KR20150045811A - 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자 - Google Patents

포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자 Download PDF

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김대윤
김상권
김상수
김용태
노건배
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백재열
송재환
이범진
이종화
이진영
홍충범
황은하
황인철
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Abstract

(A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 300 nm 내지 450 nm의 파장영역에서 자외선을 흡수하여 산을 발생시키는 광산 발생제; 및 (D) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 그리고 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자가 제공된다.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자{POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND PHOTOSENSITIVE RESIN FILM AND DISPLAY DEVICE PREPARED BY USING THE SAME}
본 기재는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자에 관한 것이다.
반도체 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막에는 우수한 내열성과 전기 특성, 기계 특성 등을 갖는 폴리이미드 수지가 사용되고 있다. 이러한 폴리이미드 수지는 최근 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 형태로 사용하여 도포가 용이하며, 상기 폴리이미드 전구체 조성물을 반도체 장치 상에 도포한 후, 자외선에 의한 패터닝, 현상, 열 이미드화 처리 등을 실시하여 표면 보호막, 층간 절연막 등을 쉽게 형성할 수 있다. 따라서, 종래 비감광성 폴리이미드 전구체 조성물에 비하여 대폭적인 공정 단축이 가능해진다는 특징을 갖고 있다.
그러나 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 사용된 폴리아미드산의 카르복시산이 알칼리에 대한 용해도가 너무 커서 원하는 패턴을 얻지 못하는 문제점이 있다. 이를 해결하기 위해 카르복시산 대신 페놀성 수산기를 도입한 물질이 제안되었으나(일본 특개평10-307393호), 이 물질은 현상성이 불충분하며, 막 감소나 기재로부터 수지가 박리되는 문제점이 있다.
다른 방법으로 폴리벤조옥사졸 전구체에 디아조나프토퀴논 화합물을 혼합한 재료(일본특허공고 소63-96162호 공보)가 최근 주목받고 있으나, 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 실제로 사용하는 경우, 현상시 비노광부의 막 감소량이 커 현상 후 원하는 패턴을 얻기 어렵다. 또한 용해도를 조절하기 위해 사용하는 페놀 화합물이 열경화시의 높은 온도에서 분해하거나 부반응을 일으키는 등의 문제로, 얻어지는 경화막의 기계적 물성에 큰 손상을 입힌다.
따라서, 노광 영역에서의 현상성과 비노광 영역에서의 잔막률을 동시에 개선시키고, 고감도를 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물 개발이 요구되고 있는 상황이다.
본 발명의 일 구현예는 노광부에서의 현상성 및 비노광부에서의 잔막률이 우수한 고감도의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용한 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 구현예는 (A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 300 nm 내지 450 nm의 파장영역에서 자외선을 흡수하여 산을 발생시키는 광산 발생제; 및 (D) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.
상기 광산 발생제는 350 nm 내지 450 nm의 파장영역에서 자외선을 흡수하여 산을 발생시킬 수 있다.
상기 광산 발생제는 상기 감광성 디아조퀴논 화합물 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 포함될 수 있다.
상기 광산 발생제는 옥심 설포네이트 화합물일 수 있다.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 상기 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 50 중량부; 및 용매 10 내지 900 중량부를 포함할 수 있다.
상기 감광성 디아조퀴논 화합물 및 광산 발생제는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 40 중량부 이하로 포함될 수 있다.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 페놀 화합물, 실란 커플링제, 열산 발생제, 또는 이들의 조합을 더 포함될 수 있다.
본 발명의 다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 감광성 수지막을 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자를 제공한다.
