JP2010041043A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010041043A5
JP2010041043A5 JP2009158854A JP2009158854A JP2010041043A5 JP 2010041043 A5 JP2010041043 A5 JP 2010041043A5 JP 2009158854 A JP2009158854 A JP 2009158854A JP 2009158854 A JP2009158854 A JP 2009158854A JP 2010041043 A5 JP2010041043 A5 JP 2010041043A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
interposer
electrically connected
color sensor
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009158854A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010041043A (ja
JP5518381B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009158854A priority Critical patent/JP5518381B2/ja
Priority claimed from JP2009158854A external-priority patent/JP5518381B2/ja
Publication of JP2010041043A publication Critical patent/JP2010041043A/ja
Publication of JP2010041043A5 publication Critical patent/JP2010041043A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5518381B2 publication Critical patent/JP5518381B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (9)

  1. 複数の光センサを有するカラーセンサであって、
    前記複数の光センサは、光電変換素子を有する光電流変換回路部と、光フィルタと、を有し、
    前記複数の光センサそれぞれが有する前記光電流変換回路部は、インターポーザに設けられた配線と電気的に接続され、
    前記配線は、前記インターポーザに設けられた電極と電気的に接続され、
    前記電極には、電源電位が供給されることを特徴とするカラーセンサ。
  2. 複数の光センサを有するカラーセンサであって、
    前記複数の光センサは、光電変換素子を有する光電流変換回路部と、光フィルタと、を有し、
    前記複数の光センサそれぞれが有する前記光電流変換回路部は、インターポーザの表面側に設けられた第1の配線及び第2の配線と電気的に接続され、
    前記第1の配線は、前記インターポーザに設けられた第1の開口を介して、前記インターポーザの裏面側に設けられた第1の電極と電気的に接続され、
    前記第2の配線は、前記インターポーザに設けられた第2の開口を介して、前記インターポーザの裏面側に設けられた第2の電極と電気的に接続され、
    前記第1の電極には、第1の電源電位が供給され、
    前記第2の電極には、第2の電源電位が供給されることを特徴とするカラーセンサ。
  3. 光センサを有するカラーセンサであって、
    前記光センサは、光電変換素子を有する複数の光電流変換回路部と、複数の光フィルタと、を有し、
    前記複数の光電流変換回路部は、インターポーザに設けられた配線と電気的に接続され、
    前記配線は、前記インターポーザに設けられた電極と電気的に接続され、
    前記電極には、電源電位が供給されることを特徴とするカラーセンサ。
  4. 光センサを有するカラーセンサであって、
    前記光センサは、光電変換素子を有する複数の光電流変換回路部と、複数の光フィルタと、を有し、
    前記複数の光電流変換回路部は、インターポーザの表面側に設けられた第1の配線及び第2の配線と電気的に接続され、
    前記第1の配線は、前記インターポーザに設けられた第1の開口を介して、前記インターポーザの裏面側に設けられた第1の電極と電気的に接続され、
    前記第2の配線は、前記インターポーザに設けられた第2の開口を介して、前記インターポーザの裏面側に設けられた第2の電極と電気的に接続され、
    前記第1の電極には、第1の電源電位が供給され、
    前記第2の電極には、第2の電源電位が供給されることを特徴とするカラーセンサ。
  5. 請求項2又は4において、
    前記インターポーザは、前記第1の配線及び第2の配線と電気的に接続されていない第3の配線、又は、前記第1の電極及び前記第2の電極と電気的に接続されていない第3の電極を有することを特徴とするカラーセンサ。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一項にいて、
    前記光フィルタは、透光性を有する樹脂に覆われていることを特徴とするカラーセンサ。
  7. 請求項1乃至6のいずれか一項において、
    前記光電流変換回路部は、前記光電変換素子からの信号を対数圧縮することができる機能を有することを特徴とするカラーセンサ。
  8. 請求項1乃至6のいずれか一項において、
    前記光電流変換回路部は、前記光電変換素子からの信号をデジタル信号に変換することができる機能を有することを特徴とするカラーセンサ。
  9. 請求項1乃至8のいずれか一項に記載のカラーセンサを有することを特徴とする電子機器。
JP2009158854A 2008-07-10 2009-07-03 カラーセンサ及び当該カラーセンサを具備する電子機器 Expired - Fee Related JP5518381B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009158854A JP5518381B2 (ja) 2008-07-10 2009-07-03 カラーセンサ及び当該カラーセンサを具備する電子機器

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008180776 2008-07-10
JP2008180776 2008-07-10
JP2009158854A JP5518381B2 (ja) 2008-07-10 2009-07-03 カラーセンサ及び当該カラーセンサを具備する電子機器

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010041043A JP2010041043A (ja) 2010-02-18
JP2010041043A5 true JP2010041043A5 (ja) 2012-08-16
JP5518381B2 JP5518381B2 (ja) 2014-06-11

Family

ID=41504284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009158854A Expired - Fee Related JP5518381B2 (ja) 2008-07-10 2009-07-03 カラーセンサ及び当該カラーセンサを具備する電子機器

