JP2007096597A - 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 外部電極とＳＡＷ素子との電気的接続部分の気密性が十分に確保された信頼性の高い弾性表面波デバイスおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 バンプ１２の径を、貫通孔１１の下面開口部１１Ｂの径より大きく形成しているため、貫通孔１１を、貫通孔１１の内部だけでなく貫通孔１１の下面開口部１１Ｂ周辺でも気密に封止することができる。したがって、貫通孔１１の下面開口部１１Ｂの形状にかかわらず、外部電極１５とＳＡＷチップ２に設けられたＳＡＷ素子との電気的接続部分の気密性が十分に確保された信頼性の高い弾性表面波デバイス１を得ることができる。
【選択図】 図４

Description

本発明は、弾性表面波素子（Surface Acoustic Wave素子：ＳＡＷ素子）を利用したデバイスおよびそれを製造する方法に関する。

弾性表面波を利用したＳＡＷ素子を用いた共振子、フィルタ、発振器等の弾性表面波デバイスは、様々な電子機器に広く使用されている。ＳＡＷ素子は、圧電基板の表面に形成した交差指電極からなるＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極と反射器とを備え、ＩＤＴから励振した弾性表面波を利用している。
近年、電子機器の小型薄型化に対応して、弾性表面波デバイスも、より一層の薄型化が要求されている。

ＳＡＷ素子は、塵埃、大気中の水分による周波数シフト、電極の腐食等によって信頼性が低下する。そこで、ＳＡＷ素子は、ＳＡＷ素子の形成されたＳＡＷチップとカバーとを接合したパッケージの中に気密封止されて、弾性表面波デバイスとして用いられる。
ここで、弾性表面波デバイスの大きさは、封止構造およびパッケージに設けられた外部電極とＩＤＴ電極との電気的な接続方法に依存する。
小型化を実現する封止構造として、カバーである密閉用部材とＳＡＷ素子であるＳＡＷフィルタとの間のＩＤＴ電極部分を、Ｓｉ酸化膜と接着剤とによって密閉して気密封止する構造が知られている。また、電気的な接続方法として、ＩＤＴ電極に電気的に接続されている電極に設けられたバンプを外部電極用穴に挿入し、外部から導電性材料を供給することによって外部電極との電気的接続を行う方法が知られている（例えば特許文献１参照）。

特開２００３−１７４１０７号公報（３〜４頁、図１０）

ここで、図４（ａ）に示すように、外部電極用穴である貫通孔１１を形成する際には、貫通孔１１の開口部に、アンダーカット１４と呼ばれる欠けが発生しやすい。したがって、貫通孔１１にバンプを挿入する方法では、アンダーカット１４の部分に空隙が生じ、外部電極とＳＡＷ素子との電気的接続部分の気密性が十分得られないという課題があった。
本発明の目的は、外部電極とＳＡＷ素子との電気的接続部分の気密性が十分に確保された信頼性の高い弾性表面波デバイスおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の弾性表面波デバイスは、圧電基板の主面に設けられたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極から引き出された取出電極と、前記取出電極に設けられたバンプとを有するＳＡＷチップと、絶縁性基板に、前記ＳＡＷチップの前記バンプに対応する位置に設けられた貫通孔と、前記絶縁性基板の前記貫通孔の上面開口部周辺および前記貫通孔の内面に設けられた外部電極とを有するカバーとを備え、前記バンプの径が、前記絶縁性基板の前記貫通孔の下面開口部の径より大きく形成され、前記貫通孔が、前記バンプによって前記貫通孔の前記下面開口部周辺で気密に封止されていることを特徴とする。

この発明によれば、バンプの径が、貫通孔の開口部の径より大きく形成されているため、貫通孔が、貫通孔の内部だけでなく貫通孔の開口部周辺でも気密に封止される。したがって、貫通孔の開口部の形状にかかわらず、外部電極とＳＡＷチップに設けられたＳＡＷ素子との電気的接続部分の気密性が十分に確保された信頼性の高い弾性表面波デバイスが得られる。

本発明では、前記ＳＡＷチップと前記カバーとが、前記ＳＡＷチップと前記カバー間に画定される空間に前記ＩＤＴ電極が気密に封止されるように一体的に接合され、前記ＩＤＴ電極と前記外部電極とが、前記貫通孔に形成された導電材料および前記バンプにより電気的に接続されているのが好ましい。
この発明では、貫通孔に導電材料を形成することにより、外部電極とＳＡＷ素子との電気的接続部分の気密性が十分に確保されるとともに、外部電極とＳＡＷ素子との電気的接続が確実になる。

