JP7021922B2 - ひずみゲージ - Google Patents

Description

本発明は、ひずみゲージに関する。

測定対象物に貼り付けて、測定対象物のひずみを検出するひずみゲージが知られている。ひずみゲージは、ひずみを検出する抵抗体を備えており、抵抗体の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）やＮｉ（ニッケル）を含む材料が用いられている。又、例えば、抵抗体の両端が電極として用いられ、電極には、はんだにより外部接続用のリード線等が接合される（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１６－７４９３４号公報

しかしながら、抵抗体は膜厚が薄いため、抵抗体の両端を電極として用いると、はんだ食われが生じやすく、はんだ付け性が悪い。又、抵抗体にＣｒ（クロム）やＮｉ（ニッケル）を含む材料を用いる場合、更にはんだ付け性が悪くなる。特に、Ｃｒは自己酸化膜を作製するため、はんだ付け性が悪くなる。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、抵抗体にＣｒ（クロム）やＮｉ（ニッケル）を含む材料を用いたひずみゲージにおいて、電極のはんだ付け性を向上することを目的とする。

本ひずみゲージは、可撓性を有する基材と、前記基材上に、クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体と、前記抵抗体と電気的に接続された電極と、を有し、前記電極は、前記抵抗体の端部から延在する端子部と、前記端子部上に形成されたプライマー層と、前記プライマー層上に形成された触媒層と、前記触媒層上に形成された金属層と、を含み、前記プライマー層には、導電成分が分散されている。

開示の技術によれば、抵抗体にＣｒ（クロム）やＮｉ（ニッケル）を含む材料を用いたひずみゲージにおいて、電極のはんだ付け性を向上することができる。

第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。 第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図である。 第１の実施の形態に係るひずみゲージの製造工程を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係るひずみゲージの製造工程を例示する図（その２）である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

〈第１の実施の形態〉
図１は、第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。図２は、第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図であり、図１のＡ－Ａ線に沿う断面を示している。図１及び図２を参照するに、ひずみゲージ１は、基材１０と、抵抗体３０と、電極４０Ａとを有している。

なお、本実施の形態では、便宜上、ひずみゲージ１において、基材１０の抵抗体３０が設けられている側を上側又は一方の側、抵抗体３０が設けられていない側を下側又は他方の側とする。又、各部位の抵抗体３０が設けられている側の面を一方の面又は上面、抵抗体３０が設けられていない側の面を他方の面又は下面とする。但し、ひずみゲージ１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。又、平面視とは対象物を基材１０の上面１０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を基材１０の上面１０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

基材１０は、抵抗体３０等を形成するためのベース層となる部材であり、可撓性を有する。基材１０の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、５μｍ～５００μｍ程度とすることができる。特に、基材１０の厚さが５μｍ～２００μｍであると、接着層等を介して基材１０の下面に接合される起歪体表面からの歪の伝達性、環境に対する寸法安定性の点で好ましく、１０μｍ以上であると絶縁性の点で更に好ましい。

基材１０は、例えば、ＰＩ（ポリイミド）樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ポリオレフィン樹脂等の絶縁樹脂フィルムから形成することができる。なお、フィルムとは、厚さが５００μｍ以下程度であり、可撓性を有する部材を指す。

ここで、『絶縁樹脂フィルムから形成する』とは、基材１０が絶縁樹脂フィルム中にフィラーや不純物等を含有することを妨げるものではない。基材１０は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有する絶縁樹脂フィルムから形成しても構わない。

抵抗体３０は、基材１０上に所定のパターンで形成された薄膜であり、ひずみを受けて抵抗変化を生じる受感部である。抵抗体３０は、基材１０の上面１０ａに直接形成されてもよいし、基材１０の上面１０ａに他の層を介して形成されてもよい。なお、図１では、便宜上、抵抗体３０を梨地模様で示している。

抵抗体３０は、例えば、Ｃｒ（クロム）を含む材料、Ｎｉ（ニッケル）を含む材料、又はＣｒとＮｉの両方を含む材料から形成することができる。すなわち、抵抗体３０は、ＣｒとＮｉの少なくとも一方を含む材料から形成することができる。Ｃｒを含む材料としては、例えば、Ｃｒ混相膜が挙げられる。Ｎｉを含む材料としては、例えば、Ｎｉ－Ｃｕ（ニッケル銅）が挙げられる。ＣｒとＮｉの両方を含む材料としては、例えば、Ｎｉ－Ｃｒ（ニッケルクロム）が挙げられる。

