JP2010039015A - 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置。 - Google Patents

感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置。 Download PDF

Info

Publication number
JP2010039015A
JP2010039015A JP2008199194A JP2008199194A JP2010039015A JP 2010039015 A JP2010039015 A JP 2010039015A JP 2008199194 A JP2008199194 A JP 2008199194A JP 2008199194 A JP2008199194 A JP 2008199194A JP 2010039015 A JP2010039015 A JP 2010039015A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
photosensitive resin
film
group
cured film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008199194A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4245077B1 (ja
Inventor
Toshio Banba
敏夫 番場
Hiromichi Sugiyama
広道 杉山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2008199194A priority Critical patent/JP4245077B1/ja
Priority to TW098105610A priority patent/TWI394003B/zh
Priority to KR1020090015804A priority patent/KR20100014093A/ko
Application granted granted Critical
Publication of JP4245077B1 publication Critical patent/JP4245077B1/ja
Publication of JP2010039015A publication Critical patent/JP2010039015A/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/085Photosensitive compositions characterised by adhesion-promoting non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/016Diazonium salts or compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/105Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having substances, e.g. indicators, for forming visible images

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】塗布後の外観に優れた感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】感光性樹脂組成物は、アルカリ可溶性樹脂(A)と、感光剤(B)と、特定構造の不飽和アルコールから選ばれる1種以上の化合物(C)と、溶剤(D)とを含んでいる。また、硬化膜は、上記感光性樹脂組成物の硬化物で構成されている。また、保護膜および絶縁膜は、上述の硬化膜で構成されている。さらに、化合物(C)の含有量は、前記アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して0.1〜50重量部であり、前記溶剤(D)が、γ―ブチロラクトン(D1)である。
【選択図】なし

