JP2006237136A - 光電変換膜積層型固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 共通電極膜15,20,24と画素対応の画素電極膜12,17,22とによって挟まれた光電変換膜14,19,23が絶縁層16,21を介して半導体基板1の上に少なくとも3層積層され、各層毎の光電変換膜に夫々被着される画素電極膜12,17,22と半導体基板1に形成された電荷蓄積部2,4,6とを柱状のコンタクト電極13a,18a,26aで接続する光電変換膜積層型固体撮像素子において、3層の各々の画素電極膜12,17,22に接続される高さの異なるコンタクト電極13a,18a,26aの抵抗値を同一にする。例えば、夫々の太さを変えて抵抗値を同一抵抗値にする。
【選択図】 図2
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光電変換膜積層型固体撮像素子の低層用コンタクト電極と中層用コンタクト電極と高層用コンタクト電極の関係説明図である。従来は、図1(a)に示すように、低層用コンタクト電極13と、中層用コンタクト電極18と、高層用コンタクト電極26とが同一太さで横断面積が同一となるように製造されていたのに対し、本実施形態では、図1(b)に示す様に、低層用コンタクト電極13aに対して中層用コンタクト電極18aが太く、高層用コンタクト電極26aは更に太くなるように製造し、各コンタクト電極13a,18a,26aの両端間の抵抗値が同じになるようにしている。
上述した第1の実施形態では、コンタクト電極13a,18a,26aの抵抗を同一とするためにも、その横断面積の広さを変えたが、本実施形態では、コンタクト電極13a,18a,26aを同一太さとし、各コンタクト電極13a,18a,26aの材質を変えたことを特徴とする。即ち、導電率の高い材料をコンタクト電極26aに使用し、導電率の低い材料をコンタクト電極13aに使用し、中間の導電率の材料をコンタクト電極18aに使用する。これにより、本実施形態でも第1の実施形態と同じ効果を得ることができる。
図3は、本発明の第3の実施形態に係る光電変換膜積層型固体撮像素子の1画素分の断面模式図である。半導体基板100の表面部には、信号読出回路が形成される。信号読出回路は、図2と同様にMOSトランジスタ回路で構成しても良いが、本実施形態では、従来のCCD型イメージセンサと同様に電荷転送路で構成する。
図4は、本発明の第4の実施形態に係る光電変換膜積層型固体撮像素子の説明図である。本実施形態の光電変換膜積層型固体撮像素子の構成は、基本的には図3に示す実施形態の光電変換膜積層型固体撮像素子と同じであり、本実施形態では、更に、赤色(R)検出用の光電変換膜と、緑色(G)検出用の光電変換膜と、青色(B)検出用の光電変換膜とを重ねる順番を、隣接する画素で巡回的に入れ替えて製造している。図4は、各色用の光電変換膜だけの配置例を示す図であり、光電変換膜を重ねる色順番を、マトリクス状に入れ替えているところを示している。
G=0.05G1+0.05G2+0.05G3+0.05G4+0.6G5+0.05G6+0.05G7+0.05G8+0.05G9
と演算して求める。赤色信号や青色信号も同様の式で求める。
12,17,22,111,115,119 画素電極膜
14,19,23,112,116,120 光電変換膜
15,20,24,113,117,121 共通電極膜
16,21,114,118 絶縁膜
13a,18a,26a,122,123,124 コンタクト電極
2,4,6,141,142,143 電荷蓄積領域
151,152,153 電荷転送路
191,192,193 電極(遮光膜を兼用する)
Claims (4)
- 共通電極膜と画素対応の画素電極膜とによって挟まれた光電変換膜が絶縁層を介して半導体基板の上に少なくとも3層積層され、各層毎の光電変換膜に夫々被着される前記画素電極膜と前記半導体基板に形成された電荷蓄積部とを柱状のコンタクト電極で接続する光電変換膜積層型固体撮像素子において、前記3層の各々の前記画素電極膜に接続されるコンタクト電極の抵抗値を同一抵抗値に製造したことを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 高さの異なる前記コンタクト電極のうち高さが高いコンタクト電極ほど横断面積を広げて抵抗値を下げ高さの低いコンタクト電極と同一抵抗値にしたことを特徴とする請求項1に記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 高さの異なるコンタクト電極を横断面積を同一に製造すると共に高さの異なるコンタクト電極を異なる材料で形成することで同一抵抗値に製造したことを特徴とする請求項1に記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記3層の光電変換膜を画素毎に分離して形成すると共に赤色光を吸収する光電変換膜と緑色光を吸収する光電変換膜と青色光を吸収する光電変換膜の積層順を隣接する画素で巡回的に入れ替えて製造したことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
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