JP2010080607A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】Cu配線中のMnの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】合金膜18上に、SiおよびOを含む絶縁材料からなる犠牲層41が積層される。犠牲層41の積層後、熱処理が行われる。第2絶縁層6および犠牲層41にSiおよびOが含まれるので、熱処理が行われると、第2絶縁層6と合金膜18との界面および合金膜18と犠牲層41との界面において、Si、OおよびMnが結合し、それぞれMnSiOからなる第2バリア膜13および反応生成膜42が形成される。合金膜18に含まれるMnが反応生成膜42の形成に使用されることにより、第2バリア膜13の形成後、その第2バリア膜13の形成に寄与せずに合金膜18に残留するMnの量が減少する。そのため、合金膜18上に積層されるCu層20に拡散するMnの量が減少する。よって、Cu層20からなる第2Cu配線中のMnの残留量を減らすことができる。
【選択図】図2E
【解決手段】合金膜18上に、SiおよびOを含む絶縁材料からなる犠牲層41が積層される。犠牲層41の積層後、熱処理が行われる。第2絶縁層6および犠牲層41にSiおよびOが含まれるので、熱処理が行われると、第2絶縁層6と合金膜18との界面および合金膜18と犠牲層41との界面において、Si、OおよびMnが結合し、それぞれMnSiOからなる第2バリア膜13および反応生成膜42が形成される。合金膜18に含まれるMnが反応生成膜42の形成に使用されることにより、第2バリア膜13の形成後、その第2バリア膜13の形成に寄与せずに合金膜18に残留するMnの量が減少する。そのため、合金膜18上に積層されるCu層20に拡散するMnの量が減少する。よって、Cu層20からなる第2Cu配線中のMnの残留量を減らすことができる。
【選択図】図2E
Description
本発明は、Cu(銅)を主成分とする金属材料からなるCu配線を有する半導体装置の製造方法に関する。
高集積化された半導体装置において、配線の材料として、Al(アルミニウム)よりも導電性の高いCuを採用したものがある。Cuがドライエッチングによる微細なパターニングが困難であることから、Cuを材料に採用した配線(Cu配線)は、ダマシン法により、半導体基板上の絶縁層に形成された微細な溝に埋設される。
絶縁層の材料としては、通常、SiO2(酸化シリコン)が採用される。ところが、Cuは、SiO2への拡散性が高い。そのため、SiO2からなる絶縁層に形成された溝の内面とCu配線とが直に接すると、Cuが絶縁層中に拡散し、これにより絶縁層の絶縁耐圧が低下する。したがって、絶縁層とCu配線との間には、Cuの絶縁層への拡散を防止するためのバリア膜が必要となる。
絶縁層の材料としては、通常、SiO2(酸化シリコン)が採用される。ところが、Cuは、SiO2への拡散性が高い。そのため、SiO2からなる絶縁層に形成された溝の内面とCu配線とが直に接すると、Cuが絶縁層中に拡散し、これにより絶縁層の絶縁耐圧が低下する。したがって、絶縁層とCu配線との間には、Cuの絶縁層への拡散を防止するためのバリア膜が必要となる。
バリア膜を形成する手法として、CuおよびMnを含む合金材料(以下、単に「CuMn合金」という。)を用いた自己形成プロセスが知られている。この自己形成プロセスでは、スパッタ法により、溝の内面を含む絶縁層の表面上に、CuMn合金からなる合金膜が形成される。次いで、めっき法により、合金膜上に、Cuを主成分とする金属材料からなるCu層が積層される。その後、熱処理が行われることにより、合金膜に含まれるMnが絶縁層に含まれるSi(シリコン)およびO(酸素)と結合し、溝の内面上に、MnxSiyOz(x,y,z:零よりも大きい数。以下、単に「MnSiO」という。)からなるバリア膜が形成される。
そして、バリア膜の形成後、CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械的研磨)法により、Cu層の表面が溝外の絶縁層の表面と面一になるまで研磨される。これにより、溝にバリア膜を介して埋設されたCu配線が得られる。