Description

本発明は、感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置に関する。
従来、半導体装置である表面保護膜、層間絶縁膜には、耐熱性に優れ、かつ卓越した電気特性及び機械特性等を有したポリイミド樹脂が用いられてきた。しかし、最近では高極性のイミド環由来のカルボニル基が無いことから耐湿信頼性が良いとされるポリベンゾオキサゾール樹脂が使われ始めており、樹脂自身に感光性を付与することにより、レリーフパターン形成工程の一部の簡略化を可能とする感光性樹脂組成物が開発されている。
現在では、安全性の面からの更なる改良によりアルカリ水溶液で現像が可能であるポリベンゾオキサゾール前駆体と感光剤であるジアゾキノン化合物により構成されるポジ型感光性樹脂組成物が開発されている(特許文献1参照)。ここで、ポジ型感光性樹脂組成物のレリーフパターンの作製を現像メカニズムより説明する。ウエハ上の塗膜に、ステッパー等の露光装置でマスクの上から化学線を照射(露光)することにより、露光された部分(以下露光部)と露光されていない部分(以下、未露光部)が出来る。この未露光部中に存在するジアゾキノン化合物はアルカリ水溶液に不溶であり、また樹脂と相互作用することで更にアルカリ水溶液に対し耐性を持つようになる。一方、露光部に存在していたジアゾキノン化合物は化学線の作用によって化学変化を起こし、アルカリ水溶液に可溶となり、樹脂の溶解を促進させる。この露光部と未露光部との溶解性の差を利用し、露光部を溶解除去することにより未露光部のみのレリーフパターンの作製が可能となる。
これらポジ型感光性樹脂組成物はウエハのコーティング材であるため、塗布性は重要な性能である。このポジ型感光性樹脂組成物をウエハに塗布した場合、塗布膜上にムラのような模様が見える場合があり、ウエハ状態で販売するファウンドリなどでは、コスメティック的な理由で問題視する場合がある。また、ウエハのエッジ部は通常、半導体製造装置への汚染を防止するため、溶剤などでエッジ部の樹脂を除去するEBR(Edge Bead Remocal)を行うが、デバイスメーカーによっては除去しない場合もある。その際、ウエハエッジ部ではムラが顕著となる場合があった。
特開昭56−27140号公報
本発明の目的は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは塗布後の外観に優れた感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
このような目的は、下記[1]〜[13]に記載の本発明により達成される。
[1]アルカリ可溶性樹脂(A)と、感光剤(B)と、一般式(1)で示される化合物から選ばれる1種類以上の化合物(C)と、溶剤(D)と、を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
Figure 2010039015
[2]前記化合物(C)の含有量は、前記アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して0.1〜50重量部である上記[1]に記載の感光性樹脂組成物。
[3]前記溶剤(D)が、γ―ブチロラクトン(D1)である上記[1]または[2]に記載の感光性樹脂組成物。
[4]前記化合物(C)と、前記γ―ブチロラクトン(D1)の併用割合(C/D1)が、0.01〜0.5である上記[3]に記載の感光性樹脂組成物。
[5]前記アルカリ可溶性樹脂(A)が一般式(2)で示される繰り返し単位を有するポリアミド系樹脂を含むものである、上記[1]ないし[4]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
Figure 2010039015
[6]前記一般式(2)で示される繰り返し単位を有するポリアミド系樹脂のXが、下記式(3)からなる群より選択される1種以上を含むものである上記[5]に記載の感光性樹脂組成物。
Figure 2010039015
[7]前記一般式(2)で示される繰り返し単位を有するポリアミド系樹脂のYが、下記式(4)からなる群より選択される1種以上を含むものである上記[5]または[6]に記載の感光性樹脂組成物。
Figure 2010039015
[8]感光剤(B)がジアゾキノン化合物を含むことを特徴とする上記[1]から[7]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[9]上記[1]ないし[8]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする硬化膜。
[10]上記[9]に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする保護膜。
[11]上記[9]に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする絶縁膜。
[12]上記[9]に記載の硬化膜を有していることを特徴とする半導体装置。
[13]上記[9]に記載の硬化膜を有していることを特徴とする表示装置。
本発明によれば、塗布後の外観に優れた感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置を得ることができる。
以下、本発明の感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、半導体装置の好適な実施形態について詳細に説明する。
本発明の感光性樹脂組成物は、アルカリ可溶性樹脂(A)と、感光剤(B)と、下記一般式(1)で示される化合物(C)から選ばれる1種類以上の化合物を含むことを特徴とする。
Figure 2010039015
また、本発明の硬化膜は、上記に記載の感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする。
また、本発明の保護膜および絶縁膜は、上記に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置および表示装置は、上記に記載の硬化膜を有していることを特徴とする。
まず、感光性樹脂組成物(特に好ましくは、ポジ型感光性樹脂組成物)について説明する。
本発明の感光性樹脂組成物は、アルカリ可溶性樹脂(A)を含む。
前記アルカリ可溶性樹脂としては、例えばクレゾール型ノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、メタクリル酸樹脂、メタクリル酸エステル樹脂等のアクリル系樹脂、水酸基、カルボキシル基等を含む環状オレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂等が挙げられる。これらの中でも耐熱性に優れ、機械特性が良いという点からポリアミド系樹脂が好ましく、具体的にはポリベンゾオキサゾール構造およびポリイミド構造の少なくとも一方を有し、かつ主鎖または側鎖に水酸基、カルボキシル基、エーテル基またはエステル基を有する樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する樹脂、ポリイミド前駆体構造を有する樹脂、ポリアミド酸エステル構造を有する樹脂等が挙げられる。このようなポリアミド系樹脂としては、例えば下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有するポリアミド系樹脂を挙げることができる。
Figure 2010039015