ここで、Ｃｒ混相膜とは、Ｃｒ、ＣｒＮ、Ｃｒ_２Ｎ等が混相した膜である。Ｃｒ混相膜は、酸化クロム等の不可避不純物を含んでもよい。

抵抗体３０の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、０．０５μｍ～２μｍ程度とすることができる。特に、抵抗体３０の厚さが０．１μｍ以上であると抵抗体３０を構成する結晶の結晶性（例えば、α－Ｃｒの結晶性）が向上する点で好ましく、１μｍ以下であると抵抗体３０を構成する膜の内部応力に起因する膜のクラックや基材１０からの反りを低減できる点で更に好ましい。

例えば、抵抗体３０がＣｒ混相膜である場合、安定な結晶相であるα－Ｃｒ（アルファクロム）を主成分とすることで、ゲージ特性の安定性を向上することができる。又、抵抗体３０がα－Ｃｒを主成分とすることで、ひずみゲージ１のゲージ率を１０以上、かつゲージ率温度係数ＴＣＳ及び抵抗温度係数ＴＣＲを－１０００ｐｐｍ／℃～＋１０００ｐｐｍ／℃の範囲内とすることができる。ここで、主成分とは、対象物質が抵抗体を構成する全物質の５０質量％以上を占めることを意味するが、ゲージ特性を向上する観点から、抵抗体３０はα－Ｃｒを８０重量％以上含むことが好ましい。なお、α－Ｃｒは、ｂｃｃ構造（体心立方格子構造）のＣｒである。

電極４０Ａは、抵抗体３０の両端部から延在しており、平面視において、抵抗体３０よりも拡幅して略矩形状に形成されている。電極４０Ａは、ひずみにより生じる抵抗体３０の抵抗値の変化を外部に出力するための一対の電極であり、例えば、外部接続用のリード線等が接合される。抵抗体３０は、例えば、電極４０Ａの一方からジグザグに折り返しながら延在して他方の電極４０Ａに電気的に接続されている。

電極４０Ａは、複数の層が積層された積層構造とされている。具体的には、電極４０Ａは、抵抗体３０の両端部から延在する端子部４１と、端子部４１の上面に形成されたプライマー層４２と、プライマー層４２の上面に形成された触媒層４３と、触媒層４３の上面に形成された金属層４４とを有している。なお、抵抗体３０と端子部４１とは便宜上別符号としているが、両者は同一工程において同一材料により一体に形成することができる。

プライマー層４２は、無電解めっきの下地となる層であり、抵抗体３０の上面及び端子部４１の上面に形成されている。プライマー層４２は、基材１０と金属層４４との密着性を向上する機能を備えている。但し、プライマー層４２は、少なくとも電極４０Ａの一部をなす端子部４１の上面に形成されていればよく、更に抵抗体３０の上面の一部又は全部に形成されてもよい。端子部４１を被覆する部分のプライマー層４２の上面は、親水性に改質された改質領域４２ｘとされている。図２では、便宜上、プライマー層４２の上面の改質領域４２ｘを破線で示している。

プライマー層４２の材料は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂、又はこれらを含む樹脂組成物を用いることができる。プライマー層４２には、導電成分が分散（含有）されている。導電成分は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム等の金属材料や、カーボンブラック、グラファイト等の炭素材料を用いることができる。これらのうち、２種以上を混合してもよい。

プライマー層４２の厚さは、例えば、０．０１μｍ～２μｍ程度とすることができる。プライマー層４２を薄くし、適量の導電成分を分散させることで、プライマー層４２中の導電成分同士が接触し、プライマー層４２の下層である抵抗体３０と上層である触媒層４３及び金属層４４とを導通させることができる。

触媒層４３は、プライマー層４２の上面の改質領域４２ｘ上に形成されている。触媒層４３の材料は、無電解めっき法により金属層４４を形成する際の触媒としての機能を有する材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、Ｐｄを含有する触媒を好適に用いることができる。触媒層４３の厚さは極薄であり、プライマー層４２の上面に点在する状態でも構わない。

