JP2010039852A - 位置検出装置及び位置検出方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】200kHzのワンショットパルスを、200kHzの整数倍の周波数の周期で、複数の電極子に順番に与える。このワンショットパルスの立ち上がりと立ち下がりによって生じる電流変化を、直交する電極子で捉える。
【選択図】図1
Description
より詳細には、静電式の位置検出装置の、位置検出平面における走査速度を向上させる技術に関する。
タッチパネルは、指や専用のペン等の入力体で検出平面に触れることで、コンピュータ等の操作を行なう入力装置である。指やペンが触れた位置を検知して画面上の位置を指定し、コンピュータに指示を与える。
タッチパネルは、PDA(Personal Digital Assistant)や銀行のATM(Automated Teller Machine)、駅の券売機等で広く利用されている。
図6は、従来の静電容量方式の位置検出装置を示すブロック図である。
駆動部602は、人体に最も吸収され易いとされる周波数である、200kHzの交流電圧を生成する。
駆動部602によって生成された200kHzの交流電圧は、送信選択スイッチ603を通じて、マトリクス電極103のX軸方向の電極(以下、「X軸電極群」という)107に、選択的に印加される。
マトリクス電極103は、細長い導体の電極を縦横に並べ、縦に並べた電極と、横に並べた電極との間には、図示しない略板状の絶縁シートが介在してコンデンサを形成する。200kHzの交流電圧はこれらコンデンサに印加される。
受信選択スイッチ104は、コンデンサを形成する交点を定めるためのスイッチである。
受信選択スイッチ104の出力はプリアンプ109に供給され、A/D変換器105でデジタルデータに変換された後、位置算出部605に入力される。
なお、説明の便宜のため、マトリクス電極103の、送信選択スイッチ603に接続されている側の電極群をX軸電極群107と呼び、受信選択スイッチ104に接続されている側の電極群をY軸電極群108と呼ぶ。
クロック生成器607はクロックを生成する発振器である。クロック生成器607が生成したクロックは読み出し部608に供給される。
サイン波ROM609は、8ビット×256サンプルの疑似サイン波が記憶されているROMである。読み出し部608は、クロック生成器607から供給されるクロックに基づいて、サイン波ROM609のアドレスを指定して、データを読み出す。
サイン波ROM609から読み出し部608によって読み出されたデータは、D/A変換器610によってD/A変換された後、LPF611にて平滑化されることにより、アナログのサイン波信号に変換される。その後、ドライバ612にて電圧増幅され、X軸電極群107に印加される交流電圧となる。
この積分処理に要する時間では、小規模の位置検出装置ではあまり問題にはならないが、位置検出装置の位置検出平面を大きくしようとすると、問題が顕在化する。つまり、位置検出平面を大きくすると、交点の数が増える。交点の数が増えれば増えるほど、位置検出平面全体を走査(スキャン)するのに要する時間が長くなってしまう。
一方、出願人は広大な面積の位置検出平面を備える、静電式の位置検出装置を実現したいと考えている。目指す位置検出装置の位置検出平面内の交点数は、およそ15000個程度を目標にしている。したがって、前述の従来技術による位置検出装置では、到底実現することはできない。
そこで、200kHzのワンショットパルスを、200kHzより早い周期で、複数の電極に順番に与える。このワンショットパルスの立ち上がりと立ち下がりによって生じる電流変化を、直交する電極で捉える。
図1は、本発明の実施形態の例である、位置検出装置の全体ブロック図である。
位置検出装置101は、
・矩形波生成部102と、
・矩形波生成部102に接続されるマトリクス電極103と、
・マトリクス電極103に接続される受信選択スイッチ104と、
・受信選択スイッチ104に接続されるプリアンプ109と、
・プリアンプ109に接続されるA/D変換器105と、
・A/D変換器105に接続される位置算出部106と
から構成される。
矩形波生成部102によって生成されるクロックパルスは、後述する位置算出部106に供給される。
