JP2003298102A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 第１導電型の領域と、前記第１導電型と逆の導電型である第２導電型の領域を交互に複数積層して成り、前記第１導電型及び第２導電型の領域から成る各接合面を配し、複数の出力信号を出力する光電変換素子であって、
   光入射側表面に最も近い前記接合面を形成する、光入射側に配された前記領域の光入射側に表面半導体領域を配し、前記表面半導体領域は前記領域と逆の導電型であり、かつ信号出力線と接続されていないことを特徴とする光電変換素子。
2. 第１導電型の領域と、前記第１導電型と逆の導電型である第２導電型の領域を交互に複数積層して成り、前記第１導電型及び第２導電型の領域から成る各接合面を配し、複数の出力信号を出力する光電変換素子であって、
   光入射側表面に最も近い前記接合面を形成する、光入射側に配された前記領域の光入射側に、前記領域と逆の導電型の表面半導体領域を配し、前記表面半導体領域と、前記表面半導体領域と最も近くかつ前記表面半導体領域と同導電型の領域とが電気的に接続されていることを特徴とする光電変換素子。
3. 前記表面半導体領域を、その他の領域と異なる電極に接続したことを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子。
4. 前記各接合面は、それぞれ異なる複数の波長帯域の光を光電変換するために適した深さとなるように配したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光電変換素子。
5. 前記積層された前記第１導電型及び第２導電型の領域の濃度が、所定の電位にリセットすることにより空乏状態となる濃度であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光電変換素子。
6. 前記積層された前記第１導電型及び第２導電型の各領域が空乏状態となるように各領域を所定の電位にリセットするリセット手段を更に有することを特徴とする請求項５に記載の光電変換素子。
7. 複数の光電変換素子を配列して成る固体撮像装置であって、前記各光電変換素子が請求項１乃至４のいずれかに記載の光電変換素子の構成を有することを特徴とする固体撮像装置。
8. 請求項１又は２に記載の光電変換素子の構成を有し、それぞれ異なる複数の波長帯域の信号を出力する第１及び第２の光電変換素子をそれぞれ複数配列して成る固体撮像装置であって、
   前記第１の光電変換素子は、第１及び第２の波長帯域の光を主に光電変換し、
   前記第２の光電変換素子は、第２及び第３の波長帯域の光を主に光電変換する
   ことを特徴とする固体撮像装置。
9. 前記第１の光電変換素子は前記第１及び第２の波長帯域以外の光を遮光するフィルタを有し、前記第２の光電変換素子は前記第２及び第３の波長帯域以外の光を遮光するフィルタを有することを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置。
10. 第１の波長帯域の光を主に光電変換する第１の光電変換素子と、
    請求項１又は２に記載の光電変換素子の構成を有し、第２及び第３の波長帯域の光を主に光電変換する第２の光電変換素子と
    をそれぞれ複数配列して成ることを特徴とする固体撮像装置。
11. 前記第１の光電変換素子は表面に前記第１の波長帯域以外の光を遮光するフィルタを有し、前記第２の光電変換素子は表面に前記第１の波長帯域の光を遮光するフィルタを有することを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置。
12. 前記積層された前記第１導電型及び第２導電型の領域の濃度が、所定の電位にリセットすることにより空乏状態となる濃度であることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載の固体撮像装置。
13. 前記積層された前記第１導電型及び第２導電型の各領域が空乏状態となるように各領域を所定の電位にリセットするリセット手段を更に有することを特徴とする請求項１２に記載の固体撮像装置。
14. 請求項７乃至１３のいずれかに記載の固体撮像装置を有することを特徴とするカメラ。
15. 請求項７乃至１３のいずれかに記載の固体撮像装置を有することを特徴とする画像読み取り装置。