基づき、詳細に説明する。

図１１は、本発明の一実施形態に係る封止構造が設けられた電子デバイス１００を備える電子機器としてのノート型（又はモバイル型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。
この図において、ノート型パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。この様なノート型パーソナルコンピューター１１００には、そのノート型パーソナルコンピューター１１００の姿勢を検知して表示部１００８に表示される影像の表示方向を制御ためのセンサーとして機能する電子デバイス１００が内蔵されている。

図１２は、本発明の一実施形態に係る封止構造が設けられた電子デバイス１００を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。この様な携帯電話機１２００には、携帯電話機１２００の姿勢を検知して、当該携帯電話機１２００の表示部１２０８に表示される影像の表示方向を制御するためのセンサーとして機能する電子デバイス１００が内蔵されている。

図１３は、本発明の一実施形態に係る封止構造が設けられた電子デバイス１００を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３０８が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３０８は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１３０８に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３１０に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示される様に、ビデオ信号出力端子１３１２には液晶ディスプレイ１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３１０に格納された撮像信号が、液晶ディスプレイ１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。この様なデジタルスチールカメラ１３００には、撮影時にデジタルスチールカメラ１３００の姿勢（傾き）を検出して、姿勢を表示部１３０８に表示させるためのセンサーとして機能する電子デバイス１００が内蔵されている。

なお、本発明の一実施形態に係る封止構造が設けられた電子デバイス１００は、図１１のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１２の携帯電話機、図１３のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。

［移動体］
図１４は移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車１５００には本発明の一実施形態に係る封止構造が設けられた電子デバイス１００を備える。例えば、同図に示す様に、移動体としての自動車１５００には、車体１５０７の傾きを検知するセンサーとしての電子デバイス１００を内蔵して当該車体１５０７の傾きを制御する姿勢制御ユニット１５０８が搭載されている。また、電子デバイス１００、他にも、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、に広く適用できる。

１０…第１基板、１１…突起、１１ａ…頂面、１２…凹部、１２ａ…頂面、１２ｂ…底面２０…第２基板、２０ａ…内壁、２０ｂ…外面、２２…凹部、２２ａ…頂面、３０…パッケージ、３２…キャビティー、４０…穴、４０ａ…内壁、４１…第１開口、４２…第２開口、５０…配線、６０…封止部材、７０…側壁、１００…電子デバイス、１０２…機能素子、１０２ａ…シリコン基板、１０３…外周壁、１０４…構造体、１１０…駆動部、１２０…検出部、１３０…固定電極、１５０…固定部、１１００…ノート型パーソナルコンピューター、１２００…携帯電話機、１３００…デジタルスチールカメラ、１５００…自動車。

Claims (11)

1. 第１基板と、前記第１基板上に設けられている第２基板と、を含むパッケージと、
   前記第２基板に設けられ、前記パッケージの内部空間へ貫通する穴と、
   前記第１基板に設けられ、前記第２基板側から平面視した場合に前記穴の前記内部空間側の開口面と少なくとも一部が重なる頂面を含む突起と、
   前記穴を塞いでいる封止部材と、を備えることを特徴とする封止構造。
2. 請求項１に記載の封止構造であって、
   前記封止部材は導電性を有し、
   前記第１基板には、前記突起が設けられている側の面に第１配線が設けられ、
   前記第１配線は、前記頂面に延設されるとともに、前記封止部材と接続されていること、を特徴とする封止構造。
3. 請求項２に記載の封止構造であって、
   前記穴の内壁には、第２配線が設けられ、
   前記封止部材は、前記第２配線、及び前記頂面に延設されている前記第１配線と接続されていること、を特徴とする封止構造。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の封止構造であって、
   前記第２基板側から平面視した場合に、前記頂面の外周縁に沿って前記突起と空隙を介して側壁が設けられていること、を特徴とする封止構造。
5. 請求項４に記載の封止構造であって、
   前記第１基板と前記第２基板との間に第３基板が設けられ、
   前記第３基板に前記側壁が設けられていること、を特徴とする封止構造。
6. 請求項４に記載の封止構造であって、
   前記頂面と対向して設けられている前記第２基板の面から前記頂面の方向に向かって前記側壁が延設されていること、を特徴とする封止構造。
7. 請求項４ないし請求項６のいずれか一項に記載の封止構造であって、
   前記第１基板、及び前記第２基板の間には、前記穴、前記突起、前記側壁、及び前記内部空間を囲む外周壁が設けられていること、を特徴とする封止構造。
8. 請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の封止構造を有する電子デバイス。
9. 請求項８に記載の電子デバイスが搭載された電子機器。
10. 請求項８に記載の電子デバイスが搭載された移動体。
11. 突起が設けられた第１基板と、表裏を貫通する穴が設けられた第２基板と、を用意する工程と、
    前記第２基板側から平面視した場合に、前記第２基板の前記穴の前記内部空間側の開口面と、前記第１基板の前記突起の頂面の少なくとも一部とを重なるように前記第１基板上に前記第２基板を載置して内部空間を形成する工程と、
    前記穴を封止部材で塞ぐ工程と、を含むことを特徴とする封止方法。

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