矩形波生成部102によって生成されるリセットパルスは、後述するA/D変換器105及び位置算出部106に供給される。
なお、この矩形波生成部102が生成するワンショットパルスのパルス幅は、例えば、人体に最も吸収され易いとされる200kHzの矩形波から半周期分の信号を取り出したものに等しい、2.5μsecに設定されている。
そして、X軸電極群107は矩形波生成部102に接続されており、この矩形波生成部102からワンショットパルスが印加される。すなわち、X軸電極群107とY軸電極群108との各交点に形成されるコンデンサには、このX軸電極群107を介して、ワンショットパルスが供給されるから、このX軸電極群107は信号供給電極として機能する。
そして、受信選択スイッチ104は、マトリクス電極103から出力された電流をプリアンプ109に出力する。すなわち、Y軸電極群108は、受信電極として用いられている。
また、受信選択スイッチ104は、後述する位置算出部106に、Y軸電極群108のいずれの電極を選択したかを示すアドレス情報を出力する。
この位置算出部106には、A/D変換器105から出力されるデジタルデータと、矩形波生成部102から出力されるクロックパルスと、受信選択スイッチ104から出力されるアドレス情報とが入力される。
次に、矩形波生成部102の構成及び動作について、図2に従って詳述する。
図2は、矩形波生成部102の内部ブロック図である。
矩形波生成部102は、
・クロック生成部202と、
・分周器203と、
・ANDゲート204と、
・カウンタ206と、
・デジタルコンパレータ205と、
・定数n207と、
・シフトレジスタ208と、
・モノステーブルマルチバイブレータ211と
から構成される。
分周器203は周知のプログラマブル・カウンタである。そして、この分周器203は、クロック生成器202から入力されるクロックを一定の数だけ計数することで、クロックの周波数を1/Nに変換する。本実施形態では、分周器203の分周比は1/10に設定されており、このクロックは1200kHz(一周期0.833μs)に分周される。
このカウンタ206の入力端子はANDゲート204の出力端子に、リセット端子は後述するモノステーブルマルチバイブレータ211にそれぞれ接続されている。
デジタルコンパレータ205は、正入力から入力される数値と負入力から入力される数値とを比較し、正入力から入力された数値の方が大きいときに論理の「真」(=1)を示す高電位を出力する。
無効ビットセル210a、210b及び210cのうちの最後の無効ビットセル210cは、モノステーブルマルチバイブレータ211に接続される。
モノステーブルマルチバイブレータ211の論理値出力は、カウンタ206のリセット端子と、受信選択スイッチ104と位置算出部106とに供給される。
同様に、シフトレジスタ208の有効ビットセル209a〜209mは、デジタルコンパレータ205あるいは直前の隣接するセルから論理値「0」が入力され、クロックパルスのアップエッジが入力されると、接続されているX軸電極群107の電極に低電位を出力する。
逆に、各有効ビットセル209a〜209mに論理値「1」が入っているところへ論理値「0」が入力されると、X軸電極群107の電位は高電位から低電位に遷移する。
つまり、各有効ビットセル209a〜209mに入力される論理値を「0」→「1」→「0」と経時的に変化させることにより、シフトレジスタ208はX軸電極群107の各電極にワンショットパルスを供給する。
カウンタ206の初期値は0であるので、その出力端子から数値「0」を出力する。デジタルコンパレータ205は、定数n207から与えられる数値(n=3)と、カウンタ206から入力される数値「0」とを比較する。この時点では、定数n207の数値の方がカウンタ206から入力される値よりも大きいので、デジタルコンパレータ205は論理値「1」を出力する。ANDゲート204には、上述のデジタルコンパレータ205からの論理値「1」が入力されるので、このANDゲート204は、分周器203から出力されるクロックパルスをカウンタ206に供給する。カウンタ206は、ANDゲート204からクロックパルスが入力されるので、値「1」を出力する。
以降、この値「1」がデジタルコンパレータ205へ入力され、ANDゲート204、カウンタ206及びデジタルコンパレータ205は、カウンタ206からデジタルコンパレータ205へ入力された値が「3」になるまで上記の動作を繰り返す。