기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 노광부에서의 현상성 및 비노광부에서의 잔막률을 동시에 개선시켜, 고감도의 감광성 수지막을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예 1 내지 8에서 사용한 광산 발생제의 UV 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환" 내지 "치환된"이란, 본 발명의 작용기 중의 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자(-F, -Cl, -Br 또는 -I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기(NH2, NH(R200) 또는 N(R201)(R202)이고, 여기서 R200, R201 및 R202는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 C1 내지 C10 알킬기임), 아미디노기, 하이드라진기, 하이드라존기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알키닐기, 치환 또는 비치환된 지환족 유기기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "유기기"란 지방족 유기기, 지환족 유기기, 방향족 유기기, 헤테로 고리기, 또는 이들의 조합을 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "지방족 유기기"란 C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C1 내지 C30 알킬렌기, C2 내지 C30 알케닐렌기, 또는 C2 내지 C30 알키닐렌기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C15 알킬기, C2 내지 C15 알케닐기, C2 내지 C15 알키닐기, C1 내지 C15 알킬렌기, C2 내지 C15 알케닐렌기, 또는 C2 내지 C15 알키닐렌기를 의미하고, "지환족 유기기"란 C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 시클로알케닐기, C3 내지 C30 시클로알키닐기, C3 내지 C30 시클로알킬렌기, C3 내지 C30 시클로알케닐렌기, 또는 C3 내지 C30 시클로알키닐렌기를 의미하고, 구체적으로는 C3 내지 C15 시클로알킬기, C3 내지 C15 시클로알케닐기, C3 내지 C15 시클로알키닐기, C3 내지 C15 시클로알킬렌기, C3 내지 C15 시클로알케닐렌기, 또는 C3 내지 C15 시클로알키닐렌기를 의미하고, "방향족 유기기"란 C6 내지 C30 아릴기 또는 C6 내지 C30 아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C16 아릴기 또는 C6 내지 C16 아릴렌기를 의미하고, "헤테로 고리기"란 O, S, N, P, Si 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 하나의 고리 내에 1개 내지 3개 함유하는 C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬렌기, C2 내지 C30 헤테로시클로알케닐기, C2 내지 C30 헤테로시클로알케닐렌기, C2 내지 C30 헤테로시클로알키닐기, C2 내지 C30 헤테로시클로알키닐렌기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 O, S, N, P, Si 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 하나의 고리 내에 1개 내지 3개 함유하는 C2 내지 C15 헤테로시클로알킬기, C2 내지 C15 헤테로시클로알킬렌기, C2 내지 C15 헤테로시클로알케닐기, C2 내지 C15 헤테로시클로알케닐렌기, C2 내지 C15 헤테로시클로알키닐기, C2 내지 C15 헤테로시클로알키닐렌기, C2 내지 C15 헤테로아릴기, 또는 C2 내지 C15 헤테로아릴렌기를 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C30 알킬기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C15 알킬기를 의미하고, "시클로알킬기"란 C3 내지 C30 시클로알킬기를 의미하고, 구체적으로는 C3 내지 C18 시클로알킬기를 의미하고, "알콕시기"란 C1 내지 C30 알콕시기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C18 알콕시기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C30 아릴기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C18 아릴기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C30 알케닐기를 의미하고, 구체적으로는 C2 내지 C18 알케닐기를 의미하고, "알킬렌기"란 C1 내지 C30 알킬렌기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C18 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C30 아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C16 아릴렌기를 의미한다.
일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 알칼리 가용성 수지, (B) 감광성 디아조퀴논 화합물, (C) 300 nm 내지 450 nm의 파장영역에서 자외선을 흡수하여 산을 발생시키는 광산 발생제; 및 (D) 용매를 포함한다.
상기 광산 발생제는 노광부에서는 특정 영역 파장의 빛을 흡수해 활성화됨으로써 알칼리 가용성 수지가 현상액에 잘 용해되도록 하여 현상성을 향상시키고, 비노광부에서는 원래의 구조를 그대로 유지하여 막 감소율을 줄이는 바, 감도가 개선되고 내열성이 향상된 감광성 수지막을 제공할 수 있다.
이하에서 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.
(A) 알칼리 가용성 수지
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 포함할 수 있고, 상기 폴리이미드 전구체는 하기 화학식 2로 표시되는 구조 단위를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
(상기 화학식 1에서,
X1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기일 수 있고,
Y1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기, 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있다.)