前記一般式(2)で示されるポリアミド系樹脂において、Xの置換基としてのO−R、Yの置換基としてのO−R、COO−Rは、水酸基、カルボキシル基のアルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的で、炭素数1〜15の有機基であるRで保護された基であり、必要により水酸基、カルボキシル基を保護しても良い。Rの例としては、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。
一般式(2)で示される構造を含むポリアミド系樹脂は、例えばXを含むジアミンまたはビス(アミノフェノール)、2,4−ジアミノフェノール等から選ばれる化合物と、Yを含むテトラカルボン酸二無水物、トリメリット酸無水物、ジカルボン酸またはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応して得られるものである。なお、ジカルボン酸の場合には反応収率等を高めるため、1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール等を予め反応させた活性エステル型のジカルボン酸誘導体を用いてもよい。
一般式(2)で示されるポリアミド系樹脂のXとしては、例えばベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族化合物、ビスフェノール類、ピロール類、フラン類等の複素環式化合物、シロキサン化合物等が挙げられ、より具体的には下記式(5)で示されるものを好ましく挙げることができる。これらを使用することにより、良好なパターニング性を得ることができる。これらは、必要により1種類又は2種類以上組み合わせて用いてもよい。
Figure 2010039015
一般式(2)で示すように、XにはRが0〜8個結合される(式(5)において、Rは省略)。
式(5)中で好ましいものとしては、耐熱性が特に優れる下記式(6;6−1〜6−18)で表されるものが挙げられる。
Figure 2010039015
(式中、*はNH基に結合することを示す。式中Dは、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH−、−O−、−S−、−SO−、−CO−、−NHCO−、−C(CF−、又は単結合である。Rは、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。R16は、アルキル基、アルキルエステル基、ハロゲン原子の内から選ばれた1つを表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。s=1〜3、t=0〜4の整数である。)
Figure 2010039015
さらに、式(6)の中でも、下記式(3)で示されるものが特に好ましい。これらを使用することにより、良好な機械特性が得られる。
Figure 2010039015
また、一般式(2)で示されるポリアミド系樹脂のYは有機基であり、前記Xと同様のものが挙げられ、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族化合物、ビスフェノール類、ピロール類、ピリジン類、フラン類等の複素環式化合物、シロキサン化合物等が挙げられ、より具体的には下記式(7)で示されるものを好ましく挙げることができる。これらを使用することにより、良好なパターニング性を得ることができる。これらは1種類又は2種類以上組み合わせて用いてもよい。
Figure 2010039015
一般式(2)で示すように、Yには、Rが0〜8個結合される(式(7)において、Rは省略)。
式(7)の中で好ましいものとしては、下記式(8;8−1〜8−21)、式(9)で示されるものが挙げられる。これらを使用することにより、良好な耐熱性を得ることがすることができる。
下記式(8)中のテトラカルボン酸二無水物由来の構造については、C=O基に結合する位置が両方メタ位であるもの、両方パラ位であるものを挙げているが、メタ位とパラ位をそれぞれ含む構造でもよい。
Figure 2010039015
Figure 2010039015
Figure 2010039015
さらに、式(8)、(9)の中でも、下記式(4)で示されるものが特に好ましい。これらを使用することにより、良好な機械特性を得ることができる。
Figure 2010039015
また、上述の一般式(2)で示されるポリアミド系樹脂は、このポリアミド系樹脂の末端をアミノ基とし、該アミノ基をアルケニル基またはアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基、または環式化合物基を含む酸無水物を用いてアミドとしてキャップすることが好ましい。これにより、保存性を向上することができる。
このような、アミノ基と反応した後のアルケニル基またはアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基または環式化合物基を含む酸無水物に起因する基としては、例えば式(10)、式(11)で示される基等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、2種類以上組み合わせて用いても良い。
また、酸無水物に起因する基の場合は環化してイミド構造をとっていてもかまわない。
Figure 2010039015
Figure 2010039015
これらの中で特に好ましいものとしては、式(12)で選ばれる基が好ましい。これにより、特に保存性を向上することができる。
Figure 2010039015
またこの方法に限定される事はなく、前記ポリアミド系樹脂中に含まれる末端の酸をアルケニル基またはアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含むアミン誘導体を用いてアミドとしてキャップすることもできる。
本発明の感光性樹脂組成物は、感光剤(B)を含む。
前記感光性剤(B)としては、例えばフェノール化合物と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸または1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸とのエステル等が挙げられる。具体的には、式(13)〜式(16)に示すエステル化合物を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いても良い。
Figure 2010039015
Figure 2010039015
Figure 2010039015
Figure 2010039015
式中Qは、水素原子、式(17)、式(18)のいずれかから選ばれるものである。ここで各化合物のQのうち、少なくとも1つは式(17)または式(18)である。
Figure 2010039015
前記感光剤(B)の含有量は、特に限定されないが、アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対して1〜50重量部が好ましく、より10〜40重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に感度が優れる。
本発明の感光性樹脂組成物は、下記一般式(1)で示される化合物(C)から選ばれる1種以上の化合物を含む。これにより、感光性樹脂組成物を塗布後の外観に優れる。
Figure 2010039015
このように、前記化合物(C)を用いることにより、感光性樹脂組成物の塗布後の外観が優れる理由は明確ではないが、塗布時における基板に対する組成物の動的な粘性や揮発性が影響しているものと予想される。
前記化合物(C)の含有量は、特に限定されるものではないが、アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対して、0.1〜50重量部であることが好ましく、特に0.1〜30重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、塗布後の外観に特に優れた感光性樹脂組成物が得られる。