本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、圧電基板の主面に設けられたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極から引き出された取出電極と、前記取出電極に設けられたバンプとを含むＳＡＷチップを形成するＳＡＷチップ形成工程と、絶縁性基板の前記バンプに対応する位置に設けられた貫通孔と、前記絶縁性基板の前記貫通孔の上面開口部周辺および前記貫通孔の内面に設けられた外部電極とを含むカバーを形成するカバー形成工程と、前記バンプを変形させることによって、前記貫通孔の下面開口部周辺で前記貫通孔を気密に封止する封止工程と、前記ＳＡＷチップと前記カバー間に画定される空間に前記ＩＤＴ電極を気密に封止するように一体的に接合する接合工程と、前記貫通孔内に導電材料を形成して、前記ＩＤＴ電極と前記外部電極とを電気的に接続する電気接続工程とを含むことを特徴とする。

この発明によれば、取出電極に設けられたバンプが変形して下面開口部周辺に密着し、開口部を塞ぐ。したがって、貫通孔の開口部の形状にかかわらず、外部電極とＳＡＷ素子との電気的接続部分の気密性が十分に確保された信頼性の高い弾性表面波デバイスが得られる。

本発明では、前記バンプの径を、前記絶縁性基板の前記貫通孔の前記下面開口部の径より大きく、かつ前記バンプの厚みを、前記ＳＡＷチップと前記カバーとの接合後の距離より厚く形成するのが好ましい。
この発明では、バンプの径を、対応する貫通孔の下面開口部の径より大きく、かつＳＡＷチップとカバー間の距離より厚く形成しているため、ＳＡＷチップとカバーを合わせて封止する際に、バンプが変形して下面開口部周辺の広い範囲にわたって密着し、下面開口部を塞ぐ。したがって、より前述の効果を達成できる弾性表面波デバイスが得られる。

本発明では、前記接合工程は、前記圧電基板の主面の周辺全体に沿って設けられた金属接合部と、前記絶縁性基板の下面の周辺全体に沿って設けられた金属接合部との金属接合によって、前記ＳＡＷチップと前記カバーとを接合するのが好ましい。
この発明では、金属接合により、接合部に隙間がない接合がされるので、ＳＡＷチップとカバー間に画定される空間にＩＤＴ電極が気密に封止される。また、接合強度が十分あるので、バンプと貫通孔の下面開口部周辺との密着が維持される。したがって、前述の効果を達成できる弾性表面波デバイスの製造方法が得られる。

本発明では、前記接合工程は、前記圧電基板主面の周辺全体に沿って設けられた金属接合部と、前記絶縁性基板の下面の周辺全体との陽極接合によって、前記ＳＡＷチップと前記カバーとを接合するのが好ましい。
この発明では、陽極接合によってＳＡＷチップとカバーとを接合することによって、前述の効果を達成できる弾性表面波デバイスの製造方法が得られる。

本発明では、前記接合工程は、前記圧電基板主面の周辺全体と、前記絶縁性基板の下面の周辺全体との直接接合によって、前記ＳＡＷチップと前記カバーとを接合するのが好ましい。
この発明では、直接接合によってＳＡＷチップとカバーとを接合することによって、前述の効果を達成できる弾性表面波デバイスの製造方法が得られる。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態を図面に基づいて説明する。
図１には、本実施形態に係る弾性表面波デバイス１が示されている。
図１（ａ）は、平面図であり、同図（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図１において、弾性表面波デバイス１は、ＳＡＷチップ２とカバー３とが接合された構造を有している。
図２には、ＳＡＷチップ２の平面図が、図３には、カバー３の接合面を示す下面図が示されている。
図４には、カバー３および弾性表面波デバイス１の部分拡大断面図が示されている。図４（ａ）は、カバー３の部分拡大図断面図であり、図４（ｂ）は、弾性表面波デバイス１の部分拡大図断面図である。

図１において、ＳＡＷチップ２は、圧電基板４の主面である上面４Ａに、１対の交差指電極からなるＩＤＴ電極５と、リード線７と、取出電極８と、金属接合部９と、バンプ１２とを備えている。
図２において、ＩＤＴ電極５は、矩形の圧電基板４の中央に形成され、その長手方向に反射器６が１対形成されている。ＩＤＴ電極５からは、１対のリード線７が、圧電基板４の長手方向辺縁に沿ってそれぞれ逆向きに圧電基板４の対角方向の隅部まで引き出されている。隅部付近では、リード線７上に取出電極８が形成されている。この取出電極８上には、バンプ１２が形成されている。
また、圧電基板４の上面４Ａの周辺部には、全周にわたって金属接合部９が設けられている。