デジタルコンパレータ205から出力される論理値は、シフトレジスタ208の有効ビットセル209aに供給される。シフトレジスタ208は、分周器203から供給されるクロックパルスのアップエッジに応じて、有効ビットセル209aに保持されている値「1」を隣の有効ビットセル209bへシフトさせると共に、新たにデジタルコンパレータ205から出力された値「1」を有効ビットセル209aに保存する。以降、クロックパルスが入力される毎に、シフトレジスタ208は、特定の有効ビットセル209xの値を隣接する隣の有効ビットセル209(x+1)へ順にシフトさせる。そして、最後の有効ビットセル209mに保持されている値は、最初の無効ビットセル210aに供給される。同様に、最初の無効ビットセル210aに保持されている値は隣接する隣の無効ビットセル210bに、無効ビットセル210bに保持されている値は最後の無効ビットセル210cにそれぞれ供給される。
そして、最後の無効ビットセル210cに保持された値は、シフトレジスタ208にクロックパルスが入力されると、モノステーブルマルチバイブレータ211に供給される。
このように、シフトレジスタ208がデータを移動させ続けると、最初の段階で入力された「111」という値は、無効ビットセル210a〜210cへ到達する。
その後、モノステーブルマルチバイブレータ211に次の値「1」が入力されると、このモノステーブルマルチバイブレータ211はカウンタ206のリセット入力へのパルス信号の供給をしなくなるので、この時点からカウンタ206は計数が再開する。
このようにして、矩形波生成部102は、X軸電極群107にワンショットパルスを供給する。
次に、本実施の形態例における位置算出部106、受信選択スイッチ104の構成及びこれらの位置検出動作について詳述する。
図3は、受信選択スイッチ104及び位置算出部106の内部ブロック図である。
ループカウンタ104aは、受信電極であるY軸電極群108の電極の数が最大値(本実施例ではn)として設定されている、周知のプログラマブルN進カウンタである。ループカウンタ104aは、矩形波生成部102のモノステーブルマルチバイブレータ211から出力されるリセットパルスを計数する。
以下同様に、Y軸電極群108の最後の電極である、m番目の電極を選択した後、ループカウンタ104aは次のリセットパルスを受けると最初の数値(=1)に戻る。
以下、図3を参照して、位置算出部106の説明をする。
位置算出部106は、
・積算部302と、
・バッファメモリ303と、
・ピーク算出部304と、
・重心演算部305と、
・カウンタ306と
から構成される。
さらに、積算部302には、矩形波生成部102から出力されるクロックパルスが入力される。積算部302は、このクロックパルスが入力される毎に演算値を記憶する。
このバッファメモリ303には、矩形波生成部102から出力されるクロックパルスと、後述するカウンタ306から出力されるX軸方向アドレス情報とが入力される。ここで、クロックパルスは、バッファメモリ303が積算部302の出力値を記憶するタイミングパルスとして用いられる。X軸方向アドレス情報は、バッファメモリ303が積算部302の出力値を記憶する領域のアドレスとして用いられる。
バッファメモリ303が積算部302の演算出力値を記憶するデータの個数は、X軸電極107の個数の三倍である。後段の重心演算部305が重心を演算する際に、Y軸方向の重心も演算する必要があるからである。
そして、この重心演算部305には、受信選択スイッチ104から出力されるY軸方向アドレスと、矩形波生成部102から出力されるクロックパルスと、カウンタ306から出力されるX軸方向アドレスとが入力される。
そして、このカウンタ306の出力値は、X軸方向アドレスとして、バッファメモリ303及び重心演算部305に供給される。
これより本実施形態に係る位置検出装置の動作原理を説明する。なお、説明を簡単にするために、X軸電極群107を構成する任意の電極である第1のX軸電極402及び第2のX軸電極403に矩形波を供給した時に、Y軸電極群108の任意の一の電極であるY軸電極406から出力される信号を例示する。
図4(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)、(g)及び(h)は、本実施形態に係る位置検出装置101の、等価回路及び波形図である。
