JP2009543355A5

JP2009543355A5 -

Info

Publication number: JP2009543355A5
Application number: JP2009518542A
Authority: JP
Filing date: 2007-06-27
Publication date: 2010-08-05

Claims

内部にロボットが配設された移送領域を形成する１つ以上の壁と、
上記移送領域内に配設され、基板の表面の特性を測定するように適応される第１の支援チャンバと、
上記移送領域に連通する基板処理チャンバと、
上記基板処理チャンバ内で処理ステップを遂行する前に基板の表面を準備するように適応される前クリーニングチャンバと、
を備えた基板処理装置。
上記第１の支援チャンバは、ＸＲＤ、ＸＰＳ、反射計、又はエリプソメーター技術を使用して基板の表面の特性を測定するように適応される、請求項１に記載の装置。
基板の表面から汚染物を除去するように適応される第２の支援チャンバを更に備え、上記１つ以上の壁に配設された放射源から基板の表面へ紫外線（ＵＶ）放射を配送することにより汚染物を除去する、請求項１に記載の装置。
内部にロボットが配設された移送領域を形成する１つ以上の壁と、
上記移送領域に連通する１つ以上の基板処理チャンバと、
上記ロボットと移送可能に連通し、基板の表面の特性を測定するように適応される支援チャンバと、
上記移送領域に連通する処理チャンバであって、
この処理チャンバの処理領域内に位置付けられた基板支持体、及び
上記基板支持体に位置付けられた基板の表面に１つ以上のＵＶ波長の光を配送するように適応される第１の放射源、
を含む処理チャンバと、
を備えた基板処理装置。
上記支援チャンバは、ＸＲＤ、ＸＰＳ、反射計、又はエリプソメーター技術を使用して基板の表面の特性を測定するように適応される、請求項４に記載の装置。
上記第１の放射源は、約１２０ｎｍから約４３０ｎｍの範囲の１つ以上の波長の光を、約１から約２５ｍＷ／ｃｍ^２の電力密度で配送するように適応される、請求項４に記載の装置。
上記支援チャンバ内で測定される基板の表面の特性は、上記領域内に含まれた材料の応力、歪、厚み及び組成より成るグループから選択された特性である、請求項４に記載の装置。
ロボットが配設された移送領域を形成する１つ以上の壁と、
上記ロボットと移送可能に連通し、基板の表面の特性を測定するように適応される支援チャンバと、
上記移送領域に連通する第１の処理チャンバであって、
この処理チャンバの処理領域内に位置付けられた基板支持体、及び
１つ以上のＵＶ波長の光を、上記基板支持体に位置付けられた基板の表面に配送するように適応される第１の放射源、
を含む、前記第１の処理チャンバと、
上記移送領域に連通する第２の処理チャンバであって、
この処理チャンバの処理領域内に位置付けられた基板支持体、
１つ以上のＵＶ波長の光を、上記基板支持体に位置付けられた基板の表面に配送するように適応される第２の放射源、及び
水素を含むクリーニングガスを上記処理領域へ配送するように適応されるガス源、
を含む、前記第２の処理チャンバと、
を備えた基板処理装置。
上記支援チャンバは、ＸＲＤ、ＸＰＳ、反射計、又はエリプソメーター技術を使用して基板の表面の特性を測定するように適応される、請求項８に記載の装置。
上記第１及び第２の放射源は、約１２０ｎｍから約４３０ｎｍの範囲の１つ以上の波長の光を、約１から約２５ｍＷ／ｃｍ^２の電力密度で配送するように適応される、請求項８に記載の装置。
クラスターツール内で半導体装置を形成する方法において、
基板処理チャンバ内で基板の表面を変更するステップと、
基板の表面を変更した後に基板の領域の特性を測定するステップと、
上記測定された特性を、システムコントローラに記憶された値と比較するステップと、
基板の表面を変更するプロセスの間に、上記測定された特性とシステムコントローラに記憶された値との上記比較に基づいて、プロセス変数を変更するステップと、
を備えた方法。
領域の特性を測定する上記ステップは、上記領域内に含まれた材料の応力、歪、厚み及び組成より成るグループから選択された特性を測定することを含む、請求項１１に記載の方法。
装置の特徴部を形成する前に基板の表面から汚染物を除去するステップを更に備え、この汚染物を除去するステップは、
約１２０ｎｍから約４３０ｎｍの範囲内の少なくとも１つの波長を有する放射に基板の表面を露出させる段階と、
水素を含むクリーニングガスを基板の表面に与える段階と、
約７５０℃より低い温度に基板を加熱する段階と、
を含む、請求項１１に記載の方法。
クラスターツール内で半導体装置を形成する方法において、
基板処理チャンバ内で基板の表面を変更するステップと、
上記クラスターツールの移送領域内に配設されたロボットを使用して、その移送領域に基板を位置付けるステップと、
上記移送領域に位置付けられた基板の表面の特性を測定するステップと、
上記測定された特性を、システムコントローラに記憶された値と比較するステップと、
基板の表面を変更するプロセスにおいて上記測定された特性とシステムコントローラに記憶された値との上記比較に基づいて、プロセス変数を調整するステップと、
を備えた方法。
放射源からの紫外線（ＵＶ）放射に基板の表面を露出させることにより、装置の特徴部を形成する前に、基板の表面から汚染物を除去するステップを更に備えた、請求項１４に記載の方法。