本実施形態において、圧電基板４は水晶で形成されているが、リチウムタンタレート、リチウムニオベートなど他の圧電材料を用いることもできる。
ＩＤＴ電極５、反射器６およびリード線７は、Ａｌ膜で形成されているが、一般に使用されているアルミニウム合金などの導電性金属材料を用いることもできる。
取出電極８および金属接合部９は、Ｃｒ／Ａｕ膜またはＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ膜で形成されている。取出電極８とリード線７とを合わせた厚みは、金属接合部９の厚みと同じ厚みに形成されている。
また、バンプ１２の形成には、Ａｕを用いることができる。バンプ１２の径は、４０〜１６０μｍが好ましい。

図１において、カバー３は、絶縁性基板であるガラス基板１０と、貫通孔１１と、金属接合部１３と、外部電極１５と、貫通孔１１に形成された導電材料からなる封止材１６とを備えている。
貫通孔１１は、ガラス基板１０の上面１０Ａから下面１０Ｂに向けてテーパ状に形成され、上面開口部１１Ａと下面開口部１１Ｂを有している。
ガラス基板１０の上面１０Ａには、貫通孔１１の上面開口部１１Ａの周辺を取り囲むように矩形の外部電極１５が形成されている。この外部電極１５は、貫通孔１１の内面まで形成されている。
図３において、貫通孔１１の上面開口部１１Ａは点線で、下面開口部１１Ｂは実線で示されている。貫通孔１１は、それぞれＳＡＷチップ２のバンプ１２の位置に対応して対角方向の隅に配置されている。
ガラス基板１０の下面１０Ｂには、その周辺部にわたって金属接合部１３が設けられている。
図２において、下面開口部１１Ｂの径とバンプ１２の径との大きさを比較するため、下面開口部１１Ｂを２点鎖線の創造線で示した。貫通孔１１の下面開口部１１Ｂの径は、バンプ１２の径より小さく、直径で２０〜１２０μｍが好ましい。

図４（ａ）には、接合前のカバー３の貫通孔１１付近の部分拡大断面図が示されている。封止材１６は除いて示した。
貫通孔１１の下面開口部１１Ｂには、アンダーカット１４と呼ばれる欠けが発生している。アンダーカット１４は、貫通孔１１の加工時に発生する。
貫通孔１１の内面には、ガラス基板１０の上面１０Ａ側から外部電極１５が延長されて形成されているが、アンダーカット１４の部分には、外部電極１５は形成されていない。
なお、図４（ａ）では、アンダーカット１４は、下面開口部１１Ｂの全周にわたって描かれているが、下面開口部１１Ｂの一部に発生していてもよいし、その形状も図に示した形状に限定されない。

ガラス基板１０は、圧電基板４の水晶に近い熱膨張率を有するソーダガラスで形成されている。ソーダガラス以外の材料として、水晶と同程度の熱膨張率を有する他のガラス材料または絶縁材料、若しくは圧電基板４と同じ水晶を用いることができる。また、圧電基板４に水晶以外の圧電材料を用いた場合、それと同程度の熱膨張率を有する絶縁材料の薄板でカバー３を用いることができる。
金属接合部１３および外部電極１５は、Ｃｒ／Ａｕ膜またはＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ膜で形成されている。

以下に、ＳＡＷチップ２とカバー３との接合部分および接触部分について説明する。
図１において、ＳＡＷチップ２とカバー３とは、金属接合部９と金属接合部１３が熱圧着されることにより接合されている。接合により、ＳＡＷチップ２とカバー３との間に画定される空間内にＩＤＴ電極５等が気密に封止されている。

図４（ｂ）には、弾性表面波デバイス１の貫通孔１１の下面開口部１１Ｂとバンプ１２との接触部分の部分拡大断面図が示されている。
図４（ａ）および（ｂ）において、バンプ１２の径は、貫通孔１１の下面開口部１１Ｂの径よりは大きく形成されている。貫通孔１１の下面開口部１１Ｂは、アンダーカット１４に密着するバンプ１２によって塞がれ、かつ下面開口部１１Ｂ周辺もバンプ１２によって気密に封止されている。