[화학식 2]
Figure pat00002
(상기 화학식 2에서,
X2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있고,
Y2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기, 또는 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있다.)
상기 화학식 1에서, X1은 방향족 유기기로서 방향족 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다.
상기 방향족 디아민의 예로는 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판 및 2-(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판으로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 X1의 예로는 하기 화학식 3 및 4로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 3]
Figure pat00003
[화학식 4]
Figure pat00004
(상기 화학식 3 및 4에서,
A1은 단일결합, O, CO, CR47R48, SO2 또는 S 일 수 있고, 상기 R47　및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기일 수 있고,
R50 내지 R52는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르복실기, 히드록시기 또는 티올기일 수 있고,
n10은 0 내지 2의 정수일 수 있고, n11 및 n12는 각각 0 내지 3의 정수일 수 있다.)
상기 화학식 1에서, Y1은 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기, 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기로서, 디카르복시산의 잔기 또는 디카르복시산 유도체의 잔기일 수 있다. 구체적으로는 Y1은 방향족 유기기, 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.
상기 디카르복시산 유도체의 구체적인 예로는 4,4'-옥시디벤조일클로라이드, 디페닐옥시디카르보닐디클로라이드, 비스(페닐카르보닐클로라이드)술폰, 비스(페닐카르보닐클로라이드)에테르, 비스(페닐카르보닐클로라이드)페논, 프탈로일디클로라이드, 테레프탈로일디클로라이드, 이소프탈로일디클로라이드, 디카르보닐디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트디벤조트리아졸 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 Y1의 예로는 하기 화학식 5 내지 7로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 5]
Figure pat00005
[화학식 6]
Figure pat00006
[화학식 7]
Figure pat00007
(상기 화학식 5 내지 7에서,
R53 내지 R56은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고,
n13 및 n14는 각각 0 내지 4의 정수일 수 있고, n15 및 n16은 각각 0 내지 3의 정수일 수 있고,
A2는 단일결합, O, CR47R48, CO, CONH, S 또는 SO2일 수 있고, 상기 R47　및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기일 수 있다.)
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 분지쇄 말단의 어느 한쪽 또는 양쪽에, 반응성 말단봉쇄 단량체로부터 유도된 열중합성 관능기를 갖는다. 상기 반응성 말단봉쇄 단량체는 탄소-탄소 이중결합을 갖는 모노아민류 또는 모노언하이드라이드류, 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다. 상기 모노아민류는 톨루이딘, 디메틸아닐린, 에틸아닐린, 아미노페놀, 아미노벤질알콜, 아미노인단(aminoindan), 아미노아세톤페논, 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 2에서, X2는 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기, 2가 내지 6가의 지환족 유기기이다. 　구체적으로는 X2는 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.
구체적으로는 상기 X2는 방향족 디아민, 지환족 디아민 또는 실리콘 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다. 　이때, 상기 방향족 디아민, 지환족 디아민 및 실리콘 디아민은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 방향족 디아민의 예로는 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 이들의 방향족 고리에 알킬기나 할로겐 원자가 치환된 화합물, 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 지환족 디아민의 예로는 1,2-시클로헥실 디아민, 1,3-시클로헥실 디아민, 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 실리콘 디아민의 예로는 비스(4-아미노페닐)디메틸실란, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, 비스(p-아미노페닐)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라페닐디실록산, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산, 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 2에서, Y2는 방향족 유기기, 4가 내지 6가의 지방족 유기기, 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기이다. 구체적으로는 Y2는 방향족 유기기, 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.