特開2005−277390号公報
CuMn合金は、SiO2に対する密着性が高くない。そこで、溝の内面に対する合金膜の密着性を確保し、溝の側面上での合金膜の膜剥がれを防止するため、合金膜は、バリア膜の形成に必要な最小限の厚さよりも大きい厚さに形成される。また、CuMn合金は、Mn濃度が低いほどSiO2に対する密着性が低下するので、合金膜の材料には、Mn濃度がある程度高いCuMn合金が用いられる。そのため、合金膜には、Mnが過剰に含まれる。
バリア膜の形成(SiおよびOとの反応)に寄与しない余剰なMnは、Cu層中に拡散する。MnのCu層中への拡散量が多いと、Cu配線中にMnが残留し、Cu配線の抵抗が増大する。純Cuの比抵抗は、約1.9〜2.0μΩ・cmであるのに対し、たとえば、原子数で1%(at%)のMnを含むCuの比抵抗は、約5〜6μΩ・cmである。幅60〜70nmの微細なCu配線では、比抵抗の微少な増大であっても、配線抵抗の大幅な増大を招く。
本発明の目的は、Cu配線中のMnの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供することである。
前記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、SiおよびOを含む絶縁材料からなる絶縁層に溝を形成する工程と、前記溝の内面にCuおよびMnを含む合金材料からなる合金膜を被着させる工程と、前記合金膜上にSiおよびOを含む絶縁材料からなる犠牲層を積層する工程と、前記犠牲層の積層後に、熱処理を行い、前記絶縁層と前記合金膜との界面および前記合金膜と前記犠牲層との界面にそれぞれMnSiOからなるバリア膜および反応生成膜を形成する工程と、ウエットエッチングにより、前記合金膜上から前記犠牲層および前記反応生成膜を除去する工程と、前記犠牲層および前記反応生成膜の除去後に、前記溝が埋め尽くされるように、前記合金膜上にCuを主成分とする金属材料からなるCu層を積層する工程とを含む、半導体装置の製造方法である。
この方法によれば、まず、SiおよびOを含む絶縁材料からなる絶縁層に、溝が形成される。次に、溝の内面(側面および底面)に、CuMn合金からなる合金膜が被着される。その後、合金膜上に、SiおよびOを含む絶縁材料からなる犠牲層が積層される。犠牲層の積層後、熱処理が行われる。絶縁層および犠牲層にSiおよびOが含まれるので、熱処理が行われると、絶縁層と合金膜との界面および合金膜と犠牲層との界面において、Si、OおよびMnが結合し、それぞれMnSiOからなるバリア膜および反応生成膜が形成される。そして、ウエットエッチングにより、犠牲層および反応生成膜が除去された後、合金膜上に、Cuを主成分とする金属材料からなるCu層が溝を埋め尽くすように形成される。この後、たとえば、Cu層の表面が溝外の絶縁層の表面と面一になるように、溝外からCu層が除去されることにより、溝にバリア膜を介して埋設されたCu配線が得られる。
合金膜に含まれるMnが反応生成膜の形成に使用されることにより、バリア膜の形成に寄与せずに合金膜に残留するMnの量が減少する。その結果、合金膜上に積層されるCu層に拡散するMnの量が減少する。よって、Cu層からなるCu配線中のMnの残留量を減らすことができる。
請求項2に記載のように、前記犠牲層は、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition:プラズマ化学気相成長)法により形成されることが好ましい。この場合、犠牲層がCu層上に積層される過程で、Cu層および積層途中の犠牲層に高熱(約400℃)が加えられるので、Cu層と犠牲層との界面に反応生成膜を生成させるための熱処理(犠牲層の積層後の熱処理)を不要とすることができる。その結果、半導体装置の製造工程を簡素化することができる。