金属層４４は、触媒層４３の上面に形成されている無電解めっき層である。金属層４４の材料は、端子部４１よりもはんだ付け性が良好な材料を選択することができ、例えば、Ｃｕ（銅）、Ｃｕ合金、Ｎｉ、又はＮｉ合金が挙げられる。金属層４４の厚さは、電極４０Ａへのはんだ付け性を考慮して決定されるが、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上である。金属層４４の材料としてＣｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ、又はＮｉ合金を用い、金属層４４の厚さを１μｍ以上とすることで、はんだ食われが改善される。又、金属層４４の材料としてＣｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ、又はＮｉ合金を用い、金属層４４の厚さを３μｍ以上とすることで、はんだ食われが更に改善される。なお、無電解めっきの容易性から、金属層４４の厚さは３０μｍ以下であることが好ましい。

ここで、はんだ食われとは、電極４０Ａを構成する材料が、電極４０Ａに接合されるはんだの中に溶解し、電極４０Ａの厚みが薄くなったり、なくなったりすることである。はんだ食われが発生すると、電極４０Ａに接合されるリード線等との接着強度や引張り強度が低下するおそれがあるため、はんだ食われが発生しないことが好ましい。

金属層４４は、単一膜ではなく積層膜としてもよい。積層膜としては、例えば、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｕ／ＮｉＰ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、ＮｉＰ／Ａｕ等が挙げられる。なお、『ＡＡ／ＢＢ』は、ＡＡ層とＢＢ層とが触媒層４３の上面にこの順番で積層された積層膜を意味している（３層以上の場合も同様）。これらの積層膜において、Ｃｕに代えてＣｕ合金、Ｎｉに代えてＮｉ合金を用いてもよい。

電極４０Ａの最表層にＡｕを設けることにより、下層を構成する金属の酸化及び腐食を防止できると共に、良好なはんだ濡れ性を得ることができる。金属層４４の材料としてＡｕに代えてＰｔ（白金）を用いても同様の効果を奏する。

抵抗体３０を被覆し電極４０Ａを露出するように基材１０の上面１０ａにカバー層６０（絶縁樹脂層）を設けても構わない。カバー層６０を設けることで、抵抗体３０に機械的な損傷等が生じることを防止できる。又、カバー層６０を設けることで、抵抗体３０を湿気等から保護することができる。なお、カバー層６０は、電極４０Ａを除く部分の全体を覆うように設けてもよい。

カバー層６０は、例えば、ＰＩ樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＥＮ樹脂、ＰＥＴ樹脂、ＰＰＳ樹脂、複合樹脂（例えば、シリコーン樹脂、ポリオレフィン樹脂）等の絶縁樹脂から形成することができる。カバー層６０は、フィラーや顔料を含有しても構わない。カバー層６０の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、２μｍ～３０μｍ程度とすることができる。

図３及び図４は、第１の実施の形態に係るひずみゲージの製造工程を例示する図であり、図２に対応する断面を示している。ひずみゲージ１を製造するためには、まず、図３（ａ）に示す工程では、基材１０を準備し、基材１０の上面１０ａに図１に示す平面形状の抵抗体３０及び端子部４１を形成する。抵抗体３０及び端子部４１の材料や厚さは、前述の通りである。抵抗体３０と端子部４１とは、同一材料により一体に形成することができる。

抵抗体３０及び端子部４１は、例えば、抵抗体３０及び端子部４１を形成可能な原料をターゲットとしたマグネトロンスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィによってパターニングすることで形成できる。抵抗体３０及び端子部４１は、マグネトロンスパッタ法に代えて、反応性スパッタ法や蒸着法、アークイオンプレーティング法、パルスレーザー堆積法等を用いて成膜してもよい。

ゲージ特性を安定化する観点から、抵抗体３０及び端子部４１を成膜する前に、下地層として、基材１０の上面１０ａに、例えば、コンベンショナルスパッタ法により膜厚が１ｎｍ～１００ｎｍ程度の機能層を真空成膜することが好ましい。なお、機能層は、機能層の上面全体に抵抗体３０及び端子部４１を形成後、フォトリソグラフィによって抵抗体３０及び端子部４１と共に図１に示す平面形状にパターニングされる。

本願において、機能層とは、少なくとも上層である抵抗体３０の結晶成長を促進する機能を有する層を指す。機能層は、更に、基材１０に含まれる酸素や水分による抵抗体３０の酸化を防止する機能や、基材１０と抵抗体３０との密着性を向上する機能を備えていることが好ましい。機能層は、更に、他の機能を備えていてもよい。

基材１０を構成する絶縁樹脂フィルムは酸素や水分を含むため、特に抵抗体３０がＣｒを含む場合、Ｃｒは自己酸化膜を形成するため、機能層が抵抗体３０の酸化を防止する機能を備えることは有効である。