상기 Y2는 방향족 산이무수물, 또는 지환족 산이무수물로부터 유도된 잔기일 수 있다. 이때, 상기 방향족 산이무수물 및 상기 지환족 산이무수물은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 방향족 산이무수물의 예로는 피로멜리트산 이무수물(pyromellitic dianhydride); 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물(benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride)과 같은 벤조페논 테트라카르복실산 이무수물(benzophenone tetracarboxylic dianhydride); 4,4'-옥시디프탈산 이무수물(4,4'-oxydiphthalic dianhydride)과 같은 옥시디프탈산 이무수물(oxydiphthalic dianhydride); 3,3',4,4'-비프탈산 이무수물(3,3',4,4'-biphthalic dianhydride)과 같은 비프탈산 이무수물(biphthalic dianhydride); 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물(4,4'-(hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride)과 같은 (헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물((hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride); 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물(naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride); 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 이무수물(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 지환족 산이무수물의 예로는 1,2,3,4-사이클로부탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride), 1,2,3,4-사이클로펜탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride), 5-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨릴)-3-메틸-사이클로헥산-1,2-디카르복실산 이무수물(5-(2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3-methyl-cyclohexane-1,2-dicarboxylic anhydride), 4-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨란-3-일)-테트랄린-1,2-디카르복실산 이무수물(4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-tetralin-1,2-dicarboxylic anhydride), 　바이사이클로옥텐-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride), 바이사이클로옥텐-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride)를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 내지 300,000 g/mol의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있고, 구체적으로는 5,000 내지 30,000 g/mol의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량(Mw)을 가질 경우 알칼리 수용액으로 현상시 비노광부에서 충분한 잔막율을 얻을 수 있고, 효율적으로 패터닝을 할 수 있다.
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물
상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 가지는 화합물이 사용될 수 있다.
상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 구체적으로 하기 화학식 8 및 화학식 10 내지 12로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 8]
Figure pat00008
(상기 화학식 8에서, R60 내지 R62는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 메틸기일 수 있고,
R63 내지 R65는 각각 독립적으로 OQ 일 수 있고, 상기 Q는 수소 원자, 하기 화학식 9a로 표시되는 작용기 또는 하기 화학식 9b로 표시되는 작용기일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소일 수는 없고,
n20 내지 n22는 각각 0 내지 5의 정수일 수 있다.)
[화학식 9a]
Figure pat00009
[화학식 9b]
Figure pat00010
[화학식 10]
Figure pat00011
(상기 화학식 10에서,
R66은 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고,
R67 내지 R69는 각각 독립적으로 OQ 일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 8에서 정의된 것과 동일하고,
n23 내지 n25는 각각 0 내지 5의 정수일 수 있다.)
[화학식 11]
Figure pat00012
(상기 화학식 11에서,
A3은 CO 또는 CR74R75 일 수 있고, 상기 R74 및 R75는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고,
R70 내지 R73은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, OQ 또는 NHQ 일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 8에서 정의된 것과 동일하고,
n26 내지 n29은 각각 0 내지 4의 정수일 수 있고, n26+n27 및 n28+n29는 각각 5 이하의 정수일 수 있다.)
단, 상기 R70 및 R71 중 적어도 하나는 OQ 일 수 있으며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 4개 포함될 수 있다.
[화학식 12]
Figure pat00013
(상기 화학식 12에서,
R74 내지 R81는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고,
n30 및 n31은 각각 1 내지 5의 정수일 수 있고,
Q는 상기 화학식 8에서 정의된 것과 동일하다.)
상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 50 중량부로, 구체적으로는 10 내지 30 중량부로 포지티브형 감광성 수지 조성물 내에 포함될 수 있다. 상기 범위 내로 포함될 경우 노광에 의해 잔사 없이 패턴 형성이 잘되며, 현상시 막 두께 손실이 없고 양호한 패턴을 얻을 수 있다.
(C) 광산 발생제
상기 광산 발생제는 300 nm 내지 450 nm의 파장영역에서 자외선을 흡수하여 산을 발생시킬 수 있다. 광산 발생제가 상기 범위 내의 파장영역에서 자외선을 흡수하는 경우, 반도체 및 디스플레이용 디바이스 제조에서 적용하는 i-line(365.4 nm), h-line(404.7 nm), 및 g-line(435.8 nm) 모두에서 흡광이 가능하여, 상기 광원의 종류에 무관하게 감광성 수지막에 적용 가능하다.
