JP2009047943A - ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を少なくとも有するアルカリ可溶性樹脂(A)、感光剤(B)と、アルコール性水酸基を有する環式化合物(C)を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物を提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】なし
Description
更に最近では、安全性の面からアルカリ水溶液で現像ができるポジ型感光性樹脂組成物が開発されている。例えば、特許文献1にはベース樹脂であるポリベンゾオキサゾール前駆体と感光剤であるジアゾキノン化合物より構成されるポジ型感光性樹脂組成物が開示されている。これは高い耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有し、ウェハーコート用のみならず層間絶縁用樹脂組成物としての可能性も有している。このポジ型感光性樹脂組成物の現像メカニズムは以下のようになっている。未露光部のジアゾキノン化合物はアルカリ水溶液に不溶であり、ベース樹脂と相互作用することでこれに対し耐性を持つようになる。一方、露光することによりジアゾキノン化合物は化学変化を起こし、アルカリ水溶液に可溶となり、ベース樹脂の溶解を促進させる。この露光部と未露光部との溶解性の差を利用し、露光部を溶解除去することにより未露光部のみの塗膜パターンの作成が可能となるものである。
[1]ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を少なくとも有するアルカリ可溶性樹脂(A)と、感光剤(B)と、アルコール性水酸基を有する環式化合物(C)を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
[2]前記アルコール性水酸基を有する環式化合物(C)が、アルコール性水酸基を有する脂環式化合物、複素環式化合物の少なくともいずれか一方である、[1]記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[3]前記アルコール性水酸基を有する環式化合物(C)が、式(1)で示される化合物から少なくとも一つ選ばれてなる、[1]乃至[3]記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[4]前記アルコール性水酸基を有する環式化合物(C)が、アルコール性水酸基を有する炭素数6〜18の脂環式化合物である、[1]または[2]記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[5]前記ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を少なくとも有するアルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対して、アルコール性水酸基を有する環式化合物(C)を5〜30重量部含むものである、[1]乃至[4]のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[6]前記感光剤(B)が、感光性ジアゾキノン化合物である[1]記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[7]前記感光剤(B)が、フェノール化合物と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸とのエステル化合物を少なくとも有する[1]または[6]のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[8][1]乃至[7]に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする硬化膜。
[9][8]に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする保護膜。
[10][8]に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする絶縁膜。
[11][8]に記載の硬化膜を有していることを特徴とする半導体装置。
[12][8]に記載の硬化膜を有していることを特徴とする表示体装置。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を少なくとも有するアルカリ可溶性樹脂(A)(以下、アルカリ可溶性樹脂(A))と、感光剤(B)と、アルコール性水酸基を有する環式化合物(C)(以下、環式化合物(C))を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物に関するものである。
アルキレン、−O−、−S−、−SO2−、−CO−、−NHCO−、―C(CF3)2―
、単結合から選ばれる有機基である。R5は、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ
基、シクロアルキル基のいずれかである。R5が複数ある場合は、同じでも異なっても良
い。R6は、水酸基又は−O−R8であり、同一でも異なっても良い。R7は、水酸基、カ
ルボキシル基、−O−R8、−COO−R8のいずれかであり、同一でも異なっても良い。R8は、炭素数1〜15の有機基である。rは0〜3の整数、tは0〜2の整数、s、u
はそれぞれ0〜4の整数である。)
H3)−、−C(CH2CH3)(CH2CH3)−、−CH(CH2CH2CH3)−、−C(CH3)(CH2CH2CH3)−、−CH(CH(CH3)2)−、−C(CH3)(CH(
CH3)2)−、−CH(CH2CH2CH2CH3)−、−C(CH3)(CH2CH2CH2CH3)−、−CH(CH2CH(CH3)2)−、−C(CH3)(CH2CH(CH3)2)−、−CH(CH2CH2CH2CH2CH3)−、−C(CH3)(CH2CH2CH2CH2CH3)−、−CH(CH2CH2CH2CH2CH2CH3)−、−C(CH3)(CH2CH2CH2CH2CH2CH3)−等が挙げられるが、その中でも−CH2−、−CH(CH3)−、−C(CH3)2−が、アルカリ水溶液だけでなく溶剤に対しても十分な溶解性を持つ、よりバランスに優れるアルカリ可溶性樹脂(A)を得ることができて好ましい
リ水溶液に対する溶解性を調節する目的で、炭素数1〜15の有機基であるR8で保護さ
れた基であり、必要により水酸基、カルボキシル基を保護しても良い。R8の例としては
、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。
シジカルボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応して得られるものである。なお、ジカルボン酸の場合には反応収率等を高めるため、1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール等を予め反応させた活性エステル型のジカルボン酸誘導体を用いてもよい。
、−S−、−SO2−、−CO−、−NHCO−、―C(CF3)2―、単結合から選ばれ
る有機基である。)
クロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。R17は、アルキル基、アルキルエステル基、ハロゲン原子の内から選ばれた1つを表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。c=1〜3、d=0〜2の整数である。)
下記式(8)中のテトラカルボン酸二無水物由来の構造については、C=O基に結合する位置が両方メタ位であるもの、両方パラ位であるものを挙げているが、メタ位とパラ位をそれぞれ含む構造でもよい。
感光性ジアゾキノン化合物は、例えばフェノール化合物と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸または1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸とのエステルが挙げられる。より好ましくは、後述するアルカリ可溶性樹脂(A)と環式化合物(C)との反応に対して触媒作用性に優れる、フェノール化合物と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸とのエステルである。具体的には、式(12)〜式(15)に示すエステル化合物を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いても良い。