本発明の感光性樹脂組成物は、溶剤(D)を含む。これにより、感光性樹脂組成物をワニスの状態とすることができ、それによって塗布性を向上することができる。
前記溶剤(D)としては、例えばN−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用いても良い。これらの中でもγ−ブチロラクトン(D1)が好ましい。これにより、塗布後の外観をさらに向上することができる。
前記溶剤の含有量は、特に限定されないが、前記アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、100〜400重量部が好ましく、特に120〜300重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、様々な膜厚に対しても、塗布が可能な実用的な粘度が得られる。
また、前記溶剤(D)として、γ−ブチロラクトン(D1)を用いる場合、前記化合物(C)とγ−ブチロラクトン(D1)との併用割合(C/D1)は、特に限定されないが、0.01〜0.5が好まし。併用割合が前記下限値未満であると塗布性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると樹脂組成物の保存性が低下する場合がある。さらに、前記併用割合(C/D1)、特に0.05〜0.2が好ましい。併用割合が前記範囲内であると、上記効果に加えて、溶解性が悪い感光剤や添加剤を一緒に用いた場合に保存性も向上することもできる。
さらに本発明の感光性樹脂組成物には、高感度で更にパターニング時のスカムを改善する目的で、フェノール性水酸基を有する化合物を併用することができる。
具体的な構造としては、式(19)で表されるものが挙げられる。これらは1種類又は2種類以上組み合わせて用いてもよい。
Figure 2010039015
前記フェノール性水酸基を有する化合物の含有量は、特に限定されないが、アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対して、1〜30重量部が好ましく、より好ましくは1〜20重量部である。含有量が前記範囲内であると、現像時において更にスカムの発生が抑制され、また露光部の溶解性が促進されることにより感度が向上する。
前記感光性樹脂組成物は、必要によりアクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、あるいは前記化合物(C)以外のシランカップリング剤等の添加剤等を含んでも良い。
前記シランカップリング剤としては、例えば3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス(トリエトキシプロピル)テトラスルフィド、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、さらにアミノ基を有するケイ素化合物と酸二無水物又は酸無水物とを反応することにより得られるシランカップリング剤等が挙げられるが、これらに限定されない。
前記アミノ基を有するケイ素化合物としては、特に制限されるわけではないが、例えば3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)―3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
前記酸無水物としては、特に制限されるわけではないが、例えば無水マレイン酸、クロロ無水マレイン酸、シアノ無水マレイン酸、シトコン酸、無水フタル酸等などが挙げられる。また、使用にあたっては単独または2種類以上を併用して使用することができる。
前記酸二無水物としては、特に制限されるわけではないが、例えばピロメリット酸二無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,6,7−テトラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、2,6−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,7−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テトラクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−テトラクロロナフタレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3”, 4,4”−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物, 2,2”, 3,3”−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物, 2,3,3”,4”−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)−プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−プロパン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ペリレン−2,3,8,9−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−4,5,10,11−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−5,6,11,12−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,2,7,8−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,2,6,7,8−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,2,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物等などが挙げられる。また、使用にあたっては単独、又は2種類以上を併用して使用することができる。
前記アミノ基を有するケイ素化合物と酸二無水物又は酸無水物とを反応することにより得られるシランカップリング剤としては、感光性樹脂組成物の保存性と現像時、あるいは加熱処理後のシリコンウエハ等の基板に対する密着性が両立する、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物と3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と3−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物と3−アミノプロピルトリエトキシシラン、無水マレイン酸と3−アミノプロピルトリエトキシシランの組合せが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物の使用方法は、まず該組成物を適当な支持体(基板)、例えば、シリコンウエハ、セラミック基板、アルミ基板等に塗布する。塗布量は、半導体素子上に塗布する場合、硬化後の最終膜厚が0.1〜30μmになるよう塗布する。膜厚が下限値を下回ると、半導体素子の保護表面膜としての機能を十分に発揮することが困難となり、上限値を越えると、微細な加工パターンを得ることが困難となるばかりでなく、加工に時間がかかりスループットが低下する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等がある。次に、60〜130℃でプリベークして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射する。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、200〜500nmの波長のものが好ましい。
次に、照射部を現像液で溶解除去することによりレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第1アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン等の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等のアルカリ類の水溶液およびこれにメタノール、エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができる。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。
次に、現像によって形成したレリーフパターンをリンスする。リンス液としては、蒸留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール環、イミド環、又はオキサゾール環及びイミド環を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。
加熱処理温度は、180℃〜380℃が好ましく、より好ましくは200℃〜350℃である。ここで行う加熱処理が前述した熱処理工程のことである。
次に、本発明の硬化膜等にについて説明する。感光性樹脂組成物の硬化物である硬化膜は、半導体素子等の半導体装置用途のみならず、TFT型液晶や有機EL等の表示体装置用途、多層回路の層間絶縁膜やフレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜としても有用なものである。
半導体装置用途の例としては、半導体素子上に上述の感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなるパッシベーション膜、パッシベーション膜上に上述の感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなるバッファーコート膜等の保護膜、また、半導体素子上に形成された回路上に上述のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなる層間絶縁膜等の絶縁膜、また、α線遮断膜、平坦化膜、突起(樹脂ポスト)、隔壁等を挙げることができる。
また、これらの硬化膜を有しているウエハはウエハ周囲の塗布性に優れているので半導体装置の歩留まりを向上することができる。
表示体装置用途の例としては、表示体素子上に上述の感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなる保護膜、TFT素子やカラーフィルター用等の絶縁膜または平坦化膜、MVA型液晶表示装置用等の突起、有機EL素子陰極用等の隔壁等を挙げることができる。その使用方法は、半導体装置用途に準じ、表示体素子やカラーフィルターを形成した基板上にパターン化された感光性樹脂組成物層を、上記の方法で形成することによるものである。表示体装置用途の、特に絶縁膜や平坦化膜用途では、高い透明性が要求されるが、この感光性樹脂組成物層の硬化前に、後露光工程を導入することにより、透明性に優れた樹脂層が得られることもでき、実用上更に好ましい。
また、これらの硬化膜を有している表示用基板は基板周囲の塗布性に優れているので表示体装置の歩留まりを向上することができる。
以下、実施例および比較例に基づき、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
≪実施例1≫
[アルカリ可溶性樹脂(A−1)の合成]
ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸0.900モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール1.800モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)443.21g(0.900モル)と2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン366.26g(1.000モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン3200gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。
次に、N−メチル−2−ピロリドン100gに溶解させた5−ノルボルネン−2、3−ジカルボン酸無水物32.8g(0.200モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/イソプロパノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のアルカリ可溶性樹脂(A−1)を得た。
[感光性ジアゾキノン化合物の合成]
2,2−ビス[4,4−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)シクロヘキシル]−プロパン15.82g(0.025モル)と、トリエチルアミン8.60g(0.085モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、テトラヒドロフラン135gを加えて溶解させた。この反応溶液を10℃以下に冷却した後に、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロライド22.84g(0.085モル)をテトラヒドロフラン100gと共に10℃以上にならないように徐々に滴下した。その後10℃以下で5分攪拌した後、室温で5時間攪拌して反応を終了させた。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、式(B−1)で示される感光性ジアゾキノン化合物を得た。
Figure 2010039015
[ポジ型感光性樹脂組成物の作製]
合成した式(A−1)で示されるアルカリ可溶性樹脂100.00g、式(B−1)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物15.00g、下記式(C−1)の構造を有する化合物10.00gを、γ―ブチロラクトン150.00gに溶解した後、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過しポジ型感光性樹脂組成物を得た。
Figure 2010039015
[塗布ムラの評価]
上記ポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウエハ上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分プリベークし、膜厚約7.0μmの塗膜を得た。
次に、クリーンオーブンを次に干渉縞検査ランプ(フナテック製、FNA−35型)を照射してウエハ周囲の観察を行った所、ムラなど見られず良好な外観であった。
[塗布性の評価]
上記ポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウエハ上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分間プリベークし、膜厚約7.0μmの塗膜を得た。この塗膜を、光干渉式膜厚測定装置VM−8000J(大日本スクリーン製造(株)製)で、X軸方向に10mmピッチで15ポイント膜厚を測定した結果、平均膜厚は148,784Åであった。この時の膜厚のレンジ(最大値―最小値)は1,552Å、標準偏差は496Åであり、膜全体の塗膜についても問題は無かった。
[現像性評価]
このポジ型感光性樹脂組成物を8インチのシリコンウエハに、スピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分間プリベークし、膜厚約7μmの塗膜を得た。得られた塗膜に凸版印刷(株)製マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターンおよび抜きパターンが描かれている)を通して、(株)ニコン製i線ステッパNSR―4425iを用いて、露光量を100mJ/cm2から10mJ/cm2ステップで増やして露光を行った。次に2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に現像時の膜べりが0.5μmになるように現像時間を調整し、露光部を溶解除去した後、純水で30秒間リンスした。パターンを観察したところ、露光量400mJ/cm2で、スカムが無く良好にパターンが開口していることが確認できた。
[引っ張り伸度評価]
ポジ型感光性樹脂組成物を硬化後の厚さが、約10μmになるように8インチのシリコンウエハに塗布し、光洋サーモシステム((株)製クリーンオーブン(CLH−21CDL)で窒素雰囲気下、150/30分+320℃/30分、窒素雰囲気下で硬化を行ない、硬化膜を得た。
得られた硬化膜を2%のフッ化水素水に漬浸し、硬化膜をシリコンウエハから剥離した。そして、得られた硬化膜を純水で充分に洗浄した後、60℃×5時間かけてオーブンで乾燥した。そして、硬化膜を幅10mmの短冊状に切断して、引張試験用のサンプルを得た。次に、引張試験機にて、サンプル形状:10mm幅×120mm長、引っ張り速度:5mm/minで引っ張り伸度を測定した所、36%と良好な伸度を示した。
≪実施例2≫
実施例1において用いたC−1の代わりに下記式(C−2)を、15.00g用いて、前記式(B−1)を18.00gに増やして、実施例1と同様のポジ型感光性樹脂組成物の作製を行い、同様の評価を行った。
Figure 2010039015
≪実施例3≫
実施例1において用いたC−1の代わりに下記式(C−3)を、8.00g用いて、前記式(B−1)を13.00gに減らして、実施例1と同様のポジ型感光性樹脂組成物の作製を行い、同様の評価を行った。
Figure 2010039015
≪実施例4≫
[アルカリ可溶性樹脂(A−2)の合成]
実施例1のアルカリ可溶性樹脂の合成において、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン366.26g(1.000モル)の代わりに、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン258.33g(1.000モル)を用いて)を用いて、それ以外は実施例1と同様の方法でにアルカリ可溶性樹脂(A−2)の合成を行い、同様にポジ型感光性樹脂組成物の作製を行った後、同様の評価を行った。
≪実施例5≫
[アルカリ可溶性樹脂(A−3)の合成]
4,4’―オキシジフタル酸無水物17.06g(0.055モル)とエタノール5.07g(0.110モル)とピリジン10.92g(0.138モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン150gを加えて溶解させた。この反応溶液に1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール14.86g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン30gと共に滴下した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド22.70g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン50gと共に滴下し、室温で一晩反応させた。その後、この反応溶液にジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1.0モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)27.09g(0.055モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン44.68g(0.122モル)をN−メチル−2−ピロリドン70gと共に添加し、室温で2時間攪拌した。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン40gに溶解させた無水マレイン酸4.80g(0.049モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/イソプロパノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のアルカリ可溶性樹脂(A−3)を得た。
[感光性ジアゾキノン化合物の合成]
1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン(本州化学(株)製)18.38g(0.060モル)と、トリエチルアミン13.66g(0.135モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、テトラヒドロフラン135gを加えて溶解させた。この反応溶液を10℃以下に冷却した後に、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルクロライド36.27g(0.135モル)をテトラヒドロフラン100gと共に10℃以上にならないように徐々に滴下した。その後10℃以下で5分攪拌した後、室温で5時間攪拌して反応を終了させた。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、式(B−2)で示される感光性ジアゾキノン化合物を得た。
Figure 2010039015
<ポジ型感光性樹脂組成物の作製>
合成した式(A−3)で示されるアルカリ可溶性樹脂100.00g、前記式(B−2)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物20.00g、前記式(C−1)の構造を有する化合物20.00gを、γ―ブチロラクトン140.00gに溶解した後、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過しポジ型感光性樹脂組成物を得た。
[塗布性の評価]
上記ポジ型感光性樹脂組成物を実施例1と同様に評価を行った。
≪比較例1≫
実施例1のポジ型感光性樹脂組成物の作製において、合成した式(A−1)で示されるアルカリ可溶性樹脂100.00g、前記式(B−1)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物15.00g、γ―ブチロラクトン160.00gに溶解した後、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過し、前記化合物(C)を含まないポジ型感光性樹脂組成物を得、同様の評価を行った。
得られた結果を、表1に示す。ここで、表1中のアルカリ可溶性樹脂、感光剤、化合物の数字は添加重量部を示す。





