JP2010016405A - インプリントリソグラフィ - Google Patents
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- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 237
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 37
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 37
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 3
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001494 step-and-flash imprint lithography Methods 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002164 ion-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920005593 poly(benzyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002776 polycyclohexyl methacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板を保持するように配置された第1の基板テーブル31および基板を保持するように配置された第2の基板テーブル32と、インプリントテンプレート40を保持するように配置されたインプリントテンプレートホルダ41と、インプリント可能媒体ディスペンサ36とを備え、第1の基板テーブルはインプリント可能媒体ディスペンサにまたはそれに隣接して配置された第1の位置と、前記インプリントテンプレートホルダにまたはそれに隣接して配置された第2の位置との間で移動可能であり、さらに第2の基板テーブルは、第1および第2の基板テーブルが位置を交換するように、該第1の位置と第2の位置との間で移動可能であるリソグラフィ装置が開示されている。
【選択図】 図4
Description
Claims (20)
- 基板を保持するように配置された第1の基板テーブルと、
基板を保持するように配置された第2の基板テーブルと、
インプリントテンプレートを保持するように配置されたインプリントテンプレートホルダと、
インプリント可能媒体ディスペンサと、を備え、
前記第1の基板テーブルは、前記インプリント可能媒体ディスペンサにまたはそれに隣接して位置する第1の位置と、前記インプリントテンプレートホルダにまたはそれに隣接して位置する第2の位置との間で移動可能であり、
前記第2の基板テーブルは、前記第1および第2の基板テーブルが位置を交換するように、前記第1の位置と第2の位置との間で移動可能であるインプリントリソグラフィ装置。 - 前記インプリント可能媒体ディスペンサにまたはそれに隣接して位置する第1のアライメントシステムと、前記インプリントテンプレートホルダにまたはそれに隣接して位置する第2のアライメントシステムとをさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 前記第1のアライメントシステムは、前記第1の基板テーブルの上の1つまたは複数のアライメントマークに対して、前記第1の基板の上の1つまたは複数のアライメントマークの位置を測定するように配置される、請求項2に記載の装置。
- 前記第2のアライメントシステムは、前記第2の基板の1つまたは複数のターゲット部分が、前記インプリントテンプレートホルダによって保持されたときに前記インプリントテンプレートと位置合わせされ得るように、前記第2の基板テーブルの上の1つまたは複数のアライメントマークの位置を測定するように配置される、請求項2に記載の装置。
- 前記基板テーブルの位置をモニターするように配置された1組の干渉計をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- どちらの基板テーブルの位置が前記インプリント可能媒体ディスペンサの箇所にあるかまたはそれに隣接しているかをモニターするように配置された第1の組の干渉計と、どちらの基板テーブルの位置が前記インプリントテンプレートホルダの箇所にあるかまたはそれに隣接しているかをモニターするように配置された第2の組の干渉計とを備える、請求項5に記載の装置。
- 前記基板テーブルは、前記インプリントテンプレートホルダの移動軸に対して実質的に垂直な平面内に共に位置する2つの方向へ移動可能である、請求項1に記載の装置。
- 前記基板テーブルは、それぞれがガス足部によって支持される、請求項1に記載の装置。
- 前記インプリント可能媒体ディスペンサは、インクジェットノズル、またはインクジェットノズルの配列を備える、請求項1に記載の装置。
- 基板を保持するように配置された第1の基板テーブルと、
基板を保持するように配置された第2の基板テーブルと、
インプリントテンプレートと、
インプリント可能媒体を提供するように構成されたディスペンサと、を備え、
前記第1の基板テーブルは、前記インプリント可能媒体ディスペンサにまたはそれに隣接して位置する第1の位置と、前記インプリントテンプレートにまたはそれに隣接して位置する第2の位置との間で移動可能であり、
前記第2の基板テーブルは、前記第1および第2の基板テーブルが位置を交換するように、前記第1の位置と第2の位置との間で移動可能であるインプリントリソグラフィ装置。 - 基板を保持するように配置された基板テーブルと、
インプリントテンプレートを保持するように配置されたインプリントテンプレートホルダと、
少なくとも2つのインプリント可能媒体ディスペンサと、を備え、
第1の前記インプリント可能媒体ディスペンサは、前記インプリントテンプレートホルダの一方の側にまたは一方の側に隣接して位置し、
第2の前記インプリント可能媒体ディスペンサは、前記インプリントテンプレートホルダの反対側にまたは反対側に隣接して位置する、インプリントリソグラフィ装置。 - 前記基板テーブルは、前記基板のターゲット部分が前記インプリント可能媒体ディスペンサの一方の下方を通過する直後に、それが前記インプリントテンプレートの下方に位置するように走査方向へ移動可能である、請求項11に記載の装置。
- 前記インプリントテンプレートの上流に位置する前記インプリント可能媒体ディスペンサは、前記ターゲット部分が前記インプリントテンプレートの下方に位置する前に、インプリント可能媒体を前記基板の上に供給するように配置される、請求項12に記載の装置。
- 前記インプリント可能媒体ディスペンサの少なくとも一つは、穴の列、一連の穴の列または穴の配列を備える、請求項11に記載の装置。
- 前記穴はインクジェットノズルである、請求項14に記載の装置。
- インプリント可能媒体ディスペンサが前記インプリントテンプレートホルダのそれぞれの側にまたはそれぞれの側に隣接して位置するように、2つの追加的なインプリント可能媒体ディスペンサをさらに備える、請求項11に記載の装置。
- 第2の基板を保持するように配置された第2の基板テーブルと、
第2のインプリントテンプレートを保持するように配置された第2のインプリントテンプレートホルダと、
少なくとも2つのインプリント可能媒体ディスペンサと、をさらに備え、
第1の前記インプリント可能媒体ディスペンサは、前記第2のインプリントテンプレートホルダの一方の側にまたは一方の側に隣接して位置し、
第2の前記インプリント可能媒体ディスペンサは、前記第2のインプリントテンプレートホルダの反対側にまたは反対側に隣接して位置する、請求項11に記載の装置。 - 前記第1および第2の基板テーブルの位置は、交換され得る、請求項17に記載の装置。
- 基板を保持するように配置された基板テーブルと、
インプリントテンプレートと、
少なくとも2つのインプリント可能媒体ディスペンサと、を備え、
第1の前記インプリント可能媒体ディスペンサは、インプリントテンプレートの一方の側にまたは一方の側に隣接して位置し、
第2の前記インプリント可能媒体ディスペンサは、インプリントテンプレートの反対側にまたは反対側に隣接して位置する、インプリントリソグラフィ装置。 - 第1の基板を保持する第1の基板テーブルを第1の位置に移動させること、