상기 광산 발생제는 상기 파장 영역에서의 빛을 받아 활성화되어 산을 발생함으로써 노광부 표면에 존재하며, 상기 발생된 산이 현상액에 쉽게 씻겨 나가므로 알칼리 가용성 수지 및 기타 첨가제들이 현상액에 잘 용해되도록 돕는 작용을 하며, 이로써 노광부의 현상성을 향상시킨다. 한편, 비노광부에서는 상기 파장 영역의 빛을 흡수하지 못하므로, 상기 광산 발생제는 알칼리 불용성인 특성을 그대로 유지하여 전체적인 막 감소율을 줄임으로써, 최종 형성된 막의 잔막율을 향상시키는 역할을 한다. 또한 내열성이 우수하므로 열 분해에 의한 아웃 가스 발생을 최소화할 수 있어 막의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 광산 발생제는 옥심 설포네이트 화합물일 수 있다. 옥심 설포네이트 화합물은 감광성 디아조퀴논 화합물에 비해 광반응 속도가 빨라 노광부에서의 용해 속도를 증가시키고, 이로써 노광부와 비노광부 간의 콘트라스트(contrast)를 향상시킬 수 있다.
상기 광산 발생제는 후술할 감광성 디아조퀴논 화합물과는 감광 메커니즘이 달라, 이들 간의 혼합 비율이 최종 감광성 수지막의 특성에 영향을 미친다. 즉, 감광성 디아조퀴논 화합물은 옥심 설포네이트 광산 발생제에 비해 감도가 낮아 광반응 속도가 비교적 느리다. 그러나 본 발명과 같이 포지티브 타입의 알칼리 가용성 감광성 수지 조성물의 경우, 비노광부에서 알칼리 가용성 수지와 결합하여 적절한 잔막 수준을 유지할 수 있도록 디아조퀴논 화합물의 사용이 필요하다. 따라서 감도 개선을 위해 광산발생제와 함께 디아조퀴논 화합물을 사용하는 것이 바람직하며, 이들 간의 함량비의 조절이 매우 중요할 수 있다. 이에, 감광성 디아조퀴논 화합물에 대해 상기 광산 발생제를 일정 함량 범위로 포함하는 경우, 전체적인 광반응 속도를 향상시켜 노광부에서의 용해속도가 증가하고, 감광성 수지막의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
상기 광산 발생제는 감광성 디아조퀴논 화합물 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 포함될 수 있으며, 구체적으로는 3 내지 25 중량부로 포함될 수 있다. 광산 발생제가 감광성 디아조퀴논 화합물 100 중량부에 대하여 상기 범위 내로 포함되는 경우, 노광부에서의 용해속도 증가로 인해 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
상기 광산 발생제 및 감광성 디아조퀴논 화합물의 총량은 후술할 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 40 중량부 이하로 포함될 수 있다. 광산 발생제 및 감광성 디아조퀴논 화합물의 총량이 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 40 중량부 초과로 포함되는 경우, 잔막율은 향상되나, 전체 조성물의 밸런스가 나빠져 감도가 크게 떨어지고 현상 잔여물(scum)이 발생할 수 있다.
(D) 용매
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 각 성분을 용이하게 용해시킬 수 있는 용매를 포함할 수 있다.
상기 용매의 구체적인 예로는 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르 등의 알킬렌글리콜 알킬에테르류, 프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트 등의 알킬아세테이트류, 아세틸아세톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로펜타논 등의 케톤류, 부틸알코올, 이소부틸알코올, 펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올 등의 알코올류, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, N-메틸-2-피롤리돈, N-시클로헥실-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 메틸 락테이트, 에틸 락테이트, 부틸 락테이트, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 메틸 피루베이트, 에틸 피루베이트, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 및 이들의 조합에서 선택된 하나를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 용매는 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다.
상기 용매는 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.
상기 용매는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 10 내지 900 중량부로 포함될 수 있으며, 구체적으로는 10 내지 500 중량부로 포지티브형 감광성 수지 조성물 내에 포함될 수 있다. 상기 범위 내로 포함될 경우 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있고, 우수한 용해도 및 코팅성을 가질 수 있다.