ＩＤＴ電極５は、それぞれリード線７、取出電極８、バンプ１２を介して、外部電極１５と電気的に接続されている。また、貫通孔１１の内部には、導電性材料からなる封止材１６が充填されている。封止材１６の導電材料には、例えば、ＡｕＳｎ、ＡｕＧｅ、はんだ材料、高温はんだ等を用いることができる。

次に、図５を参照して、本発明の本実施形態に係る弾性表面波デバイス１の製造方法を説明する。
弾性表面波デバイス１の製造方法は、ＳＡＷチップ形成工程と、カバー形成工程と、貫通孔１１の下面開口部１１Ｂ周辺で貫通孔１１を気密に封止する封止工程と、ＳＡＷチップ２とカバー３間に画定される空間にＩＤＴ電極５を気密に封止するように一体的に接合する接合工程と、貫通孔１１内に封止材１６を形成して、ＩＤＴ電極５と外部電極１５とを電気的に接続する電気接続工程とを含んでいる。
図５（ａ）は、ＳＡＷチップ形成工程と、カバー形成工程とを示している。図５（ｂ）は封止工程を、図５（ｃ）は接合工程と電気接続工程とを示している。

図５（ａ）を参照して、ＳＡＷチップ形成工程とカバー形成工程とを説明する。
以下に、ＳＡＷチップ形成工程を説明する。
まず、複数のＳＡＷチップ２を縦および横に連続して配置した大型のＳＡＷチップ用水晶ウェハ２１を用意する。水晶ウェハ２１に、水晶ウェハ２１の上面４Ａに所定の厚さのＣｒ／Ａｕ膜を成膜して、フォトリソグラフィ技術を利用して、各ＳＡＷチップ２のＩＤＴ電極５、反射器６およびリード線７を所定のパターンに形成する。その後、取出電極８をリード線７上に形成する。
ＩＤＴ電極５、反射器６、リード線７は、アルミニウムを蒸着することによって成膜することができる。

次に、スタッドバンプにより、取出電極８にバンプ１２Ａを形成する。バンプ１２Ａは、取出電極８に接する基部はほぼ円柱状で、バンプ１２Ａの径は、ガラスウェハ２２の貫通孔１１の下面開口部１１Ｂの径より大きく形成する。また、バンプ１２Ａの高さは、金属接合部９と金属接合部１３との厚みを加えた厚み、つまりＳＡＷチップ２とカバー３との接合後の距離より高く形成する。ここで、バンプ１２Ａの上面の中心部は、切断された金ワイヤーからなる凸部を有している。バンプ１２Ａの高さは、この凸部を除いた高さである。この凸部の先端の一部は、貫通孔１１に収まる大きさとなっている。

以下に、カバー形成工程を説明する。
まず、複数のカバー３を縦および横に連続して配置した大型のカバー用ガラスウェハ２２を準備する。ガラスウェハ２２には、貫通孔１１を、例えばサンドブラスト加工またはエッチングにより形成する。特に、サンドブラスト加工によれば、貫通孔１１をテーパ状に容易に加工することができる。加工によって、貫通孔１１の下面開口部１１Ｂにはアンダーカット１４が発生する。
次に、貫通孔１１を取り囲むように矩形の外部電極１５を上面１０Ａに、Ｃｒ／Ａｕをスパッタリングによって形成する。このとき、貫通孔１１の内面にも外部電極１５が形成されるが、アンダーカット１４には、Ｃｒ／Ａｕが回り込みにくく、外部電極１５が形成されにくい。

図５（ａ）および図５（ｂ）を参照して、封止工程を説明する。
図５（ａ）に示すように、ガラスウェハ２２の下面１０Ｂと水晶ウェハ２１の上面４Ａを対向させて、対応する貫通孔１１とバンプ１２Ａとを位置合わせする。次に、図５（ｂ）中の矢印方向にガラスウェハ２２に力を加え、バンプ１２Ａを押しつぶす。ここで、水晶ウェハ２１は固定されている。バンプ１２Ａは押しつぶされてアンダーカット１４および貫通孔１１の下面開口部１１Ｂ周辺に密着し、バンプ１２の形状になり、貫通孔１１は気密に封止される。
このとき、球状の封止材１６を貫通孔１１に充填しておく。封止材１６は、圧力をかける前に予め充填しておいても良い。