前記基板を前記第1の位置にある前記基板テーブルに位置合わせすること、
インプリント可能媒体層を前記第1の基板の上に前記第1の位置で提供すること、
前記第1の基板を第2の位置に移動させること、
第2の基板を保持する第2の基板テーブルを前記第1の位置に移動させること、
前記第2の位置で、1つまたは複数のテンプレートを前記インプリント可能媒体層中にプレスすること、および
前記第2の基板を前記プレスの少なくとも一部の間に前記第2の基板テーブルに位置合わせすること、
を含むインプリントリソグラフィ方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US73317505P | 2005-11-04 | 2005-11-04 | |
| US11/364,497 US8011915B2 (en) | 2005-11-04 | 2006-03-01 | Imprint lithography |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006296405A Division JP4604012B2 (ja) | 2005-11-04 | 2006-10-31 | インプリントリソグラフィ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010016405A true JP2010016405A (ja) | 2010-01-21 |
| JP4629147B2 JP4629147B2 (ja) | 2011-02-09 |
Family
ID=37670937
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006296405A Active JP4604012B2 (ja) | 2005-11-04 | 2006-10-31 | インプリントリソグラフィ |
| JP2009237982A Active JP4629147B2 (ja) | 2005-11-04 | 2009-10-15 | インプリントリソグラフィ |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006296405A Active JP4604012B2 (ja) | 2005-11-04 | 2006-10-31 | インプリントリソグラフィ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US8011915B2 (ja) |
| EP (1) | EP1783547B1 (ja) |
| JP (2) | JP4604012B2 (ja) |
| AT (1) | ATE506635T1 (ja) |
| DE (1) | DE602006021380D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180083332A (ko) * | 2015-10-15 | 2018-07-20 | 보드 오브 리전츠 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 정밀 나노스케일 제조를 위한 다목적 프로세스 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7676088B2 (en) | 2004-12-23 | 2010-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
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| JP5082262B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2012-11-28 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 樹脂膜の製造方法 |
| US8142702B2 (en) * | 2007-06-18 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Solvent-assisted layer formation for imprint lithography |
| JP5361309B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2013-12-04 | キヤノン株式会社 | インプリント装置およびインプリント方法 |
| JPWO2010082300A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2012-06-28 | パイオニア株式会社 | 転写装置 |
| EP2384875A4 (en) * | 2009-01-30 | 2014-03-12 | Konica Minolta Opto Inc | DEVICE FOR PREPARING A WAFER LENS AND METHOD FOR PRODUCING A WAFER LENS |
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| JP5443070B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム |
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| NL2005975A (en) * | 2010-03-03 | 2011-09-06 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
| JP5539011B2 (ja) | 2010-05-14 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、検出装置、位置合わせ装置、及び物品の製造方法 |
| JP2012009831A (ja) * | 2010-05-21 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
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| NL2006929A (en) | 2010-08-05 | 2012-02-13 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
| FR2974194B1 (fr) * | 2011-04-12 | 2013-11-15 | Commissariat Energie Atomique | Procede de lithographie |
| JP6028602B2 (ja) * | 2013-02-06 | 2016-11-16 | 大日本印刷株式会社 | インプリント方法およびインプリント装置 |
| JP6123321B2 (ja) * | 2013-02-06 | 2017-05-10 | 大日本印刷株式会社 | インプリント方法およびインプリント装置 |
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| JP2007182063A (ja) | 2007-07-19 |
| DE602006021380D1 (de) | 2011-06-01 |
| US9864271B2 (en) | 2018-01-09 |
| US10025206B2 (en) | 2018-07-17 |
| EP1783547A2 (en) | 2007-05-09 |
| EP1783547A3 (en) | 2007-05-30 |
| JP4604012B2 (ja) | 2010-12-22 |
| EP1783547B1 (en) | 2011-04-20 |
| US8011915B2 (en) | 2011-09-06 |
| US9778563B2 (en) | 2017-10-03 |
| ATE506635T1 (de) | 2011-05-15 |
| US20070102838A1 (en) | 2007-05-10 |
| US20110283937A1 (en) | 2011-11-24 |
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