機能層の材料は、少なくとも上層である抵抗体３０の結晶成長を促進する機能を有する材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｙ（イットリウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｃ（炭素）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｃｕ（銅）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｆｅ（鉄）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｒｅ（レニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｏ（コバルト）、Ｍｎ（マンガン）、Ａｌ（アルミニウム）からなる群から選択される１種又は複数種の金属、この群の何れかの金属の合金、又は、この群の何れかの金属の化合物が挙げられる。

上記の合金としては、例えば、ＦｅＣｒ、ＴｉＡｌ、ＦｅＮｉ、ＮｉＣｒ、ＣｒＣｕ等が挙げられる。又、上記の化合物としては、例えば、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２等が挙げられる。

機能層は、例えば、機能層を形成可能な原料をターゲットとし、チャンバ内にＡｒ（アルゴン）ガスを導入したコンベンショナルスパッタ法により真空成膜することができる。コンベンショナルスパッタ法を用いることにより、基材１０の上面１０ａをＡｒでエッチングしながら機能層が成膜されるため、機能層の成膜量を最小限にして密着性改善効果を得ることができる。

但し、これは、機能層の成膜方法の一例であり、他の方法により機能層を成膜してもよい。例えば、機能層の成膜の前にＡｒ等を用いたプラズマ処理等により基材１０の上面１０ａを活性化することで密着性改善効果を獲得し、その後マグネトロンスパッタ法により機能層を真空成膜する方法を用いてもよい。

機能層の材料と抵抗体３０及び端子部４１の材料との組み合わせは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、機能層としてＴｉを用い、抵抗体３０及び端子部４１としてα－Ｃｒ（アルファクロム）を主成分とするＣｒ混相膜を成膜することが可能である。

この場合、例えば、Ｃｒ混相膜を形成可能な原料をターゲットとし、チャンバ内にＡｒガスを導入したマグネトロンスパッタ法により、抵抗体３０及び端子部４１を成膜することができる。或いは、純Ｃｒをターゲットとし、チャンバ内にＡｒガスと共に適量の窒素ガスを導入し、反応性スパッタ法により、抵抗体３０及び端子部４１を成膜してもよい。

これらの方法では、Ｔｉからなる機能層がきっかけでＣｒ混相膜の成長面が規定され、安定な結晶構造であるα－Ｃｒを主成分とするＣｒ混相膜を成膜できる。又、機能層を構成するＴｉがＣｒ混相膜中に拡散することにより、ゲージ特性が向上する。例えば、ひずみゲージ１のゲージ率を１０以上、かつゲージ率温度係数ＴＣＳ及び抵抗温度係数ＴＣＲを－１０００ｐｐｍ／℃～＋１０００ｐｐｍ／℃の範囲内とすることができる。なお、機能層がＴｉから形成されている場合、Ｃｒ混相膜にＴｉやＴｉＮ（窒化チタン）が含まれる場合がある。

なお、抵抗体３０がＣｒ混相膜である場合、Ｔｉからなる機能層は、抵抗体３０の結晶成長を促進する機能、基材１０に含まれる酸素や水分による抵抗体３０の酸化を防止する機能、及び基材１０と抵抗体３０との密着性を向上する機能の全てを備えている。機能層として、Ｔｉに代えてＴａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｆｅを用いた場合も同様である。

このように、抵抗体３０の下層に機能層を設けることにより、抵抗体３０の結晶成長を促進することが可能となり、安定な結晶相からなる抵抗体３０を作製できる。その結果、ひずみゲージ１において、ゲージ特性の安定性を向上することができる。又、機能層を構成する材料が抵抗体３０に拡散することにより、ひずみゲージ１において、ゲージ特性を向上することができる。

次に、図３（ｂ）に示す工程では、抵抗体３０及び端子部４１の上面を覆うように、例えば、ディップ法、スピンコート法、スプレーコート法等により、プライマー層４２となる液状又はペースト状の材料を塗布する。そして、塗布した材料を所定温度に加熱して乾燥させ、プライマー層４２を形成する。なお、プライマー層４２は、少なくとも端子部４１の上面に形成されていればよく、更に抵抗体３０の上面の一部又は全部に形成されてもよい。プライマー層４２の材料や厚さは、前述の通りである。