図５（ｃ）を参照して接合工程と電気接続工程とを説明する。
まず、ガラスウェハ２２に図中の矢印方向に圧力を加えた状態で、水晶ウェハ２１とガラスウェハ２２全体を加熱する。加熱する温度は、金属接合部９と金属接合部１３とが熱圧着される温度で、封止材１６が溶融する温度が好ましい。具体的には、２５０〜４００℃が好ましい。加熱により、金属接合部９と金属接合部１３とを熱圧着するとともに、封止材１６を溶融することにより、封止材１６によって貫通孔１１を塞ぐ。

次に、接合された水晶ウェハ２１とガラスウェハ２２とを、２点鎖線で示された線に沿ってダイシングすることにより、弾性表面波デバイス１が得られる（図５（ｄ））。

このような実施形態によれば、以下の効果がある。
（１）バンプ１２の径を、貫通孔１１の下面開口部１１Ｂの径より大きく形成しているため、貫通孔１１を、貫通孔１１の内部だけでなく貫通孔１１の下面開口部１１Ｂ周辺でも気密に封止することができる。したがって、貫通孔１１の下面開口部１１Ｂの形状にかかわらず、外部電極１５とＳＡＷチップ２に設けられたＳＡＷ素子との電気的接続部分の気密性が十分に確保された信頼性の高い弾性表面波デバイス１を得ることができる。

（２）貫通孔１１の内部には、導電性材料からなる封止材１６が充填されている。封止材１６によりバンプ１２と外部電極１５との間における導通、および貫通孔１１における気密封止をより信頼性の高いものにできる。

（３）バンプ１２Ａの径を、対応する貫通孔１１の下面開口部１１Ｂの径より大きく、かつＳＡＷチップ２とカバー３間の接合後の距離より厚く形成しているため、ＳＡＷチップ２とカバー３を合わせて封止する際に、バンプ１２Ａが変形して下面開口部１１Ｂ周辺の広い範囲にわたって密着し、下面開口部１１Ｂを塞ぐことができる。したがって、より信頼性の高い弾性表面波デバイス１を製造できる。

（４）金属接合により、金属接合部９，１３間に隙間がない接合がされるので、ＳＡＷチップ２とカバー３間に画定される空間にＩＤＴ電極５を気密に封止できる。また、接合強度が十分あるので、バンプ１２と貫通孔１１の下面開口部１１Ｂ周辺との密着を維持できる。したがって、より信頼性の高い弾性表面波デバイス１を製造できる。

（第２実施形態）
第２実施形態は、第１実施形態において、水晶ウェハ２１とガラスウェハ２２との接合方法を変えた実施形態である。
図６には、本実施形態における弾性表面波デバイス１の断面図が示されている。
図６において、ＳＡＷチップ２とカバー３の外周部に相当する部分には、金属接合部９のみが設けられている。金属接合部９は、水晶ウェハ２１とガラスウェハ２２とのどちら側に設けられていてもよい。接合は、金属接合部９と金属接合部９が設けられていないウェハとの陽極接合によって行う。その他は、第１実施形態と同様の構成である。
陽極接合は、金属接合部９を陽極、水晶ウェハ２１またはガラスウェハ２２側を負極として直流電圧を印加して行う。印加する電圧は、２００〜２０００Ｖの間で、一般的には１０００Ｖ前後が適当である。また、陽極接合中の温度は、３００〜６００℃が好ましく、封止材１６が溶融する温度が好ましい。

このような実施形態によれば、以下の効果がある。
（５）陽極接合によってＳＡＷチップ２とカバー３とを接合することによって、前述の効果を達成できる弾性表面波デバイス１が製造できる。

（第３実施形態）
第３実施形態は、第１実施形態において、水晶ウェハ２１とガラスウェハ２２との接合方法を変えた実施形態である。
図７には、本実施形態における弾性表面波デバイス１の断面図が示されている。
図７において、ＳＡＷチップ２とカバー３の外周部に相当する部分には、それぞれが凸形状になるように形成されている。この凸形状部分同士を、直接接合することによって水晶ウェハ２１とガラスウェハ２２とを接合する。その他は、第１実施形態と同様の構成である。
直接接合は、以下に示す方法で行う。
水晶ウェハ２１とガラスウェハ２２との凸形状表面にシラノールを形成し、シラノ−ルが形成された表面同士を合わせて圧力をかけ、仮接合する。仮接合後、加熱することにより、シラノ−ル同士で脱水が起こり、シロキサン結合が生成する。シロキサン結合は、原子間結合であるので、結合強度が極めて高い。
これらの接合は、真空中で行うとより効果的に接合が行われる。また、超音波をかけながら行うのも効果的である。