(E) 기타 첨가제
일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다.
기타 첨가제로는 페놀 화합물, 실란 커플링제, 열산발생제, 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
상기 페놀 화합물은 하기 화학식 13으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 13]
Figure pat00014
상기 화학식 13에서,
R1은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 히드록시기이고,
R2 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이다. 예컨대, 상기 R2 내지 R4는 메틸기일 수 있다.
상기 페놀 화합물이 첨가됨으로써, 현상 시 노광부의 용해 속도 및 감도를 향상시킬 수 있고, 현상 잔여물(scum)이 발생하지 않아 현상성을 개선시킬 수 있다.
상기 페놀 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 30 중량부로 포함될 수 있다. 페놀 화합물이 상기 범위 내로 포함될 경우, 현상 시 감도 저하를 유발하지 않고, 양호한 패턴을 얻을 수 있으며, 또한 냉동보관 시 석출이 일어나지 않아 우수한 보관 안정성을 나타낼 수 있다.
상기 실란 커플링제의 예를 들면, 탄소-탄소 불포화 결합을 함유한 실란 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 탄소-탄소 불포화 결합을 함유한 실란 화합물의 예로는, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란,　3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 등을 들 수 있다.
상기 실란 커플링제는 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 0.01 내지 1 중량부로 사용될 수 있다. 상기 실란계 화합물이 상기 범위 내로 사용될 경우 금속 기판과의 접착력이 우수할 뿐만 아니라, 현상 후 잔막이 남지 않고, 광 특성과 인장강도, 신율 등의 기계적 물성이 우수하다.
상기 열산발생제의 예로는 p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 등과 같은 아릴술폰산; 트리플루오로메탄술폰산, 트리플루오로부탄술폰산 등과 같은 퍼플루오로알킬술폰산; 메탄술폰산, 에탄술폰산, 부탄술폰산 등과 같은 알킬술폰산; 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 열산발생제는 폴리벤조옥사졸 전구체의 페놀성 수산기 함유 폴리아미드의 탈수화 반응과 고리화 반응을 위한 촉매로서, 300℃ 이하로 경화온도를 낮추어도 고리화 반응을 원활히 진행할 수 있다.
또한 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상시키기 위해 적당한 계면활성제 또는 레벨링제를 첨가제로 더욱 사용할 수도 있다.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 공정은 포지티브형 감광성 수지 조성물을 지지 기판상에 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 프린팅 등으로 도포하는 공정; 상기 도포된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 건조하여 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 형성하는 공정; 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 노광하는 공정; 상기 노광된 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 알칼리 수용액으로 현상하여 감광성 수지막을 제조하는 공정; 및 상기 감광성 수지막을 가열처리하는 공정을 포함한다. 패턴을 형성하는 공정상의 조건 등에 대하여는 당해 분야에서 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다.
다른 일 구현예에 따르면, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다. 상기 감광성 수지막은 절연막일 수 있다.
상기 감광성 수지막은 140 내지 190 mJ/cm2의 감도를 가질 수 있다. 이 경우, 감도가 개선됨으로써 공정 시 수율 및 시간을 단축시킬 수 있다.
또 다른 일 구현예에 따르면, 상기 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자를 제공한다. 상기 표시소자는 액정 디스플레이(LCD), 발광다이오드, 플라즈마디스플레이, 또는 유기발광다이오드일 수 있다.
이하에서 본 발명을 실시예　및 비교예를 통하여 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예　및 비교예는 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
제조예 1: 알칼리 가용성 수지 제조
교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,6-비스[[[5-[1-(아미노-4-히드록시페닐)-2,2,2-트리플로로-1-(트리플로메틸)에틸]-2-히드록시페닐]아미노]메틸]-4-메틸페놀 41.1g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 280g에 넣어 용해시켰다. 고체가 완전히 용해되면 피리딘 9.9g을 상기 용액에 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 13.3g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 142g에 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하하였다. 적하 후 1시간 동안 0 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 교반하여 반응을 종료하였다.