次に、図３（ｃ）に示す工程では、端子部４１を被覆する部分のプライマー層４２の上面を改質し、親水性の改質領域４２ｘを形成する。なお、改質領域４２ｘ以外のプライマー層４２の上面は疎水性である。プライマー層４２の上面は、例えば、改質領域４２ｘとなる部分を開口するマスク（図示せず）を介して紫外光Ｌを照射することにより改質できる。紫外光Ｌの照射は、例えば、水銀ランプ光源、紫外レーザ光源を用いて行うことができる。

次に、図４（ａ）に示す工程では、プライマー層４２の上面の改質領域４２ｘ上に触媒層４３を形成する。触媒層４３は、例えば、図３（ｃ）に示す構造体を触媒層４３となる材料を含む液に浸漬することで、改質領域４２ｘ上に選択的に形成できる。触媒層４３の材料や厚さは、前述の通りである。

次に、図４（ｂ）に示す工程では、無電解めっき法により、触媒層４３の上面に金属層４４を形成する。金属層４４は、例えば、図４（ａ）に示す構造体を金属層４４となる材料を含む無電解めっき液に浸漬することで、触媒への置換を起点として触媒層４３上に選択的に形成できる。金属層４４の材料や厚さは、前述の通りである。

図４（ｂ）に示す工程の後、必要に応じ、基材１０の上面１０ａに、抵抗体３０を被覆し電極４０Ａを露出するカバー層６０を設けることで、ひずみゲージ１が完成する。カバー層６０は、例えば、基材１０の上面１０ａに、抵抗体３０を被覆し電極４０Ａを露出するように半硬化状態の熱硬化性の絶縁樹脂フィルムをラミネートし、加熱して硬化させて作製することができる。カバー層６０は、基材１０の上面１０ａに、抵抗体３０を被覆し電極４０Ａを露出するように液状又はペースト状の熱硬化性の絶縁樹脂を塗布し、加熱して硬化させて作製してもよい。

このように、電極４０Ａとして、端子部４１上に、端子部４１よりもはんだ付け性が良好な材料からなる金属層４４を形成することで、はんだ付け性を向上できる。最表層にＡｕやＰｔを形成する場合には、はんだ付け性を特に向上できる。又、電極４０ＡがＣｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ、又はＮｉ合金の厚膜（１μｍ以上）を含む場合には、はんだ食われを防止できる。

又、電極４０Ａは、プライマー層４２及び触媒層４３を有することで、上層に無電解めっき層である金属層４４を形成可能としている。無電解めっき法により金属層４４を形成すると、電解めっき法に必要なシード層が不要となる点で好適である。又、無電解めっき層である金属層４４は触媒層４３上に選択的に形成されるため、フォトレジストパターンの形成が不要となり、微細な電極４０Ａを形成できる点で好適である。又、無電解めっき法では、無電解めっき液を保持できる容器があれば足り、電解めっき法のような特別な設備や冶具が不要となる点で好適である。

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

１ ひずみゲージ、１０ 基材、１０ａ 上面、３０ 抵抗体、４１ 端子部、４２ プライマー層、４３ 触媒層、４４ 金属層、４０Ａ 電極、６０ カバー層

Claims (9)

1. 可撓性を有する基材と、
   前記基材上に、クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体と、
   前記抵抗体と電気的に接続された電極と、を有し、
   前記電極は、
   前記抵抗体の端部から延在する端子部と、
   前記端子部上に形成されたプライマー層と、
   前記プライマー層上に形成された触媒層と、
   前記触媒層上に形成された金属層と、を含み、
   前記プライマー層には、導電成分が分散されているひずみゲージ。
2. 前記プライマー層は、表面が親水性に改質された改質領域を備え、
   前記触媒層は、前記改質領域上に形成されている請求項１に記載のひずみゲージ。
3. 前記金属層は、無電解めっき層である請求項１又は２に記載のひずみゲージ。
4. 前記抵抗体は、アルファクロムを主成分とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のひずみゲージ。
5. 前記抵抗体は、アルファクロムを８０重量％以上含む請求項４に記載のひずみゲージ。
6. 前記抵抗体は、窒化クロムを含む請求項４又は５に記載のひずみゲージ。
7. 前記基材の一方の面に、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された機能層を有し、
   前記抵抗体は、前記機能層の一方の面に形成されている請求項１乃至６の何れか一項に記載のひずみゲージ。
8. 前記機能層は、前記抵抗体の結晶成長を促進する機能を有する請求項７に記載のひずみゲージ。
9. 前記抵抗体を被覆する絶縁樹脂層を有する請求項１乃至８の何れか一項に記載のひずみゲージ。

Images