好ましくは、環式化合物(C)が、アルコール性水酸基を有する脂環式化合物、複素環式化合物の少なくともいずれか一方である。これによりポジ型感光性樹脂組成物の透明性が低下しないため感度が低下せず、又硬化後も透明性を損なわない硬化膜が得られる。
メチルシクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール、3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘキサノール、2−エチルシクロヘキサノール、4−エチルシクロヘキサノール、2−n−プロピルシクロヘキサノール、2−tert−ブチルシクロヘキサノール、4−n−ブチルシクロヘキサノール、4−tert−ブチルシクロヘキサノール、4−アミルシクロヘキサノール、4−tert−アミルシクロヘキサノール、2,3−ジメチルシクロヘキサノール、2,5−ジメチルシクロヘキサノール、2,6−ジメチルシクロヘキサノール、3,4−ジメチルシクロヘキサノール、3,5−ジメチルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノール、メントール、ネオメントール、イソメントール、2−フェニル−1−シクロヘキサノール、4−ヒドロキシシクロヘキサンカルボン酸、エチル−4−ヒドロキシシクロヘキサンカルボキシレート、1−ビニルシクロヘキサノール、ジヒドロカルベオール、テルピン、1,2−シクロヘキサンジオール、1,3−シクロヘキサンジオール、1,4−シクロヘキサンジオール、2,2−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン、4,4−ビシクロヘキサノール、ビス(2−ヒドロキシシクロヘキシル)メタン、ビス(3−ヒドロキシシクロヘキシル)メタン、ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)メタン、1,3,5−シクロヘキサントリオール、1,2,3−シクロヘキサントリオール、ノルボルネオール、フェンチルアルコール、ボルネオール、イソボルネオール、ヒドロキシジシクロペンタジエン、デカヒドロ−1−ナフトール、デカヒドロ−2−ナフトール、1−アダマンタノール、2−アダマンタノール、2−メチル−2−アダマンタノール、2−エチル−2−アダマンタノール、2−ブチル−2−アダマンタノール、3−メチル−1−アダマンタノール、3,5−ジメチル−1−アダマンタノール、9H−Tris2C−PHBA(本州化学工業■製)、
リール基等が挙げられるが、その中でも炭素数1〜6のアルキル基が、ポジ型感光性樹脂組成物のアルカリ可溶性が適度に保たれるため良好な塗膜パターンが得られるので好ましい。
加熱処理は高温でも低温でも可能であり、高温での加熱処理温度は、280℃〜380℃が好ましく、より好ましくは290℃〜350℃である。低温での加熱処理温度は150℃〜280℃が好ましく、より好ましくは180℃〜260℃である。
≪実施例1≫
[アルカリ可溶性樹脂(A−1)の合成]
ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸0.890モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール1.780モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)438.20g(0.890モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン366.26g(1.000モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン3200gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて16時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン150gに溶解させた4−エチニルフタル酸無水物37.87g(0.220モル)を加え、更に3時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/イソプロパノール=2/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のアルカリ可溶性樹脂(A−1)を得た。
フェノール式(Q−1)11.88g(0.019モル)と、トリエチルアミン5.70g(0.056モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、テトラヒドロフラン68gを加えて溶解させた。こ
の反応溶液を10℃以下に冷却した後に、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロライド15.13g(0.056モル)をテトラヒドロフラン100gと共に10℃以上にならないように徐々に滴下した。その後10℃以下で5分攪拌した後、室温で5時間攪拌して反応を終了させた。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、式(B−1)の構造で示される感光剤を得た。
合成したアルカリ可溶性樹脂(A−1)100g、式(B−1)の構造を有する感光剤
16g、環式化合物(C)としてシクロヘキサノール10.8gを、γ―ブチロラクトン170gに溶解した後、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過しポジ型感光性樹脂組成物を得た。
上記ポジ型感光性樹脂組成物を6インチのシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分プリベークし、膜厚約10μmの塗膜を得た。次にオーブンを用いて、塗膜付きシリコンウエハーを250℃/90分で加熱を行った。硬化後の塗膜に5cm四方の升目になるようカッターで切れ込みを入れた後、2%フッ酸に浸け、5cm四方のフィルムを得た。このフィルムの吸水率を試験規格JIS−K7209に従い、0.52%という値を得た。
吸水率評価と同様に硬化した塗膜を得た後、膜厚を測定した。これを[試験前膜厚]とした。その後、この硬化した塗膜を80℃に熱したジメチルスルホキシドとモノエタノールアミン(3:7)の混合溶液中に10分浸漬させた。その後、この硬化した塗膜を純水洗浄、イソプロパノールで洗浄した後、耐溶剤性試験後の膜厚を測定した。これを[試験後膜厚]とした。試験前後の膜厚の変化率を、[処理後残膜率]=[試験後膜厚]/[試験前膜厚]x100(%)で値を求めた。その結果、95.2%という値を得た。
[アルカリ可溶性樹脂(A−2)の合成]
実施例1におけるアルカリ可溶性樹脂の合成において、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸のモル比を0.700モルに変更し、替わりにイソフタル酸のモル比を0.180モルとし、1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール1.760モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)416.73g(0.880モル)と、ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパンの替わりに3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン196.21g(0.700モル)と3,3’−ジアミノジフェニルスルホン74.49g(0.300モル)を用いて同様にして反応し、目的のアルカリ可溶性樹脂(A−2)を得た。