請求項2に記載のように、前記犠牲層は、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition:プラズマ化学気相成長)法により形成されることが好ましい。この場合、犠牲層がCu層上に積層される過程で、Cu層および積層途中の犠牲層に高熱(約400℃)が加えられるので、Cu層と犠牲層との界面に反応生成膜を生成させるための熱処理(犠牲層の積層後の熱処理)を不要とすることができる。その結果、半導体装置の製造工程を簡素化することができる。
請求項3に記載のように、前記合金膜の被着後に、前記犠牲層を積層する工程、前記熱処理を行う工程ならびに前記犠牲層および前記反応生成膜を除去する工程がこの順に複数回繰り返されてもよい。これらの工程を複数回繰り返すことにより、回数を重ねるごとに、合金膜に含まれるMnの量が減少する。よって、Cu層に拡散するMnの量を確実に減らすことができ、ひいてはCu配線中のMnの残留量を確実に減らすことができる。
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る製造方法により製造される半導体装置の模式的な断面図である。
半導体装置1は、図示しない半導体基板を備えている。半導体基板には、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などの素子が作り込まれている。半導体基板上には、SiO2からなる第1絶縁層2が積層されている。
図1は、本発明の一実施形態に係る製造方法により製造される半導体装置の模式的な断面図である。
半導体装置1は、図示しない半導体基板を備えている。半導体基板には、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などの素子が作り込まれている。半導体基板上には、SiO2からなる第1絶縁層2が積層されている。
第1絶縁層2の表層部には、第1溝3が所定のパターンで形成されている。第1溝3は、第1絶縁層2の上面から掘り下がった凹状をなしている。第1溝3の内面(側面および底面)には、MnSiOからなる第1バリア膜4が形成されている。そして、第1溝3には、第1バリア膜4を介して、Cuを主成分とする金属材料からなる第1Cu配線5が埋設されている。
第1絶縁層2上には、第2絶縁層6が積層されている。第2絶縁層6は、拡散防止膜7、層間絶縁膜8、エッチングストッパ膜9および絶縁膜10を、第1絶縁層2側からこの順に積層した構造を有している。
拡散防止膜7は、たとえば、SiC(炭化シリコン)および/またはSiCN(炭窒化シリコン)からなる。
拡散防止膜7は、たとえば、SiC(炭化シリコン)および/またはSiCN(炭窒化シリコン)からなる。
層間絶縁膜8および絶縁膜10は、たとえば、SiおよびOを含む絶縁材料であるSiO2からなる。
エッチングストッパ膜9は、たとえば、SiCからなる。
第2絶縁層6の表層部には、第2溝11が形成されている。第2溝11は、絶縁膜10の上面から層間絶縁膜8の上面まで掘り下がった凹状をなしている。第2溝11の側面は、絶縁膜10およびエッチングストッパ膜9により形成され、第2溝11の底面は、層間絶縁膜8の上面により形成されている。
エッチングストッパ膜9は、たとえば、SiCからなる。
第2絶縁層6の表層部には、第2溝11が形成されている。第2溝11は、絶縁膜10の上面から層間絶縁膜8の上面まで掘り下がった凹状をなしている。第2溝11の側面は、絶縁膜10およびエッチングストッパ膜9により形成され、第2溝11の底面は、層間絶縁膜8の上面により形成されている。
また、第2溝11は、平面視で第1Cu配線5(第1溝3)と交差する部分を有するパターンに形成されている。そして、その平面視で第1Cu配線5と第2溝11とが交差する部分において、第1Cu配線5と第2溝11との間には、拡散防止膜7および層間絶縁膜8を貫通するビアホール12が形成されている。
第2溝11およびビアホール12の内面(第2溝11の側面および底面ならびにビアホール12の側面)には、MnSiOからなる第2バリア膜13が形成されている。そして、第2溝11およびビアホール12には、第2バリア膜13を介して、それぞれCuを主成分とする金属材料からなる第2Cu配線14およびビア15が埋設されている。第2Cu配線14およびビア15は、一体をなしている。