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8502131B2 (ja)
JP (1) JP5518381B2 (ja)
KR (2) KR101605026B1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7923800B2 (en) * 2006-12-27 2011-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9262968B2 (en) * 2012-10-10 2016-02-16 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus and control method thereof
US9192029B2 (en) * 2013-03-14 2015-11-17 Abl Ip Holding Llc Adaptive optical distribution system
WO2017209667A1 (en) * 2016-05-31 2017-12-07 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Icn connectivity awareness
JP6887307B2 (ja) * 2017-05-19 2021-06-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN108550598B (zh) * 2018-06-01 2019-08-30 京东方科技集团股份有限公司 电子成像装置及其制备方法、柔性电子复眼及其制备方法
CN109164103A (zh) * 2018-11-20 2019-01-08 扬州工业职业技术学院 一种稀土金属掺杂高灵敏度的快速检测牛奶中三聚氰胺的试纸
CN110047804B (zh) * 2019-04-30 2021-08-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及制作方法、显示面板、拼接屏

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US721455A (en) * 1902-08-26 1903-02-24 Hugh Watson Mackenzie Apparatus for baking wafers, &c.
JP2653099B2 (ja) * 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル,投写型表示装置及びビューファインダー
JPH0676926B2 (ja) * 1989-06-13 1994-09-28 三菱電機株式会社 カラーフィルタ装置
US5468681A (en) * 1989-08-28 1995-11-21 Lsi Logic Corporation Process for interconnecting conductive substrates using an interposer having conductive plastic filled vias
US5261156A (en) * 1991-02-28 1993-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of electrically connecting an integrated circuit to an electric device
JP2564728B2 (ja) 1991-02-28 1996-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路チップの実装方法
JPH0677510A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Canon Inc 光起電力素子
JP3406727B2 (ja) 1995-03-10 2003-05-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US5757456A (en) * 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
JP3638656B2 (ja) 1995-03-18 2005-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
US5834327A (en) 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
JPH11160734A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶電気光学装置
JP2001064029A (ja) 1999-08-27 2001-03-13 Toyo Commun Equip Co Ltd 多層ガラス基板及び、その切断方法
US6882012B2 (en) * 2000-02-28 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP2002329576A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
CN100487898C (zh) 2001-11-05 2009-05-13 佐伊科比株式会社 固体图像传感器及其制造方法
JP2003255386A (ja) 2002-03-01 2003-09-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JP2003338519A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
US7056810B2 (en) 2002-12-18 2006-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor apparatus, and semiconductor apparatus and electric appliance
JP2004207277A (ja) * 2002-12-20 2004-07-22 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
EP1434264A3 (en) * 2002-12-27 2017-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method using the transfer technique
JP2004265889A (ja) * 2003-01-16 2004-09-24 Tdk Corp 光電変換素子、光電変換装置、及び鉄シリサイド膜
US8704803B2 (en) * 2004-08-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance using the display device
KR101058458B1 (ko) 2004-09-22 2011-08-24 엘지디스플레이 주식회사 저분자 유기 반도체물질을 이용한 액정표시장치용 어레이기판 및 그의 제조 방법
US20060091300A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Nishimura Ken A Optical color sensor using diffractive elements
DE102005023947B4 (de) * 2005-05-20 2007-04-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit optisch transparenter Abdeckung
US8153511B2 (en) * 2005-05-30 2012-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5137418B2 (ja) * 2006-03-10 2013-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8053816B2 (en) 2006-03-10 2011-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2007310628A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
JP2007335607A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Sharp Corp Icチップ実装パッケージ、及びこれを用いた画像表示装置
JP4201808B2 (ja) * 2006-11-08 2008-12-24 シャープ株式会社 光電流検出回路ならびにそれを備えた光センサおよび電子機器
KR101441346B1 (ko) 2007-04-27 2014-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP5376961B2 (ja) * 2008-02-01 2013-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8049292B2 (en) 2008-03-27 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP4688229B2 (ja) * 2008-10-03 2011-05-25 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010041043A5 (ja)
EP2998995A3 (en) Photoelectric conversion element, image reading device, and image forming apparatus
KR101696309B1 (ko) 이미지 센서의 픽셀 비닝
TW200742054A (en) Fused multi-array color image sensor
TW200633199A (en) Solid-state imaging device
JP2010067827A5 (ja)
JP2003298102A5 (ja)
JP2010211374A5 (ja)
EP2627078A3 (en) Solid-state image sensing device
EP2290694A3 (en) Image pickup device and image pickup apparatus
EP1874033A3 (en) Digital camera module
TW200701774A (en) Stack-type image sensor module
WO2010119358A3 (en) Spectral imaging
JP2012099934A5 (ja)
EP2437484A3 (en) Imaging device and camera system
JP2006245101A5 (ja)
RU2006140751A (ru) Твердотельное устройство захвата изображения
US8982257B2 (en) Image sensor module and camera module using same
EP1713258A3 (en) Focus detection
US20140139710A1 (en) Image sensor module and camera module using same
JP2010087011A5 (ja)
TW201144777A (en) Radiation sensor
EP2456193A3 (en) Processing detector array signals using stacked readout integrated circuits
ES2534676T3 (es) Módulo fotovoltaico que comprende una conexión eléctrica que tiene una función óptica
JP2009147147A5 (ja)