このような実施形態によれば、以下の効果がある。
（６）直接接合によってＳＡＷチップ２とカバー３とを接合することによって、前述の効果を達成できる弾性表面波デバイス１が製造できる。

また、本発明を実施するための最良の方法などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、使用する材料、処理時間、その他の詳細な事項において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
したがって、上記に開示した材料、処理時間などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの材料、処理時間などの限定の一部もしくは全部の限定を外した記載は、本発明に含まれるものである。

（ａ）は、第１実施形態における弾性表面波デバイスの平面図、（ｂ）は、その断面図。 第１実施形態におけるＳＡＷチップの平面図。 第１実施形態におけるカバーの下面図。 （ａ）は、第１実施形態におけるカバーの部分拡大断面図、（ｂ）は、第１実施形態における弾性表面波デバイスの部分拡大断面図。 第１実施形態における弾性表面波デバイスの製造工程を示した図。 第２実施形態における弾性表面波デバイスの断面図。 第３実施形態における弾性表面波デバイスの断面図。

符号の説明

１…弾性表面波デバイス、２…ＳＡＷチップ、３…カバー、４…圧電基板、５…ＩＤＴ電極、８…取出電極、９，１３…金属接合部、１０…絶縁性基板であるガラス基板、１１…貫通孔、１１Ａ…上面開口部、１１Ｂ…下面開口部、１２…バンプ、１５…外部電極、１６…導電材料である封止材。

Claims (7)

1. 圧電基板の主面に設けられたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極から引き出された取出電極と、前記取出電極に設けられたバンプとを有するＳＡＷチップと、
   絶縁性基板に、前記ＳＡＷチップの前記バンプに対応する位置に設けられた貫通孔と、前記絶縁性基板の前記貫通孔の上面開口部周辺および前記貫通孔の内面に設けられた外部電極とを有するカバーとを備え、
   前記バンプの径が、前記絶縁性基板の前記貫通孔の下面開口部の径より大きく形成され、
   前記貫通孔が、前記バンプによって前記貫通孔の前記下面開口部周辺で気密に封止されている
   ことを特徴とする弾性表面波デバイス。
2. 請求項１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
   前記ＳＡＷチップと前記カバーとが、前記ＳＡＷチップと前記カバー間に画定される空間に前記ＩＤＴ電極が気密に封止されるように一体的に接合され、
   前記ＩＤＴ電極と前記外部電極とが、前記貫通孔に形成された導電材料および前記バンプにより電気的に接続されている
   ことを特徴とする弾性表面波デバイス。
3. 圧電基板の主面に設けられたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極から引き出された取出電極と、前記取出電極に設けられたバンプとを含むＳＡＷチップを形成するＳＡＷチップ形成工程と、
   絶縁性基板の前記バンプに対応する位置に設けられた貫通孔と、前記絶縁性基板の前記貫通孔の上面開口部周辺および前記貫通孔の内面に設けられた外部電極とを含むカバーを形成するカバー形成工程と、
   前記バンプを変形させることによって、前記貫通孔の下面開口部周辺で前記貫通孔を気密に封止する封止工程と、
   前記ＳＡＷチップと前記カバー間に画定される空間に前記ＩＤＴ電極を気密に封止するように一体的に接合する接合工程と、
   前記貫通孔内に導電材料を形成して、前記ＩＤＴ電極と前記外部電極とを電気的に接続する電気接続工程とを含む
   ことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
4. 請求項３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
   前記バンプの径を、前記絶縁性基板の前記貫通孔の前記下面開口部の径より大きく、かつ前記バンプの厚みを、前記ＳＡＷチップと前記カバーとの接合後の距離より厚く形成する
   ことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
5. 請求項３または請求項４に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
   前記接合工程は、
   前記圧電基板の主面の周辺全体に沿って設けられた金属接合部と、
   前記絶縁性基板の下面の周辺全体に沿って設けられた金属接合部との金属接合によって、前記ＳＡＷチップと前記カバーとを接合する
   ことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
6. 請求項３または請求項４に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
   前記接合工程は、
   前記圧電基板主面の周辺全体に沿って設けられた金属接合部と、
   前記絶縁性基板の下面の周辺全体との陽極接合によって、前記ＳＡＷチップと前記カバーとを接合する
   ことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
7. 請求項３または請求項４に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
   前記接合工程は、
   前記圧電基板主面の周辺全体と、
   前記絶縁性基板の下面の周辺全体との直接接合によって、前記ＳＡＷチップと前記カバーとを接合する
   ことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
   
   

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