フェノール式(Q−2)9.32g(0.022モル)と、トリエチルアミン6.67g(0.066モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、テトラヒドロフラン65gを加えて溶解させた。この反応溶液を10℃以下に冷却した後に、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロライド17.72g(0.066モル)をテトラヒドロフラン100gと共に10℃以上にならないように徐々に滴下した。その後10℃以下で5分攪拌した後、室温で5時間攪拌して反応を終了させた。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾
燥し、式(B−2)の構造で示される感光剤を得た。
合成したアルカリ可溶性樹脂(A−2)100g、式(B−2)の構造を有する感光剤18g、環式化合物(C)として3,5−ジメチル−1−アダマンタノール19.0gを、γ―ブチロラクトン180gに溶解した後、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過しポジ型感光性樹脂組成物を得た。それ以外は実施例1と同様に評価を行った。
[アルカリ可溶性樹脂(A−3)の合成]
実施例2におけるアルカリ可溶性樹脂の合成において、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸のモル比を0.680モル、イソフタル酸のモル比を0.170モルとそれぞれ変更し、1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール1.700モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)402.88g(0.850モル)と、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフォンと3,3’−ジアミノジフェニルスルホンの替わりに、4,4′‐メチレンビス(2−アミノ−3,6‐ジメチルフェノール)171.82g(0.600モル)と2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン103.33g(0.400モル)を用いて同様にして反応し、目的のアルカリ可溶性樹脂(A−3)を得た。
フェノール式(Q−2)10.47g(0.025モル)と、トリエチルアミン6.22g(0.062モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、テトラヒドロフラン65gを加えて溶解させた。この反応溶液を10℃以下に冷却した後に、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルクロライド16.52g(0.062モル)をテトラヒドロフラン100gと共に10℃以上にならないように徐々に滴下した。その後10℃以下で5分攪拌した後、室温で5時間攪拌して反応を終了させた。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、式(B−3)の構造で示される感光剤を得た。
合成したアルカリ可溶性樹脂(A−3)100g、実施例2で合成した感光剤(B−2)6.0g、式(B−3)の構造を有する感光剤7.5g、環式化合物(C)として1,4−シクロヘキサンジオール6.5gを、γ―ブチロラクトン160gに溶解した後、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過しポジ型感光性樹脂組成物を得た。それ以外は実施例1と同様に評価を行った。
実施例2において、3,5−ジメチル−1−アダマンタノールを添加しない以外は実施例1と同様にポジ型感光性樹脂組成物を作製し、評価を行った。
以下に、実施例及び比較例の(Q−1)、(Q−2)、(B−1)〜(B−3)の構造、及び表1を示す。ここで、表1中のアルカリ可溶性樹脂、感光剤、環式化合物の数字は添加重量部である。
Claims (12)
- ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を少なくとも有するアルカリ可溶性樹脂(A)と、感光剤(B)と、アルコール性水酸基を有する環式化合物(C)を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記アルコール性水酸基を有する環式化合物(C)が、アルコール性水酸基を有する脂環式化合物、複素環式化合物の少なくともいずれか一方である、請求項1記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記アルコール性水酸基を有する環式化合物(C)が、アルコール性水酸基を有する炭素数6〜18の脂環式化合物である、請求項1または請求項2記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を少なくとも有するアルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対して、アルコール性水酸基を有する環式化合物(C)を5〜30重量部含むものである、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記感光剤(B)が、感光性ジアゾキノン化合物である請求項1記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記感光剤(B)が、フェノール化合物と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸とのエステル化合物を少なくとも有する請求項1または請求項6のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 請求項1乃至請求項7に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする硬化膜。
- 請求項8に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする保護膜。
- 請求項8に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする絶縁膜。
- 請求項8に記載の硬化膜を有していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項8に記載の硬化膜を有していることを特徴とする表示体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007214227A JP5061792B2 (ja) | 2007-08-21 | 2007-08-21 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 |
US12/194,634 US7781131B2 (en) | 2007-08-21 | 2008-08-20 | Positive photosensitive resin composition, cured layer , protecting layer, insulating layer and semiconductor device and display therewith |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007214227A JP5061792B2 (ja) | 2007-08-21 | 2007-08-21 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009047943A true JP2009047943A (ja) | 2009-03-05 |
JP5061792B2 JP5061792B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=40432221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007214227A Expired - Fee Related JP5061792B2 (ja) | 2007-08-21 | 2007-08-21 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7781131B2 (ja) |
