JP2010040772A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8531033B2 (en) 2009-09-07 2013-09-10 Advanced Interconnect Materials, Llc Contact plug structure, semiconductor device, and method for forming contact plug
JP2021136271A (ja) * 2020-02-25 2021-09-13 キオクシア株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN117960529A (zh) * 2023-10-09 2024-05-03 江西蓝微电子科技有限公司 一种绝缘覆膜抗腐蚀合金键合丝的制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006216787A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2006518927A (ja) * 2002-12-11 2006-08-17 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体相互接続構造上に金属層を堆積するための方法
JP2007027347A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007059660A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2007081113A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2007173511A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2007221103A (ja) * 2006-01-20 2007-08-30 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2008124275A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2008153472A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US20080179747A1 (en) * 2007-01-31 2008-07-31 Fujitsu Limited Method of manufacturing semiconductor apparatus, and semiconductor apparatus
WO2009107205A1 (ja) * 2008-02-27 2009-09-03 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006518927A (ja) * 2002-12-11 2006-08-17 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体相互接続構造上に金属層を堆積するための方法
JP2006216787A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007027347A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007059660A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2007081113A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2007173511A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2007221103A (ja) * 2006-01-20 2007-08-30 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2008124275A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2008153472A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US20080179747A1 (en) * 2007-01-31 2008-07-31 Fujitsu Limited Method of manufacturing semiconductor apparatus, and semiconductor apparatus
JP2008187072A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置
WO2009107205A1 (ja) * 2008-02-27 2009-09-03 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8531033B2 (en) 2009-09-07 2013-09-10 Advanced Interconnect Materials, Llc Contact plug structure, semiconductor device, and method for forming contact plug
JP2021136271A (ja) * 2020-02-25 2021-09-13 キオクシア株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN117960529A (zh) * 2023-10-09 2024-05-03 江西蓝微电子科技有限公司 一种绝缘覆膜抗腐蚀合金键合丝的制备方法

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