여기에, 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드 1.6g을 투입하고, 70℃에서 24시간 교반하여 반응을 종료하였다. 반응 혼합물을 물/메탄올=10/1(부피비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 온도 80℃, 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 중량평균분자량이 9,500 g/mol인 하기 화학식 A로 표시되는 폴리벤조옥사졸 전구체를 제조하였다.
[화학식 A]
Figure pat00015

실시예 : 포지티브형 감광성 수지 조성물의 제조
포지티브형 감광성 수지 조성물 제조에 사용되는 성분의 사양은 다음과 같다.
(A) 알칼리 가용성 수지
제조예 1에서 제조된 상기 화학식 A로 표시되는 화합물을 사용하였다.
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물
하기 화학식 B로 표시되는 화합물을 사용하였다.
[화학식 B]
Figure pat00016

(C) 광산 발생제
(C-1) BASF社의 Irgacure PAG 103를 사용하였다.(도 1의 PAG 1)
(C-2) Ciba社의 CGI 1325를 사용하였다. (도 1의 PAG 2)
(C-3) BASF社의 Irgacure PAG 121를 사용하였다. (도 1의 PAG 3)
(C-4) BASF社의 Irgacure PAG 725를 사용하였다. (도 1의 PAG 4)
(D) 용매
(D-1) 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME)를 사용하였다.
(D-2) 에틸 락테이트(EL)를 사용하였다.
(D-3) γ-부티로락톤(GBL)을 사용하였다.
(E) 첨가제
(E-1) 페놀 화합물로서, 하기 화학식 E-1로 표시되는 화합물을 사용하였다.
[화학식 E-1]
Figure pat00017
(E-2) 실란 커플링제로서, 하기 화학식 E-2로 표시되는 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란을 사용하였다.
[화학식 E-2]
Figure pat00018

실시예 1 내지 8 및 비교예 1
하기 표 1에 나타낸 조성으로 실시예 1 내지 8 및 비교예 1에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다. 구체적으로, 알칼리 가용성 수지를 용매와 혼합하여 용해시킨 후, 감광성 디아조퀴논 화합물, 첨가제(페놀 화합물, 실란 커플링제), 및 광산 발생제를 첨가하여 3시간 동안 실온에서 교반하여 안정화한 후, 0.45 ㎛의 플루오르수지제 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다. 하기 표 1에서 감광성 디아조퀴논 화합물, 광산 발생제(PAG), 용매, 및 첨가제 성분의 각 함량은 알칼리 가용성 수지(폴리벤조옥사졸 전구체(PBO 전구체)) 100 중량부를 기준으로 나타내었다.
원료 투입량(g)
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6 실시예 7 실시예 8 비교예 1
알칼리 가용성 수지 100 100 100 100 100 100 100 100 100
감광성 디아조퀴논 화합물 27 25 23 27 25 23 23 23 30
광산 발생제 C-1 3 5 7 0 0 0 0 0 0
C-2 0 0 0 3 5 7 0 0 0
C-3 0 0 0 0 0 0 7 0 0
C-4 0 0 0 0 0 0 0 7 0
첨가제 페놀 화합물 20 20 20 20 20 20 20 20 20
실란 커플링제 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02
용매 PGME 180 180 180 180 180 180 180 180 180
EL 60 60 60 60 60 60 60 60 60
GBL 30 30 30 30 30 30 30 30 30
평가: 잔막율 , 감도, 및 콘트라스트 측정
(1) 도막 및 패턴 형성
상기 실시예 1 내지 8, 및 비교예 1에 따라 제조된 감광성 수지 조성물을 스핀코터를 이용해 ITO Glass에 도포하여 코팅한 후, 핫플레이트 상에서 120℃로 100초 동안 가열하여 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 필름을 형성하였다. 상기 폴리벤조옥사졸 전구체 필름에 다양한 크기의 패턴이 새겨진 마스크를 사용하여 일본 Nikon사제 I-line stepper(NSR i10C)로 노광한 후, 상온에서 2.38%의 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 수용액에 40초, 2 퍼들(puddle)을 통해 노광부를 용해 제거한 후, 순수로 30초 동안 세척하였다. 이어서, 얻어진 패턴을 전기로를 이용하여 산소 농도 1000ppm 이하에서, 250℃로 40분 동안 N2 분위기에서 경화하여 패턴을 얻었다.
(2) 잔막율 측정
예비소성을 한 필름을 2.38% 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 수용액에 23.5℃로 60초 동안 현상하고, 초순수로 60초 동안 세정 후 건조한 뒤 알파스텝 (Tencor社)을 이용하여 막두께 변화를 측정하였고, 하기 수학식 1로 잔막율을 산출하여, 하기 표 2에 나타내었다.
[수학식 1]
잔막율(%) = (현상 후 막두께/현상 전 막두께) × 100
(3) 감도 측정
감도는 노광 및 현상 후 10 ㎛ L/S 패턴이 1 대 1의 선폭으로 형성되는 노광시간을 구하여 이를 최적 노광 시간으로 하였다. 해상도는 상기 최적 노광 시간에 있어서의 최소 패턴 치수를 해상도로 하여 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
(4) 용해속도(Dissolution rate, DR) 측정
상기 감광성 수지 조성물을 각각 8인치 실리콘 웨이퍼 상에 동일한 두께(4㎛)로 스핀코팅하고, 120℃로 100초 동안 소프트 베이크(soft bake)하였다. 이렇게 코팅된 웨이퍼를 resist development system(Litho Tech Japan社, RDA-760시스템)으로 평균 용해속도를 측정하여 하기 표 2에 나타내었다. 이때 현상액은 2.38%의 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TAMH)를 적용하였고, 현상액 및 현상존의 온도는 23.5℃로 유지하였다. 각각의 샘플은 3회 반복 측정하여 평균값을 취하였다.
(5) 콘트라스트(Contrast) 계산
하기 수학식 2, 즉 상기 (4)에서 측정한 노광부의 DR과 비노광부의 DR의 비로 콘트라스트를 산출하여, 하기 표 2에 나타내었다.
[수학식 2]
콘트라스트(contrast) = 노광부의 DR/비노광부의 DR
구분 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6 실시예 7 실시예 8 비교예 1
현상 후 잔막률
(%)		 78 82 87 77 80 85 84 85 75
감도
(mJ)		 180 165 150 185 170 155 160 150 200
노광부 DR
(Å/s)		 610 630 650 610 620 640 610 700 600
비노광부 DR
(Å/s)		 95 90 84 97 92 87 88 88 100
콘트라스트 6.4 7.0 7.7 6.3 6.7 7.4 6.9 8.0 6.0
상기 표 2를 참조하면, 감광성 디아조퀴논 화합물과 광산 발생제를 혼합 사용한 실시예 1 내지 8은 비교예 1보다, 현상 후 잔막율은 증가하며, 우수한 감도 및 해상도(contrast)를 가짐을 알 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

Claims (9)

  1. (A) 알칼리 가용성 수지;
    (B) 감광성 디아조퀴논 화합물;
    (C) 300 nm 내지 450 nm의 파장영역에서 자외선을 흡수하여 산을 발생시키는 광산 발생제; 및
    (D) 용매
    를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광산 발생제는 350 nm 내지 450 nm의 파장영역에서 자외선을 흡수하여 산을 발생시키는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광산 발생제는 상기 감광성 디아조퀴논 화합물 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 포함되는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광산 발생제는 옥심 설포네이트 화합물인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은
    상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여
    상기 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 50 중량부; 및
    상기 용매 10 내지 900 중량부를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 디아조퀴논 화합물 및 상기 광산 발생제의 총량은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 40 중량부 이하로 포함되는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 페놀 화합물, 실란 커플링제, 열산 발생제, 또는 이들의 조합을 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 감광성 수지막.
  9. 제8항의 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자.
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