JP (1) | JP5061792B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013171101A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Fujifilm Corp | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機el表示装置および液晶表示装置 |
JP2014500851A (ja) * | 2010-09-28 | 2014-01-16 | プロメラス, エルエルシー | ノルボルナンベースのpacバラスト、及びpacを含むポジティブ型の感光性樹脂組成物 |
JP2017040760A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびタッチパネル |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101772734B (zh) * | 2007-08-10 | 2013-05-15 | 住友电木株式会社 | 正型感光性树脂组合物、固化膜、保护膜、绝缘膜以及半导体装置 |
KR101304590B1 (ko) * | 2010-03-11 | 2013-09-05 | 주식회사 엘지화학 | Oled 디바이스용 감광성 유기 절연재 조성물 |
KR101400187B1 (ko) * | 2010-12-30 | 2014-05-27 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005037925A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-02-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 |
JP2007017959A (ja) * | 2005-06-07 | 2007-01-25 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2007148258A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Daicel Chem Ind Ltd | レジスト組成物 |
WO2008020573A1 (fr) * | 2006-08-15 | 2008-02-21 | Asahi Kasei Emd Corporation | Composition de résine photosensible positive |
JP2008216569A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6446862A (en) | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Fujitsu Ltd | Bus controller |
KR100766648B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2007-10-15 | 인텔 코포레이션 | 포지티브형 감광성 수지 조성물,포지티브형 감광성 수지조성물의 제조방법 및 반도체장치 |
TWI287028B (en) * | 2002-05-17 | 2007-09-21 | Hitachi Chem Dupont Microsys | Photosensitive polymer composition, method of forming relief patterns, and electronic equipment |
US6887643B2 (en) * | 2002-08-05 | 2005-05-03 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive resin precursor composition |
JP4374840B2 (ja) | 2002-08-30 | 2009-12-02 | 東レ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、半導体素子の製造方法および、半導体装置 |
JP4207581B2 (ja) * | 2002-11-06 | 2009-01-14 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 耐熱感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造方法及び電子部品 |
JP2005010764A (ja) | 2003-05-23 | 2005-01-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ネガ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 |
KR100774672B1 (ko) | 2004-05-07 | 2007-11-08 | 히다치 가세이듀퐁 마이쿠로시스데무즈 가부시키가이샤 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 패턴의 제조방법 및전자부품 |
JP5875209B2 (ja) | 2006-01-19 | 2016-03-02 | 東レ株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物 |
-
2007
- 2007-08-21 JP JP2007214227A patent/JP5061792B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-20 US US12/194,634 patent/US7781131B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005037925A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-02-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 |
JP2007017959A (ja) * | 2005-06-07 | 2007-01-25 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2007148258A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Daicel Chem Ind Ltd | レジスト組成物 |
WO2008020573A1 (fr) * | 2006-08-15 | 2008-02-21 | Asahi Kasei Emd Corporation | Composition de résine photosensible positive |
JP2008216569A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014500851A (ja) * | 2010-09-28 | 2014-01-16 | プロメラス, エルエルシー | ノルボルナンベースのpacバラスト、及びpacを含むポジティブ型の感光性樹脂組成物 |
JP2013171101A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Fujifilm Corp | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機el表示装置および液晶表示装置 |
JP2017040760A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびタッチパネル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7781131B2 (en) | 2010-08-24 |
US20090068584A1 (en) | 2009-03-12 |
JP5061792B2 (ja) | 2012-10-31 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |