JP2009537064A5 - - Google Patents

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  1. 導電材料により形成された基板層と、
    ランプ動作中の前記基板の酸化を低減するための被覆と、を備えるランプ用箔接続体であって、
    前記被覆は、
    金又は白金を含む、前記基板上の第一の被覆層と
    前記第一の被覆層により前記基板から離間された、前記第一の被覆層よりも高濃度の金又は白金を含む第二の被覆層と、
    随意的に、前記第一及び第二の被覆層により前記基板から離間され、存在する場合には貴金属を含む第三の被覆層と、を含む、箔接続体。
  2. 前記基板は、その主成分としてモリブデンを含む、請求項1に記載の箔接続体。
  3. 前記第一の被覆層は、前記第二の被覆層より薄い、請求項1又は2に記載の箔接続体。
  4. 前記第一の被覆層は、厚さ約10nm未満であり、
    前記第二の被覆層は、前記第一の層よりも少なくとも約5nm厚く、
    前記第一及び第二の被覆層及び、存在する場合、第三の被覆層は、その粒状構造が異なる、請求項1乃至のいずれか1項に記載の箔接続体。
  5. 前記第一及び第二の被覆層は、それぞれ、少なくとも50重量%の金又は白金を含む、請求項1乃至のいずれか1項に記載の箔接続体。
  6. 前記被覆は、前記第三の被覆層を含前記第三の被覆層は、前記箔接続体の最外層である、請求項1乃至のいずれか1項に記載の箔接続体。
  7. 更に、アルミニウム、ケイ素、アルミニウムの酸化物、ケイ素の酸化物、及びその組み合わせにより構成された集合のうち少なくとも一つを含む層を備える、請求項1乃至のいずれか1項に記載の箔接続体。
  8. 請求項1乃至のいずれか1項に記載の箔接続体と電極とを備えるインタフェース。
  9. 請求項1乃至のいずれか1項に記載の箔接続体を備えるランプ。
  10. ランプであって、
    エンベロープと、
    前記ランプの動作中に前記エンベロープ内で放電を発生させる少なくとも一個の内部電極と、
    外部接続体と、
    前記外部接続体を前記内部電極に電気的に接続する箔接続体と、を備え、
    前記箔接続体は、
    導電材料により形成された基板層と、
    厚さ約10nm未満の金又は白金を含む前記基板上の第一の被覆層と
    前記第一の被覆層により前記基板から離間された、前記第一の被覆層よりも高濃度の金又は白金を含む第二の被覆層と、
    随意的に、前記第一及び第二の被覆層により前記基板から離間された、貴金属を含む第三の被覆層と、を含む、ランプ。
  11. 前記第二の被覆層は、前記第一の層よりも粒子の大きい粒子構造を有している、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の箔接続体。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7863818B2 (en) * 2007-08-01 2011-01-04 General Electric Company Coil/foil-electrode assembly to sustain high operating temperature and reduce shaling
WO2010000327A1 (de) * 2008-07-04 2010-01-07 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektrische lampe und verfahren zum herstellen einer elektrischen lampe
DE102009048432A1 (de) * 2009-10-06 2011-04-07 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gasentladungslampe
DE102017209173A1 (de) * 2017-05-31 2018-12-06 Robert Bosch Gmbh Polykristallines Material mit geringer mechanischer Verspannung; Verfahren zum Erzeugen eines polykristallinen Materials

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1012616A (en) 1964-11-02 1965-12-08 Licentia Gmbh Method of fusing gold foil to molybdenum
US3420944A (en) * 1966-09-02 1969-01-07 Gen Electric Lead-in conductor for electrical devices
GB1185873A (en) * 1967-02-06 1970-03-25 British Lighting Ind Ltd Lamps having a Linear Envelope of High-Temperature Glass
US3441776A (en) * 1967-05-12 1969-04-29 Gen Electric Filament support for incandescent electric lamps
GB1174745A (en) * 1968-07-01 1969-12-17 British Lighting Ind Ltd Improvements in Seals for Electrical Devices
DE1957594A1 (de) 1969-11-15 1971-05-27 Narva Veb Verfahren zur Vorbehandlung zu verschweissender hochschmelzender Metalle,insbesondere Molybdaen und Wolfram
US3723792A (en) * 1972-01-13 1973-03-27 V Chiola Electric incandescent lamps having refractory metal phosphate and phosphide coatings for refractory metal leads
NL7501272A (nl) 1975-02-04 1976-08-06 Philips Nv Electrische lamp.
DE2800436C2 (de) 1978-01-05 1979-12-13 Dr. Eugen Duerrwaechter Doduco, 7530 Pforzheim Halbzeug für elektrische Schutzrohrkontakte und Verfahren zu seiner Herstellung
US4354137A (en) * 1980-07-15 1982-10-12 Westinghouse Electric Corp. Incandescent lamp having seal-anchored filament mount, and method of making such lamp
SU1163392A1 (ru) * 1982-05-05 1985-06-23 Предприятие П/Я А-3609 Газоразр дна высокоинтенсивна лампа
US4431709A (en) 1982-09-29 1984-02-14 North American Philips Corporation Beryllium to metal seals and method of producing the same
USRE31519E (en) * 1982-11-12 1984-02-07 General Electric Company Lead-in seal and lamp utilizing same
DE3537262C2 (de) 1985-10-19 1994-02-03 Deutsche Aerospace Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenverbinders
US4703221A (en) * 1986-04-18 1987-10-27 Ochoa Carlos G Electric lamp and method of making
US4996116A (en) * 1989-12-21 1991-02-26 General Electric Company Enhanced direct bond structure
EP0657912B1 (en) * 1993-12-08 1998-04-01 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Process for connection of a molybdenum foil to a molybdenum lead portion and method of producing a hermetically enclosed part of a lamp using the process
JPH07302579A (ja) 1994-05-06 1995-11-14 Mitsubishi Materials Corp ハロゲンランプ
JP3334484B2 (ja) * 1996-04-05 2002-10-15 ウシオ電機株式会社 ランプの製造方法
JPH11317197A (ja) * 1998-04-30 1999-11-16 Toshiba Lighting & Technology Corp 放電ランプ、ランプ装置及び液晶プロジェクタ
JP3480364B2 (ja) * 1999-04-23 2003-12-15 ウシオ電機株式会社 ショートアーク型放電ランプ
JP3911924B2 (ja) * 1999-09-30 2007-05-09 東芝ライテック株式会社 管球
JP3687582B2 (ja) * 2001-09-12 2005-08-24 ウシオ電機株式会社 放電ランプ
JP4200823B2 (ja) * 2002-08-22 2008-12-24 ウシオ電機株式会社 箔シールランプ
US7153179B2 (en) 2002-11-07 2006-12-26 Advanced Lighting Technologies, Inc. Oxidation-protected metallic foil and method
US7198534B2 (en) * 2003-01-24 2007-04-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing high-pressure discharge lamp, glass tube for high-pressure discharge lamp, and lamp element for high-pressure discharge lamp
WO2004097892A2 (en) 2003-05-01 2004-11-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a lamp having an oxidation-protected lead wire
JP4276548B2 (ja) * 2004-01-09 2009-06-10 株式会社アライドマテリアル 耐酸化性を有するランプ用モリブデン外部リード線
US7759871B2 (en) * 2005-12-16 2010-07-20 General Electric Company High temperature seal for electric lamp

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