第2溝11およびビアホール12の内面(第2溝11の側面および底面ならびにビアホール12の側面)には、MnSiOからなる第2バリア膜13が形成されている。そして、第2溝11およびビアホール12には、第2バリア膜13を介して、それぞれCuを主成分とする金属材料からなる第2Cu配線14およびビア15が埋設されている。第2Cu配線14およびビア15は、一体をなしている。
図2A〜2Gは、本発明の一実施形態に係る製造方法を工程順に示す模式的な断面図である。
図2Aに示すように、第1バリア膜4および第1Cu配線5が埋設された第1絶縁層2上に、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長)法により、拡散防止膜7、層間絶縁膜8、エッチングストッパ膜9および絶縁膜10がこの順に積層される。これにより、第1絶縁層2上に、第2絶縁層6が形成される。
図2Aに示すように、第1バリア膜4および第1Cu配線5が埋設された第1絶縁層2上に、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長)法により、拡散防止膜7、層間絶縁膜8、エッチングストッパ膜9および絶縁膜10がこの順に積層される。これにより、第1絶縁層2上に、第2絶縁層6が形成される。
その後、図2Bに示すように、第2絶縁層6に、第2溝11およびビアホール12が形成される。具体的には、まず、第2絶縁層6上に、ビアホール12が形成されるべき部分を選択的に露出させる開口を有するマスク(図示せず)が形成される。そして、ドライエッチングにより、絶縁膜10、エッチングストッパ膜9および層間絶縁膜8におけるマスクから露出する部分(開口に臨む部分)が順に除去される。このとき、適当なタイミングで反応ガス(エッチャント)を切り換えることにより、絶縁膜10、エッチングストッパ膜9および層間絶縁膜8が連続的にエッチングされる。その後、第2絶縁層6上からマスクが除去される。次に、第2絶縁層6上に、第2溝11が形成されるべき部分を選択的に露出させる開口を有する新たなマスク(図示せず)が形成される。そして、ドライエッチングにより、絶縁膜10におけるマスクから露出する部分(開口に臨む部分)が除去される。その後、第2絶縁層6上からマスクが除去される。そして、拡散防止膜7およびエッチングストッパ膜9における露出している部分が除去される。これにより、第2溝11およびビアホール12が形成される。
次いで、図2Cに示すように、スパッタ法により、第2溝11およびビアホール12の内面および第2絶縁層6(絶縁膜10)の上面全域に、CuMn合金からなる合金膜18が被着される。
その後、図2Dに示すように、PECVD法により、合金膜18の表面全域を被覆するように、SiおよびOを含む絶縁材料であるSiO2からなる犠牲層41が積層される。
その後、図2Dに示すように、PECVD法により、合金膜18の表面全域を被覆するように、SiおよびOを含む絶縁材料であるSiO2からなる犠牲層41が積層される。
犠牲層41の積層後、熱処理が行われる。第2絶縁層6および合金膜18に高熱が加えられることににより、第2絶縁層6と合金膜18との界面において、第2絶縁層6に含まれるSiおよびOと合金膜18に含まれるMnとが結合する。その結果、図2Eに示すように、第2絶縁層6と合金膜18との界面に、MnSiOからなる第2バリア膜13が形成される。
また、合金膜18および犠牲層41に高熱が加えられることにより、合金膜18と犠牲層41との界面において、合金膜18に含まれるMnと犠牲層41に含まれるSiおよびOとが結合する。その結果、図2Eに示すように、合金膜18と犠牲層41との界面に、MnSiOからなる反応生成膜42が形成される。
次いで、図2Fに示すように、ウエットエッチングにより、犠牲層41および反応生成膜42が除去される。具体的には、まず、HF(フッ酸)により、反応生成膜42上から犠牲層41が除去されれる。次に、HCl(塩酸)により、反応生成膜42を構成するMn酸化物が除去される。また、HCOOH(蟻酸)などの有機酸により、反応生成膜42を構成するCu酸化物が除去される。
次いで、図2Fに示すように、ウエットエッチングにより、犠牲層41および反応生成膜42が除去される。具体的には、まず、HF(フッ酸)により、反応生成膜42上から犠牲層41が除去されれる。次に、HCl(塩酸)により、反応生成膜42を構成するMn酸化物が除去される。また、HCOOH(蟻酸)などの有機酸により、反応生成膜42を構成するCu酸化物が除去される。
その後、スパッタ法により、合金膜18の表面全域を被覆するように、Cuを主成分とする金属材料からなるシード膜(図示せず)が形成される。そして、図2Gに示すように、めっき法により、シード膜上に、Cuを主成分とする金属材料のCu層20が積層される。Cu層20は、第2溝11およびビアホール12を埋め尽くす厚さに形成される。つづいて、熱処理が行われる。この熱処理により、合金膜18に含まれるMnがCu層20中に拡散し、その一部がCu層20の表面上に出現する。その結果、合金膜18は、消失する。また、熱処理により、Cu層20の結晶構造が均一化され、Cu層20(第2Cu配線14)の比抵抗が低減する。
熱処理後、CMP法により、Cu層20および第2バリア膜13が研磨される。この研磨は、Cu層20および第2バリア膜13における第2溝11外に形成されている不要部分がすべて除去されて、第2絶縁層6(絶縁膜10)の上面が露出し、その第2絶縁層6の上面とCu層20の上面とが面一になるまで続けられる。これにより、第2溝11に埋設された第2Cu配線14が形成され、図1に示す半導体装置1が得られる。
以上のように、合金膜18上に、SiおよびOを含む絶縁材料からなる犠牲層41が積層される。犠牲層41の積層後、熱処理が行われる。第2絶縁層6および犠牲層41にSiおよびOが含まれるので、熱処理が行われると、第2絶縁層6と合金膜18との界面および合金膜18と犠牲層41との界面において、Si、OおよびMnが結合し、それぞれMnSiOからなる第2バリア膜13および反応生成膜42が形成される。合金膜18に含まれるMnが反応生成膜42の形成に使用されることにより、第2バリア膜13の形成に寄与せずに合金膜18に残留するMnの量が減少する。その結果、合金膜18上に積層されるCu層20に拡散するMnの量が減少する。よって、Cu層20からなる第2Cu配線14中のMnの残留量を減らすことができる。
なお、犠牲層41は、PECVD法以外の方法により形成されてもよい。その場合、犠牲層41が合金膜18上に積層された後に、第2バリア膜13および反応生成膜42を形成するための熱処理を行えばよい。ただし、PECVD法が採用される場合、犠牲層41が合金膜18上に積層される過程で、合金膜18および積層途中の犠牲層41などに高熱(約400℃)が加えられるので、その犠牲層41の積層後に第2バリア膜13および反応生成膜42を形成するための熱処理が不要である。したがって、PECVD法以外の方法により犠牲層41が形成される場合と比較して、半導体装置1の製造工程を簡素化することができる。
また、犠牲層41および反応生成膜42の除去後に、合金膜18上にSiおよびOを含む絶縁材料からなる犠牲層が新たに形成され、その犠牲層と合金膜18との界面にMnSiOからなる反応生成膜を形成するための熱処理が追加して行われてもよい。すなわち、合金膜18の形成後に、犠牲層を積層する工程(図2Dに示す工程)、熱処理を行う工程(図2Eに示す工程)ならびに犠牲層および反応生成膜を除去する工程(図2Fに示す工程)がこの順に複数回繰り返されてもよい。これらの工程を複数回繰り返すことにより、回数を重ねるごとに、合金膜18に含まれるMnの量が減少する。よって、Cu層20に拡散するMnの量を確実に減らすことができ、ひいては第2Cu配線14中のMnの残留量を確実に減らすことができる。
第1バリア膜4および第1Cu配線5の形成手法については、その説明を省略したが、第1バリア膜4および第1Cu配線5は、第2バリア膜13および第2Cu配線14の形成方法と同様な方法で形成することができる。すなわち、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第1絶縁層2にその表面から掘り下がった形状の第1溝3が形成された後、スパッタ法により、CuMn合金からなる合金膜が第1溝3の側面および底面に被着される。次いで、合金膜上に、SiおよびOを含む絶縁材料からなる犠牲層が形成され、この犠牲層の形成後に、熱処理が行われる。熱処理により、第1絶縁層2と合金膜との界面および合金膜と犠牲層との界面に、それぞれMnSiOからなる第1バリア膜4および反応生成膜が形成される。そして、犠牲層および反応生成膜が除去された後、めっき法により、Cuを主成分とする金属材料からなるシード膜およびCu層が順に形成される。そして、Cu層の表面が第1溝3外の第1絶縁層2の表面と面一になるように、第1溝3外からCu層および第1バリア膜4が除去されることにより、第1溝3に第1バリア膜4を介して埋設された第1Cu配線5が得られる。
層間絶縁膜8および絶縁膜10の材料は、SiおよびOを含む絶縁材料であればよく、SiO2以外に、たとえば、SiOC(炭素が添加された酸化シリコン)、SiOF(フッ素が添加された酸化シリコン)、SiON(窒素が添加された酸化シリコン)などを例示することができる。
また、本発明がCuを主成分とする金属材料からなる第1Cu配線5および第2Cu配線14を有する半導体装置の製造方法に適用された場合を例にとったが、本発明は、SiおよびOを含む絶縁層にCuを主成分とする金属材料からなる電極を有するキャパシタの製造方法に適用することもできる。
また、本発明がCuを主成分とする金属材料からなる第1Cu配線5および第2Cu配線14を有する半導体装置の製造方法に適用された場合を例にとったが、本発明は、SiおよびOを含む絶縁層にCuを主成分とする金属材料からなる電極を有するキャパシタの製造方法に適用することもできる。
本発明は、他の形態で実施することもでき、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
1 半導体装置
6 第2絶縁層(絶縁層)
11 第2溝(溝)
13 第2バリア膜(バリア膜)
14 第2Cu配線(Cu配線)
18 合金膜
20 Cu層
41 犠牲層
42 反応生成膜
6 第2絶縁層(絶縁層)
11 第2溝(溝)
13 第2バリア膜(バリア膜)
14 第2Cu配線(Cu配線)
18 合金膜
20 Cu層
41 犠牲層
42 反応生成膜
Claims (3)
- SiおよびOを含む絶縁材料からなる絶縁層に溝を形成する工程と、
前記溝の内面にCuおよびMnを含む合金材料からなる合金膜を被着させる工程と、
前記合金膜上にSiおよびOを含む絶縁材料からなる犠牲層を積層する工程と、
前記犠牲層の積層後に、熱処理を行い、前記絶縁層と前記合金膜との界面および前記合金膜と前記犠牲層との界面にそれぞれMnxSiyOz(x,y,z:零よりも大きい数)からなるバリア膜および反応生成膜を形成する工程と、
ウエットエッチングにより、前記合金膜上から前記犠牲層および前記反応生成膜を除去する工程と、
前記犠牲層および前記反応生成膜の除去後に、前記溝が埋め尽くされるように、前記合金膜上にCuを主成分とする金属材料からなるCu層を積層する工程とを含む、半導体装置の製造方法。 - 前記犠牲層は、プラズマ化学気相成長法により積層される、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記合金膜の被着後に、前記犠牲層を積層する工程、前記熱処理を行う工程ならびに前記犠牲層および前記反応生成膜を除去する工程がこの順に複数回繰り返される、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
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