Figure 2010039015
表1に示すように、実施例1、2、3、4および5は、エッジ部の塗布ムラは見られず、塗布性は良好であることが分かった。さらに感度、引っ張り伸度においても比較例と比較して良好であることが分かった。
本発明は塗布後の外観に優れた感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置に好適に用いられる。

Claims (13)

  1. アルカリ可溶性樹脂(A)と、
    感光剤(B)と、
    一般式(1)で示される化合物から選ばれる1種類以上の化合物(C)と、
    溶剤(D)と、を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
    Figure 2010039015
  2. 前記化合物(C)の含有量は、前記アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して0.1〜50重量部である請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
  3. 前記溶剤(D)が、γ―ブチロラクトン(D1)である請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。
  4. 前記化合物(C)と、前記γ―ブチロラクトン(D1)の併用割合(C/D1)が、0.01〜0.5である請求項3に記載の感光性樹脂組成物。
  5. 前記アルカリ可溶性樹脂(A)が一般式(2)で示される繰り返し単位を有するポリアミド系樹脂を含むものである、請求項1ないし4のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
    Figure 2010039015
  6. 前記一般式(2)で示される繰り返し単位を有するポリアミド系樹脂のXが、下記式(3)からなる群より選択される1種以上を含むものである請求項5に記載の感光性樹脂組成物。
    Figure 2010039015
  7. 前記一般式(2)で示される繰り返し単位を有するポリアミド系樹脂のYが、下記式(4)からなる群より選択される1種以上を含むものである請求項5または6に記載の感光性樹脂組成物。
    Figure 2010039015
  8. 感光剤(B)がジアゾキノン化合物を含むことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
  9. 請求項1ないし8のいずれかに記載の感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする硬化膜。
  10. 請求項9に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする保護膜。
  11. 請求項9に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする絶縁膜。
  12. 請求項9に記載の硬化膜を有していることを特徴とする半導体装置。
  13. 請求項9に記載の硬化膜を有していることを特徴とする表示装置。
JP2008199194A 2008-08-01 2008-08-01 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置。 Expired - Fee Related JP4245077B1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008199194A JP4245077B1 (ja) 2008-08-01 2008-08-01 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置。
TW098105610A TWI394003B (zh) 2008-08-01 2009-02-23 感光性樹脂組成物,硬化膜,保護膜,絕緣膜及使用其等之半導體裝置,顯示裝置
KR1020090015804A KR20100014093A (ko) 2008-08-01 2009-02-25 감광성 수지 조성물, 경화막, 보호막, 절연막 및 그것을 이용한 반도체 장치, 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008199194A JP4245077B1 (ja) 2008-08-01 2008-08-01 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置。