この第1のX軸電極402及び第2のX軸電極403とY軸電極406とに着目すると、図3に示す矩形波生成部102、X軸電極群107、Y軸電極群108及びプリアンプ109は、図4(a)に示す等価回路で表すことができる。第1のX軸電極402と第2のX軸電極403に矩形波を供給する矩形波生成部102は、第1のX軸電極402と第2のX軸電極403のそれぞれに矩形波を供給するのだから、それぞれの電極に第1の矩形波電圧源404及び第2の矩形波電圧源405を接続したとみなすことができる。
なお、この図4(a)中では、指407の存在を点線で示している。
図4(b)は、時点t0において、第1矩形波電圧源404から第1のX軸電極402に立ち上がりの電圧を印加した時の、X軸電極402の電圧波形図である。なお、この波形は、第2矩形波電圧源405から第2のX軸電極403へ立上がり電圧を印加した時の波形と同一である。
図4(c)は、時点t0において、第1矩形波電圧源404から第1のX軸電極402に立ち上がりの電圧を印加した時の、Y軸電極406の電流波形図である。
ところで、コンデンサに矩形波の電圧を印加すると、その立ち上がりと立ち下がりの時にのみ、コンデンサに電流が流れる。したがって、第1のX軸電極402とY軸電極406の交点にはコンデンサが形成されているので、このコンデンサにも同様の現象が生じる。
次に、時点t0に立ち上がる矩形波信号をX軸電極に印加した場合について説明する。
指407が電極の交点に近接していない場合、すなわち、第2のX軸電極403に第2矩形波電圧源405から図4(b)に示す矩形波を印加した場合は、第2のX軸電極403とY軸電極406との間に構成されるコンデンサには、その印加した矩形波信号の立ち上がり時にのみ電流が流れる。したがって、このコンデンサに流れる電流は図4(c)に示す波形となる。
ここで、図4(e)は、時点t0において、第2矩形波電圧源405から第2のX軸電極403に立ち下がりの電圧を印加した時の、第2のX軸電極403の電圧波形図である。なお、この波形は、第1矩形波電圧源404から第1のX軸電極403へ立ち下がり電圧を印加した時の波形と同一である。
図4(f)は、時点t0において、第2矩形波電圧源405から第2のX軸電極403に立ち下がりの電圧を印加した時の、Y軸電極406の電流波形図である。図4(f)の電流波形は、図4(c)の波形とは位相が180°反転した波形となっている。
図4(h)は、第1のX軸電極402とY軸電極406の交点に指407が近接している状態で、時点t0において、第1矩形波電圧源404から第1のX軸電極402に立ち上がりの電圧を印加すると同時に、第2矩形波電圧源405から第2のX軸電極403に立ち下がりの電圧を印加した時の、Y軸電極406の電流波形図である。すなわち、この図4(h)に示す電流波形は、図4(d)と図4(f)の合成波形である。
時点t0において、第1矩形波電圧源404が第1のX軸電極402に立ち上がり電圧(図4(b))を印加し、第2矩形波電圧源405が第2のX軸電極403に立ち下がり電圧(図4(e))を印加したとすると、第1のX軸電極402とY軸電極406の交点によって形成されるコンデンサの静電容量と、第2のX軸電極403とY軸電極406の交点によって形成されるコンデンサの静電容量が等しくなるので、それぞれの交点に発生する電流が打ち消し合う。その結果、Y軸電極406には、電流波形は発生しない。
図5は、マトリクス電極103の一部断面図と、X軸電極に電圧を印加する状態と、発生する電流波形及び電流積分波形とを示す図である。
前述したように、マトリクス電極103は、X軸電極群107と、Y軸電極群108とを有しており、このX軸電極群107とY軸電極群108との間に介在して設けられた第一の絶縁シート506とを備える。さらに、マトリクス電極103は、X軸電極群108が第一の絶縁シート505と対向する面と反対の面側に第二の絶縁シート506を備える。
第一の絶縁シート505は、例えば、略板状の絶縁材で、X軸電極群107とY軸電極群108との各交点を絶縁させるためのものである。
第二の絶縁シート506は、略板状の絶縁材で、位置を指示する際に指407が、X軸電極107a〜107gに直接触れないように、この第二の絶縁シート506によって覆われている。したがって、この第二の絶縁シート506の直下に、X軸電極107a〜107gが位置するので、X軸電極群107から発される電気力線は、効果的に指407に吸収される。
図5(i)に示すように、Y軸電極108eに現れる電流波形は、ゼロ電位を中心にほぼ対称な正弦波交流波形である。そこで、この電流波形をそのまま積分をすれば、図5(j)に示されるように、負方向にピークを持つ波形が得られる。ピーク検出部304は、この波形のピークに最も近いサンプルクロックの値を捉える。そして、重心演算部305はピーク検出部304が得た値と、その前後の値の、三つの値を基に重心演算を行う。
ここで、X軸電極群107全体を縦方向に見ると、3倍の速度で走査を行っていることと等しいものと見ることができる。
本実施形態は、従来技術がなしえなかった「200kHzの壁」を破る技術の一実装形態である。
(1)X軸電極群107の各電極に印加される信号の波形は、必ずしも矩形波でなくてもよい。
例えば、0Vから所定の電圧に至るまでの期間、つまり立ち上がりの期間と、所定の電圧から0Vに至るまでの期間、つまり立ち下がりの期間との、電圧の積分値がそれぞれ同じであれば、図4(g)に示した、電流変化の打ち消し合いの効果が得られる。
例えば、シフトレジスタ208の各有効ビットセル209a〜209mとX軸電極群107の各電極との間に、200kHzを通過させるバンドパスフィルタを挿入する。すると、X軸電極群107の各電極には、サイン波形の半波長が印加されることとなる。このような波形でも、指の存在を検出する効果は変わらない。
X軸電極の各々に、200kHzの整数倍の周波数に相当する周期をずらしてワンショットパルスを与え、ワンショットパルスの立ち上がり及び立ち下がりの時点に生じる電流変化をY軸電極から検出する。こうすることにより、従来技術がなしえなかった「200kHzの壁」を破り、検出面を分割する等の複雑な回路構成を採用することなく、広大な検出面積を備える静電式位置検出装置を実現できる。
Claims (5)
- 相互に平行に配置される複数の導体よりなる信号供給電極と、
前記信号供給電極と絶縁状態で且つ直交に配置される複数の導体よりなる受信電極と、
所定の低電位から所定の高電位に至るまでの立ち上がり期間の積分値と、前記所定の高電位から前記所定の低電位に至るまでの立ち下がり期間の積分値とが同一となる入力信号を生成し、前記入力信号を、前記信号供給電極の各々に一定の遅延時間をおいて順次供給する信号供給部と、
前記受信電極の一を選択する受信選択スイッチと、
前記信号供給部及び前記受信選択スイッチから得られる情報と、前記信号供給電極と前記受信電極との交点の電気的変化とから位置データを算出する位置算出部と
を具備する位置検出装置。 - 前記入力信号はワンショットパルスである、
請求項1に記載の位置検出装置。 - 前記遅延時間は、前記入力信号が前記信号送信電極に供給されている時間の整数分の一である、
請求項1又は2に記載の位置検出装置。 - 更に、
前記受信選択スイッチから得られる信号をデータに変換して前記位置算出部に出力するA/D変換器と
を備え、
前記位置算出部は、
前記A/D変換器から得られる前記データを積算する積算部と、
前記積算部が出力する積算データを記憶するバッファメモリと、
前記バッファメモリに記憶されている前記積算データのピーク値を検出するピーク検出部と、
前記バッファメモリ及び前記ピーク検出部の出力データを基に、複数の前記積算データの重心を演算する重心演算部と
を有する、請求項1又は2又は3に記載の位置検出装置。 - 所定の低電位から所定の高電位に至るまでの立ち上がり期間の積分値と、前記所定の高電位から前記所定の低電位に至るまでの立ち下がり期間の積分値とが同一となる入力信号を生成するステップと、
相互に平行に配置される複数の導体よりなる信号供給電極の各々に、前記入力信号を、一定の遅延時間をおいて順次供給するステップと、
前記信号供給電極と絶縁状態で且つ直交に配置される複数の導体よりなる受信電極の一を選択するステップと、
前記信号供給電極に前記入力信号が供給されている状態の情報と、前記受信電極の一を選択している状態の情報と、人体が近接することによって生じる前記信号供給電極と前記受信電極との交点の電気的変化とから位置データを算出するステップと
を含む、位置検出方法。
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