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP4245077B1 JP4245077B1 (ja) 2009-03-25
JP2010039015A true JP2010039015A (ja) 2010-02-18

Family

ID=40559946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008199194A Expired - Fee Related JP4245077B1 (ja) 2008-08-01 2008-08-01 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置。

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4245077B1 (ja)
KR (1) KR20100014093A (ja)
TW (1) TWI394003B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102654926B1 (ko) * 2016-08-10 2024-04-05 삼성디스플레이 주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007212602A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Toray Ind Inc ポジ型感光性樹脂前駆体組成物
JP2007264028A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物およびそれを用いた金属樹脂複合体

Also Published As

Publication number Publication date
TW201007355A (en) 2010-02-16
JP4245077B1 (ja) 2009-03-25
KR20100014093A (ko) 2010-02-10
TWI394003B (zh) 2013-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7687208B2 (en) Positive photosensitive resin composition
JP5910109B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、半導体装置、および表示体装置
JP4780586B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP5246607B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜及び絶縁膜、並びにそれを用いた半導体装置及び表示体装置
WO2009145153A1 (ja) 感光性樹脂組成物
JP4245074B1 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。
JP2008191574A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。
JP2008058548A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示素子。
JP5257450B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれらを用いた半導体装置、表示体装置
KR101667787B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자
JP2009047943A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。
JP2009175651A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。
US20110027544A1 (en) Resin composition for insulating film or surface-protective film of electronic components, method for producing pattern-cured film and electronic components
JP5617505B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、半導体装置、および表示体装置
WO2010044275A1 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置、ならびにレジスト膜形成方法
JP4245077B1 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置。
JP5317463B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP4379153B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置または表示素子
JP5691645B2 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、半導体装置、および表示体装置
JP2005036224A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP2005227654A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2005026394A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜除去方法及びその方法を用いた半導体装置
JP2006135063A (ja) ディスプレイ用絶縁膜の形成方法
JPH1010727A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
KR20150045811A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081216

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081229

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4245077

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140116

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees